專利名稱：在包括半導(dǎo)體材料的模具上制造半導(dǎo)體材料制品的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在包括半導(dǎo)體材料的模具上制造半導(dǎo)體材料制品的方法以及由此形成的半導(dǎo)體材料制品，例如可以用來制造光生伏打電池的半導(dǎo)體材料制品。技術(shù)領(lǐng)域半導(dǎo)體材料用在許多應(yīng)用中。例如，半導(dǎo)體材料可以用在作為形成在半導(dǎo)體晶片上的處理器的電子器件中。再例如，半導(dǎo)體材料還可用于通過光生伏打效應(yīng)將太陽輻射轉(zhuǎn)換成電能。半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體特性可能取決于材料的晶體結(jié)構(gòu)。摻雜劑、雜質(zhì)和其它缺陷可能影響形成的特性。例如過渡金屬、氧或碳的痕量可影響導(dǎo)電率或載體壽命。顆粒尺寸和形狀分步通常對半導(dǎo)體裝置的性能具有很重要的意義。通常，對于半導(dǎo)體裝置，更大且更均勻的粒度是理想的。例如，可以通過增大粒度以及顆粒的均勻性，改進(jìn)光伏電池的導(dǎo)電率和效率。對于硅基太陽能光伏電池，硅可以例如形成未受支承的錠、片或帶，或者通過在襯底上形成硅而被支承。用來制造諸如硅片的未受支承的和受支承的半導(dǎo)體材料制品的常規(guī)方法具有一些缺點(diǎn)。一些制造未受支承的(即沒有一體式襯底)的半導(dǎo)體材料片的方法可能較慢，或浪費(fèi)半導(dǎo)體材料原料。用來制造未受支承的單晶半導(dǎo)體材料的方法包括例如Czochralski 工藝，在將材料切割成薄片或晶片時(shí)，該工藝可能會導(dǎo)致顯著的切口損失。用來制造未受支承的多晶半導(dǎo)體材料的方法包括例如電磁澆鑄和帶生長技術(shù)，這些方法可能較慢，對于多晶硅帶生長技術(shù)，每分鐘生產(chǎn)大約1-2厘米?？梢暂^廉價(jià)地制造受支承的半導(dǎo)體材料，但是半導(dǎo)體薄片可能受到在其上制造該半導(dǎo)體材料的基材的限制，該基材必須滿足各種工藝要求和應(yīng)用要求，這可能有沖突。因此，長久以來，在工業(yè)中需要一種用來制造半導(dǎo)體材料制品的方法，該方法可以減少雜質(zhì)的量、減少缺陷的量、改進(jìn)所述半導(dǎo)體材料制品的晶粒結(jié)構(gòu)、減少材料浪費(fèi)和/或
提高生產(chǎn)率。2008 年 2 月 29 日提交的題為 “METHOD OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF A PURE OR DOPED SEMICONDUCTING ELEMENT OR ALLOY (制造純或摻雜的半導(dǎo)體材料或合金的的未受支承的制品的方法)”共有的美國臨時(shí)專利申請第61/067679號，以及2009年 2 月 27 日提交的題為“METHOD OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF A PURE OR DOPED SEMICONDUCTING ELEMENT OR ALLOY(制造純或摻雜的半導(dǎo)體材料或合金的的未受支承的制品的方法)”國際專利申請第PCT/US09/01268號中揭示了制造未受支承的多晶半導(dǎo)體材料的有用方法，這些申請的內(nèi)容以參見的方式納入本文。如本文所述，發(fā)明人現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)了可制造支承和未受支承的半導(dǎo)體材料制品的其它方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明各種示例性實(shí)施例，提供了在包括半導(dǎo)體材料的模具上制造半導(dǎo)體材料制品的方法，這些方法包括在體相溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度Tsa提供包括第二半導(dǎo)體材料的模具，使得Ts > Ttsjl ;可選地用顆粒涂敷模具的外表面；將模具在熔融的第一半導(dǎo)體材料中浸泡一段時(shí)間，該段時(shí)間足以在模具的外表面上形成至少部分地由第一半導(dǎo)體材料組成的固體層；以及將具有固體層的模具從熔融的第一半導(dǎo)體材料抽出。在各種實(shí)施例中，這些方法還可包括將固體層與模具分離，以形成未受支承的半導(dǎo)體材料制品。本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例涉及制造半導(dǎo)體材料制品的方法，該方法包括在體相溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度Tsa提供包括第二半導(dǎo)體材料的模具，使得 Ts > Ttsjl ;可選地用顆粒涂敷模具的外表面；將模具在熔融的第一半導(dǎo)體材料中浸泡一段時(shí)間，該段時(shí)間足以在模具的外表面上形成至少部分地由第一半導(dǎo)體材料組成的固體層， 其中僅通過熔融的第一半導(dǎo)體材料的溫度來改變模具的溫度；以及將具有固體層的模具從熔融的第一半導(dǎo)體材料抽出。在各種實(shí)施例中，這些方法還可包括將固體層與模具分離，以形成未受支承的半導(dǎo)體材料制品。本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例涉及減少半導(dǎo)體材料制品中雜質(zhì)的方法，該方法包括在體相溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度！《^提供包括第二半導(dǎo)體材料的模具，使得Ts > Tsa ;可選地用顆粒涂敷模具的外表面；將模具在熔融的第一半導(dǎo)體材料中浸泡一段時(shí)間，該段時(shí)間足以在模具的外表面上形成至少部分地由第一半導(dǎo)體材料組成的固體層，使得僅通過熔融的第一半導(dǎo)體材料的溫度來改變模具的溫度；以及將具有固體層的模具從熔融的第一半導(dǎo)體材料抽出。在各種實(shí)施例中，這些方法還可包括將固體層與模具分離，以形成未受支承的半導(dǎo)體材料制品。本發(fā)明的各示例性實(shí)施例還涉及通過上述任何方法形成的半導(dǎo)體材料制品。本發(fā)明的又一些示例性實(shí)施例涉及用于形成半導(dǎo)體材料制品的模具，其中模具包括外表面和外表面上的顆粒。在至少一些實(shí)施例中，本發(fā)明的方法改進(jìn)了半導(dǎo)體材料制品的晶體顆粒結(jié)構(gòu)、減少了半導(dǎo)體材料制品中雜質(zhì)的量和/或缺陷的量、減少材料浪費(fèi)和/或增大半導(dǎo)體材料的
