專利名稱：碳化硅單結(jié)晶的制造裝置和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種碳化硅單結(jié)晶的制造裝置和制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)地，比如在JP-A-2004-339029(對(duì)應(yīng) US2004/194694A)中已經(jīng)提出一種 SiC 單結(jié)晶制造裝置。在SiC單結(jié)晶制造裝置中，SiC的原料氣體通過引入管被引到加熱坩堝， 原料氣體在加熱坩堝內(nèi)分解，分解后的原料氣體被弓I到放置在反應(yīng)坩堝內(nèi)的籽晶。圖6表示在傳統(tǒng)的SiC單結(jié)晶制造裝置中原料氣體流動(dòng)狀態(tài)的橫截面示意圖。在 傳統(tǒng)的SiC單結(jié)晶制造裝置中，加熱坩堝Jl內(nèi)原料氣體的流動(dòng)通路的下游側(cè)被完全打開。 因此，如圖6的箭頭所示，原料氣體流均勻一致地撞擊布置在反應(yīng)坩堝J2內(nèi)的籽晶J3。于 是，在籽晶J3上的SiC單結(jié)晶的生長趨于平面生長，即SiC單結(jié)晶的表面平面式生長，或者 趨于凹下式生長，即SiC單結(jié)晶表面的中心部分凹下式地生長。然而，在平面生長和凹下式 生長中，存在的問題是，比如多系統(tǒng)的宏觀缺陷或者比如基礎(chǔ)表面位錯(cuò)的微觀缺陷從外周 面部分向著中心部分延伸。因此，優(yōu)選的是，SiC單結(jié)晶的生長變成這樣的生長方式，S卩，SiC 單結(jié)晶生長的同時(shí)限制外周面部分的晶體缺陷，就是說，SiC單結(jié)晶的生長表面變?yōu)橥姑媸?生長。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的提供一種SiC單結(jié)晶能夠凸面式生長的SiC單 結(jié)晶制造裝置及其制造方法。按照本發(fā)明的一個(gè)方面，SiC單結(jié)晶制造裝置在由SiC單結(jié)晶基片制成的籽晶表 面上，通過從籽晶下方供應(yīng)SiC原料氣體來生長SiC單結(jié)晶，該裝置包括底座和加熱坩堝。 所述籽晶布置在底座上。相對(duì)于基座，加熱坩堝布置在原料氣體的流動(dòng)通道的上游側(cè)。加 熱坩堝包括中空筒形件和縮徑部分。中空筒形件具有上游端和下游端。通過從中空筒形件 的上游端引入原料氣體，并從中空筒形件的下游端排出原料氣體，加熱坩堝將原料氣體供 應(yīng)到籽晶?？s徑部分布置在中空筒形件的下游端，其具有的開口部分的尺寸小于中空筒形 件的開口尺寸?？s徑部分的整個(gè)開口部分被包含在這樣的區(qū)域，即所述基座的外邊沿著加 熱坩堝的中心軸線方向投影所限定的區(qū)域。在SiC單結(jié)晶制造裝置中，縮徑部分布置在中空筒形件的下游端，原料氣體的流 量由于縮徑部分而在SiC單結(jié)晶生長表面上成面內(nèi)分布。因此，SiC單結(jié)晶能夠凸面式生長。按照本發(fā)明的另一方面，在SiC單結(jié)晶制造方法中，由SiC單結(jié)晶基片制成的籽晶 布置在基座上，相對(duì)于基座，加熱坩堝布置在SiC原料氣體的流動(dòng)通道的上游側(cè)。加熱坩堝 包括中空筒形件和縮徑部分。中空筒形件具有上游端和下游端。通過從中空筒形件的上游 端引入原料氣體，并從中空筒形件的下游端排出原料氣體，加熱坩堝將原料氣體供應(yīng)到籽 晶?？s徑部分布置在中空筒形件的下游端，其具有的開口部分的尺寸小于中空筒形件的開口尺寸。以這樣的方式在籽晶表面上使SiC單結(jié)晶生長，即通過縮徑部分的開口部分供應(yīng) 原料氣體，原料氣體的流量在SiC單結(jié)晶生長表面上成面內(nèi)分布。當(dāng)通過上述方法制造SiC單結(jié)晶時(shí)，SiC單結(jié)晶能夠成凸面式生長。


