專利名稱:蒸鍍方法和蒸鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及使用蒸鍍掩模的蒸鍍方法和蒸鍍裝置。
背景技術(shù):
近年來(lái),在各種商品和領(lǐng)域中充分利用著平板顯示器,需要平板顯示器進(jìn)一步的大型化、高畫質(zhì)化、低消耗電力化。在這樣的狀況下,具備利用有機(jī)材料的場(chǎng)致發(fā)光(Electro luminescence ;以下, 記為“EL”)的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置,作為全固體型、在低電壓驅(qū)動(dòng)、高速應(yīng)答性、 自發(fā)光性等方面優(yōu)異的平板顯示器,備受關(guān)注。有機(jī)EL顯示裝置,例如,具有在設(shè)置有TFT (薄膜晶體管)的由玻璃基板等構(gòu)成的基板上,設(shè)置有與TFT連接的有機(jī)EL元件的構(gòu)成。有機(jī)EL元件為能夠由低電壓直流驅(qū)動(dòng)而高亮度發(fā)光的發(fā)光元件,具有順次疊層有第1電極、有機(jī)EL層和第2電極的結(jié)構(gòu)。其中,第1電極與TFT連接。另外,在第1電極和第2電極之間,作為上述有機(jī)EL層,設(shè)置有使空穴注入層、空穴輸送層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子輸送層、電子注入層等疊層而成的有機(jī)層。全彩色的有機(jī)EL顯示裝置,一般將紅(R)、綠(G)、藍(lán)⑶的各色的有機(jī)EL元件作為子像素在基板上排列而形成,使用TFT,使這些有機(jī)EL元件選擇性地以所期望的亮度發(fā)光,由此進(jìn)行圖像顯示。在這樣的有機(jī)EL顯示裝置的制造中,至少由發(fā)各色光的有機(jī)發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層在每個(gè)作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件上形成圖案(例如參照專利文獻(xiàn)1 3)。作為進(jìn)行發(fā)光層的圖案形成的方法,例如已知使用被稱為陰影掩模的蒸鍍用的掩模的真空蒸鍍法、噴墨法、激光轉(zhuǎn)印法。例如,在低分子型有機(jī)EL顯示器(OLED)中,以往通過(guò)使用陰影掩模的蒸鍍法,進(jìn)行有機(jī)層的分別涂布形成。在使用陰影掩模的真空蒸鍍法中,使用能夠在基板的蒸鍍區(qū)域全體進(jìn)行蒸鍍的尺寸的陰影掩模(粘附型整面陰影掩模)(例如,參照專利文獻(xiàn)4 7)。一般而言,作為陰影掩模,使用與基板同等尺寸的掩模。圖22是表示使用陰影掩模的現(xiàn)有蒸鍍裝置的概略構(gòu)成的截面圖。在使用陰影掩模的真空蒸鍍法中,如圖22所示,使基板301與蒸鍍?cè)?02相對(duì)配置,以作為目的的蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域不附著蒸鍍顆粒的方式,在陰影掩模303上設(shè)置對(duì)應(yīng)蒸鍍區(qū)域的一部分的圖案的開口部304,經(jīng)由該開口部304使蒸鍍顆粒在基板301蒸鍍, 由此進(jìn)行圖案形成。基板301配置在沒(méi)有圖示的真空腔室內(nèi),在基板301的下方固定蒸鍍?cè)?02。陰影掩模303以在基板301上粘附固定、或在真空腔室的內(nèi)壁固定有基板301和蒸鍍?cè)?02的狀態(tài),相對(duì)于基板301進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)(例如,參照專利文獻(xiàn)1、2、8、9)。例如在專利文獻(xiàn)1中,公開了使用負(fù)載鎖定式的蒸鍍?cè)矗M(jìn)行掩模和基板的位置對(duì)準(zhǔn)后,將第1發(fā)光材料從基板的正下方進(jìn)行真空蒸鍍,形成與掩模的開口部大致相同形狀的第1發(fā)光部的排列后,移動(dòng)掩模,將第2發(fā)光材料從基板的正下方進(jìn)行真空蒸鍍,形成與掩模的開口部大致相同形狀的第2發(fā)光部的排列。在專利文獻(xiàn)2中,公開了在設(shè)置有顯示電極的基板上,以包圍顯示電極的方式設(shè)置在基板上突出的隔壁,在該隔壁的上表面載置掩模,在隔壁內(nèi)的顯示電極上使有機(jī)EL介質(zhì)沉積后,使掩模的開口部以從1個(gè)顯示電極上位于鄰接的顯示電極上的方式移動(dòng)掩模, 由此順次形成與掩模的開口部大致相同形狀的發(fā)光層。另外,在專利文獻(xiàn)8中公開了通過(guò)接近基板而設(shè)置金屬掩模,與此同時(shí)進(jìn)行搬送, 由蒸鍍?cè)催M(jìn)行蒸鍍。另外,使用陰影掩模的真空蒸鍍法,不僅可以用于發(fā)光層,也可以用于電極的圖案形成。例如,在專利文獻(xiàn)9中,公開了在與基板同等尺寸的掩模中,將小徑或細(xì)長(zhǎng)的狹縫孔,在相對(duì)于掩模的移動(dòng)方向交差的方向上排列,一邊沿著小徑或狹縫孔的排列方向使掩模移動(dòng),一邊使電極材料蒸鍍,由此形成電極圖案。在這樣使用陰影掩模的真空蒸鍍法中,為了抑制撓曲和形變,施加張力將陰影掩模固定(例如熔接)在掩??蛏?。在使用陰影掩模的真空蒸鍍法中,使這樣的陰影掩模粘附在基板上,從蒸鍍?cè)?,?jīng)過(guò)陰影掩模的開口部向基板的所期望的位置蒸鍍(附著)蒸鍍顆粒,由此進(jìn)行發(fā)光層或電極的圖案形成?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本公開特許公報(bào)“特開2000-188179號(hào)公報(bào)(
公開日2000年7月 4日)”(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第6294892號(hào),公告日2001年9月25日)專利文獻(xiàn)2 日本公開特許公報(bào)“特開平8-227276號(hào)公報(bào)(
公開日1996年9月 3日)”(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5,7421,29號(hào),公告日1998年4月21日)專利文獻(xiàn)3 日本公開特許公報(bào)“特開平9-167684號(hào)公報(bào)(
公開日1997年6月 24日)”(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5,688,551號(hào),公告日1997年11月18日)專利文獻(xiàn)4:日本公開特許公報(bào)“特開2003-68453號(hào)公報(bào)(
公開日2003年3月 7 曰),,專利文獻(xiàn)5 日本公開特許公報(bào)“特開2003-272839號(hào)公報(bào)(
公開日2003年9月 26 曰),,專利文獻(xiàn)6 日本公開特許公報(bào)“特開2003-332056號(hào)公報(bào)(
公開日2003年11 月21日)”專利文獻(xiàn)7 日本公開特許公報(bào)“特開平10-41069號(hào)公報(bào)(
公開日1998年2月 13 日),,專利文獻(xiàn)8 日本公開特許公報(bào)“特開2001-93667號(hào)公報(bào)(
公開日2001年4月 6 曰),,專利文獻(xiàn)9:日本公開特許公報(bào)“特開平10-102237號(hào)公報(bào)(
公開日1998年4月 21 日),,
專利文獻(xiàn)10 日本公開特許公報(bào)“特開2004-349101號(hào)公報(bào)(
公開日2004年12 月9日)”專利文獻(xiàn)11 日本公開特許公報(bào)“特開2002-175878號(hào)公報(bào)(
公開日2002年6 月21日)”
發(fā)明內(nèi)容
然而,如果基板尺寸增大,則伴隨于此陰影掩模303也大型化。其結(jié)果,如圖23所示,由于陰影掩模303的自重?fù)锨蜓由?,在基?01和陰影掩模303之間產(chǎn)生間隙。其結(jié)果,不能進(jìn)行位置精度高的圖案形成,發(fā)生蒸鍍位置偏差或混色,難以高精細(xì)化。另外,伴隨基板尺寸的大型化,陰影掩模303和保持其的掩??蚓薮蠡?、超重量化。其結(jié)果,處理這樣的陰影掩模303的裝置巨大化、復(fù)雜化,不僅裝置的設(shè)計(jì)困難,而且在制造工序或掩模交換等的工序中,也會(huì)發(fā)生操作的安全性問(wèn)題。因此,利用大型的陰影掩模的大型基板的圖案化極為困難。在有機(jī)EL顯示裝置的制造過(guò)程中,在現(xiàn)行大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中能夠適用使用粘附型整面陰影掩模的蒸鍍方法的基板尺寸為Im見(jiàn)方左右,難以對(duì)應(yīng)具有其以上的基板尺寸的大型基板。因此,對(duì)應(yīng)大型基板的有機(jī)層分別涂布技術(shù)現(xiàn)在尚未確立,60英寸級(jí)別以上的大型的有機(jī)EL顯示裝置還不能大規(guī)模生產(chǎn)。另外,即使在利用噴墨法的圖案形成中,伴隨微細(xì)化也產(chǎn)生對(duì)相鄰的子像素的混色等,在加液位置控制等、圖案化精度上有限制。另外,在噴墨法中,一般使用由高分子構(gòu)成的有機(jī)發(fā)光材料。然而,高分子發(fā)光材料存在材料開發(fā)困難的問(wèn)題,在現(xiàn)狀下,存在發(fā)光特性、壽命比低分子發(fā)光材料差的問(wèn)題
點(diǎn)ο此外,在使用噴墨法時(shí),必須進(jìn)行使底層不溶解于作為上層的材料的溶劑中的工作。因此,不能使用任意的底層。另外,對(duì)于在大型基板上的圖案形成,隨著排出液滴數(shù)的增加或排出范圍的擴(kuò)大, 需要更多的生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間。此外,在噴墨法中,根據(jù)排液的溶劑如何進(jìn)行干燥,膜厚或膜的平坦性也大幅變化。因此,顯示裝置中易于發(fā)生顯示斑。另一方面,在使用激光等光源的激光轉(zhuǎn)印法中,使用形成有光熱變換層和有機(jī)施主層的施主基板、以及形成有第1電極和子像素等的被成膜基板,將施主基板的有機(jī)施主層和被成膜基板的電極等相對(duì)配置。通過(guò)向施主基板的光熱變換層照射激光,光熱變換層所吸收的光能轉(zhuǎn)變?yōu)闊?。此時(shí),通過(guò)使激光在所期望的區(qū)域進(jìn)行掃描,規(guī)定區(qū)域的有機(jī)施主層氣化,圖案化的有機(jī)層形成在被成膜基板上。因此,在激光轉(zhuǎn)印法中,能夠僅在第1電極上的規(guī)定區(qū)域選擇性地轉(zhuǎn)印發(fā)光層。然而,在這樣的激光轉(zhuǎn)印法中,需要掃描激光子像素的行數(shù)次。因此,需要較多的生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間。另外,在激光轉(zhuǎn)印法中,由于激光源的穩(wěn)定性、機(jī)械掃描造成的晃動(dòng)和因焦點(diǎn)距離的變動(dòng)等原因造成的線束截面的不均勻性的問(wèn)題,形成的膜的膜厚不均勻,這會(huì)導(dǎo)致得到的顯示裝置的顯示斑。因此,激光轉(zhuǎn)印法在實(shí)現(xiàn)基板的大型化以及大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程的方面存在很多問(wèn)題點(diǎn)。如上所述,無(wú)論使用上述哪個(gè)圖案形成方法,對(duì)于大型基板、特別是第8代(大致 2,160mmX2,460mm)以上的基板進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成都是很困難。另外,任何一種在大規(guī)模生產(chǎn)化上都有問(wèn)題。這樣,目前,并不知道能夠在大型的基板上形成有機(jī)層的圖案的制造技術(shù)和制造裝置,由于基板尺寸的制約,不能實(shí)現(xiàn)大型的有機(jī)EL顯示裝置。另外,一般而言,基板尺寸越大則從1張基板能夠形成的面板數(shù)越多,每1張面板的費(fèi)用越便宜。因此,越使用大型的基板,越能夠以低成本制作有機(jī)EL顯示裝置。然而,以往,如上所述由于基板尺寸的制約,不能實(shí)現(xiàn)低成本的有機(jī)EL顯示裝置。此外,近年來(lái),提出了使用比被成膜基板小型的蒸鍍掩模,通過(guò)一邊使蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)聪鄬?duì)于被成膜基板相對(duì)移動(dòng)一邊進(jìn)行蒸鍍,作為被成膜基板使用大型的基板,在該被成膜基板上,實(shí)現(xiàn)大型的有機(jī)EL顯示裝置的方法(參照專利文獻(xiàn)10、11)。圖62的(a)是示意地表示專利文獻(xiàn)10中記載的蒸鍍裝置的平面圖,圖62的(b) 是圖62的(a)所示的蒸鍍裝置的箭頭方向截面圖。如圖62的(a) · (b)所示,專利文獻(xiàn)10中記載的蒸鍍裝置310具有如下構(gòu)成,將蒸鍍?cè)?11收納于內(nèi)部的蒸鍍?cè)词占{部312,安裝在滾珠絲桿313上,伴隨滾珠絲桿313的軸系轉(zhuǎn)動(dòng),在滾珠絲桿313的長(zhǎng)軸方向上,沿著直線導(dǎo)軌314能夠移動(dòng)地設(shè)置。在蒸鍍?cè)词占{部312的上方設(shè)置有掩模保持部315,蒸鍍掩模316固定在掩模保持部315上。被成膜基板317,以其蒸鍍面面向蒸鍍?cè)?11的方式,被保持在基板保持部318上。蒸鍍?cè)?11和蒸鍍掩模316,伴隨由滾珠絲桿313的轉(zhuǎn)動(dòng)引起的蒸鍍?cè)词占{部312 的移動(dòng),在滾珠絲桿313的長(zhǎng)軸方向一體移動(dòng),由此相對(duì)于被成膜基板317進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。如上所述在使蒸鍍?cè)?11和蒸鍍掩模316相對(duì)于被成膜基板317相對(duì)移動(dòng)時(shí),為了避免被成膜基板317或蒸鍍掩模316的損傷,需要以被成膜基板317和蒸鍍掩模316不接觸的方式設(shè)置空隙。此時(shí),如果不將該空隙保持一定,則得到的蒸鍍圖案就會(huì)產(chǎn)生偏差,就不能遍及被成膜基板317的蒸鍍區(qū)域全域形成高精細(xì)的蒸鍍圖案。然而,空隙量會(huì)隨著被成膜基板317的自重?fù)锨蛘翦冄b置310本身的精度因素等發(fā)生變動(dòng),也會(huì)隨著由熱導(dǎo)致的構(gòu)件(特別是被成膜基板317和蒸鍍掩模316)的膨張等因素而變動(dòng)。然而,如圖62的(a) · (b)所示,在專利文獻(xiàn)10中,被成膜基板317,不過(guò)是移動(dòng)方向始端側(cè)的端部和終端側(cè)的端部由基板保持部318保持,對(duì)于被成膜基板317的自重?fù)锨陀蔁崤驈堅(jiān)斐傻目障读康淖儎?dòng)沒(méi)有任何考慮。同樣地對(duì)于蒸鍍掩模316,如圖62的 (a) · (b)所示,也不過(guò)是配置在蒸鍍?cè)词占{部312中的掩模保持部315上,由掩模保持部 315支撐蒸鍍掩模316的下表面周緣部。這樣,在專利文獻(xiàn)10中,沒(méi)有設(shè)置任何用于控制空隙量的機(jī)構(gòu)。因此,在專利文獻(xiàn) 10記載的方法中,不能將上述空隙保持一定,產(chǎn)生了蒸鍍圖案的模糊(圖案寬度的變動(dòng))和蒸鍍圖案的位置偏差。因此,在專利文獻(xiàn)10記載的蒸鍍裝置310中,不能遍及蒸鍍區(qū)域全域形成例如有機(jī)EL顯示裝置等顯示裝置所需要的高精細(xì)的蒸鍍圖案。