生產(chǎn)率。在本文中，術(shù)語“半導(dǎo)體材料”包括具有半導(dǎo)體性質(zhì)的材料，例如硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、錫的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、以及它們的混合物。在各種實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體材料可以是純的(例如本征硅或i型硅)或摻雜的(例如包含至少一種η型(例如磷)或P型(例如硼)的硅)。在本文中，術(shù)語“半導(dǎo)體材料制品”包括使用本發(fā)明的方法制備的任何形狀或形式的半導(dǎo)體材料。這些制品的實(shí)例包括光滑或有紋理的制品；平坦、彎曲、曲折或者有角度的制品；以及對稱或不對稱的制品。半導(dǎo)體材料制品可包括例如片材或管材。
在本文中，術(shù)語“未受支承的”表示半導(dǎo)體材料制品未與模具一體。未受支承的制品可在形成的同時(shí)連接至模具，但是半導(dǎo)體材料制品在模具上形成之后，與模具分離。但是未受支承的制品可隨后施加于用于例如光伏應(yīng)用的各種應(yīng)用的基材上。在本文中，術(shù)語“受支承的”表示半導(dǎo)體材料制品與模具一體。受支承的制品可保留在模具上，用來進(jìn)行進(jìn)一步加工，然后可將半導(dǎo)體材料制品從模具取下或不從模具取下， 或者可將模具作為半導(dǎo)體材料制品的支承件或基材。在本文中，術(shù)語“模具”表示能夠影響半導(dǎo)體材料制品的最終形狀的物理結(jié)構(gòu)。熔融的或固化的半導(dǎo)體材料不需要在本文所述的方法中與模具的表面發(fā)生實(shí)際的物理接觸， 但也可在模具的表面與熔融或固化的半導(dǎo)體材料之間發(fā)生接觸。本文使用的“半導(dǎo)體材料模具”表示包括半導(dǎo)體材料的任何模具。在本文中，術(shù)語“模具的外表面”表示在浸泡時(shí)模具的可暴露于熔融半導(dǎo)體材料的表面。例如，如果當(dāng)模具浸泡時(shí)，管狀模具的內(nèi)表面能夠與熔融半導(dǎo)體材料接觸，則管狀模具的內(nèi)表面可以是外表面。關(guān)于“模具的外表面”表不模具的外表面的至少一部分。在本文中，術(shù)語“第一半導(dǎo)體材料”用來識別熔融半導(dǎo)體材料中的半導(dǎo)體材料。因此，術(shù)語“熔融的半導(dǎo)體材料”可以與術(shù)語“熔融的第一半導(dǎo)體材料”互換使用。在本文中，術(shù)語“第二半導(dǎo)體材料”用來識別模具的半導(dǎo)體材料。因此，術(shù)語“半導(dǎo)體材料模具”及其變型與“第二半導(dǎo)體材料組成的模具”及其變型互換使用。根據(jù)各種實(shí)施例，第一和第二半導(dǎo)體材料可以包含基本相同或不同的半導(dǎo)體材料。當(dāng)?shù)谝缓偷诙雽?dǎo)體材料基本相同時(shí)，第一和第二半導(dǎo)體材料中的至少一種還可包括至少一種另外的組分,例如慘雜劑。在本文中，術(shù)語“在模具的外表面上形成至少部分地由所述第一半導(dǎo)體材料組成的固體層”及其變型表示來自熔融半導(dǎo)體材料的第一半導(dǎo)體材料中的至少一些在模具的外表面上或者外表面附近固化(在本文也稱為凝固或結(jié)晶化)。術(shù)語“至少部分地由第一半導(dǎo)體材料組成的固體層”、“半導(dǎo)體材料的固體層”以及“固體層”可以互換使用，以識別至少部分地由第一熔融半導(dǎo)體材料組成并且在模具的外表面上固化的層。在各實(shí)施例中，固體層還可以包括第二半導(dǎo)體材料，例如如果第二半導(dǎo)體材料部分地融入熔融的第一半導(dǎo)體材料，然后重新凝固。在各其它實(shí)施例中，如果熔融的第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料中的至少一種包括至少一種摻雜劑，則半導(dǎo)體材料的固體層還可包括至少一種摻雜劑。在一些實(shí)施例中，在模具的外表面上形成半導(dǎo)體材料的固體層包括使半導(dǎo)體材料在涂敷于模具外表面的顆粒層上固化。在各實(shí)施例中，由于模具和熔融半導(dǎo)體材料之間的溫差，在半導(dǎo)體材料與模具表面物理接觸之前，該半導(dǎo)體材料可固化。當(dāng)半導(dǎo)體材料在與模具物理接觸之前固化時(shí)，在一些實(shí)施例中，固化的半導(dǎo)體材料可隨后與模具物理接觸，或者與涂敷模具的顆粒物理接觸。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料可在與模具的外表面物理接觸之后、或者在與模具表面的顆粒(如果存在的話)接觸之后固化。在本文中，術(shù)語“減少雜質(zhì)的量”及其變型包括與例如使用包括碳化硅的模具的方法之類的常規(guī)方法相比，雜質(zhì)的任何減少，雜質(zhì)包括任何不希望有的材料或除了形成的半導(dǎo)體制品中存在的摻雜劑和半導(dǎo)體材料之外的任何材料。在本文中，術(shù)語“減少半導(dǎo)體材料制品中缺陷的量”及其變型包括與用來生產(chǎn)半導(dǎo)體材料制品的常規(guī)方法相比，半導(dǎo)體材料制品的晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)存在的缺陷的量的任何減少，缺陷包括例如位錯(cuò)和晶界。在本文中，術(shù)語“增大的生產(chǎn)率”及其各種變型包括與用來生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的常規(guī)方法，例如帶生長法相比，半導(dǎo)體材料制品生產(chǎn)率的任何增大。例如，生產(chǎn)率的增大可以是大于l-2cm/min的任何速率。在本文中，表達(dá)“減少材料浪費(fèi)”及其變型表示在生產(chǎn)半導(dǎo)體材料制品之后，使用切片或切割的常規(guī)方法造成的半導(dǎo)體材料損失量的任何減少。在本發(fā)明中，術(shù)語“晶體”是指包含晶體結(jié)構(gòu)的任何材料，包括例如單晶和多晶半導(dǎo)體材料。