從參照下列附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例作出的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它目的和優(yōu) 點(diǎn)將變得更加明顯。其中圖1是按照本發(fā)明第一實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置的截面視圖；圖2是用圖1所示的SiC單結(jié)晶制造裝置制造SiC單結(jié)晶過程中的狀態(tài)圖；圖3是用按照本發(fā)明第二實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置制造SiC單結(jié)晶過程中的 狀態(tài)圖；圖4是用按照本發(fā)明第三實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置制造SiC單結(jié)晶過程中的 狀態(tài)圖；圖5是用按照本發(fā)明第三實(shí)施例的另一方案的SiC單結(jié)晶制造裝置制造SiC單結(jié) 晶過程中的狀態(tài)圖；和圖6是在按照現(xiàn)有技術(shù)的SiC單結(jié)晶制造裝置中原料氣體流動(dòng)狀態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施例)參照?qǐng)D1描述按照本發(fā)明第一實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置1。SiC單結(jié)晶制造裝置1通過設(shè)置在底部的入口 2供應(yīng)SiC原料氣體3以及運(yùn)載氣 體，并通過出口 4排出運(yùn)載氣體和原料氣體3，于是引發(fā)SiC單結(jié)晶在籽晶5上的晶粒生長。 SiC原料氣體3包括Si和C。比如，原料氣體3是包括硅烷的硅烷基氣體和包括丙烷的烴 基氣體的混合氣體。籽晶5布置在SiC單結(jié)晶制造裝置1中，由SiC單結(jié)晶基片制成。SiC單結(jié)晶制造裝置1包括真空室6、第一絕熱件7、加熱坩堝8、反應(yīng)坩堝9、外壁 10、管11、第二絕熱件12、第一加熱裝置13和第二加熱裝置14。真空室6由石英制成，為中空?qǐng)A筒形狀。運(yùn)載氣體和原料氣體3能夠被引進(jìn)真空 室6并從真空室排出。真空室6容納SiC單結(jié)晶制造裝置1的其它部件。真空室6空間內(nèi) 的壓力通過抽真空而降低。原料氣體3的入口 2設(shè)置在真空室6的底部，原料氣體3的出 口 4設(shè)置在上部(具體地，側(cè)壁的上部)。第一絕熱件7為包括圓筒形的管狀。第一絕熱件7與真空室6同軸布置，第一絕熱 件7的中空部分構(gòu)成原料氣體引入管7a。第一絕熱件7比如由石墨或者表面涂有TaC(碳 化鉭)的石墨制成。加熱坩堝8比如由石墨或者表面涂有TaC的石墨制成。相對(duì)于反應(yīng)坩堝9而言， 加熱坩堝8布置在原料氣體3的流動(dòng)通道的上游。加熱坩堝8去除含在原料氣體3中的顆 粒并將原料氣體3分解，直到從入口 2供應(yīng)的原料氣體3被引到籽晶5。加熱坩堝8包括中空的筒形件。中空筒形件具有上游端和下游端。在該實(shí)施例中， 加熱坩堝8包括在上游端具有底部的筒形件。加熱坩堝8具有在底部處的氣體入口 8a，氣 體入口 8a與第一絕熱件7的中空部分連通。流過第一絕熱件7的中空部分的原料氣體通過氣體入口 8a被引到加熱坩堝8內(nèi)。加熱坩堝8具有折流板Sb。通過原料氣體3與折流 板8b的碰撞，原料氣體3的流動(dòng)通道發(fā)生彎曲，于是清除含在原料氣體3中的顆粒，并使原 料氣體3混合，同時(shí)限制未分解的原料氣體3流向籽晶5。比如，折流板8b為具有底部的圓筒形，在側(cè)壁具有多個(gè)連通孔Sc。折流板8b布置 成，折流板8b的開口端即與底部相反的端部面向加熱坩堝8底部處的氣體入口 8a。