另外,在專利文獻(xiàn)11中,使用比被成膜基板小的蒸鍍掩模,通過(guò)將被成膜基板中沒(méi)有由蒸鍍掩模覆蓋的區(qū)域,由支撐蒸鍍掩模的端部的掩模支撐體覆蓋,將1張大型基板分割為多個(gè)區(qū)域進(jìn)行蒸鍍。在專利文獻(xiàn)11中,公開了作為上述蒸鍍掩模使用金屬掩模時(shí),通過(guò)固定部機(jī)構(gòu)將金屬掩模固定在掩模支撐體的掩模支撐部上,公開了此時(shí)將金屬掩模在其周邊方向拉伸并固定。還公開了通過(guò)使蒸鍍掩模的厚度增加、提高強(qiáng)度,減小蒸鍍掩模的自重?fù)锨?。然而,?duì)于伴隨蒸鍍掩模和被成膜基板的熱膨張的空隙量的變動(dòng)并沒(méi)有涉及特別的對(duì)策。另外,沒(méi)有關(guān)于被成膜基板的保持的記載,為了減小被成膜基板的自重?fù)锨?,如蒸鍍掩模那樣使被成膜基板的厚度增加是不現(xiàn)實(shí)的。這樣,專利文獻(xiàn)11對(duì)于由被成膜基板和蒸鍍掩模的熱膨張或被成膜基板的自重?fù)锨斐傻目障读康淖儎?dòng)沒(méi)有做任何考慮,不具備用于控制上述空隙量的機(jī)構(gòu)。因此,與專利文獻(xiàn)10相同,專利文獻(xiàn)11也不能將上述空隙保持一定,不能遍及蒸鍍區(qū)域全域形成例如有機(jī)EL顯示裝置等顯示裝置所需要的高精細(xì)的蒸鍍圖案。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而完成的發(fā)明,其目的在于提供能夠在大型的基板上形成高精細(xì)的蒸鍍圖案的蒸鍍方法和蒸鍍裝置、以及使用其的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法。為了解決上述的課題,本發(fā)明涉及的蒸鍍方法為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍方法,其特征在于,包括位置對(duì)準(zhǔn)工序,準(zhǔn)備掩模單元,該掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,上述蒸鍍掩模具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置,按照上述蒸鍍掩模與被成膜基板以具有一定空隙的狀態(tài)相對(duì)的方式, 進(jìn)行上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的調(diào)整,將上述掩模單元和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn);和蒸鍍工序,將上述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),將上述蒸鍍顆粒經(jīng)由上述蒸鍍掩模的開口部在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域上順次蒸鍍。另外,為了解決上述的課題,本發(fā)明涉及的蒸鍍裝置為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍裝置,其特征在于,具備掩模單元,其具有蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,上述蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)配置,具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置;和移動(dòng)部件,其將上述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定, 使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)。發(fā)明的效果根據(jù)上述的各構(gòu)成,與以往不同,不固定蒸鍍掩模和被成膜基板,而固定蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置,因此如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的蒸鍍掩模,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),能夠進(jìn)行蒸鍍。因此,不僅不會(huì)發(fā)生伴隨蒸鍍掩模的大型化的自重?fù)锨脱由斓膯?wèn)題,對(duì)于大型的基板也能夠形成有機(jī)層的圖案,而且能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成以及高精細(xì)化。另外,根據(jù)上述的各構(gòu)成,如上所述使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的蒸鍍掩模,由此能夠抑制、避免伴隨蒸鍍掩模的大型化保持蒸鍍掩模的框巨大化 超重量化而造成的問(wèn)題發(fā)生。
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另外,通過(guò)將上述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定,使掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)進(jìn)行蒸鍍,能夠形成寬度和膜厚均勻的成膜圖案(蒸鍍膜)。而且,通過(guò)在上述掩模單元和被成膜基板之間設(shè)置空隙,被成膜基板不接觸蒸鍍掩模,就不會(huì)由蒸鍍掩模損傷被成膜基板。另外,也沒(méi)有必要在被成膜基板上形成用于防止這樣的損傷的掩模墊片。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)成本的削減。
圖1是從被成膜基板的背面?zhèn)扔^察本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的被成膜基板和掩模單元的平面圖。圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的俯視圖。圖3是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的蒸鍍裝置中重要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖5的(a) (d)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的被成膜基板和蒸鍍掩模的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀的一例的圖。圖6是表示RGB全彩色顯示的有機(jī)EL顯示裝置的概略構(gòu)成的截面圖。圖7是表示構(gòu)成圖6所示的有機(jī)EL顯示裝置的像素的構(gòu)成的平面圖。圖8是圖7所示的有機(jī)EL顯示裝置中TFT基板的A-A線箭頭方向截面圖。圖9是以工序順序表示本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的有機(jī)EL顯示裝置的制造工序的流程圖。圖10是表示使用本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的蒸鍍裝置在TFT基板上成膜規(guī)定圖案的方法的一例的流程圖。圖11是表示調(diào)準(zhǔn)調(diào)整方法的流程圖。圖12是表示蒸鍍OFF時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。圖13是表示蒸鍍ON時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL顯示裝置的變形例的截面圖。圖15是以工序順序表示圖14所示的有機(jī)EL顯示裝置的制造工序的流程圖。圖16的(a) (C)是表示分別在紅色的子像素、綠色的子像素、藍(lán)色的子像素的蒸鍍時(shí)TFT基板和陰影掩模的調(diào)準(zhǔn)的平面圖,(a)是紅色的子像素的蒸鍍時(shí)的平面圖,(b) 是綠色的子像素的蒸鍍時(shí)的平面圖,(c)是藍(lán)色的子像素的蒸鍍時(shí)的平面圖。圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的俯視圖。圖18是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖19的(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4涉及的在蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)蒸鍍時(shí)的掩模單元和被成膜基板的位置關(guān)系的平面圖,(b) · (c)是分別用箭頭表示基板掃描方向的一例的圖。
圖20是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5涉及的在蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)蒸鍍時(shí)的掩模單元和被成膜基板的位置關(guān)系的平面圖。圖21是表示本發(fā)明的實(shí)施方式6涉及的掩模單元中陰影掩模的開口部的長(zhǎng)軸方向和基板掃描方向的關(guān)系的平面圖。圖22是表示使用陰影掩模的現(xiàn)有的蒸鍍裝置的概略構(gòu)成的截面圖。圖23是表示現(xiàn)有的蒸鍍方法的課題的截面圖。圖24是從被成膜基板的背面?zhèn)扔^察本發(fā)明的實(shí)施方式7涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的被成膜基板和掩模單元的平面圖。圖25是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式7涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖26是從被成膜基板的背面?zhèn)扔^察本發(fā)明的實(shí)施方式8涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的被成膜基板和掩模單元的平面圖。圖27是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式8涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖28是說(shuō)明蒸鍍掩模的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)的平面圖。圖29是表示本發(fā)明的實(shí)施方式8涉及的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖30是示意地表示在圖3所示的蒸鍍裝置中形成絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖31是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式9涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖32是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式10涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖33是從被成膜基板的背面?zhèn)扔^察本發(fā)明的實(shí)施方式11涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的被成膜基板和掩模單元的平面圖。圖34是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式11涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖35是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式11涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖36是表示在被成膜基板和蒸鍍掩模上產(chǎn)生位置偏差時(shí)的被成膜基板的蒸鍍圖案的平面圖。圖37是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式12涉及的蒸鍍裝置中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖38是圖37所示的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的俯視圖。圖39是表示將本發(fā)明的實(shí)施方式12中使用的被成膜基板從其背面?zhèn)扔^察時(shí)、被成膜基板的調(diào)準(zhǔn)圖案和蒸鍍圖案與調(diào)準(zhǔn)傳感器和膜厚傳感器的位置關(guān)系的平面圖。圖40是表示圖37所示的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖41是表示圖37所示的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的其他的框圖。圖42(a)是表示圖39所示的被成膜基板的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部的主要部分的概略構(gòu)成的平面圖,(b)是表示(a)所示的被成膜基板的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部中各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記、蒸鍍掩模的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和激光點(diǎn)的位置關(guān)系的平面圖。