專(zhuān)利名稱(chēng)：一種直拉單晶爐用熱屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種直拉單晶爐用熱屏，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
單晶硅作為一種半導(dǎo)體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件，單晶硅的 生長(zhǎng)技術(shù)有兩種區(qū)熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。直拉法是通過(guò)電 阻加熱，將裝在石英坩堝中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔點(diǎn)的溫度，在惰性氣體的保護(hù) 下，經(jīng)過(guò)引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾、晶體取出等步驟，完成晶體生長(zhǎng)。最開(kāi)始的直拉單晶 爐熱場(chǎng)是開(kāi)放式的，為了增加熱場(chǎng)保溫，降低能量的損失，在原有開(kāi)放式熱場(chǎng)基礎(chǔ)上增加熱 屏裝置改進(jìn)為現(xiàn)有的密閉式熱場(chǎng)。目前普遍采用的熱屏一般為單層的圓筒型(如圖1所 示)或圓錐型(如圖2所示)，其熱場(chǎng)保溫效果還不理想，熱量還存在較大損耗。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種能有效減少熱能損耗的直拉單晶 爐用熱屏。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種直拉單晶爐用熱屏，其特點(diǎn)是它包括外 層和內(nèi)層，所述外層和內(nèi)層固定連接，且所述外層和內(nèi)層之間設(shè)置有保溫層。所述外層和內(nèi)層均采用等靜壓石墨制成。所述保溫層的材料為石墨氈。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型一種直拉單晶爐用熱屏，它包括外層和內(nèi)層，且外層和內(nèi)層還設(shè)置有 保溫層，其保溫層材料為石墨氈，其熱傳導(dǎo)系數(shù)較小，所以此種熱屏隔熱性能較好，熱能損 耗較少。

圖1為背景技術(shù)所述的單層圓筒型熱屏的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為背景技術(shù)所述的單層圓錐型熱屏的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型一種直拉單晶爐用熱屏的結(jié)構(gòu)示意圖。其中外層1、保溫層2、內(nèi)層3。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型涉及的一種直拉單晶爐用熱屏，它包括外層1和內(nèi)層3，所述 外層1和內(nèi)層3固定連接，且所述外層1和內(nèi)層3之間設(shè)置有保溫層2。所述外層1和內(nèi)層3均采用等靜壓石墨制成，所述保溫層2的材料為石墨氈。石 墨氈的密度相對(duì)石墨較低，它的熱傳導(dǎo)系數(shù)相對(duì)石墨也大大降低，是廣泛運(yùn)用的絕熱材料之一，此種熱屏相對(duì)單層的圓筒型和圓錐型熱屏的絕熱性能提高10%。
權(quán)利要求1.一種直拉單晶爐用熱屏，其特征在于它包括外層(1)和內(nèi)層(3)，所述外層(1)和 內(nèi)層⑶固定連接，且所述外層⑴和內(nèi)層⑶之間設(shè)置有保溫層O)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶爐用熱屏，其特征在于所述外層(1)和內(nèi)層 (3)均采用等靜壓石墨制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶爐用熱屏，其特征在于所述保溫層O)的材 料為石墨氈。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種直拉單晶爐用熱屏，屬于單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備領(lǐng)域。它包括外層(1)和內(nèi)層(3)，所述外層(1)和內(nèi)層(3)固定連接，且所述外層(1)和內(nèi)層(3)之間設(shè)置有保溫層(2)。所述外層(1)和內(nèi)層(3)均采用等靜壓石墨制成。所述保溫層(2)的材料為石墨氈。本實(shí)用新型的一種直拉單晶爐用熱屏具有隔熱性能好、熱能損耗小的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)C30B15/00GK201901722SQ20102065340
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月11日
發(fā)明者施宇峰, 査如德, 査建洪 申請(qǐng)人:江陰市華英光伏科技有限公司