在該結(jié) 構(gòu)中，從氣體入口 8a引入的原料氣體3撞擊折流板8b的底部表面。因此，與折流板8b相 撞的顆粒落到加熱坩堝8的底部，并從原料氣體3中去除。其流動(dòng)通道從平行于加熱坩堝 8的軸向方向的方向改變?yōu)榇怪狈较虻脑蠚怏w3，通過連通孔8c被弓I入到加熱坩堝8內(nèi) 的流動(dòng)通道相對(duì)于折流板8b的下游側(cè)。加熱坩堝8還包括縮徑部分8d?？s徑部分8d布置在加熱坩堝8的中空筒形件的 下游端。換句話說，縮徑部分8d布置在加熱坩堝8的一端部，該端部與筒形件的底部相反 并靠近反應(yīng)坩堝9，S卩，所述端部位于原料氣體3的流動(dòng)通道的下游側(cè)。縮徑部分8d的開口 部分的尺寸小于中空筒形件的開口尺寸。通過將原料氣體3從中空筒形件的上游端引入并 通過縮徑部分8d的開口部分將原料氣體3從中空筒形件排出，加熱坩堝8向籽晶5供應(yīng)原 料氣體3。縮徑部分8d減小加熱坩堝8在原料氣體3的流動(dòng)通道下游側(cè)上的端部的開口尺 寸，使該尺寸小于籽晶5的直徑?？s徑部分8d能夠限制原料氣體3，從而原料氣體3的流量 在SiC單結(jié)晶的生長表面上成面內(nèi)分布。因此，原料氣體3有選擇地撞擊籽晶5的中心部 分?？s徑部分8d的開口部分位于與帶有籽晶5的基座9a相對(duì)應(yīng)的位置。縮徑部分8d 的開口部分的尺寸小于基座9a的尺寸。換句話說，縮徑部分8d形成為，縮徑部分8d的整 個(gè)開口部分被包含在由基座9a的外邊緣沿著加熱坩堝8的中心軸線方向投影所限定的區(qū) 域內(nèi)。因此，當(dāng)籽晶5布置在基座9a上時(shí)，縮徑部分8d的開口部分布置在面對(duì)籽晶5的位 置，從縮徑部分8d的該開口部分引入的原料氣體3確定無疑地撞擊籽晶5的一部分。反應(yīng)坩堝9限定原料氣體在其中流動(dòng)的空間，并且具有帶底部的管狀。反應(yīng)坩堝9 為具有底部的圓筒形形狀，并且與加熱坩堝8的中心軸線同軸布置。反應(yīng)坩堝9比如由石 墨或者表面涂有TaC的石墨制成。圓形形狀的基座9a布置在反應(yīng)坩堝9的底部，尺寸基本 等于基座9a尺寸的籽晶5被安裝到基座9a。加熱坩堝8的一端被插進(jìn)反應(yīng)坩堝9的開口 部分。利用設(shè)置在加熱坩堝8的端部與反應(yīng)坩堝9的底部之間的空間作為反應(yīng)室，SiC單 結(jié)晶在布置于反應(yīng)坩堝9底部處的籽晶5表面上生長。外壁10由石墨或者表面涂有TaC的石墨制成。外壁10圍繞加熱坩堝8和反應(yīng)坩 堝9的外周，并將引入到反應(yīng)坩堝9的原料氣體3引向出口 4。外壁10具有多個(gè)沿著圓周 方向以規(guī)則間隔布置的連通孔10a。外壁10位于連通孔IOa上方的部分處，即外壁10中靠 近反應(yīng)坩堝9的部分處，外壁10的內(nèi)壁與反應(yīng)坩堝9的開口部分的周邊接觸，于是在反應(yīng) 坩堝9和外壁10之間沒有間隙。因此，在反應(yīng)坩堝9內(nèi)供應(yīng)到籽晶5后的剩余原料氣體3 通過連通孔IOa被引入到外壁10的外部，通過外壁10和第二絕熱件12之間的間隙而不是 通過反應(yīng)坩堝9和外壁10之間的空間，被引到出口 4。管11的一端與反應(yīng)坩堝9的和加熱坩堝8相反的底部的一部分相連，管11的另 一端與沒有畫出的旋轉(zhuǎn)升降機(jī)構(gòu)相連。因此，反應(yīng)坩堝9、籽晶5和SiC單結(jié)晶能夠隨著管 11旋轉(zhuǎn)并升降。SiC單結(jié)晶的生長表面的溫度被控制為，適合SiC單結(jié)晶生長的溫度并且具有期望的溫度分布。管11比如也由石墨或者表面涂有TaC的石墨制成。第二絕熱件12沿著真空室6的側(cè)壁布置，其具有中空的圓筒形形狀。第二絕熱件 12圍繞第一絕熱件7的大部分、加熱坩堝8、反應(yīng)坩堝9和外壁10。第二絕熱件12也比如 由石墨或者表面涂有TaC的石墨制成。