圖43是表示圖42(b)所示的被成膜基板的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和蒸鍍掩模的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的關(guān)系中,得到的激光的反射強(qiáng)度和被成膜基板的掃描時(shí)間的關(guān)系的圖。圖44是表示從被成膜基板的掃描開始時(shí)的、反射強(qiáng)度和被成膜基板的掃描時(shí)間的關(guān)系的圖。圖45是表示被成膜基板中斷續(xù)周期不同的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖。圖46是表示本發(fā)明的實(shí)施方式13涉及的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖47的(a)是表示圖39所示的被成膜基板的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部的主要部分的概略構(gòu)成的平面圖,(b)是表示(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部中各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和蒸鍍掩模的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系的平面圖。圖48是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式14涉及的蒸鍍裝置中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖49是表示圖48所示的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖50的(a) (c)是對(duì)在本發(fā)明的實(shí)施方式14中,由預(yù)先設(shè)置在被成膜基板上的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和被成膜基板上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍圖案的關(guān)系測(cè)定調(diào)準(zhǔn)的偏差量的方法進(jìn)行說(shuō)明的平面圖。圖51的(a) (c)是對(duì)在本發(fā)明的實(shí)施方式15中,由預(yù)先設(shè)置在被成膜基板上的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和被成膜基板上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜的蒸鍍圖案的關(guān)系測(cè)定調(diào)準(zhǔn)的偏差量的方法進(jìn)行說(shuō)明的平面圖。圖52是表示本發(fā)明的實(shí)施方式15涉及的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖53的(a) · (b)是表示在被成膜基板和蒸鍍掩模之間設(shè)置空隙時(shí),蒸鍍掩模的開口部與蒸鍍膜的蒸鍍寬度和蒸鍍位置的關(guān)系的圖。圖54是示意地表示本發(fā)明的實(shí)施方式16涉及的蒸鍍裝置中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖55是表示圖54所示的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的一例的俯視圖。圖56是表示圖54所示的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。圖57是表示使用本發(fā)明的實(shí)施方式16涉及的蒸鍍裝置在TFT基板上成膜規(guī)定圖案的方法的一例的流程圖。圖58是表示使用本發(fā)明的實(shí)施方式16涉及的蒸鍍裝置在TFT基板上成膜規(guī)定圖案的方法的其他例的流程圖。圖59是表示圖54所示的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的另一例的俯視圖。圖60是表示本發(fā)明的實(shí)施方式17涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的一例的俯視圖。圖61是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式17所使用的被成膜基板中空隙傳感用的透射區(qū)域的平面圖。圖62的(a)是示意地表示專利文獻(xiàn)10中記載的蒸鍍裝置的平面圖,(b)是表示 (a)所示的蒸鍍裝置的箭頭方向截面圖。
1具體實(shí)施例方式以下,對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。〔實(shí)施方式1〕對(duì)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式基于圖1 圖13進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。在本實(shí)施方式中,作為使用本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置的蒸鍍方法的一例,以從 TFT基板側(cè)取出光的底部發(fā)射型的RGB全彩色顯示的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明。首先,在以下說(shuō)明上述有機(jī)EL顯示裝置的全體構(gòu)成。圖6是表示RGB全彩色顯示的有機(jī)EL顯示裝置的概略構(gòu)成的截面圖。另外,圖7 是表示構(gòu)成圖6所示的有機(jī)EL顯示裝置的像素的構(gòu)成的平面圖,圖8是表示圖7所示的有機(jī)EL顯示裝置中TFT基板的A-A線箭頭方向截面圖。如圖6所示,在本實(shí)施方式所制造的有機(jī)EL顯示裝置1,具有在設(shè)置有TFT12(參照?qǐng)D8)的TFT基板10上,順次設(shè)置有與TFT12連接的有機(jī)EL元件20、粘結(jié)層30、密封基板40的構(gòu)成。如圖6所示,有機(jī)EL元件20通過(guò)使用粘結(jié)層30將疊層有該有機(jī)EL元件20的 TFT基板10與密封基板40貼合,被封入這一對(duì)基板(TFT基板10、密封基板40)之間。上述有機(jī)EL顯示裝置1,通過(guò)這樣有機(jī)EL元件20被封入TFT基板10和密封基板 40之間,能夠防止氧和水分從外部浸入有機(jī)EL元件20。TFT基板10,如圖8所示,作為支撐基板,具備例如玻璃基板等的透明的絕緣基板 11。在絕緣基板11上,如圖7所示,設(shè)置由在水平方向敷設(shè)的多條柵極線、和在垂直方向敷設(shè)的與柵極線交差的多條信號(hào)線構(gòu)成的多條配線14。在柵極線上連接驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線的沒(méi)有圖示的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,在信號(hào)線上連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的沒(méi)有圖示的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。有機(jī)EL顯示裝置1為全彩色的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置,在絕緣基板11上, 在由這些配線14包圍的區(qū)域分別以矩陣狀排列由紅(R)、綠(G)、藍(lán)⑶的各色有機(jī)EL元件20構(gòu)成的各色的子像素2R · 2G · 2B。S卩,由這些配線14包圍的區(qū)域?yàn)?個(gè)子像素(點(diǎn)),在每個(gè)子像素上劃分形成R、 G、B的發(fā)光區(qū)域。像素2(即,1像素)由透射紅色的光的紅色的子像素2R、透射綠色的光的綠色的子像素2G、透射藍(lán)色的光的藍(lán)色的子像素2B的3個(gè)子像素2R · 2G · 2B構(gòu)成。各子像素2R · 2G · 2B中,作為負(fù)責(zé)各子像素2R · 2G · 2B中的發(fā)光的各色的發(fā)光區(qū)域,分別設(shè)置有由條帶狀的各色的發(fā)光層23R · 23G · 23B所覆蓋的開口部15R · 15G · 15B。這些發(fā)光層23R*23G*23B,每個(gè)色,通過(guò)蒸鍍形成圖案。此外,關(guān)于開口部 15R · 15G · 15B在后說(shuō)明。在這些子像素2R · 2G · 2B中,分別設(shè)置有與有機(jī)EL元件20中的第1電極21連接的TFT12。各子像素2R · 2G · 2B的發(fā)光強(qiáng)度通過(guò)由配線14和TFT12的掃描和選擇來(lái)確定。這樣,有機(jī)EL顯示裝置1,通過(guò)使用TFT12,使有機(jī)EL元件20選擇性地以所期望的亮度發(fā)光,實(shí)現(xiàn)了圖像顯示。接著,對(duì)上述有機(jī)EL顯示裝置1中TFT基板10和有機(jī)EL元件20的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先,說(shuō)明TFT基板10。TFT基板10,如圖8所示,具有在玻璃基板等的透明的絕緣基板11上,順次形成 TFT12(開關(guān)元件)和配線14、層間膜13 (層間絕緣膜、平坦化膜)、邊緣罩15的構(gòu)成。在上述絕緣基板11上,設(shè)置有配線14,并且對(duì)應(yīng)各子像素2R · 2G · 2B分別設(shè)置 TFT12。此外,TFT的構(gòu)成現(xiàn)在知道得很清楚。因此,省略TFT12中各層的圖示以及說(shuō)明。層間膜13以覆蓋各TFT12和配線14的方式,在上述絕緣基板11上,遍及上述絕緣基板11的全部區(qū)域疊層。在層間膜13上,形成有機(jī)EL元件20中的第1電極21。另外,在層間膜13上,設(shè)置用于將有機(jī)EL元件20中的第1電極21與TFT12電連接的接觸孔13a。由此,TFT12通過(guò)上述接觸孔13a與有機(jī)EL元件20電連接。邊緣罩15是用于通過(guò)在第1電極21的圖案端部使有機(jī)EL層變薄或發(fā)生電場(chǎng)集中,防止有機(jī)EL元件20中的第1電極21和第2電極26發(fā)生短路的絕緣層。邊緣罩15在層間膜13上以覆蓋第1電極21的圖案端部的方式而形成。在邊緣罩15上在每個(gè)子像素2R · 2G · 2B設(shè)置開口部15R · 15G · 15B。該邊緣罩 15的開口部15R· 15G· 15B成為各子像素2R · 2G · 2B的發(fā)光區(qū)域。換言之,各子像素2R · 2G · 2B被具有絕緣性的邊緣罩15隔開。邊緣罩15也作為元件分離膜發(fā)揮功能。接著,說(shuō)明有機(jī)EL元件20。有機(jī)EL元件20為能夠由低電壓直流驅(qū)動(dòng)而高亮度發(fā)光的發(fā)光元件,順次疊層有第1電極21、有機(jī)EL層、第2電極26。第1電極21為具有在上述有機(jī)EL層中注入(供給)空穴的功能的層。第1電極 21如上所述通過(guò)接觸孔13a與TFT12連接。第1電極21和第2電極26之間,如圖8所示,作為有機(jī)EL層,具有從第1電極21 側(cè),順次形成有空穴注入層兼空穴輸送層22、發(fā)光層23R *23G ·23Β、電子輸送層24、電子注入層25的構(gòu)成。此外,上述疊層順序,為將第1電極21作為陽(yáng)極,將第2電極26作為陰極的順序, 在將第1電極21作為陰極,將第2電極26作為陽(yáng)極時(shí),有機(jī)EL層的疊層順序反轉(zhuǎn)??昭ㄗ⑷雽訛榫哂刑岣呦虬l(fā)光層23R · 23G · 23Β的空穴注入效率的功能的層。另夕卜,空穴輸送層為具有提高向發(fā)光層23R · 23G · 23Β的空穴輸送效率的功能的層??昭ㄗ⑷雽蛹婵昭ㄝ斔蛯?2,以覆蓋第1電極21和邊緣罩15的方式,在上述TFT基板10中顯示區(qū)域整面上同樣地形成。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,作為空穴注入層和空穴輸送層,以設(shè)置空穴注入層和空穴輸送層被一體化的空穴注入層兼空穴輸送層22的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。空穴注入層和空穴輸送層也可以作為互相獨(dú)立的層而形成。在空穴注入層兼空穴輸送層22上,發(fā)光層23R · 23G · 23Β,以覆蓋邊緣罩15的開口部15R · 15G · 15Β的方式,分別對(duì)應(yīng)子像素2R · 2G · 2Β而形成。發(fā)光層23R · 23G · 23Β為具有使從第1電極21側(cè)注入的空穴與從第2電極26側(cè)注入的電子再結(jié)合,射出光的功能的層。發(fā)光層23R · 23G · 23Β分別由低分子熒光色素、金屬配位化合物等的發(fā)光效率高的材料形成。電子輸送層24為具有提高從第2電極26向發(fā)光層23R · 23G · 23B的電子輸送效率的功能的層。另外,電子注入層25為具有提高從第2電極26向發(fā)光層23R · 23G · 23B 的電子注入效率的功能的層。電子輸送層24,以覆蓋發(fā)光層23R · 23G · 23B和空穴注入層兼空穴輸送層22的方式,在這些發(fā)光層23R · 23G · 23B和空穴注入層兼空穴輸送層22上,遍及上述TFT基板 10中的顯示區(qū)域整面而同樣地形成。另外,電子注入層25,以覆蓋電子輸送層24的方式, 在電子輸送層24上,遍及上述TFT基板10中的顯示區(qū)域整面而同樣地形成。此外,電子輸送層24和電子注入層25,既可以如上所述作為相互獨(dú)立的層而形成,也可以互相一體化地設(shè)置。即,上述有機(jī)EL顯示裝置1也可以代替電子輸送層24和電子注入層25,具備電子輸送層兼電子注入層。第2電極26為具有在上述的由有機(jī)層構(gòu)成的有機(jī)EL層中注入電子的功能的層。 第2電極26,以覆蓋電子注入層25的方式,在電子注入層25上,遍及上述TFT基板10中的顯示區(qū)域整面而同樣地形成。此外,發(fā)光層23R · 23G · 23B以外的有機(jī)層不是作為有機(jī)EL層所必須的層,只要根據(jù)所要求的有機(jī)EL元件20的特性適當(dāng)形成即可。另外,在有機(jī)EL層上,根據(jù)需要,也可以追加載流子阻擋層。