專利名稱：?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)爐的石墨坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，特別涉及的是一種單晶硅生長(zhǎng)爐的石 墨 甘禍O
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的太陽(yáng)能單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝基本選用單瓣式的，單瓣式石墨坩堝結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)單，自身具備優(yōu)點(diǎn)，但是它有它的缺點(diǎn)，如坩堝底部保溫較差，這樣對(duì)于設(shè)于石墨坩堝內(nèi) 的石英坩堝來(lái)說(shuō)，其內(nèi)部盛裝的硅料熔體上下溫差較大，提高了熔體的加熱溫度，其結(jié)果是 增加了硅料與石英坩堝的反應(yīng)速度，熔體的軸向熱對(duì)流加快，最終導(dǎo)致單晶硅生產(chǎn)中的氧 含量提高，降低了單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容鑒于目前公知技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是在于提供一種能 降低單晶硅生產(chǎn)中的氧含量，對(duì)本身及石英坩堝具有保護(hù)作用的單晶硅生長(zhǎng)爐石墨坩堝。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是采取如下技術(shù)方案來(lái)完成的單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝，其特征在于所述石墨坩堝選用三瓣式石墨坩堝。三瓣 式石墨坩堝的底部保溫較好，這樣就有效防止出現(xiàn)石英坩堝內(nèi)的硅料熔體上下溫差較大的 情況，可以降低熔體的加熱溫度，這一方面降低了硅料與石英坩堝的反應(yīng)速度，另一方面使 熔體的軸向熱對(duì)流減弱，所以就降低了單晶硅生產(chǎn)中的氧含量，提高了單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。三瓣式石墨坩堝的各瓣坩堝片頂部之間通過(guò)聯(lián)接件連接。由于單晶硅生長(zhǎng)爐需 經(jīng)常開(kāi)爐和停爐，在溫度急劇變化的惡劣工況下，石墨坩堝在使用一段時(shí)間后容易產(chǎn)生開(kāi) 裂，特別對(duì)三瓣式石墨坩堝來(lái)說(shuō)，開(kāi)裂后容易斷裂，這樣對(duì)于設(shè)于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝來(lái) 說(shuō)失去支撐就很容易損壞，導(dǎo)致石英坩堝內(nèi)的硅料熔體外溢，產(chǎn)生不良后果，所以三瓣式石 墨坩堝的各瓣坩堝片頂部之間通過(guò)聯(lián)接件連接，可以對(duì)本身和石英坩堝起到有效的保護(hù)作 用。作為優(yōu)選，所述聯(lián)接件是兩頭彎曲的金屬卡線，卡線設(shè)在相鄰兩瓣坩堝片的頂部 結(jié)合處，相鄰兩瓣坩堝片的頂部設(shè)有孔洞，卡線的兩端穿進(jìn)孔洞將相鄰的兩瓣坩堝片連接。

本實(shí)用新型有如下附圖。圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的俯視圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖1、2，該種單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝，選用三瓣式石墨坩堝，三瓣式石墨 坩堝由三瓣坩堝片1和共同的托盤2組成，三瓣式石墨坩堝的各瓣坩堝片1頂部之間通過(guò)聯(lián)接件3連接，所述聯(lián)接件3是兩頭彎曲的金屬卡線，卡線設(shè)在相鄰兩瓣坩堝片的頂部結(jié)合 處，相鄰兩瓣坩堝片的頂部設(shè)有孔洞，卡線的兩端穿進(jìn)孔洞將相鄰的兩瓣坩堝片連接。
權(quán)利要求1.單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝，其特征在于所述石墨坩堝選用三瓣式石墨坩堝。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝，其特征在于三瓣式石墨坩堝的各 瓣坩堝片頂部之間通過(guò)聯(lián)接件連接。
3.如權(quán)利要求2所述的單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝，其特征在于所述聯(lián)接件是兩頭彎 曲的金屬卡線，卡線設(shè)在相鄰兩瓣坩堝片的頂部結(jié)合處，相鄰兩瓣坩堝片的頂部設(shè)有孔洞， 卡線的兩端穿進(jìn)孔洞將相鄰的兩瓣坩堝片連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶硅生長(zhǎng)爐的石墨坩堝，其特征在于所述石墨坩堝選用三瓣式石墨坩堝，三瓣式石墨坩堝的各瓣坩堝片頂部之間通過(guò)聯(lián)接件連接。本實(shí)用新型能降低單晶硅生產(chǎn)中的氧含量，還能對(duì)本身及設(shè)于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝起到有效的保護(hù)作用。
文檔編號(hào)C30B15/10GK201842895SQ20102059660
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者李國(guó)迪, 蔣明霞, 蔡光進(jìn) 申請(qǐng)人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司