第一和第二加熱裝置13和14比如包括感應(yīng)加熱線圈或加熱器，并圍繞真空室6。 第一和第二加熱裝置13和14的溫度能夠獨(dú)立控制。因此，能夠更精細(xì)地控制溫度。第一 加熱裝置13布置在與加熱坩堝8相對(duì)應(yīng)的位置。第二加熱裝置14布置在與由反應(yīng)坩堝9 提供的反應(yīng)室相對(duì)應(yīng)的位置。通過控制第一和第二加快裝置13和14，反應(yīng)室的溫度分布被 控制為適合SiC單結(jié)晶生長的溫度，加熱坩堝8的溫度被控制為適合去除顆粒的溫度。接著，參照?qǐng)D2來描述使用SiC單結(jié)晶制造裝置1的SiC單結(jié)晶制造方法。圖2 僅示出加熱坩堝8的靠近反應(yīng)坩堝9的那一端部的附近。首先，控制第一和第二加熱裝置13和14，提供預(yù)定的溫度分布。換句話說，溫度被 控制為，通過使原料氣體3再結(jié)晶，SiC單結(jié)晶在籽晶5的表面上生長，并且再結(jié)晶率高于 加熱坩堝8內(nèi)的升華率。另外，當(dāng)保持真空室6內(nèi)的壓力為預(yù)定壓力時(shí)，原料氣體3通過氣體引入管7a被 引入，其中當(dāng)必要時(shí)引入惰性氣體和蝕刻氣體構(gòu)成的運(yùn)載氣體，惰性氣體比如Ar氣，蝕刻 氣體比如氫氣。因此，原料氣體3如圖1和圖2的虛線箭頭所示方向流動(dòng)，并供應(yīng)到籽晶5， 使得SiC單結(jié)晶生長。此時(shí)，原料氣體3可以含有顆粒。這些顆粒比如由原料氣體3內(nèi)的Si成分或者C 成分的聚合、由石墨構(gòu)成的部件通道內(nèi)表面的脫落以及附在通道內(nèi)表面上的SiC的脫落而 形成。這些顆粒含在原料氣體3內(nèi)并隨著原料氣體3進(jìn)行流動(dòng)。然而，因?yàn)楹蓄w粒的原 料氣體3與折流板8b碰撞，顆粒掉落，于是防止顆粒到達(dá)籽晶5的表面和SiC單結(jié)晶的生 長表面。因此，能夠制造出高質(zhì)量的SiC單結(jié)晶。在該實(shí)施例中，縮徑部分8d設(shè)置在加熱坩堝8的靠近反應(yīng)坩堝9的一端部處，由 于縮徑部分8d的作用，原料氣體3比如撞在籽晶5的中心附近，如圖2中虛線箭頭所示。因 此，在籽晶5上生長的SiC單結(jié)晶能夠從一個(gè)晶核開始生長，而且SiC單結(jié)晶以凸面方式生 長，從而SiC單結(jié)晶的生長表面具有凸面形狀。如上所述，在本實(shí)施例中，縮徑部分8d設(shè)置在加熱坩堝8中靠近反應(yīng)坩堝9的一 端部，原料氣體3的流量由于縮徑部分8d而在SiC單結(jié)晶的生長表面上呈面內(nèi)分布。因此， SiC單結(jié)晶能夠凸面式生長。由此，能夠限制這樣的問題的出現(xiàn)，即從多個(gè)生長核生長的晶 粒形成多晶體。(第二實(shí)施例)參照?qǐng)D3描述按照本發(fā)明第二實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置1。在該實(shí)施例中，加 熱坩堝8的結(jié)構(gòu)從第一實(shí)施例演變而來，而其它的部分與第一實(shí)施例類似。因此，只描述不 同之處。圖3僅表示加熱坩堝8中靠近反應(yīng)坩堝9的一端部的附近。縮徑部分8d的表面面向基座9a?？s徑部分8d在其表面上具有錐形部分Se。錐 形部分8e的開口尺寸從縮徑部分8d的開口部分向著基座9a方向增大。由于錐形部分8e， 原料氣體3的流量隨著從縮徑部分8d的開口部分在徑向方向散開而逐漸減少。因此，原料氣體3的流量能夠分布地撞在籽晶5上，防止原料氣體3僅僅撞擊縮徑部分8d的開口部分 附近處的SiC單結(jié)晶的部分生長表面。例如，在只設(shè)置縮徑部分8d的第一實(shí)施例中，原料氣體3可以同心地撞擊與縮徑 部分8d的開口部分相對(duì)應(yīng)的SiC單結(jié)晶生長表面的位置。