專利名稱：一種高能效低輻射的電磁線盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電磁灶技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種可實(shí)現(xiàn)高能效低輻射的電磁線盤。
背景技術(shù)：
國(guó)家相關(guān)部門出臺(tái)的《家用電磁灶能源效率表述實(shí)施規(guī)則》于2009年3月1日起 實(shí)施生效，強(qiáng)制要求生產(chǎn)企業(yè)在電磁灶類產(chǎn)品表面加貼能效標(biāo)識(shí)，無(wú)能效標(biāo)識(shí)的產(chǎn)生不準(zhǔn) 生產(chǎn)和銷售。消費(fèi)者對(duì)于環(huán)保和健康要求的提升，也促使電磁灶廠家研究新一代高效的電 磁線盤，以期降低輻射、提升能效。目前的電磁線盤由線盤盤架、鐵氧體磁條和線圈組成，各 廠家為了提高電磁灶的熱效率，一般是通過(guò)采用加大線圈材料或者通過(guò)增加磁條材料的手 段；而降低磁輻射方面，一般是采用增加防磁泄露環(huán)或者通過(guò)選用磁導(dǎo)率更高的磁性材料 制作磁條來(lái)實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)有技術(shù)的方案中通常是在線盤盤架上設(shè)置若干條磁條，呈放射狀分布 嵌設(shè)在線盤盤架內(nèi)，線圈置于盤架上面，在電磁線盤的結(jié)構(gòu)中，磁條的成本是最高的，磁粉 需要經(jīng)過(guò)燒結(jié)成型為磁條后使用，由于需要經(jīng)過(guò)燒結(jié)的工藝，還會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染消耗能 源。而磁條和線圈安裝時(shí)，為了保證磁條和線圈之間的絕緣，還需要在磁條和線圈之間設(shè)置 絕緣膠布將其隔開(kāi)。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)人于2009年11月18日公開(kāi)的CN101583212號(hào)專 利公開(kāi)了一種在線盤盤架中分散設(shè)有顆粒狀或者粉末狀磁性物的電磁線盤，上述結(jié)構(gòu)由于 將磁性物設(shè)在盤架內(nèi)，磁性物不能直接二次利用，磁性物的二次回收利用需要將盤架破壞 之后與盤架材料分離，工藝較復(fù)雜，也很不環(huán)保。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的主要是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的的技術(shù)問(wèn)題，提供一種低成本、 高能效、低輻射且環(huán)保的電磁線盤，以解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的通過(guò)以下技術(shù)方案達(dá)成一種高能效低輻射的電磁線盤，包括線盤盤架和線圈，所述線盤盤架上設(shè)有填充 腔，填充腔體內(nèi)部填充有鐵氧體磁性物。進(jìn)一步的，所述線盤盤架上設(shè)置有包絡(luò)線圈的內(nèi)拐角和/或外拐角，所述內(nèi)拐角 和外拐角內(nèi)也填充有鐵氧體磁性物。進(jìn)一步的，所述內(nèi)、外拐角與線圈平面垂直，拐角高度與線圈上表面齊平或者高于 線圈上表面。進(jìn)一步的，所述線盤盤架上設(shè)置有將線圈與線圈隔離的絕緣柵。進(jìn)一步的，所述填充腔內(nèi)磁性物的平均層厚為5mm以上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案是在盤架上設(shè)置填充腔填充磁性物，盤架中的磁性 物起到聚磁的作用，采用該技術(shù)方案無(wú)需對(duì)磁性物進(jìn)行燒結(jié)，極大的降低了成本；盤架容置 腔中的磁性物可以傾倒出來(lái)回收重復(fù)利用，更利于環(huán)保；將磁性物填充在盤架容置腔中，磁 性物與線圈之間有盤架直接絕緣，無(wú)需像現(xiàn)有技術(shù)方案中的磁條線圈結(jié)構(gòu)還需在磁條線圈之間進(jìn)行絕緣處理，減少了工藝流程，節(jié)省人力成本。