例如,通過(guò)在發(fā)光層23R · 23G · 23B和電子輸送層24之間追加空穴阻擋層作為載流子阻擋層,能夠阻止空穴脫離電子輸送層24,提高發(fā)光效率。作為上述有機(jī)EL元件20的構(gòu)成,例如,能夠采用下述(1) ⑶所示的層構(gòu)成。(1)第1電極/發(fā)光層/第2電極(2)第1電極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/第2電極(3)第1電極/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/第2電極(4)第1電極/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/ 第2電極(5)第1電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/ 第2電極(6)第1電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/ 第2電極(7)第1電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/ 電子注入層/第2電極(8)第1電極/空穴注入層/空穴輸送層/電子阻擋層(載流子阻擋層)/發(fā)光層 /空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第2電極此外,如上所述,例如空穴注入層和空穴輸送層也可以一體化。另外,電子輸送層和電子注入層也可以一體化。另外,有機(jī)EL元件20的構(gòu)成不局限于上述例示的層構(gòu)成,如上所述,能夠根據(jù)所要求的有機(jī)EL元件20的特性采用所期望的層構(gòu)成。接著,在以下說(shuō)明上述有機(jī)EL顯示裝置1的制造方法。圖9是以工序順序表示上述有機(jī)EL顯示裝置1的制造工序的流程圖。如圖9所示,本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置1的制造方法,例如,具備TFT基板 第1電極制作工序(Si)、空穴注入層·空穴輸送層蒸鍍構(gòu)成(S2)、發(fā)光層蒸鍍工序 (S3)、電子輸送層蒸鍍工序(S4)、電子注入層蒸鍍工序(S5)、第2電極蒸鍍工序(S6)、密封工序(S7)。以下,按照?qǐng)D9所示的流程圖,參照?qǐng)D6和圖8說(shuō)明上述的各工序。其中,本實(shí)施方式所記載的各構(gòu)成要素的尺寸、材質(zhì)、形狀等只不過(guò)是一個(gè)實(shí)施方式,不應(yīng)該由此限定解釋本發(fā)明的范圍。另外,如上所述,本實(shí)施方式中記載的疊層順序?yàn)閷⒌?電極21作為陽(yáng)極,將第2 電極26作為陰極的順序,相反將第1電極21作為陰極,將第2電極26作為陽(yáng)極時(shí),有機(jī)EL 層的疊層順序反轉(zhuǎn)。同樣地,構(gòu)成第1電極21和第2電極26的材料也反轉(zhuǎn)。首先,如圖8所示,通過(guò)由公知的技術(shù)在形成有TFT12和配線14等的玻璃等的絕緣基板11上涂布感光性樹脂,由光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化,在絕緣基板11上形成層間膜13。作為上述絕緣基板11,例如使用厚度為0.7 l.lmm,y軸方向的長(zhǎng)度(縱長(zhǎng))為 400 500mm,χ軸方向的長(zhǎng)度(橫長(zhǎng))為300 400mm的玻璃基板或塑料基板。此外,在本實(shí)施方式中,使用玻璃基板。作為層間膜13,例如,能夠使用丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂等。作為丙烯酸樹脂, 例如,可以列舉JSR株式會(huì)社制的OPTMER系列。另外,作為聚酰亞胺樹脂,例如,可以列舉 Toray株式會(huì)社制的PH0T0NEECE系列。其中,聚酰亞胺樹脂一般不是透明的,而是有色的。 因此,如圖8所示在作為上述有機(jī)EL顯示裝置1制造底部發(fā)射型的有機(jī)EL顯示裝置時(shí),作為上述層間膜13,更優(yōu)選使用丙烯酸樹脂等的透明性樹脂。作為上述層間膜13的膜厚,只要能夠補(bǔ)償由TFT12造成的段差即可,沒(méi)有特別限定。在本實(shí)施方式中,例如,設(shè)為約2 μ m。然后,在層間膜13上形成用于將第1電極21與TFT12電連接的接觸孔13a。然后,作為導(dǎo)電膜(電極膜),例如將ITO(Indium Tin Oxide 銦錫氧化物)膜通過(guò)濺射法等以IOOnm的厚度成膜。然后,在上述ITO膜上涂布光致抗蝕劑,使用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化后,將氯化鐵作為蝕刻液,蝕刻上述ITO膜。然后,使用抗蝕劑剝離液剝離光致抗蝕劑,再進(jìn)行基板清洗。由此,在層間膜13上,以矩陣狀形成第1電極21。此外,作為用于上述第1電極21的導(dǎo)電膜材料,例如,能夠使用ITO、IZOdndium Zinc Oxide 銦鋅氧化物)、摻鎵氧化鋅(GZO)等的透明導(dǎo)電材料;金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Pt) 等的金屬材料。另外,作為上述導(dǎo)電膜的疊層方法,除了濺射法以外,能夠使用真空蒸鍍法、 CVD (chemical vapor exposition,化學(xué)蒸鍍)法、等離子體CVD法、印刷法等。作為上述第1電極21的厚度沒(méi)有特別限定,如上所述,例如,能夠設(shè)為IOOnm的厚度。然后,與層間膜13同樣操作,將邊緣罩15,例如以約1 μ m的膜厚進(jìn)行圖案化形成。 作為邊緣罩15的材料,能夠使用與層間膜13相同的絕緣材料。由以上的工序,制作TFT基板10和第1電極21 (Si)。接著,對(duì)于經(jīng)過(guò)上述工序的TFT基板10,實(shí)施用于脫水的減壓烘烤和作為第1電極 21的表面清洗的氧等離子體處理。
然后,使用現(xiàn)有的蒸鍍裝置,在上述TFT基板10上,將空穴注入層和空穴輸送層 (在本實(shí)施方式中為空穴注入層兼空穴輸送層22)蒸鍍?cè)谏鲜鯰FT基板10中的顯示區(qū)域整面上(S2)。具體而言,相對(duì)于TFT基板10進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整后,附著并貼合顯示區(qū)域整面開口的開口掩模,一邊使TFT基板10和開口掩模一起轉(zhuǎn)動(dòng),一邊將由蒸鍍?cè)达w散的蒸鍍顆粒,經(jīng)由開口掩模的開口部均勻蒸鍍?cè)陲@示區(qū)域整面。這里在顯示區(qū)域整面的蒸鍍是指遍及鄰接的顏色不同的子像素間不中斷地蒸鍍的思思ο作為空穴注入層和空穴輸送層的材料,例如,可以列舉苯炔、苯乙烯胺、三苯基胺、 卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、多芳基鏈烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并[9,10] 菲、氮雜苯并[9,10]菲以及它們的衍生物;聚硅烷類化合物;乙烯基咔唑類化合物;噻吩類化合物、苯胺類化合物等的雜環(huán)式共軛類的單體、低聚物或聚合物;等。空穴注入層和空穴輸送層,如上所述可以一體化,也可以作為獨(dú)立的層形成。作為各個(gè)膜厚,例如為10 lOOnm。在本實(shí)施方式中,作為空穴注入層和空穴輸送層,設(shè)置空穴注入層兼空穴輸送層 22,并且作為空穴注入層兼空穴輸送層22的材料,使用4,4’ -雙[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(α -NPD)。另外,空穴注入層兼空穴輸送層22的膜厚設(shè)為30nm。然后,在上述空穴注入層兼空穴輸送層22上,以覆蓋邊緣罩15的開口部 15R· 15G· 15B的方式,對(duì)應(yīng)子像素2R.2G.2B,分別涂布形成(圖案形成)發(fā)光層 23R · 23G · 23B(S3)。如上所述,發(fā)光層23R · 23G · 23B中,使用低分子熒光色素、金屬配位化合物等的發(fā)光效率高的材料。作為發(fā)光層23R · 23G · 23B的材料,例如,可以使用蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并[9,10]菲、蒽、茈、茜、熒蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、六苯并苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪以及它們的衍生物 ’三(8-羥基喹啉)鋁配位化合物;雙(苯并羥基喹啉)鈹配位化合物 ’三 (二苯甲酰甲基)菲咯啉銪配位化合物;二甲苯?;蚁┗?lián)苯等。作為發(fā)光層23R · 23G · 23B的膜厚,例如為10 lOOnm。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍方法以及蒸鍍裝置能夠在這樣的發(fā)光層23R · 23G · 23B的分別涂布形成(圖案形成)中特別優(yōu)選使用。關(guān)于使用本實(shí)施方式涉及的蒸鍍方法和蒸鍍裝置的發(fā)光層23R · 23G · 23B的分別涂布形成,在后面詳細(xì)說(shuō)明。然后,通過(guò)與上述的空穴注入層·空穴輸送層蒸鍍工序(S2)相同的方法,以覆蓋上述空穴注入層兼空穴輸送層22和發(fā)光層23R · 23G · 23B的方式,在上述TFT基板10中的顯示區(qū)域整面蒸鍍電子輸送層24(S4)。接著,通過(guò)與上述的空穴注入層·空穴輸送層蒸鍍工序(S2)相同的方法,以覆蓋上述電子輸送層24的方式,在上述TFT基板10中的顯示區(qū)域整面蒸鍍電子注入層25 (S5)。作為電子輸送層24和電子注入層25的材料,例如,可以列舉喹啉、茈、菲咯啉、 雙苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮以及它們的衍生物或金屬配位化合物;LiF(氟化鋰)等。
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具體而言,可以列舉Alq(三(8-羥基喹啉)鋁)、蒽、萘、菲、芘、蒽、茈、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲咯啉以及它們的衍生物或金屬配位化合物;LiF等。如上所述電子輸送層24和電子注入層25可以一體化,也作為獨(dú)立的層形成。作為各個(gè)膜厚,例如為1 lOOnm,優(yōu)選為10 lOOnm。另外,電子輸送層24和電子注入層25 的合計(jì)膜厚,例如為20 200nm。在本實(shí)施方式中,電子輸送層24的材料使用Alq,電子注入層25的材料使用LiF。 另外,電子輸送層24的膜厚設(shè)為30nm,電子注入層25的膜厚設(shè)為lnm。然后,通過(guò)與上述的空穴注入層·空穴輸送層蒸鍍工序(S2)相同的方法,以覆蓋上述電子注入層25的方式,在上述TFT基板10中的顯示區(qū)域整面蒸鍍第2電極26 (S6)。作為第2電極26的材料(電極材料),優(yōu)選使用功函數(shù)小的金屬等。作為這樣的電極材料,例如,可以列舉鎂合金(MgAg等)、鋁合金仏11^、々10!、411%等)、金屬鈣等。第 2電極26的厚度,例如為50 lOOnm。在本實(shí)施方式中,作為第2電極26,將鋁以50nm的膜厚形成。由此,在TFT基板 10上,形成由上述有機(jī)EL層、第1電極21和第2電極26構(gòu)成的有機(jī)EL元件20。然后,如圖6所示,利用粘結(jié)層30,將形成有有機(jī)EL元件20的上述TFT基板10和密封基板40貼合,進(jìn)行有機(jī)EL元件20的封入。作為上述密封基板40,例如可以使用厚度為0. 4 1. Imm的玻璃基板或塑料基板等的絕緣基板。此外,在本實(shí)施方式中,使用玻璃基板。此外,密封基板40的縱長(zhǎng)和橫長(zhǎng),可以根據(jù)作為目的的有機(jī)EL顯示裝置1的尺寸適當(dāng)調(diào)整,使用與TFT基板10中的絕緣基板11大致相同的尺寸的絕緣基板,將有機(jī)EL元件20密封后,可以按照作為目的的有機(jī)EL顯示裝置1的尺寸進(jìn)行分割。此外,作為有機(jī)EL元件20的密封方法,不局限于上述的方法。作為其他密封方式,例如,可以列舉使用帶槽玻璃作為密封基板40,通過(guò)密封樹脂或燒結(jié)玻璃等進(jìn)行框狀密封的方法;或在TFT基板10和密封基板40之間填充樹脂的方法等。上述有機(jī)EL顯示裝置 1的制造方法不依賴于上述密封方法,可以利用所有密封方法。另外,在上述第2電極26上,也可以以覆蓋該第2電極26的方式,設(shè)置阻止氧和水分從外部浸入有機(jī)EL元件20內(nèi)的沒(méi)有圖示的保護(hù)膜。上述保護(hù)膜由絕緣性或?qū)щ娦缘牟牧闲纬?。作為這樣的材料,例如可以列舉氮化硅和氧化硅。另外,上述保護(hù)膜的厚度,例如為100 lOOOnm。通過(guò)上述的工序,完成有機(jī)EL顯示裝置1。在這樣的有機(jī)EL顯示裝置1中,通過(guò)來(lái)自配線14的信號(hào)輸入使TFT12為ON (開) 時(shí),空穴就從第1電極21注入有機(jī)EL層。另一方面,電子從第2電極26注入有機(jī)EL層, 空穴和電子在發(fā)光層23R*23G*23B內(nèi)再結(jié)合。再結(jié)合的空穴和電子,在能量失活時(shí),作為光射出。在上述有機(jī)EL顯示裝置1中,通過(guò)控制各子像素2R · 2G · 2B的發(fā)光亮度,顯示規(guī)定的圖像。接著,說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置的構(gòu)成。圖1是從被成膜基板的背面?zhèn)?即與蒸鍍面的相反側(cè))觀察本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的被成膜基板(被蒸鍍基板)和掩模單元的平面圖。此外,為了圖示的方便,在圖1中,被成膜基板以兩點(diǎn)劃線表示。另外,圖2為本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置中真空腔室內(nèi)的主要構(gòu)成要素的俯視圖(俯瞰圖)。圖3是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外,圖3相當(dāng)于從圖1所示的B-B線箭頭方向截面觀察時(shí)的蒸鍍裝置的截面。其中,為了圖示的方便,省略蒸鍍掩模(陰影掩模)的開口部和蒸鍍膜等的構(gòu)成的一部分。另外,圖4是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置的構(gòu)成的一部分的框圖。如圖3所示,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50具備真空腔室60 (成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)部件、移動(dòng)部件、調(diào)整部件)、掩模單元80、圖像傳感器90 (第1圖像傳感器、調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)和控制電路100 (參照?qǐng)D4)。在上述真空腔室60內(nèi),如圖3所示,設(shè)置有基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70和掩模單元80。此外,在上述真空腔室60中,為了在蒸鍍時(shí)將該真空腔室60內(nèi)保持在真空狀態(tài), 設(shè)置經(jīng)過(guò)該真空腔室60所設(shè)置的沒(méi)有圖示的排氣口將真空腔室60內(nèi)真空排氣的沒(méi)有圖示