在本發(fā)明中，“多晶”包括由多個(gè)晶粒組成的任何材料。例如，多晶材料包括多晶體材料、微晶材料和納米晶體材料。在本發(fā)明中，術(shù)語“熔融半導(dǎo)體材料的溫度”、“熔融半導(dǎo)體材料的體相溫度”以及它們的變型表示容納在容器內(nèi)的熔融半導(dǎo)體材料的平均溫度。熔融半導(dǎo)體材料內(nèi)的局部溫度可以在任何時(shí)間點(diǎn)在空間內(nèi)變化，例如當(dāng)浸泡模具時(shí)，靠近模具的熔融半導(dǎo)體材料的區(qū)域，或者在容器頂表面處暴露于大氣條件的熔融半導(dǎo)體材料。在各實(shí)施例中，盡管有一些局部溫度變化，但是熔融半導(dǎo)體材料的平均溫度是大致均勻的。如本文所述，本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體材料制品的方法，以及由此形成的半導(dǎo)體材料制品。在以下說明中，某些方面和實(shí)施例將變明顯。應(yīng)當(dāng)理解，就最廣義而言，本發(fā)明可以在沒有這些方面和實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)特征的情況下實(shí)施。應(yīng)當(dāng)理解，這些方面和實(shí)施例僅僅是示例性和說明性的，并非意圖限制所要求保護(hù)的本發(fā)明。


在下文加以描述且包括在說明書中并構(gòu)成說明書的一個(gè)組成部分的以下附圖，圖示了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是不應(yīng)認(rèn)為它們限制了本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明還包括其它同等有效的實(shí)施例。為了清晰和簡明，附圖不一定按比例，且附圖中某些特征和某些視圖可能以放大比例或示意的形式來示出。圖I顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制造未受支承的半導(dǎo)體材料制品的示例性方法的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，對于各種模具厚度，在浸泡時(shí)間(X軸)的模具溫度 (攝氏度)與硅膜最大厚度(微米)(y軸)之間的示例性關(guān)系的圖表；圖3時(shí)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，模具上形成的固體硅層厚度(微米)(y_軸)與模具在熔融硅中浸泡時(shí)間(秒)(X軸)之間示例性關(guān)系的圖表；圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例熔融半導(dǎo)體材料牽拉層的示例性厚度(微米)(y軸) 作為模具從熔融半導(dǎo)體材料中抽出的速率(cm/S) (X軸)的函數(shù)的圖表；以及圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例模具浸泡在熔融的半導(dǎo)體材料中時(shí)，模具的示例性浸泡角度的示意圖。
具體實(shí)施例應(yīng)當(dāng)理解以上一般描述和以下詳細(xì)說明僅僅是示例性和說明性的而不是限制本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可從本文所揭示的說明和實(shí)踐的考慮中清楚地知曉本發(fā)明的其它實(shí)施例。圖I示出制造未受支承的半導(dǎo)體材料制品的示例性方法。可以使用與圖I所示示例性方法類似的方法通過例如在最終分離步驟之前停止來制造受支承的制品。圖I中所示的示例性的方法是外鑄法，該方法在諸如模具外表面的表面上澆鑄制品，而不是充注模具型腔。在圖I所示的示例性方法中，提供了模具100，該模具100具有外表面102，該外表面102具有所要求的尺寸、表面積、形狀以及表面紋理/圖案。模具100 的外表面102的表面積、形狀和表面紋理/圖案可決定澆鑄制品的尺寸、形狀和表面紋理/ 圖案。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠認(rèn)識到，可基于例如鑄造制品所要求的性質(zhì)和特征選擇模具100的外表面102的尺寸、形狀以及表面紋理/圖案。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100包括能夠與熔融半導(dǎo)體材料104相容的半導(dǎo)體材料。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100包括與熔融半導(dǎo)體材料104相同的材料。盡管不希望受到理論限制，但相信使用由與熔融半導(dǎo)體材料104相同材料制成的模具100，可減少形成的半導(dǎo)體材料內(nèi)雜質(zhì)的量。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100和熔融半導(dǎo)體材料104可包括相同的半導(dǎo)體材料，其中模具100和熔融半導(dǎo)體材料104中的至少一個(gè)還包括諸如摻雜劑的至少一種附加材料。在各實(shí)施例中，模具100包括這樣的材料當(dāng)通過模具100與熔融半導(dǎo)體材料104的接觸而對模具100加熱時(shí)，模具100不會由于例如不均勻的、快速的熱膨脹或夾帶的氣體而產(chǎn)生的大的熱應(yīng)力造成開裂、破裂和/或爆炸。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100由選自硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫的合金和化合物及其混合物制成。根據(jù)各實(shí)施例， 模具100可以是基本上純的半導(dǎo)體材料或還可包括至少一種摻雜劑，例如磷、硼或鋁。例如，組成模具100的半導(dǎo)體材料可包括少于Ippm的鐵、猛和鉻，以及小于Ippb的鑰;、鈦和鋯。半導(dǎo)體材料模具100還可包括少于IO15個(gè)氮原子/厘米3和/或少于IO17個(gè)碳原子/ 厘米3。在至少一個(gè)實(shí)施例中，熔融半導(dǎo)體材料的源可以是光生伏打級硅或更純的硅。在各實(shí)施例中，模具100可包括例如硅、硅合金和/或硅混合物。根據(jù)各實(shí)施例的模具100也可包括氧化物層。