在這種情形下，SiC單結(jié)晶在原 料氣體3同心地撞擊的部分處可以局部生長為圓錐形。然而，通過設(shè)置錐形部分8e，如本實(shí) 施例那樣，原料氣體3的流量在SiC單結(jié)晶生長表面上呈面內(nèi)分布，從而防止原料氣體3同 心地撞擊SiC單結(jié)晶生長表面中靠近縮徑部分8d的開口部分的部分。因此，能夠防止SiC 單結(jié)晶局部生長為圓錐形形狀，而且能夠在SiC單結(jié)晶的整個(gè)表面上執(zhí)行凸面式生長。(第三實(shí)施例)參照?qǐng)D4描述按照本發(fā)明第三實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置。在本實(shí)施例中同樣， 加熱坩堝8的結(jié)構(gòu)從第一實(shí)施例演變而來，其它的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例類似。因此，只描述不 同之處。圖4只示出加熱坩堝8中靠近反應(yīng)坩堝9的端部的附近。在該實(shí)施例中，縮徑部分8d的厚度朝著加熱坩堝8的中心軸線方向減小。在加熱 坩堝8的縮徑部分8d具有上述厚度的情況下，當(dāng)SiC單結(jié)晶持續(xù)生長時(shí)，在氫氣腐蝕、熱腐 蝕作用下或者部分縮徑部分8d升華后成為原料氣體時(shí)，縮徑部分8d的開口部分的開口尺 寸逐漸增加。因此，隨著SiC單結(jié)晶的生長，S卩，隨著SiC單結(jié)晶直徑的逐漸增加，縮徑部分 8d的開口部分的開口尺寸逐漸增加。于是，在大部分區(qū)域，原料氣體3能夠撞擊具有大直徑 的SiC單結(jié)晶，而且SiC單結(jié)晶一定能夠凸面式生長。縮徑部分8d的厚度變化可以設(shè)定為，至少縮徑部分8d的厚度朝著加熱坩堝8的 中心軸線方向減小?？s徑部分8d的厚度的增加率隨著離加熱坩堝8的中心軸線的距離增 大而減小，如圖5所示。在原料氣體3的供應(yīng)量恒定而且該供應(yīng)量隨著SiC單結(jié)晶直徑的 增加而減小的情形下，SiC單結(jié)晶的生長速率取決于生長體積。另外，SiC單結(jié)晶直徑的增 加在一定直徑水平時(shí)停止，然后SiC單結(jié)晶以幾乎恒定的直徑生長。因此，當(dāng)縮徑部分8d 形成為上述形狀時(shí)，縮徑部分8d的開口部分的開口尺寸的擴(kuò)大速度減小，從而隨著SiC單 結(jié)晶的直徑更確定地進(jìn)一步增加，縮徑部分8d的開口部分的直徑增加。(其它實(shí)施例)盡管參照附圖已經(jīng)充分地描述與優(yōu)選實(shí)施例相關(guān)的本發(fā)明的技術(shù)方案，應(yīng)當(dāng)指 出，各種變化和改進(jìn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。在第二實(shí)施例中，作為舉例，錐形部分8e設(shè)置在加熱坩堝8的縮徑部分8d的開口 部分處。可選地，縮徑部分8d的后表面?zhèn)燃纯s徑部分8d中靠近反應(yīng)坩堝9的表面也可以 形成為錐形部分Se。在每個(gè)上述實(shí)施例中，基座9a和籽晶5都具有圓形形狀。然而，基座9a和籽晶5 也可以為其它的形狀，包括正方形。同樣在這種情況下，縮徑部分8d的開口部分被設(shè)定為 小于基座9a的尺寸(S卩，布置在基座9a上的籽晶5的尺寸)。在上述每個(gè)實(shí)施例中，作為舉例，加熱坩堝8包括具有底部的筒形件。加熱坩堝8 還可以只包括中空筒形件而沒有底部。按照上述每個(gè)實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置包括其 中布置有基座9a的反應(yīng)坩堝9。SiC單結(jié)晶制造裝置還可以只包括基座9a，而沒有反應(yīng)坩 堝9。