的真空泵。上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,例如,具備保持被成膜基板200 (例如TFT基板10)的基板保持構(gòu)件71 (基板保持部件)和電動(dòng)機(jī)72 (參照?qǐng)D4)。上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,通過(guò)基板保持構(gòu)件71保持被成膜基板200,并且通過(guò)由后述的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103 (參照?qǐng)D4)使電動(dòng)機(jī)72驅(qū)動(dòng),從而保持被成膜基板200使其在水平方向上移動(dòng)。此外,上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70可以設(shè)置成在χ軸方向和y軸方向的哪個(gè)方向都能移動(dòng),也可以設(shè)置成在任一個(gè)方向能夠移動(dòng)。上述基板保持構(gòu)件71可以使用靜電卡盤。被成膜基板200通過(guò)上述靜電卡盤, 以沒(méi)有因自重產(chǎn)生撓曲的狀態(tài)下,將與上述掩模單元80中后述的陰影掩模81之間的間隙 gl (空隙,垂直間距離)保持一定。上述被成膜基板200和陰影掩模81之間的間隙gl優(yōu)選在50 μ m以上、Imm以下的范圍內(nèi),更優(yōu)選為200 μ m左右。上述間隙gl小于50 μ m時(shí),被成膜基板200與陰影掩模81接觸的危險(xiǎn)性高。另一方面,若上述間隙gl超過(guò)1mm,則通過(guò)陰影掩模81的開口部82的蒸鍍顆粒擴(kuò)散,所形成的蒸鍍膜211的圖案寬度過(guò)于變寬。例如上述蒸鍍膜211為發(fā)光層23R時(shí),若上述間隙gl超過(guò)1mm,則存在作為鄰接子像素的子像素2G · 2B的開口部15G · 15B上也會(huì)被蒸鍍上發(fā)光層23R的材料的危險(xiǎn)。另外,若上述間隙gl為200 μ m左右,則不會(huì)有被成膜基板200與陰影掩模81接觸的危險(xiǎn),另外,蒸鍍膜211的圖案寬度的擴(kuò)展也能夠充分減小。另外,掩模單元80,如圖3所示,具備陰影掩模81 (蒸鍍掩模、掩模)、蒸鍍?cè)?5、 掩模保持構(gòu)件87(保持部件、支撐構(gòu)件)、掩模張力機(jī)構(gòu)88(張力機(jī)構(gòu)、調(diào)整部件)和閘板 89 (參照?qǐng)D4)。作為上述陰影掩模81,例如可以使用金屬制的掩模。上述陰影掩模81形成為面積(尺寸)小于被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210,其至少1邊比被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的寬度短。在本實(shí)施方式中,作為上述陰影掩模81,使用具有以下尺寸的矩形(帶狀)的陰影掩模。上述陰影掩模81,如圖1所示,形成為作為其長(zhǎng)度方向(長(zhǎng)軸方向)的長(zhǎng)度的長(zhǎng)邊81a的寬度dl,比蒸鍍區(qū)域210中、與上述陰影掩模81的長(zhǎng)邊81a相對(duì)的邊(在圖1表示的例子中,蒸鍍區(qū)域210的長(zhǎng)邊210a)的寬度d3長(zhǎng)。另外,上述陰影掩模81,形成為作為其寬度方向(短軸方向)的長(zhǎng)度的短邊81b的寬度d2,比蒸鍍區(qū)域210中、與上述陰影掩模 81的短邊81b相對(duì)的邊(在圖1表示的例子中,蒸鍍區(qū)域210的短邊210b)的寬度d4短。在上述陰影掩模81中,如圖1和圖2所示,例如帶狀(條帶狀)的開口部82(貫通口)在一維方向上排列多個(gè)而設(shè)置。上述開口部82,作為被成膜基板200上的蒸鍍膜 211 (參照?qǐng)D3)的圖案形成,例如在進(jìn)行TFT基板10中發(fā)光層23R · 23G · 23B的分別涂布形成時(shí),配合這些發(fā)光層23R · 23G · 23B的同色列的尺寸和間距而形成。另外,在上述陰影掩模81上,如圖1所示,例如,沿著被成膜基板200的掃描方向 (基板掃描方向),設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83,在該調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83上,設(shè)置用于進(jìn)行被成膜基板 200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)(調(diào)準(zhǔn))的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 (參照?qǐng)D3)。在本實(shí)施方式中,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83,如圖1所示,沿著上述陰影掩模81的短邊 81b (短軸)而設(shè)置。另外,如上所述作為陰影掩模81,通過(guò)使用其長(zhǎng)邊81a的寬度dl比蒸鍍區(qū)域210 中相對(duì)的邊的寬度d3長(zhǎng),短邊81b的寬度d2比蒸鍍區(qū)域210中相對(duì)的邊的寬度d4短的陰影掩模,能夠在其長(zhǎng)度方向兩側(cè)部(即,兩短邊81b· 81b)形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83。因此,能夠容易且更精密地進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。另一方面,在被成膜基板200上,如圖1所示,在蒸鍍區(qū)域210的外側(cè),沿著被成膜基板200的掃描方向(基板掃描方向),設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220,在該調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220上,設(shè)置用于進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (參照?qǐng)D3)。在本實(shí)施方式中,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220,如圖1所示,沿著被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的短邊210b (短軸)設(shè)置。在本實(shí)施方式中,上述條帶狀的開口部82,在作為基板掃描方向的陰影掩模81的短邊方向延伸設(shè)置,并且在與基板掃描方向正交的陰影掩模81的長(zhǎng)邊方向排列多個(gè)而設(shè)置。蒸鍍?cè)?5,例如,為在內(nèi)部收納蒸鍍材料的容器,如圖3所示,在與陰影掩模81之間具有一定的間隙g2(空隙)(即,間隔一定距離)而相對(duì)配置。此外,上述蒸鍍?cè)?5既可以是在容器內(nèi)部直接收納蒸鍍材料的容器,也可以是具有負(fù)載鎖定式的配管的容器。 上述蒸鍍?cè)?5,例如,具有向上方射出蒸鍍顆粒的機(jī)構(gòu)。上述蒸鍍?cè)?5,如圖1和圖2所示,在與陰影掩模81相對(duì)的面上,具有使上述蒸鍍材料作為蒸鍍顆粒射出(飛散)的多個(gè)射出口 86。在本實(shí)施方式中,如上所述,蒸鍍?cè)?5配置在被成膜基板200的下方,被成膜基板200以上述蒸鍍區(qū)域210向著下方的狀態(tài)被基板保持構(gòu)件71保持。因此,在本實(shí)施方式中,蒸鍍?cè)?5,經(jīng)由陰影掩模81的開口部82使蒸鍍顆粒從下方向著上方蒸鍍到被成膜基板 200 上(Up D印osition,以下記為 “D印o-Up”)。上述射出口 86,如圖1和圖2所示,以在陰影掩模81的開口區(qū)域開口的方式,分別與陰影掩模81的開口部82相對(duì)設(shè)置。在本實(shí)施方式中,上述射出口 86與陰影掩模81的開口部82相對(duì),沿著陰影掩模81的開口部82的并設(shè)方向進(jìn)行一維排列。
因此,如圖1和圖2所示,從被成膜基板200的背面?zhèn)扔^察時(shí)(即,以平面視圖), 上述蒸鍍?cè)?5中與陰影掩模81相對(duì)的面(即,射出口 86的形成面),例如,配合矩形(帶狀)的陰影掩模81的形狀以矩形(帶狀)形成。在上述掩模單元80中,上述陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5,位置相對(duì)固定。S卩,上述陰影掩模81和上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86的形成面之間的間隙g2 (參照?qǐng)D3)經(jīng)常保持一定, 并且上述陰影掩模81的開口部82的位置和上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86的位置經(jīng)常具有相同的位置關(guān)系。此外,上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86,從上述被成膜基板200的背面觀察上述掩模單元80時(shí)(S卩,以平面視圖),以位于上述陰影掩模81的開口部82的中央的方式而配置。上述陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5,例如,如圖3所示,具備通過(guò)掩模張力機(jī)構(gòu)88保持 固定上述陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的掩模保持構(gòu)件87 (例如相同的支架),由此被一體化,從而其相對(duì)位置被保持·固定。另外,陰影掩模81通過(guò)掩模張力機(jī)構(gòu)88,施加張力(tension),以不發(fā)生因自重造成的撓曲或延伸的方式適當(dāng)調(diào)整。如上所述,在上述蒸鍍裝置50中,被成膜基板200利用基板保持構(gòu)件71 (靜電卡盤)被吸附在吸附板上,由此防止因自重造成的撓曲,由掩模張力機(jī)構(gòu)88向陰影掩模81施加張力,從而被成膜基板200和陰影掩模81遍及在平面上重疊的區(qū)域的整面,被成膜基板 200和陰影掩模81的距離保持一定。另外,閘板89為了控制蒸鍍顆粒向陰影掩模81的到達(dá),根據(jù)需要而使用?;趤?lái)自后述蒸鍍0N/0FF控制部104 (參照?qǐng)D4)的蒸鍍OFF信號(hào)或蒸鍍ON信號(hào),通過(guò)閘板驅(qū)動(dòng)控制部105 (參照?qǐng)D4)封閉或開放閘板89。上述閘板89,例如,可進(jìn)退(可插入)地設(shè)置在陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5之間。閘板89,通過(guò)插入在陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5之間,封閉陰影掩模81的開口部82。這樣,通過(guò)在陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5之間適當(dāng)插入閘板89,能夠防止向多余的部分(非蒸鍍區(qū)域) 的蒸鍍。此外,在上述蒸鍍裝置50中,也可以設(shè)為如下構(gòu)成從蒸鍍?cè)?5飛散的蒸鍍顆粒以在陰影掩模81內(nèi)飛散的方式調(diào)整,在陰影掩模81外飛散的蒸鍍顆粒,被防沉積板(遮蔽板)等適當(dāng)除去。另外,在上述真空腔室60的外側(cè),作為攝像部件(圖像讀取部件)例如設(shè)置具備 CXD的圖像傳感器90 (參照?qǐng)D4),并且作為控制部件,設(shè)置與上述圖像傳感器90連接的控制電路100。上述圖像傳感器90作為用于進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)的位置檢測(cè)部件發(fā)揮功能。另外,控制電路100,如圖4所示,具備圖像檢測(cè)部101、運(yùn)算部102、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103、蒸鍍0N/0FF控制部104和閘板驅(qū)動(dòng)控制部105。如上所述,在被成膜基板200上,如圖1所示,在蒸鍍區(qū)域210的外側(cè),例如沿著基板掃描方向設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220,在該調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220上設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221。圖像檢測(cè)部101,從由圖像傳感器90讀取的圖像,進(jìn)行被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221以及陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的圖像檢測(cè),并且從被成膜基板200上所設(shè)