例如，在一實(shí)施例中，由硅制成的模具100可包括天然氧化物薄層。在其它實(shí)施例中，可在浸泡入熔融半導(dǎo)體材料104內(nèi)之前通過例如用氫氟酸去除氧化物層來去除氧化物。模具100可包括單晶或多晶材料。例如，模具100可包括單晶硅或多晶硅。例如， 在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100可包括多晶硅。在又一示例性實(shí)施例中，模具100包括具有均勻粒度的多晶材料。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以通過在容器106中熔融硅來提供例如熔融硅的熔融半導(dǎo)體材料104，該容器106是例如坩鍋，該坩鍋可以可選地不與硅反應(yīng)。在至少一個(gè)實(shí)施例中，熔融半導(dǎo)體材料104可以具有低的污染物含量。例如，熔融半導(dǎo)體材料104可以包含少于Ippm的鐵、錳和鉻，以及少于Ippb的釩、鈦和鋯。熔融半導(dǎo)體材料104還可包括少于IO15 個(gè)氮原子/厘米3和/或少于IO17個(gè)碳原子/厘米3。在至少一個(gè)實(shí)施例中，熔融半導(dǎo)體材料的源可以是光生伏打級硅或更純的硅。 在至少一個(gè)實(shí)施例中，可使用任何合適的加熱裝置或方法，在低氧氣氣氛或還原氣氛中，將熔融半導(dǎo)體材料104加熱至體相溫度Ts。合適的加熱裝置和方法的實(shí)例包括加熱元件，例如電阻加熱元件或感應(yīng)加熱元件，以及火焰熱源。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，可以基于某些因素來選擇加熱裝置或方法，例如基于容納熔融半導(dǎo)體材料的容器的容量、容器的尺寸/厚度、和/或圍繞容器的氣氛。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，可使用任何合適的加熱裝置或方法，在低氧氣氛或還原氣氛中，將模具100加熱至溫度TSA。如上所述，適當(dāng)?shù)募訜嵫b置和方法包括加熱元件和火焰熱源、以及紅外(IR)熱源(例如IR燈)。在至少一個(gè)實(shí)施例中，通過將模具100 在熔融半導(dǎo)體材料104上方預(yù)熱而將模具100加熱到溫度TSA。如上所述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員會認(rèn)識到，熱源的選擇取決于幾個(gè)因素，諸如加熱模具的環(huán)境，模具的材料、模具的厚度和/或生產(chǎn)的最終制品所要求的等級。在浸泡之前，模具的溫度Tsa可以低于熔融半導(dǎo)體材料的體相溫度Ts,從而在模具100與熔融半導(dǎo)體材料104之間形成溫差，該溫差可推動過程。在各實(shí)施例中，熔融半導(dǎo)體材料的體相溫度Ts可以是半導(dǎo)體材料的熔融溫度，或者可以是更高的溫度。在半導(dǎo)體材料包括硅的一個(gè)示例性實(shí)施例中，熔融硅的體相溫度Ts范圍可從1414°C至1550°C，例如從 1450 0C M 1490°C，諸如 1460。。。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以選擇模具的溫度Tsa，使得模具100能夠?qū)⑴c模具100 表面相鄰的熔融半導(dǎo)體材料冷卻至半導(dǎo)體材料104的固化溫度/凝固溫度，并從半導(dǎo)體材料104去除足夠的熱量，以使其凝固。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以至少部分地基于模具100 的厚度來選擇模具的溫度TSA。例如，從圖2所示的數(shù)據(jù)可確定，當(dāng)兩模具在熔融半導(dǎo)體材料104中浸泡時(shí)具有相同的溫度時(shí)，較厚的模具制造較厚的半導(dǎo)體材料制品的能力強(qiáng)于較薄的模具。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以選擇模具的溫度Twi，使得模具100具有足夠的熱質(zhì)量以防止模具100在任何熔融半導(dǎo)體材料104在模具表面上凝固之前完全熔融。例如，在各實(shí)施例中，模具100的厚度可從300 μ m至3mm,諸如從400 μ m至2mm。根據(jù)各實(shí)施例，模具的溫度！《^可選擇成避免從不均勻、快速的熱膨脹或從夾帶的氣體產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。例如，當(dāng)模具100由硅制成時(shí)，可在浸泡入熔融半導(dǎo)體材料104之前將模具100預(yù)熱到溫度Tsa，該溫度Tsa至少為350°C，諸如從350°C至1200°C、例如從 400°C至700°C。當(dāng)模具100位于熔融半導(dǎo)體材料104附近時(shí)或當(dāng)模具100浸泡入熔融半導(dǎo)體材料104內(nèi)時(shí)，模具100的溫度可增加。在至少一個(gè)實(shí)施例中，通過將模具100保持在熔融半導(dǎo)體材料104上方而將模具100加熱到溫度TSA。浸泡之前適當(dāng)?shù)哪＞邷囟萒sa的確定在本領(lǐng)域技術(shù)人員能力范圍內(nèi)，該確定基于例如熔融半導(dǎo)體材料的溫度Ts、模具100的厚度、熔融半導(dǎo)體材料104和模具100的傳熱特性和熱力特性、以及形成的半導(dǎo)體材料制品的所要求的厚度。如圖I所示，根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，可以可選地在低氧氣氛或還原氣氛中，以預(yù)定的速率，將模具100浸泡在熔融半導(dǎo)體材料104中。如圖5所示，可以以任何浸泡角度Θ 將模具100浸泡在熔融半導(dǎo)體材料104中，其中浸泡角度Θ表示在模具首先接觸熔融半導(dǎo)體材料104的表面108的點(diǎn)P處，熔融半導(dǎo)體材料104的表面108與模具100的外表面102 之間的角度。當(dāng)模具100浸泡在熔融半導(dǎo)體材料104中時(shí)，模具100的外表面102接觸熔融半導(dǎo)體材料104的角度可以變化。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，熔融半導(dǎo)體材料可與浸泡在其中的具有球形外表面的模具以無窮大的角度接觸，但初始接觸點(diǎn)會平行于熔融半導(dǎo)體材料 104的表面108時(shí)，浸泡角度Θ為0°。在另一些示例性的實(shí)施例中，當(dāng)模具100沿著垂直于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108的方向浸泡時(shí),模具100可沿平行于熔融半導(dǎo)體材料104
