專利名稱：柔性透明電磁屏蔽膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種柔性透明電磁屏蔽膜，具體是指在透明的柔性基 底上(例如PET聚酯膜)，連續(xù)沉積Nb205/Ag/ZA0/Nb205多層透明導(dǎo)電膜，形成高性能的電磁 屏蔽膜。
背景技術(shù)：
柔性透明電磁屏蔽膜廣泛應(yīng)用于IXD (液晶顯示)，PDP (等離子顯示)， 電子儀器窗口及計(jì)算機(jī)房的信息防泄漏和干擾等?，F(xiàn)有技術(shù)中，柔性透明電磁屏蔽膜包括有以下幾種，分別存在不足之處一、柔性 透明導(dǎo)電ITO膜，其價(jià)格昂貴，且屏蔽效果欠佳而應(yīng)用上受到很大限制；二、IT0/Ag/IT0多 層透明導(dǎo)電膜系，該導(dǎo)電膜盡管解決了屏蔽效果，但成本更高；三、Ti02/NiCr/Ag/NiCr/Ti02 多層膜系，存在TiO2膜沉積速度慢，NiCr過渡層影響透光率等缺陷。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題是為避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處提出一 種成本低、屏蔽效果好的柔性透明電磁屏蔽膜。解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案如下本實(shí)用新型柔性透明電磁屏蔽膜，包括 PET基底層和電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括用卷繞鍍膜方法，在所述PET基底層上依次 連續(xù)磁控濺射沉積的Nb2O5層、Ag層、ZAO層以及Nb2O5層，Nb2O5層作為介質(zhì)層，Ag層作為導(dǎo) 電層，ZAO層作為過渡介質(zhì)層。所述電磁屏蔽層包括10-13層，其中Ag層不少于三層，底層和外層均是Nb2O5層。所述Nb2O5底層和外層的厚度為28-35nm，Nb2O5中間層厚度為56-70nm，Ag層厚度 為 10-18nm，ZAO 層厚度為 3_5nm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果降低了成本，提高了電磁屏蔽效
^ ο

圖1是所述Nb205/Ag/ZA0/Nb205透明電磁屏蔽膜的3Ag多層膜系結(jié)構(gòu)剖面圖；圖2是所述Nb205/Ag/ZA0/Nb205透明電磁屏蔽膜的4Ag多層膜系結(jié)構(gòu)剖面圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，柔性透明電磁屏蔽膜是在透明的柔性基底PET膜1上，采用卷繞鍍膜 方法，連續(xù)磁控濺射沉積Nb205/Ag/ZA0/Nb205多層膜，形成10-13層高性能的柔性透明電磁 屏蔽膜。其中，Ag層3不少于3層。所述Nb2O5層2作為底層-中間層-外層的介質(zhì)層，ZAO 膜是作為Ag層3之前的過渡層介質(zhì)膜，Ag層3是作為導(dǎo)電層。所述PET膜1是透光良好 的光學(xué)級聚酯薄膜，其厚度根據(jù)需要選擇50-125 μ m。Nb2O5層2是高折射率介質(zhì)，是光學(xué)匹 配層，底層2和表層11厚度為28-35nm，而中間層厚度為56-70nm。Nb2O5層2是采用中頻磁 控濺射沉積的，其濺射速率較高。Ag層3主要起導(dǎo)電作用，電磁屏蔽效果由它決定，膜越厚， 污染越少，導(dǎo)電性越好，電磁屏蔽效果也越好；但膜太厚了透光率下降，反射增大，一般根據(jù) 需要兼顧光電性能控制在10-18nm。ZAO層4是過渡層也是高折射率層，其作用是對Ag層 3沉積過程其保護(hù)作用，避免氧氣氛對Ag層3的污染，以形成良好的金屬_介質(zhì)界面，提高光學(xué)匹配和電磁屏蔽效果，厚度為3-5nm。Ag層3和ZAO層4均采用直流磁控濺射沉積。 圖2是Nb205/Ag/ZA0/Nb205透明電磁屏蔽膜的4層Ag膜系結(jié)構(gòu)。與圖1所述實(shí)施 例的3層Ag膜系結(jié)構(gòu)不同之處在于在3Ag膜系基礎(chǔ)上增加了三層，即增加了 Ag/ZA0/Nb205 三層膜。在所述4層A膜系結(jié)構(gòu)中，相應(yīng)各層膜的厚度要求和制備方法都與圖1所述實(shí)施 例的3層Ag膜系結(jié)構(gòu)相同。
權(quán)利要求一種柔性透明電磁屏蔽膜，其特征在于包括PET基底層和電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括在所述PET基底層上依次連續(xù)磁控濺射沉積的Nb2O5層、Ag層、ZAO層以及Nb2O5層，Nb2O5層作為介質(zhì)層，Ag層作為導(dǎo)電層，ZAO層作為過渡介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性透明電磁屏蔽膜，其特征在于所述電磁屏蔽層包括10-13 層，其中Ag層不少于三層，底層和外層均是Nb2O5層。
3.如權(quán)利要求2所述的柔性透明電磁屏蔽膜，其特征在于所述Nb2O5底層和外層的厚 度為28-35nm，Nb2O5中間層厚度為56_70nm，Ag層厚度為10_18nm，ZAO層厚度為3_5nm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種柔性透明電磁屏蔽膜，包括PET基底層和電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括用卷繞鍍膜方法，在所述PET基底層上依次連續(xù)磁控濺射沉積的Nb2O5層、Ag層、ZAO層以及Nb2O5層，Nb2O5層作為介質(zhì)層，Ag層作為導(dǎo)電層，ZAO層作為過渡介質(zhì)層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果降低了成本，提高了電磁屏蔽效果。
文檔編號H05K9/00GK201718163SQ201020218350
公開日2011年1月19日 申請日期2010年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者曾鴻斌 申請人:深圳市海森應(yīng)用材料有限公司