以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例電磁線盤截面示意圖。圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例電磁線盤盤架主視圖。圖3為本實(shí)用新型第二實(shí)施例電磁線盤盤架主視圖。圖4為本實(shí)用新型第三實(shí)施例電磁線盤截面示意圖。圖5為本實(shí)用新型第四實(shí)施例電磁線盤截面示意圖。圖6為本實(shí)用新型第五實(shí)施例電磁線盤截面示意圖。圖7為本實(shí)用新型第六實(shí)施例電磁線盤截面示意圖。圖中1、線盤盤架；2、磁性物；3、線圈；4、填充腔；5、內(nèi)拐角；6、外拐角；7、絕緣 柵；8、通孔。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。實(shí)施例1參照?qǐng)D1和圖2所示，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的電磁線盤示意圖。本實(shí)用新型 的電磁線盤包括線盤盤架1，線盤盤架1上固定有線圈3，所述線盤盤架1內(nèi)設(shè)置有填充腔 4，所述線盤盤架的填充腔4為長(zhǎng)條形空腔結(jié)構(gòu)，填充腔4在線盤盤架上呈放射狀分布，填充 腔4內(nèi)充填有磁性物2，磁性物2在填充腔4內(nèi)均勻分布。在線盤盤架中央處設(shè)有用于安裝 測(cè)溫裝置的通孔8，當(dāng)然測(cè)溫裝置可安裝于電磁線盤上方或者電磁灶的微晶面板下方，當(dāng)測(cè) 溫裝置無(wú)需安裝于線盤盤架中央時(shí)，線盤盤架1中央也可實(shí)心設(shè)置，無(wú)需預(yù)留通孔8。磁性物2填充進(jìn)填充孔4可采用不同的方法，可以將線盤盤架1設(shè)置成上下盒蓋 的結(jié)構(gòu)，可將磁性物2裝入填充腔4之后，然后將盤架上下蓋組裝，并通過(guò)超聲波焊接或者 膠粘的方式將盤架上下蓋接觸面密封，使填充腔4內(nèi)的磁性物2不會(huì)漏出。也可通過(guò)在線 盤盤架上設(shè)置填充孔的方式，將磁性物2從填充孔灌裝進(jìn)填充腔中，然后將填充孔密封的 方式將磁性物2密封在填充腔4中。填充腔4內(nèi)磁性物2的平均層厚為5mm以上，其中磁 性物2為鐵氧體或者是鐵粉，磁性物2可預(yù)壓成塊后填充進(jìn)填充腔4也可直接以粉末狀或 者顆粒狀的形態(tài)直接填充。實(shí)施例2請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，為了保證電磁線盤在工作時(shí)加熱更均勻，可將填充腔4設(shè)置成如 圖3所示的扇形結(jié)構(gòu)，當(dāng)然在保證磁性物2分布面積的情況下，也可將填充腔設(shè)置成梯形的 結(jié)構(gòu)。在實(shí)際情況下，還可將盤架整體直接設(shè)置成填充腔，即線盤盤架1自身形成一個(gè)大的 完整的填充腔4，在填充腔4內(nèi)全部填充磁性物2，使線盤盤架成為一個(gè)整體的聚磁盤，線圈 固定在線盤盤架上面，當(dāng)線盤盤架成為聚磁盤時(shí)，同等條件下，這種結(jié)構(gòu)的電磁線圈的加熱 更均勻。實(shí)施例3請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，該實(shí)施例與前述實(shí)施例不同的結(jié)構(gòu)在于，所述線盤盤架1靠近通孔8的內(nèi)圈設(shè)有包絡(luò)線圈3的內(nèi)拐角5，所述內(nèi)拐角5與線圈3繞制的平面垂直呈L型，內(nèi) 拐角5的高度與線圈3上表面高度齊平或者高于上表面高度。填充腔4延伸至內(nèi)拐角5處， 磁性物2填充后內(nèi)拐角5內(nèi)也填充有磁性物2。實(shí)施例4請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，該實(shí)施例與實(shí)施例1不同的結(jié)構(gòu)在于，所述線盤盤架1外圈設(shè)有 包絡(luò)線圈3的外拐角6，所述外拐角6與線圈3繞制的平面垂直呈L型，外拐角6的高度與 線圈3上表面高度齊平或者高于上表面高度，磁性物2填充后外拐角6內(nèi)也填充有磁性物 2。