專利名稱：一種直拉單晶爐用石墨坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種直拉單晶爐用石墨坩堝，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
單晶硅作為一種半導(dǎo)體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件，單晶硅的 生長技術(shù)有兩種區(qū)熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。直拉法拉制單晶硅 需要在一整套的熱系統(tǒng)中進行，在拉制過程中處于低真空狀態(tài)，且不斷向單晶爐內(nèi)充入惰 性保護氣體以帶走由于單晶硅體從溶液結(jié)晶時散發(fā)的結(jié)晶潛熱和硅溶液揮發(fā)的一氧化硅 顆粒，然后從單晶爐的真空抽口由真空泵排出。目前普遍采用的石墨坩堝均為三瓣結(jié)構(gòu)，各 瓣的接縫處存在一定的縫隙，在真空泵往外排出一氧化硅時，由一氧化硅和惰性氣體組成 的混合氣體就會從縫隙中穿過，由于一氧化硅會和石墨反應(yīng)，縫隙處的石墨會被不斷侵蝕， 時間長了就會斷裂，這就降低了石墨坩堝的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種使用壽命長的直拉單晶爐用石墨 坩堝。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種直拉單晶爐用石墨坩堝，它包括石墨坩堝 本體，石墨坩堝本體包括三瓣塊體，三瓣塊體兩兩接合到一起，組成石墨坩堝本體，接合處 存在接縫，其特點是石墨坩堝本體內(nèi)表面接縫上均覆蓋有石墨紙。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是本實用新型一種直拉單晶爐用石墨坩堝，其內(nèi)表面接縫處覆蓋有石墨紙，將接縫 完全遮蓋住，可以避免在生長過程中的混合氣體從石墨坩堝各瓣的接縫處穿過，避免一氧 化硅對石墨坩堝各瓣接縫處的侵蝕，能極大的提高石墨坩堝的壽命。

圖1為本實用新型一種直拉單晶爐用石墨坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖。其中塊體1、接縫2、石墨紙3。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型涉及的一種直拉單晶爐用石墨坩堝，它包括石墨坩堝本體， 石墨坩堝本體包括三瓣塊體1組成，三瓣塊體1兩兩接合到一起，組成是石墨坩堝本體，接 合處存在接縫2，石墨坩堝本體內(nèi)表面接縫2上均覆蓋有長方形的石墨紙3，石墨紙的厚度、 長度和寬度根據(jù)石墨坩堝的尺寸加以選擇。安裝石墨紙3時首先應(yīng)將石墨坩堝安裝好，然后根據(jù)石墨坩堝尺寸剪裁合適大小 的石墨紙3，并將是石墨紙3覆蓋在石墨坩堝內(nèi)表面的接縫2處，完全將石墨坩堝的接縫2遮蓋住，最后將石英坩堝安裝在石墨坩堝內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種直拉單晶爐用石墨坩堝，它包括石墨坩堝本體，石墨坩堝本體包括三瓣塊體 (1)，三瓣塊體(1)兩兩接合到一起，組成石墨坩堝本體，接合處存在接縫O)，其特征在于 石墨坩堝本體內(nèi)表面接縫(2)上均覆蓋有石墨紙(3)。
專利摘要本實用新型涉及一種直拉單晶爐用石墨坩堝，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備領(lǐng)域。它包括石墨坩堝本體，石墨坩堝本體包括三瓣塊體(1)，三瓣塊體(1)兩兩接合到一起，組成石墨坩堝本體，接合處存在接縫(2)，其特征在于石墨坩堝本體內(nèi)表面接縫(2)上均覆蓋有石墨紙(3)。本實用新型一種直拉單晶爐用石墨坩堝，具有使用壽命長的優(yōu)點。
文檔編號C30B15/10GK201901726SQ20102065340
公開日2011年7月20日 申請日期2010年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月11日
發(fā)明者施宇峰, 査如德, 査建洪 申請人:江陰市華英光伏科技有限公司