10的表面108的方向移動。本領(lǐng)域技術(shù)人員還會認(rèn)識到，局部浸泡角度(即，在首先接觸位點(diǎn) P處的任何有限位置的浸泡角度)可能由于表面性質(zhì)(例如孔隙率或高度變化)以及組成模具的材料的浸潤角度而變化。在又一示例性的實(shí)施例中，模具100的外表面102可以基本垂直于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108，即浸泡角度近似為90°。在另一實(shí)施例中，模具100的外表面102不一定垂直于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108。例如,模具100的外表面102可以以以下浸泡角度浸泡在熔融半導(dǎo)體材料104中從0°至180°、例如從0°至90°、從O。至30°、從 60°至90°、或者45°的浸泡角度。在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中，可以使用任何合適的技術(shù)完成模具的浸泡，可以用以下的方式對模具進(jìn)行浸泡從熔融半導(dǎo)體材料的上方，或者從熔融半導(dǎo)體材料的側(cè)面或底部。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以將模具100在熔融半導(dǎo)體材料104中浸泡一段時(shí)間，該段時(shí)間足以使半導(dǎo)體材料的層在模具100的表面102上充分固化。在至少一個(gè)實(shí)施例中， 當(dāng)足夠的半導(dǎo)體材料固化使得模具可以從熔融半導(dǎo)體材料抽出時(shí)，半導(dǎo)體材料充分固化， 且半導(dǎo)體材料層可隨模具一起抽出。僅僅作為示例，根據(jù)模具100的厚度，模具100可以在熔融半導(dǎo)體材料104中浸泡長達(dá)30秒或更長時(shí)間。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100可以浸泡從O. 5至30秒，例如長達(dá)10秒。例如，模具100可以在熔融半導(dǎo)體材料104中浸泡I秒至4秒。浸泡時(shí)間可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的參數(shù)適當(dāng)?shù)刈兓?，這些參數(shù)包括例如模具的厚度、模具和熔融半導(dǎo)體材料的溫度以及傳熱和熱力性質(zhì)，以及形成的半導(dǎo)體材料制品所要求的厚度。因此，適當(dāng)?shù)慕輹r(shí)間可由本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易地確定。在至少一個(gè)實(shí)施例中，在模具100浸泡時(shí)，可以使用至少一種加熱元件109，例如電阻加熱元件或感應(yīng)加熱元件來加熱容器106，以及將熔融半導(dǎo)體材料104保持在所要求的溫度。在至少一個(gè)實(shí)施例中，熔融半導(dǎo)體材料104的溫度可以保持在體相溫度Ts。可以通過任何所要求的方法使得半導(dǎo)體材料104熔融，并保持在熔融狀態(tài)，本領(lǐng)域技術(shù)人員有能力根據(jù)實(shí)施該方法的條件和環(huán)境來選擇加熱方法。在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中，可以采用還原環(huán)境下的射頻(RF)感應(yīng)加熱。RF感應(yīng)加熱可以減少熔體中存在異物的可能性，由此提供更清潔的環(huán)境。感應(yīng)加熱還可以提供所需熱通量，從而在模具100表面附近的材料快速吸熱時(shí)保持所要求的體相熔融半導(dǎo)體材料溫度。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)模具100沿著垂直于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108的方向浸泡時(shí)，模具100可以在平行于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108的平面內(nèi)保持基本不動。在其它實(shí)施例中，當(dāng)模具100沿著垂直于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108的方向浸泡時(shí)，模具100可以在平行于熔融半導(dǎo)體材料104的表面108的平面內(nèi)移動，例如以任何頻率轉(zhuǎn)動或擺動。可以在模具100的表面102上形成一層半導(dǎo)體材料的層110。浸泡之后，具有半導(dǎo)體材料的層110的模具100可以從容器106抽出。在至少一個(gè)實(shí)施例中，在將模具100 從容器106移出之后，具有半導(dǎo)體材料層110的模具100可以通過諸如對流冷卻進(jìn)行主動冷卻，或者允許半導(dǎo)體材料層110的溫度降至室溫而被冷卻。在將模具100從容器106取出并充分冷卻之后，半導(dǎo)體材料的固體層110可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何方法從模具100取下或者與模具100分離。在至少一個(gè)實(shí)施例中，在將半導(dǎo)體材料層從模具分離或取下時(shí)，可以對半導(dǎo)體材料層進(jìn)行充分的冷卻，同時(shí)不會發(fā)生斷裂或變形。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可以通過差異膨脹和/或機(jī)械輔助將半導(dǎo)體材料層110與模具100分離或者從模具100取下。在至少一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料的固體層110可以作為半導(dǎo)體材料的受支承的制品保持在1旲具100上。