實(shí)施例5請(qǐng)參照?qǐng)D6所示，該實(shí)施例與實(shí)施例1不同的結(jié)構(gòu)在于，所述線盤盤架1靠近通孔 8的內(nèi)圈設(shè)有包絡(luò)線圈3的內(nèi)拐角5，外圈設(shè)有包絡(luò)線圈3的外拐角6，所述內(nèi)拐角5和外拐 角6與線圈3繞制的平面垂直呈L型，內(nèi)拐角5和外拐角6的高度與線圈3上表面高度齊 平或者高于上表面高度，磁性物2填充后內(nèi)拐角5和外拐角6內(nèi)也填充有磁性物2。實(shí)施例3至5通過(guò)在線盤盤架上設(shè)置內(nèi)和/或外拐角，在拐角內(nèi)也填充有磁性物 2，設(shè)置拐角的方案比沒(méi)有拐角的方案可以匯聚更多的磁力線，可將電磁線盤在工作過(guò)程中 偏離鍋具向電磁爐外泄漏的磁力線匯聚至鍋具下方，減少對(duì)周圍外部環(huán)境的電磁干擾，，提 高加熱效率。實(shí)施例6請(qǐng)參照?qǐng)D7所示，該實(shí)施例與實(shí)施例6不同的結(jié)構(gòu)在于，所述線盤盤架1上還設(shè)置 有絕緣柵7，絕緣柵7將線圈與線圈之間隔離開(kāi)，避免了線圈匝間短路的問(wèn)題。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案是在盤架上設(shè)置填充腔填充磁性物，盤架中的磁性 物起到聚磁的作用，采用該技術(shù)方案無(wú)需對(duì)磁性物進(jìn)行燒結(jié)，極大的降低了成本；盤架填充 腔中的磁性物可以傾倒出來(lái)回收重復(fù)利用，更利于環(huán)保；將磁性物填充在盤架填充腔中，磁 性物與線圈之間有盤架直接絕緣，無(wú)需像現(xiàn)有技術(shù)方案中的磁條線圈結(jié)構(gòu)還需在磁條線圈 之間進(jìn)行絕緣處理，減少了工藝流程，節(jié)省人力成本。本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新 型，而并非用作為對(duì)本實(shí)用新型的限定，只要在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述 實(shí)施例的變化、變型都將落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種高能效低輻射的電磁線盤，包括線盤盤架和線圈，其特征在于，所述線盤盤架上設(shè)有填充腔，填充腔體內(nèi)部填充有鐵氧體磁性物。
2.如權(quán)利要求1所述的高能效低輻射的電磁線盤，其特征在于，所述線盤盤架上設(shè)置 有包絡(luò)線圈的內(nèi)拐角和/或外拐角，所述內(nèi)拐角和外拐角內(nèi)也填充有鐵氧體磁性物。
3.如權(quán)利要求2所述的高能效低輻射的電磁線盤，其特征在于，所述內(nèi)、外拐角與線圈 平面垂直，拐角高度與線圈上表面齊平或者高于線圈上表面。
4.如權(quán)利要求1所述的高能效低輻射的電磁線盤，其特征在于，所述線盤盤架上設(shè)置 有將線圈與線圈隔離的絕緣柵。
5.如權(quán)利要求1所述的高能效低輻射的電磁線盤，其特征在于，所述填充腔內(nèi)磁性物 的平均層厚為5mm以上。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種高能效低輻射的電磁線盤，包括線盤盤架和線圈，所述線盤盤架上設(shè)有填充腔，填充腔體內(nèi)部填充有鐵氧體磁性物。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案是在盤架上設(shè)置填充腔填充磁性物，盤架中的磁性物起到聚磁的作用，采用該技術(shù)方案無(wú)需對(duì)磁性物進(jìn)行燒結(jié)，極大的降低了成本；盤架填充腔中的磁性物可以傾倒出來(lái)回收重復(fù)利用，更利于環(huán)保；將磁性物填充在盤架填充腔中，磁性物與線圈之間有盤架直接絕緣，無(wú)需像現(xiàn)有技術(shù)方案中的磁條線圈結(jié)構(gòu)還需在磁條線圈之間進(jìn)行絕緣處理，減少了工藝流程，節(jié)省人力成本。
文檔編號(hào)H05B6/36GK201726552SQ20102017585
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者朱澤春, 許立特, 賈永剛 申請(qǐng)人:九陽(yáng)股份有限公司