23置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221中表示蒸鍍區(qū)域210的始端的始端標(biāo)記以及表示蒸鍍區(qū)域210的終端的終端標(biāo)記,檢測(cè)被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的始端和終端。此外,上述始端標(biāo)記和終端標(biāo)記也可以相同。此時(shí),以基板掃描方向判斷是蒸鍍區(qū)域210的始端還是終端。另外,上述運(yùn)算部102由利用圖像檢測(cè)部101所檢測(cè)到的圖像,確定被成膜基板 200和陰影掩模81的相對(duì)移動(dòng)量(例如相對(duì)于陰影掩模81的被成膜基板200的移動(dòng)量)。 例如,上述運(yùn)算部102計(jì)算調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量(χ軸方向和y軸方向的偏差成分以及xy平面中的轉(zhuǎn)動(dòng)成分),運(yùn)算并確定被成膜基板200的基板位置的校正值。 艮口,上述校正值通過(guò)關(guān)于相對(duì)于基板掃描方向的垂直方向和被成膜基板200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向進(jìn)行運(yùn)算而確定。此外,其中,被成膜基板的轉(zhuǎn)動(dòng)方向是指將被成膜基板200的被成膜面中心的ζ軸作為轉(zhuǎn)動(dòng)軸時(shí),在xy平面內(nèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)方向。上述校正值,作為校正信號(hào)輸出到電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103,電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103 基于來(lái)自上述運(yùn)算部102的校正信號(hào),驅(qū)動(dòng)與基板保持構(gòu)件71連接的電動(dòng)機(jī)72,從而校正被成膜基板200的基板位置。此外,關(guān)于使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的基板位置校正,與調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的形狀例一并在后說(shuō)明。電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103通過(guò)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72,使被成膜基板200,如上所述在水平方向上移動(dòng)。蒸鍍0N/0FF控制部104,在由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的終端時(shí),使蒸鍍OFF (關(guān))信號(hào)發(fā)生,在由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的始端時(shí),使蒸鍍ON(開) 信號(hào)發(fā)生。閘板驅(qū)動(dòng)控制部105,在從上述蒸鍍0N/0FF控制部104輸入蒸鍍OFF信號(hào)時(shí),將閘板89封閉,另一方面在從上述蒸鍍0N/0FF控制部104輸入蒸鍍ON信號(hào)時(shí),將閘板89開放。接著,對(duì)于使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的基板位置校正以及調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的形狀例進(jìn)行說(shuō)明。在圖5的(a) (d)中表示上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的形狀的一例。此外,圖5的 (b) (d)為了圖示的方便分別僅選取并列配置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221中的2個(gè)表示。上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,例如,由陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83上所形成的開口部構(gòu)成。 此外,上述開口部也包括凹槽部。另外,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的材料,沒(méi)有特別限定,例如可以使用與在TFT基板10等中所使用的電極材料相同的材料。因此,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,在TFT基板10等的被成膜基板200 中、例如在柵極電極、源極電極、漏極電極等的電極形成工序中,能夠利用與這些電極相同的材料,與這些電極同時(shí)形成。運(yùn)算部102從由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84· 221的圖像,測(cè)定(算出)x 軸方向上調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的端部(外緣部)間的距離!·和y軸方向上調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221 的端部(外緣部)間的距離q,從而計(jì)算調(diào)準(zhǔn)的偏差量,運(yùn)算基板位置的校正值。例如,在基板掃描方向?yàn)棣州S方向時(shí),圖5的(a) (c)中,r為基板掃描方向的上述端部間的距離,q為與基板掃描方向垂直的方向的上述端部間的距離。運(yùn)算部102例如在被成膜基板200中蒸鍍區(qū)域210的兩側(cè)測(cè)定(算出)距離r和距離q,由此計(jì)算基板掃描時(shí)的調(diào)準(zhǔn)的偏差量。此外,如上所述,通過(guò)在陰影掩模81上設(shè)置多個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,能夠?qū)﹃幱把谀?1 和被成膜基板200,進(jìn)行也包括水平方向的位置對(duì)準(zhǔn)。此外,如上所述,在使被成膜基板200僅沿一個(gè)坐標(biāo)軸方向(例如,χ軸方向)移動(dòng)時(shí),基板掃描方向上調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的大小(大小關(guān)系)沒(méi)有特別限定。如圖5的(d)所示,基板掃描方向如上所述例如僅為χ軸方向時(shí),在被成膜基板 200的端部以外的區(qū)域,并不需要測(cè)定距離r。此時(shí),通過(guò)例如在被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的兩側(cè)測(cè)定距離q,能夠檢測(cè)被成膜基板200的位置偏差,基于該距離q的值,能夠校正被成膜基板200的基板位置。因此,此時(shí),在被成膜基板200的端部以外的區(qū)域,如圖5的(d)所示,也可以設(shè)置在X軸方向?qū)D5的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221分割為多個(gè)而成的形狀的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 84 · 221。此外,在本實(shí)施方式中,如后所述,以一邊掃描被成膜基板200 —邊進(jìn)行陰影掩模 81和被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但并不限于此,也可以在基板掃描前進(jìn)行充分的調(diào)準(zhǔn),在基板掃描中不進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。例如,如后述的實(shí)施方式所示,可以認(rèn)為使被成膜基板200沿著被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的一邊(例如,圖5的(a) (c)中,y軸方向)移動(dòng)后,使其沿著與上述邊正交的邊(例如,圖5的(a) (c)中,χ軸方向)移動(dòng)。此時(shí),圖5的(a) (c)中,r為與基板掃描方向垂直的方向的上述端部間的距離,q表示被成膜基板200的移動(dòng)方向(位移方向)的上述端部間的距離。此時(shí),運(yùn)算部102通過(guò)測(cè)定四角的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的距離r和距離q,計(jì)算基板掃描開始時(shí)調(diào)準(zhǔn)的偏差量和被成膜基板200的移動(dòng)(位移)時(shí)的調(diào)準(zhǔn)的偏差量。此外,如圖5的(a) (d)所示,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的形狀可以為帶狀,也可以為正方形等的四邊形,也可以為框狀、十字狀等。調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的形狀沒(méi)有特別限定。另外,如上所述,在基板掃描前進(jìn)行充分的調(diào)準(zhǔn),基板掃描中不進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)時(shí),不需要沿著被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的側(cè)面配置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,只要在被成膜基板200的四角等配置即可。使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的上述基板位置校正,更希望在被成膜基板200進(jìn)入來(lái)自蒸鍍?cè)?5的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)之前進(jìn)行。因此,被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220)優(yōu)選從進(jìn)入來(lái)自蒸鍍?cè)?85的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)之前的位置設(shè)置。因此,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220),如圖1所示,優(yōu)選從在基板掃描方向上應(yīng)該蒸鍍的區(qū)域(即,蒸鍍區(qū)域210)靠前的位置設(shè)置,往復(fù)蒸鍍時(shí),優(yōu)選從蒸鍍區(qū)域210的相反側(cè)靠前的位置設(shè)置。即,往復(fù)蒸鍍時(shí),如圖1所示,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221(調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220)優(yōu)選分別比蒸鍍區(qū)域210的基板掃描方向兩端部突出而設(shè)置。此外,為了確保上述蒸鍍區(qū)域210,在不能將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220)比上述蒸鍍區(qū)域210突出設(shè)置時(shí),也可以將陰影掩模81的開口部82的掃描方向的開口寬度(長(zhǎng)軸方向的寬度d5 ;參照?qǐng)D1)縮短等,將陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84配置在相對(duì)于陰影掩模 81的開口部82的相對(duì)外側(cè)。即,可以以在掃描時(shí)相對(duì)于蒸鍍區(qū)域210,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84位于比陰影掩模81的開口部82靠前的位置的方式,在陰影掩模81上設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84。由此,能夠在陰影掩模81側(cè)調(diào)整調(diào)準(zhǔn)位置,在被成膜基板200蒸鍍前,能夠進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的調(diào)準(zhǔn)。另外,如圖5的(b) .(c)所示,在陰影掩模81上設(shè)置基板掃描方向的寬度小于陰影掩模81的基板掃描方向的寬度(在圖1表示的例子中,寬度d2)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84時(shí),根據(jù)與上述相同的理由,優(yōu)選調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84設(shè)置在陰影掩模81的基板進(jìn)入方向側(cè)的端部(即,基板掃描方向的上游側(cè)端部)。另外,在往復(fù)蒸鍍時(shí),優(yōu)選在基板掃描方向兩端部(即四角) 設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84。接著,使用本實(shí)施方式涉及的上述蒸鍍裝置50作為有機(jī)EL顯示裝置1的制造裝置,對(duì)圖案形成有機(jī)EL層的方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外,在以下的說(shuō)明中,如上所述,以作為被成膜基板200,使用上述空穴注入層·空穴輸送層蒸鍍工序(S2)結(jié)束階段的TFT基板10,作為有機(jī)EL層的圖案形成,在發(fā)光層蒸鍍工序(S3)中進(jìn)行發(fā)光層23R · 23G · 23B的分別涂布形成的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。此外,在本實(shí)施方式中,將蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的間隙g2(即,蒸鍍?cè)?5 的射出口 86形成面和陰影掩模81之間的距離)設(shè)為100mm,將作為被成膜基板200的上述 TFT基板10和陰影掩模81之間的距離設(shè)為200 μ m。上述TFT基板10的基板尺寸,將掃描方向設(shè)為320mm,與掃描方向垂直的方向設(shè)為 400mm,蒸鍍區(qū)域(顯示區(qū)域)的寬度,掃描方向的寬度(寬度d4)設(shè)為260mm,與掃描方向垂直的方向的寬度(寬度d3)設(shè)為310mm。另外,上述TFT基板10中各子像素2R.2G.2B的開口部15R · 15G · 15B的寬度設(shè)為360 μ m(掃描方向)X90 μ m(與掃描方向垂直的方向)。另外,上述開口部15R *15G ·15Β 間的間距設(shè)為480 μ m(掃描方向)X 160 μ m(與掃描方向垂直的方向)。此外,上述開口部 15R · 15G · 15B間的間距(像素開口部間間距)表示相鄰子像素2R · 2G · 2B中各個(gè)開口部 15R · 15G · 15B間的間距,不是同色子像素間的間距。