在至少一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二半導(dǎo)體材料選自硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、錫的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物及其混合物。根據(jù)各實(shí)施例，第一和/或第二半導(dǎo)體材料可以是純的或者摻雜的。在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中，第一和/或半導(dǎo)體材料包括選自硼、磷或鋁(B、P或Al)的至少一種摻雜劑。在至少一個(gè)實(shí)施例中，至少一種摻雜劑以百萬分之份數(shù)(PPm)級存在。第一和/或第二半導(dǎo)體材料中的摻雜劑的量可基于生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料制品中所要求的摻雜劑濃度來選擇，且可取決于制品最終的應(yīng)用，例如用于光伏電池。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，本文所述的方法制造的半導(dǎo)體材料制品可以包括基本均勻地分散在整個(gè)半導(dǎo)體材料中的至少一種摻雜劑(例如至少一種摻雜劑基本上沒有在半導(dǎo)體材料中發(fā)生偏析)。在另一實(shí)施例中，第一和/或第二半導(dǎo)體材料可包括至少一種非半導(dǎo)體元素，該至少一種非半導(dǎo)體元素可與其它元素形成半導(dǎo)體合金或化合物。例如，第一和/或第二半導(dǎo)體材料可選自砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)和磷化銦(InP)。在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，大量的工藝參數(shù)可以變化，這些工藝參數(shù)包括但不限于(1)模具100的組成、密度、熱容、導(dǎo)熱性、熱擴(kuò)散性以及厚度，(2)進(jìn)行浸泡之前提供的模具溫度Tsa以及熔融半導(dǎo)體材料的體相溫度Ts, (3)模具100在熔融半導(dǎo)體材料104中浸泡的速率，⑷模具100在熔融半導(dǎo)體材料104中浸泡的時(shí)間長，(5)具有半導(dǎo)體材料固體層110的模具100從熔融半導(dǎo)體材料104中取出的速率，以及(6)固化的半導(dǎo)體材料110 的冷卻速率。在至少一個(gè)實(shí)施例中，浸泡之前的提供的模具溫度Tsa與熔融半導(dǎo)體材料的體相溫度Ts之間的溫度差是唯一受到控制的溫度參數(shù)(例如模具的溫度在浸泡入熔融半導(dǎo)體材料中時(shí)發(fā)生變化，而體相熔融半導(dǎo)體材料的溫度保持在恒定溫度)。在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中，在將模具100浸泡到熔融半導(dǎo)體材料104中之后， 模具100的溫度不受控制，因此該溫度僅通過熔融材料的溫度Ts來改變。熔融半導(dǎo)體材料的溫度Ts可以通過輻射、對流或傳導(dǎo)來改變模具100的溫度。例如，當(dāng)模具100位于熔融半導(dǎo)體材料104上方時(shí)，可以發(fā)生模具100的輻射加熱。當(dāng)熔融半導(dǎo)體材料104上方的煙在模具100表面上方通過時(shí)，或者模具100浸泡在熔融半導(dǎo)體材料104中期間，熔融半導(dǎo)體材料104可以對模具100進(jìn)行對流加熱。例如，可以在模具100浸泡在熔融半導(dǎo)體材料104 的同時(shí)，通過傳導(dǎo)對模具100進(jìn)行加熱。模具100可以是適用于所揭示方法的任何形式。例如，在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具 100可以為單體形式，或者為層疊結(jié)構(gòu)的形式，例如層疊單體。模具100可包括多孔或非多孔本體，選配地具有至少一個(gè)多孔或非多孔的涂層。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，模具100可包括半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)多孔或非多孔涂層。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100還可包括整個(gè)模具本體內(nèi)均勻或非均勻的組分，均勻或非均勻的孔隙率，或者其它的均勻或非均勻的結(jié)構(gòu)特征。在某些實(shí)施例中，其中模具100層疊或具有非均勻成分，模具100的外表面可包括半導(dǎo)體材料，這些實(shí)施例可減少形成的半導(dǎo)體材料制品中存在的雜質(zhì)的量和/或減少缺陷的量。
模具100可包括一個(gè)或多個(gè)拋光或光滑的外表面，或者模具的外表面可以是有均勻或非均勻的紋理，諸如通過鋸割或通過圖案化該表面之后的粗糙切削表面，諸如具有蜂窩圖案。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施例，模具100還可具有適用于所揭示方法的任何形狀。例如，模具100可包括一個(gè)或多個(gè)平坦的表面，或者一個(gè)或多個(gè)彎曲表面，例如一個(gè)或多個(gè)凸出或凹入表面。例如，一個(gè)或多個(gè)平坦的表面可以用來形成矩形的制品，一個(gè)或多個(gè)凸出或凹入表面可以用來形成透鏡狀或管狀的制品。在至少一個(gè)實(shí)施例中，模具100的材料的熱物理性質(zhì)以及模具100的厚度可以結(jié)合起來以確定模具100從與該模具100的外表面102接觸的熔融半導(dǎo)體材料104提取熱量、 使得半導(dǎo)體材料固化的能力，以及熱量傳輸?shù)乃俾?。不希望受到理論限制，認(rèn)為在模具100 的外表面102上從固體層110提取熱量的速率會影響固體半導(dǎo)體材料層110的粒度。模具 100與熔融半導(dǎo)體材料104之間的溫差可提供從液相到固相的相變驅(qū)動力，而模具100的傳熱性質(zhì)(導(dǎo)熱性和熱擴(kuò)散性)可設(shè)定可去除熱量的速率。一般而言，較大的溫差能夠提供較大的驅(qū)動力，能夠產(chǎn)生較細(xì)的顆粒材料，因?yàn)檩^多能量可在更多的生長位點(diǎn)能夠用來克服成核勢壘。較小的溫差可能有利于較大顆粒。圖2顯示了示例性理論計(jì)算的圖表示意圖，顯示了對于模具厚度為和 5mm(分別用方塊、圓形和三角形表示)，能夠?qū)崿F(xiàn)的固化硅層的最大厚度作為浸泡時(shí)模具溫度!《^的函數(shù)。圖2所示的圖表是通過對給定模具材料的物理性質(zhì)的以下能量平衡方程求解而得到的。在將模具浸泡在熔融半導(dǎo)體材料中時(shí)，能夠形成的固化硅層的最大厚度Λ 可以表示為以下參數(shù)的函數(shù)(EQ. I):模具密度P tSA、模具熱容Cpsjl、浸泡時(shí)的模具溫度T tSA、硅的熔融溫度TM、熔融硅的體相溫度Ts、模具的厚度W、熔融硅的密度P Si、熔融硅的比熱容Cpsi、以及硅的潛熔融熱Asi Δ =丄 PMoldCpMoldwiTM(方程”