按照第二實(shí)施例的SiC單結(jié)晶制造裝置包括錐形部分8e，按照第三實(shí)施例的SiC 單結(jié)晶制造裝置包括縮徑部分8d，該縮徑部分8d的厚度隨著距加熱坩堝8的中心軸線的距 離不同而變化。錐形部分8e和其厚度隨著距加熱坩堝8的中心軸線的距離不同而變化的 縮徑部分8d能夠組合在一起。
權(quán)利要求
1.一種SiC單結(jié)晶制造裝置(1)，用于通過從由SiC單結(jié)晶基片制成的籽晶(5)下方 供應(yīng)SiC原料氣體(3)，在籽晶(5)的表面上生長SiC單結(jié)晶，該裝置包括上面布置有籽晶(5)的基座(9a)，和相對(duì)于基座(9a)布置在原料氣體(3)的流動(dòng)通道上游側(cè)的加熱坩堝(8)，其中 所述加熱坩堝(8)包括中空的筒形件和縮徑部分(8d)； 所述中空筒形件具有上游端和下游端；通過從中空筒形件的上游端引入原料氣體(3)并且從中空筒形件的下游端排出原料 氣體(3)，加熱坩堝(8)將原料氣體(3)供應(yīng)給籽晶(5)；縮徑部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，并且具有小于中空筒形件的開口尺寸的 開口部分；和縮徑部分(8d)的整個(gè)開口部分被包含在這樣的區(qū)域內(nèi)，即基座(9a)的外邊緣沿著加 熱坩堝(8)的中心軸線方向投影所限定的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的SiC單結(jié)晶制造裝置，其中 所述縮徑部分(8d)具有面向基座(9a)的表面； 所述縮徑部分(8d)在所述表面上具有錐形部分(8e)；和 所述錐形部分(8e)的開口尺寸朝著基座(9a)逐漸增大。
3.如權(quán)利要求1或2所述的SiC單結(jié)晶制造裝置，其中 所述縮徑部分(8d)的厚度朝著加熱坩堝(8)的中心軸線減小。
4.如權(quán)利要求3所述的SiC單結(jié)晶制造裝置，其中所述縮徑部分(8d)厚度的增大速率隨著遠(yuǎn)離加熱坩堝(8)的中心軸線而減小。
5.一種制造SiC單結(jié)晶的方法，包括將由SiC單結(jié)晶基片制成的籽晶(5)布置在基座(9a)上；相對(duì)于基座(9a)，將加熱坩堝(8)布置在SiC原料氣體C3)的流動(dòng)通道的上游側(cè)，加熱 坩堝包括中空筒形件和縮徑部分(8d)，所述中空筒形件具有上游端和下游端，通過從中空 筒形件的上游端引入原料氣體(3)并且從中空筒形件的下游端排出原料氣體(3)，加熱坩 堝(8)將原料氣體(3)供應(yīng)給籽晶(5)，縮徑部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，并具有 小于中空筒形件的開口尺寸的開口部分；和使SiC單結(jié)晶在籽晶( 的表面上生長，使得通過縮徑部分(8d)的開口部分供應(yīng)原料 氣體(3)，原料氣體(3)的流量在SiC單結(jié)晶的生長表面上成面內(nèi)分布。
全文摘要
一種SiC單結(jié)晶制造裝置(1)包括基座(9a)和加熱坩堝(8)，籽晶(5)布置在基座上，加熱坩堝(8)相對(duì)于基座(9a)布置在原料氣體(3)的流動(dòng)通道上游側(cè)。通過從中空筒形件的上游端引入原料氣體(3)并且從中空筒形件的下游端排出原料氣體(3)，加熱坩堝(8)將原料氣體(3)供應(yīng)給籽晶(5)?？s徑部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，其開口部分的尺寸小于中空筒形件的開口尺寸?？s徑部分(8d)的整個(gè)開口部分被包含在這樣的區(qū)域內(nèi)，即基座(9a)的外邊沿著加熱坩堝(8)的中心軸線方向投影所限定的區(qū)域。
文檔編號(hào)C30B25/14GK102134743SQ20101062154
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月25日
發(fā)明者小島淳 申請(qǐng)人:株式會(huì)社電裝