另外,陰影掩模81使用長(zhǎng)邊81a(長(zhǎng)軸方向)的寬度dl (與掃描方向垂直的方向的寬度)為600mm、短邊81b (短軸方向)的寬度d2(掃描方向的寬度)為200mm的陰影掩模。另外,陰影掩模81的開口部82的開口寬度設(shè)為150mm(長(zhǎng)軸方向的寬度d5 ;參照?qǐng)D 1) X 130 μ m (短軸方向的寬度d6 ;參照?qǐng)D1),相鄰開口部82 ·82間的間隔d8 (參照?qǐng)D1)設(shè)為350 μ m,相鄰開口部82 · 82的中心間的間距ρ (參照?qǐng)D1)設(shè)為480 μ m。此外,在本實(shí)施方式中,作為上述陰影掩模81的短邊81b的寬度d2 (短邊長(zhǎng)),優(yōu)選為200mm以上。其理由如下。S卩,蒸鍍速率優(yōu)選為lOnm/s以下,若超過(guò)lOnm/s,則所蒸鍍的膜(蒸鍍膜)的均勻性降低,有機(jī)EL特性降低。另外,蒸鍍膜的膜厚一般為IOOnm以下。若為IOOnm以上,則所需的施加電壓升高, 作為結(jié)果,所制造的有機(jī)EL顯示裝置的消耗電力增加。因此,從蒸鍍速率和蒸鍍膜的膜厚可以估測(cè)所需的蒸鍍時(shí)間為10秒。另一方面,由于處理能力(生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間)的限制,例如為了對(duì)寬度為2m的玻璃基板在150秒結(jié)束蒸鍍,至少需要將掃描速度設(shè)為13. 3mm/s以上。處理時(shí)間150秒為大約每日能夠處理570張的生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間。為了以上述掃描速度,如上所述得到10秒的蒸鍍時(shí)間,陰影掩模81的開口部82 需要在掃描方向開口至少133mm以上。在認(rèn)為從開口部82的端部到陰影掩模81的端部的距離(邊緣寬度d7 ; 參照?qǐng)D1)為30mm左右適當(dāng)?shù)那闆r下,陰影掩模81的掃描方向的寬度需要為 133 + 30+30 —200mm。因此,陰影掩模81的短邊長(zhǎng)(寬度d2)可以說(shuō)優(yōu)選為200mm以上。但是,如果蒸鍍速率或蒸鍍膜的膜厚、生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間的容許量變化,則不局限于此。另外,在本實(shí)施方式中,上述TFT基板10的掃描速度設(shè)為30mm/s。圖10是表示使用本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50在TFT基板10上成膜規(guī)定圖案的方法的一例的流程圖。以下,對(duì)于使用上述蒸鍍裝置50成膜圖10所示的發(fā)光層23R · 23G · 23B的方法, 按照?qǐng)D10所示的流程進(jìn)行具體說(shuō)明。首先,如圖3所示,使用掩模保持構(gòu)件87,通過(guò)掩模張力機(jī)構(gòu)88,將陰影掩模81設(shè)置(固定)在真空腔室60內(nèi)的蒸鍍?cè)?5上,為了不發(fā)生因自重造成的撓曲或延伸,向掩模張力機(jī)構(gòu)88施加張力保持水平。此時(shí),將蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的距離通過(guò)掩模保持構(gòu)件87保持一定,與此同時(shí),以基板掃描方向與在陰影掩模81上所形成的條帶狀的開口部82的長(zhǎng)軸方向一致的方式,使用陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn),從而組裝掩模單元80 (掩模單元的準(zhǔn)備)。接著,向上述真空腔室60投入TFT基板10,以該TFT基板10的同色子像素列的方向與基板掃描方向一致的方式,使用作為被成膜基板200的TFT基板10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,如圖10所示進(jìn)行粗調(diào)準(zhǔn)(Sll)。TFT基板10為了不發(fā)生因自重造成的撓曲,由基板保持構(gòu)件 71保持。接著,進(jìn)行TFT基板10和陰影掩模81的粗調(diào)準(zhǔn)(S12),以TFT基板10和陰影掩模81之間的間隙gl (基板-掩模間隔)為一定的方式進(jìn)行間隔調(diào)整,使TFT基板10和陰影掩模81相對(duì)配置,由此進(jìn)行TFT基板10和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)(S13)。在本實(shí)施方式中,以TFT基板10和陰影掩模81之間的間隙gl遍及TFT基板10全體均為200 μ m的方式進(jìn)行間隔調(diào)整。然后,一邊以30mm/s掃描上述TFT基板10,一邊在該TFT基板10上蒸鍍紅色的發(fā)光層23R的材料。此時(shí),以上述TFT基板10通過(guò)上述陰影掩模81上的方式進(jìn)行基板掃描。另外,以陰影掩模81的開口部82與紅色的子像素2R列一致的方式,使用上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221,與掃描同時(shí)進(jìn)行精密的調(diào)準(zhǔn)(S14)。上述發(fā)光層23R通過(guò)如下方式而形成,其材料使用3-苯基_4 (1’ -萘基)_5_苯基-1,2,4-三唑(TAZ)(主體材料)、和雙(2-(2,-苯并[4, 5-α]噻基)吡啶-N,C3,)銥 (乙酰丙酮)(btp2Ir(acac))(紅色發(fā)光摻雜劑),將各自的蒸鍍速度設(shè)為5. 0nm/s、0. 53nm/ s,使這些材料(紅色有機(jī)材料)共蒸鍍。從蒸鍍?cè)?5射出的上述紅色有機(jī)材料的蒸鍍顆粒,在上述TFT基板10通過(guò)陰影掩模81上時(shí),經(jīng)由陰影掩模81的開口部82,在與陰影掩模81的開口部82相對(duì)的位置進(jìn)行蒸鍍。在本實(shí)施方式中,在上述TFT基板10完全通過(guò)陰影掩模81上后,上述紅色有機(jī)材料以膜厚25nm蒸鍍?cè)谏鲜鯰FT基板10上。在這里,對(duì)于上述S14中調(diào)準(zhǔn)的調(diào)整方法,參照?qǐng)D11在以下進(jìn)行說(shuō)明。圖11是表示調(diào)準(zhǔn)調(diào)整方法的流程圖。調(diào)準(zhǔn)的調(diào)整按照?qǐng)D11所示的流程進(jìn)行。首先,由圖像傳感器90讀取作為被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置 (S21)。然后,利用圖像檢測(cè)部101,從由上述圖像傳感器90所讀取的圖像,進(jìn)行上述TFT 基板10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的圖像檢測(cè)(S22)。之后,利用運(yùn)算部102,從由上述圖像檢測(cè)部101所檢測(cè)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 · 84的圖像,計(jì)算調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量,運(yùn)算并確定基板位置的校正值(S23)。然后,電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103基于上述校正值驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72,由此校正基板位置 (S24)。接著,再由圖像傳感器90檢測(cè)校正后的基板位置,重復(fù)S21 S25的工序(步驟)。這樣,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)重復(fù)由圖像傳感器90檢測(cè)基板位置,校正基板位置, 能夠一邊進(jìn)行基板掃描一邊校正基板位置,能夠一邊精密調(diào)準(zhǔn)TFT基板10和陰影掩模81 一邊進(jìn)行成膜。上述發(fā)光層23R的膜厚能夠通過(guò)往復(fù)掃描(即,TFT基板10的往復(fù)移動(dòng))以及掃描速度進(jìn)行調(diào)整。在本實(shí)施方式中,如圖10所示,由S14的掃描后,使TFT基板10的掃描方向反轉(zhuǎn),利用與S14相同的方法,在S14中的上述紅色有機(jī)材料的蒸鍍位置,再蒸鍍上述紅色有機(jī)材料(S16)。由此,形成膜厚為50nm的發(fā)光層23R。此外,在S14 S16中,TFT基板10中非蒸鍍區(qū)域位于陰影掩模81的開口部82上時(shí)(例如,S14所示的步驟結(jié)束后、直到在S16中掃描方向反轉(zhuǎn)之間),在蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間插入閘板89,防止蒸鍍顆粒附著在非蒸鍍區(qū)域(S15)。在這里,關(guān)于上述S15中使用閘板89的蒸鍍控制,參照?qǐng)D12和圖13在以下進(jìn)行說(shuō)明。圖12是表示蒸鍍OFF時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。另外,圖13是表示蒸鍍ON 時(shí)的蒸鍍控制的流程的流程圖。首先,對(duì)于蒸鍍OFF時(shí)的流程進(jìn)行說(shuō)明。如圖12所示,作為被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置,如圖11所說(shuō)明,在蒸鍍處理期間,由圖像傳感器90不斷讀取(S31)。如圖11所說(shuō)明,圖像檢測(cè)部101從由上述圖像傳感器90所讀取的圖像,進(jìn)行TFT 基板10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的圖像檢測(cè)。圖像檢測(cè)部101,通過(guò)作為TFT基板10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,檢測(cè)表示蒸鍍區(qū)域的終端的終端標(biāo)記,如圖12所示,檢測(cè)蒸鍍區(qū)域210的終端(S32)。如上所述由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的終端時(shí),蒸鍍0N/0FF控制部 104使蒸鍍OFF信號(hào)發(fā)生(S33)。閘板驅(qū)動(dòng)控制部105,從蒸鍍0N/0FF控制部104輸入蒸鍍OFF信號(hào)時(shí),封閉閘板 89 (S34)。閘板89被封閉時(shí),蒸鍍顆粒不到達(dá)掩模,成為蒸鍍0FF(S35)。
接著,對(duì)于蒸鍍ON時(shí)的流程進(jìn)行說(shuō)明。如圖13所示,作為被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置,在蒸鍍處理期間,由圖像傳感器90不斷讀取的步驟如上所述(S41)。圖像檢測(cè)部101,通過(guò)作為TFT基板10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,檢測(cè)表示蒸鍍區(qū)域的始端的始端標(biāo)記,檢測(cè)蒸鍍區(qū)域210的始端(S42)。由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的終端時(shí),蒸鍍0N/0FF控制部104使蒸鍍 ON信號(hào)發(fā)生(S43)。閘板驅(qū)動(dòng)控制部105從蒸鍍0N/0FF控制部104輸入蒸鍍ON信號(hào)時(shí),將閘板89開放(S44)。閘板89開放時(shí),蒸鍍顆粒到達(dá)掩模,成為蒸鍍0N(S45)。另外,上述S16的往復(fù)掃描,如下進(jìn)行。首先,利用S21 SM所示的步驟一邊進(jìn)行精密調(diào)準(zhǔn)一邊掃描基板,由圖像檢測(cè)部101檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的終端時(shí),通過(guò)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部103驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)72使TFT基板10反轉(zhuǎn)。在該期間,通過(guò)S31 S35所示的步驟使蒸鍍OFF,利用S21 SM所示的步驟進(jìn)行TFT基板10的位置校正,利用S41 S45所示的步驟在蒸鍍區(qū)域210的始端使蒸鍍0N。然后,由S21 SM所示的步驟再次一邊進(jìn)行精密調(diào)準(zhǔn)一邊掃描基板。這樣操作,如S16所示,形成所期望的膜厚的發(fā)光層23R。在本實(shí)施方式中,S16所示的步驟之后,將形成有上述發(fā)光層23R的TFT基板10從上述真空腔室60取出(S17),使用綠色的發(fā)光層23G形成用的掩模單元80以及真空腔室 60,與上述發(fā)光層23R的成膜處理同樣操作,使綠色的發(fā)光層23G成膜。另外,這樣操作,形成發(fā)光層23G之后,使用藍(lán)色的發(fā)光層2 形成用的掩模單元 80以及真空腔室60,與上述發(fā)光層23R ·23G的成膜處理同樣操作,使藍(lán)色的發(fā)光層2 成膜。S卩,在上述發(fā)光層23G · 23B的成膜處理中,分別準(zhǔn)備在相當(dāng)于這些發(fā)光層 23G · 23B的位置具有開口部82的陰影掩模81。然后,將各個(gè)陰影掩模81設(shè)置在發(fā)光層 23G-23B形成用的各真空腔室60,一邊以各個(gè)陰影掩模81的開口部82與各子像素2G ·2Β 列一致的方式進(jìn)行調(diào)準(zhǔn),一邊掃描TFT基板10進(jìn)行蒸鍍。上述發(fā)光層23G通過(guò)如下方式而形成,其材料使用(TAZ)(主體材料)和 Ir (ppy) 3 (綠色發(fā)光摻雜劑),將各自的蒸鍍速度設(shè)為5. 0nm/s、0. 67nm/s,使這些材料(綠色有機(jī)材料)共蒸鍍。另外,發(fā)光層2 通過(guò)如下方式而形成,其材料使用TAZ (主體材料)和2- ’-叔丁基苯基)-5-(4”_聯(lián)苯基)-1,3,4_噁二唑(t-Bu PBD)(藍(lán)色發(fā)光摻雜劑),將各自的蒸鍍速度設(shè)為5. 0nm/s,0. 67nm/s,使這些材料(藍(lán)色有機(jī)材料)共蒸鍍。此外,上述發(fā)光層23G · 23B的膜厚分別設(shè)為50nm。通過(guò)以上的工序,得到發(fā)光層23R · 23G · 23B以紅(R)、綠(G)、藍(lán)⑶形成圖案的 TFT基板10。