2 _ P Si 入Si + P Si Cp Si X^S ~ Tm )_除了半導(dǎo)體材料在模具表面上的凝固/重新熔融貢獻(xiàn)的半導(dǎo)體材料的厚度以外， 形成的半導(dǎo)體材料制品的厚度還會受到當(dāng)將模具100從熔融半導(dǎo)體材料104抽出時(shí)形成的牽拉層的影響。雖然不希望受到理論限制，但是認(rèn)為通過牽拉層添加的厚度可能取決于常規(guī)的浸涂動態(tài)以及半導(dǎo)體材料額外凝固的組合，這可能取決于模具100從熔融半導(dǎo)體材料 104抽出的速率。當(dāng)模具100從熔融半導(dǎo)體材料104中抽出時(shí)，熔融半導(dǎo)體材料可以浸潤模具100上的形成半導(dǎo)體材料固體層110，形成熔融半導(dǎo)體材料的牽拉層。熔融半導(dǎo)體材料的牽拉層可凝固在已經(jīng)固化的半導(dǎo)體材料層上，且因此可增加到最終制品的厚度。由牽拉層貢獻(xiàn)的厚度可能取決于牽拉了多少熔融半導(dǎo)體材料以及實(shí)際凝固了多少牽拉層。如果傳熱限制固化牽拉層厚度，則增大去除速率會減小由于熔融半導(dǎo)體材料牽拉產(chǎn)生的凝固牽拉層。相反，如果限制牽拉的熔融半導(dǎo)體材料，則增大移除速率會增大凝固牽拉層。由常規(guī)浸涂方法貢獻(xiàn)的牽拉層的理論厚度可使用朗道-列維奇(Landau-Levich)方程(方程2)來逼近
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體材料制品的方法，所述方法包括在溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度1 胃提供模具，使得Ts > Tsa，所述模具包括第二半導(dǎo)體材料；用顆粒涂敷所述模具的外表面；將所述模具在所述熔融的第一半導(dǎo)體材料中浸泡一段時(shí)間，所述一段時(shí)間足以在所述模具的所述外表面上形成至少部分地由所述第一半導(dǎo)體材料組成的固體層；將具有所述固體層的所述模具從所述熔融的第一半導(dǎo)體材料抽出；以及可選地將所述固體層與所述模具分離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和/或所述第二半導(dǎo)體材料選自下組硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料包括大致相同的半導(dǎo)體材料。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料中的至少一種還包括至少一種摻雜劑。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述用顆粒涂敷所述模具的外表面包括使所述模具暴露于所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方的煙一段時(shí)間，所述一段時(shí)間足以在所述模具的所述外表面上形成由所述熔融的第一半導(dǎo)體材料產(chǎn)生的顆粒。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述模具在所述模具浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料之前位于所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方并暴露于所述熔融的第一半導(dǎo)體材料的煙，和/或當(dāng)所述模具浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料時(shí)暴露于所述熔融的第一半導(dǎo)體材料的煙。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述用顆粒涂敷所述模具的外表面包括在所述模具的所述外表面上噴涂、摩擦、刷涂、傾倒、浸涂、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或等離子誘導(dǎo)沉積所述顆粒。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，涂敷所述模具的所述外表面的所述顆粒形成大致鄰接的顆粒涂層。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述顆粒包括選自下組的材料硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在溫度T模具提供所述模具包括在所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方加熱所述模具的步驟。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方的氣氛包括氬和氫。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具以范圍從0°至180°的浸泡角度浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料。
13.—種制造半導(dǎo)體材料制品的方法，所述方法包括在溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度1 胃提供模具，使得Ts > TSA，其中所述模具包括第二半導(dǎo)體材料；將所述模具浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料一段時(shí)間，所述一段時(shí)間足以在所述模具的外表面上形成至少部分由所述第一半導(dǎo)體材料組成的固體層，其中所述模具的溫度僅通過所述熔融的第一半導(dǎo)體材料的溫度來改變；將具有所述固體層的所述模具從所述熔融的第一半導(dǎo)體材料抽出；以及可選地將所述固體層與所述模具分離。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在將所述模具浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料之前和/或當(dāng)所述模具浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料時(shí)，用顆粒涂敷所述模具的所述外表面。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述顆粒包括選自下組的材料硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述用顆粒涂敷所述模具的外表面包括 使所述模具暴露于所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方的煙一段時(shí)間，所述一段時(shí)間足以在所述模具的所述外表面上形成由所述熔融的第一半導(dǎo)體材料產(chǎn)生的顆粒。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述用顆粒涂敷所述模具的外表面包括 在所述模具的所述外表面上噴涂、摩擦、刷涂、傾倒、浸涂、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或等離子誘導(dǎo)沉積所述顆粒。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料包括大致相同的半導(dǎo)體材料。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料中的至少一種包括至少一種摻雜劑。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料中的至少一種選自下組硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
21.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述在溫度T模具提供所述模具包括在所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方加熱所述模具的步驟。
22.—種減少半導(dǎo)體材料制品中雜質(zhì)的方法，所述方法包括在溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度Tsa提供模具，使得Ts > Tsa，其中所述模具包括第二半導(dǎo)體材料，且所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料包括大致相同的半導(dǎo)體材料；將所述模具浸泡入所述熔融的第一半導(dǎo)體材料一段時(shí)間，所述一段時(shí)間足以在所述模具的外表面上形成至少部分由所述第一半導(dǎo)體材料組成的固體層，其中所述模具的溫度僅通過所述熔融的第一半導(dǎo)體材料的溫度來改變；將具有所述固體層的所述模具從所述熔融的第一半導(dǎo)體材料抽出；以及可選地將所述固體層與所述模具分離。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料選自下組硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述在溫度T模具提供所述模具包括在所述熔融的第一半導(dǎo)體材料上方預(yù)熱所述模具。
25.通過一種方法形成的半導(dǎo)體材料制品，所述方法包括在溫度Ts提供熔融的第一半導(dǎo)體材料；在溫度1 胃提供模具，使得Ts > TSA，其中所述模具包括第二半導(dǎo)體材料；將所述模具在所述熔融的第一半導(dǎo)體材料中浸泡一段時(shí)間，所述一段時(shí)間足以在所述模具的外表面上形成至少部分地由所述第一半導(dǎo)體材料組成的固體層；以足以在所述固體層的表面上形成第二光滑層的速率，將具有所述固體層的所述模具從所述熔融的第一半導(dǎo)體材料中抽出；以及可選地將所述固體層與所述模具分離。
26.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體材料制品，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料包括大致相同的半導(dǎo)體材料。
27.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體材料制品，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料中的至少一種選自下組硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
28.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體材料制品，其特征在于，所述熔融的第一半導(dǎo)體材料和所述第二半導(dǎo)體材料中的至少一種還包括至少一種摻雜劑。
29.一種用于形成半導(dǎo)體材料制品的模具，所述模具包括外表面；以及所述外表面上的顆粒；其中所述模具包括半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體材料選自下組硅、硅的合金和化合物、鍺、 鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
30.如權(quán)利要求四所述的模具，其特征在于，所述顆粒選自下組硅、硅的合金和化合物、鍺、鍺的合金和化合物、砷化鎵、砷化鎵的合金和化合物、錫、錫的合金和化合物、以及它們的混合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及在包括半導(dǎo)體材料的模具上制造半導(dǎo)體材料制品的方法以及由此形成的半導(dǎo)體材料制品，例如可以用來制造光生伏打電池的半導(dǎo)體材料制品。
文檔編號C30B19/12GK102597335SQ201080021464
公開日2012年7月18日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月14日
發(fā)明者C·S·托馬斯, G·B·庫克, N·文卡特拉曼 申請人:康寧股份有限公司