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)使用上述的蒸鍍裝置50作為有機(jī)EL顯示裝置1的制造裝置,使用上述的蒸鍍方法制造有機(jī)EL顯示裝置1,與以往相比,能夠?qū)崿F(xiàn)更大型的有機(jī)EL顯示裝置1。在現(xiàn)有的掩模蒸鍍法中,將陰影掩模和被成膜基板調(diào)準(zhǔn)并貼合,或由磁力使陰影掩模和被成膜基板粘附,在陰影掩模和被成膜基板成為一體的狀態(tài)下進(jìn)行蒸鍍。另外,使陰影掩模相對(duì)于被成膜基板相對(duì)移動(dòng)時(shí),以蒸鍍?cè)幢还潭ㄔ谡婵涨皇疑系臓顟B(tài),使陰影掩模相對(duì)于被成膜基板相對(duì)移動(dòng),因此陰影掩模形成為與被成膜基板大致相同的尺寸。因此,通過(guò)陰影掩模的自重?fù)锨蜓由欤嬖诒怀赡せ搴完幱把谀Vg產(chǎn)生間隙,發(fā)生蒸鍍位置偏差或混色,高精細(xì)化困難的問(wèn)題。另外,以往,蒸鍍?cè)幢还潭ㄔ谡婵涨皇疑?,因此在使用小型的陰影掩模,一邊使陰影掩模移?dòng),一邊相對(duì)于被成膜基板的一部分的區(qū)域進(jìn)行順次蒸鍍時(shí),為了在沒(méi)有陰影掩模的區(qū)域,蒸鍍顆粒不附著到被成膜基板上,需要用于防止附著的遮蔽板,并需要使其與陰影掩模配合,進(jìn)行順次移動(dòng)。此時(shí),結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。另外,在不用可動(dòng)的遮蔽板,配合陰影掩模的移動(dòng),將對(duì)應(yīng)每個(gè)移動(dòng)區(qū)域的蒸鍍?cè)丛O(shè)為0N,將其以外切換為OFF時(shí),不僅需要具有均勻蒸發(fā)分布且被高度控制的基板尺寸的面蒸鍍?cè)?,而且由于OFF的蒸鍍?cè)床还ぷ?,成為處理效率低的裝置。相對(duì)于此,在本實(shí)施方式中,如上所述,將陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5 —體化(將相對(duì)位置固定化),在作為被成膜基板200的TFT基板10和陰影掩模81之間設(shè)置一定的間隙 gl,將TFT基板10通過(guò)陰影掩模81上進(jìn)行掃描,由此使通過(guò)陰影掩模81的開口部82的蒸鍍顆粒蒸鍍到TFT基板10上。即,根據(jù)本實(shí)施方式,使用上述掩模單元80,在上述TFT基板10和掩模單元80之間具有一定的間隙gl的狀態(tài)下,例如,使TFT基板10相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)。由此, 通過(guò)使從上述蒸鍍?cè)?5的射出口 86射出的蒸鍍顆粒,經(jīng)由上述陰影掩模81的開口部82在上述TFT基板10的蒸鍍面的蒸鍍區(qū)域210上順次蒸鍍,在TFT基板10的蒸鍍區(qū)域210上成膜規(guī)定圖案。根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,因?yàn)殛幱把谀?1和TFT基板10不固定,能夠使其自由地相對(duì)移動(dòng),并且將TFT基板10、陰影掩模81、蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定,所以如上所述能夠使用面積小于TFT基板的蒸鍍區(qū)域210的陰影掩模81 —邊掃描TFT基板10 —邊進(jìn)行蒸鍍。因此,不必如以往那樣使用與TFT基板10同等尺寸的大型的陰影掩模。因此,不發(fā)生在以往的掩模蒸鍍法中成為問(wèn)題的、伴隨陰影掩模的大型化而自重?fù)锨蜓由臁⒁蚓硗查L(zhǎng)度的制約造成的尺寸限制等的問(wèn)題,不僅對(duì)于大型的基板也能夠進(jìn)行有機(jī)層的圖案形成,并且能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成以及高精細(xì)化。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,因?yàn)槭褂妹娣e比TFT基板10小的陰影掩模81, 所以能夠抑制發(fā)生伴隨陰影掩模的大型化而保持陰影掩模的框巨大化·超重量化,處理其的裝置也巨大化 復(fù)雜化,產(chǎn)生制造工序中操作的危險(xiǎn)性的問(wèn)題。因此,裝置的設(shè)計(jì)變得容易(裝置的縮小化),且掩模交換等的安全性提高。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述將陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定,因此在基板掃描時(shí),例如僅使TFT基板10移動(dòng)即可,就沒(méi)有如以往那樣使陰影掩模以粘附在被成膜基板的狀態(tài)移動(dòng),或這樣地使蒸鍍?cè)聪鄬?duì)于粘附有陰影掩模的被成膜基板移動(dòng)的必要性。因此,不需要為了避免陰影掩模和被成膜基板錯(cuò)位而使其牢固地固定,并且不需要用于使兩者移動(dòng)的復(fù)雜的機(jī)構(gòu),不需要為了得到均勻的膜厚進(jìn)行蒸鍍?cè)吹木艿恼翦兞靠刂啤⒁苿?dòng)控制。
另外,根據(jù)本實(shí)施方式,從蒸鍍?cè)?5向著陰影掩模81幾乎垂直地飛散(飛翔)的蒸鍍顆粒,經(jīng)由陰影掩模81的開口部82,幾乎垂直地飛翔而附著在TFT基板10上,成為蒸鍍膜211。此時(shí),TFT基板10和陰影掩模81的間隙gl,在掃描TFT基板10期間也保持一定,因此能夠形成寬度和膜厚均勻的蒸鍍膜211。另外,以往由于將基板和蒸鍍?cè)垂潭ㄔ谡婵涨皇覂?nèi),所以在從蒸鍍?cè)达w散(飛翔) 的蒸鍍顆粒的飛翔分布存在于基板掃描方向時(shí),有其分布原樣成為膜厚分布而產(chǎn)生畫面的亮度不均勻的問(wèn)題。然而,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述因?yàn)橐贿厭呙鑄FT基板10 —邊進(jìn)行蒸鍍,所以即使在基板掃描方向有蒸鍍顆粒的飛翔分布,其掃描方向的分布也被平均化。因此,不發(fā)生畫面的亮度的不均勻。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,能夠得到在基板面內(nèi)均勻地形成圖案的有機(jī)層,能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)高的有機(jī)EL顯示裝置1。而且,通過(guò)如上所述一邊掃描TFT基板10 —邊進(jìn)行蒸鍍,能夠提高材料利用效率, 并且能夠在上述TFT基板10上形成均勻性高的蒸鍍膜211。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)在TFT基板10和陰影掩模81之間設(shè)置間隙gl,TFT 基板10不與陰影掩模81接觸,不會(huì)因陰影掩模81損傷TFT基板10。另外,也不需要在TFT 基板10上形成用于防止因陰影掩模81損傷TFT基板10上的有機(jī)EL元件20的掩模墊片。 因此,能夠抑制由形成掩模墊片而導(dǎo)致的有機(jī)EL顯示裝置1的成本上升。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,因?yàn)槿缟纤鰧㈥幱把谀?1和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定,所以不需要用于防止蒸鍍顆粒附著在多余部分(非蒸鍍區(qū)域)的遮蔽板,即使使用遮蔽板,也僅將遮蔽板預(yù)先固定即可,能夠?qū)⒔Y(jié)構(gòu)制造得簡(jiǎn)單。另外,在本實(shí)施方式中,使用掩模尺寸的蒸鍍?cè)?5,不需要基板尺寸的面蒸鍍?cè)矗?蒸發(fā)分布的均勻性也僅在相對(duì)于基板掃描方向垂直的方向上能夠控制即可。此外,因?yàn)椴恍枰缫酝菢訉⒒宄叽绲恼翦冊(cè)辞袚Q為0N/0FF,所以處理效率提尚。此外,在本實(shí)施方式中,雖然上述掩模單元80為固定配置在真空腔室60內(nèi)的構(gòu)成,但本實(shí)施方式并不局限于此。上述蒸鍍裝置50,代替上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,具備固定被成膜基板200的基板保持構(gòu)件71 (例如靜電卡盤),并且也可以具備原樣保持上述陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置使上述掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(掩模單元移動(dòng)部件、調(diào)整部件)?;蛘咭部梢跃邆浠逡苿?dòng)機(jī)構(gòu)70和掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)兩者。S卩,上述被成膜基板200和掩模單元80,只要其中至少一方能夠相對(duì)移動(dòng)地設(shè)置即可,無(wú)論使哪個(gè)移動(dòng)時(shí),都能夠得到本發(fā)明的效果。另外,這些掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)、掩模張力機(jī)構(gòu)88、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70發(fā)揮作為調(diào)整上述被成膜基板200和陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)整部件的功能。此外,作為上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70和掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu),例如,可以是輥式的移動(dòng)機(jī)構(gòu),也可以是油壓式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。在如上所述使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)時(shí),上述掩模單元80, 例如與掩模保持構(gòu)件87 (例如相同的支架)一起,使陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5相對(duì)于被成
31膜基板200相對(duì)移動(dòng)。由此,能夠原樣保持上述陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置使上述掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)。這樣,優(yōu)選在使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)時(shí),上述陰影掩模81 和蒸鍍?cè)?5,例如,由相同的支架(保持構(gòu)件、保持部件)保持,從而被一體化。其中,如上所述使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)時(shí),上述陰影掩模 81和蒸鍍?cè)?5如果位置相對(duì)固定,則并不一定需要被一體化。例如,上述掩模單元80也可以通過(guò)蒸鍍?cè)?5固定在真空腔室60的內(nèi)壁中例如底壁上,并且掩模保持構(gòu)件87固定在上述真空腔室60的內(nèi)壁的任何地方,上述陰影掩模81 和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置被固定。另外,上述掩模保持構(gòu)件87和掩模張力機(jī)構(gòu)88可以一體地設(shè)置。例如,上述掩模保持構(gòu)件87可以是向被成膜基板200施加張力而進(jìn)行機(jī)械夾持的輥等的保持構(gòu)件。另外,上述掩模保持構(gòu)件87也可以是具有滑塊機(jī)構(gòu),通過(guò)在由掩模張力機(jī)構(gòu)88夾著陰影掩模81的狀態(tài)下滑動(dòng)掩模保持構(gòu)件87,向陰影掩模81施加張力的構(gòu)件。在本實(shí)施方式中,用于向陰影掩模81施加張力的上述掩模張力機(jī)構(gòu)88,并不是如以往那樣作為對(duì)于被成膜基板200的夾具(掩模夾具、工件夾具),而是作為蒸鍍裝置50的一部分(機(jī)構(gòu))而設(shè)置。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)如上所述,在被成膜基板200和陰影掩模81之間設(shè)置一定的間隙gl,使用被成膜基板200和陰影掩模81不粘附的蒸鍍方式,在蒸鍍裝置50上設(shè)置上述掩模張力機(jī)構(gòu)88,能夠改善陰影掩模81的撓曲以及熱膨張。另外,能夠配合蒸鍍時(shí)的狀況(例如,陰影掩模81的熱膨張或被成膜基板200的完成精度),由張力來(lái)調(diào)整陰影掩模 81的調(diào)準(zhǔn)精度。例如,在下述(I)或(II)的情況等,通過(guò)向陰影掩模81施加張力,能夠配合被成膜基板200(更具體而言,像素圖案等的基板圖案)進(jìn)一步擴(kuò)大陰影掩模81的尺寸。(I)陰影掩模81上所形成的開口部82,在陰影掩模81的制作階段形成得比所期望的尺寸小,通過(guò)施加張力能夠達(dá)到最初所期望的尺寸的情況(即,在消除撓曲的基礎(chǔ)上, 再通過(guò)施加過(guò)量的張力得到正確的尺寸的掩模設(shè)計(jì)的情況(II)在被成膜基板200上所形成的像素圖案通過(guò)被成膜基板200的熱履歷,少量伸長(zhǎng)的情況這樣,通過(guò)進(jìn)行上述陰影掩模81的張力調(diào)整,在校正陰影掩模81的自重?fù)锨蛴蔁嵩斐傻膿锨耐瑫r(shí),能夠配合基板圖案,一起進(jìn)行使陰影掩模81伸長(zhǎng)的量(陰影掩模81 的伸長(zhǎng)率)的調(diào)整。此外,由張力在陰影掩模81上產(chǎn)生伸長(zhǎng)時(shí),陰影掩模81產(chǎn)生撓曲。因此,上述掩模張力機(jī)構(gòu)88優(yōu)選設(shè)定最小張力(MIN)。例如,在判斷為向陰影掩模81施加張力過(guò)度的情況下,掩模張力機(jī)構(gòu)88在減弱張力的方向上工作。然而,如果減弱張力過(guò)度,則有陰影掩模81過(guò)于撓曲而與被成膜基板200 接觸的危險(xiǎn)。因此,優(yōu)選以至少被成膜基板200和陰影掩模81不接觸的方式來(lái)設(shè)定最小張力。另外,在比較陰影掩模81和被成膜基板200的位置偏差的問(wèn)題、與陰影掩模81上發(fā)生撓曲的問(wèn)題時(shí),撓曲發(fā)生的問(wèn)題會(huì)給所成膜的蒸鍍膜211帶來(lái)重大的缺陷。因此,為了
32使撓曲的防止優(yōu)先,優(yōu)選在掩模張力機(jī)構(gòu)88上設(shè)定最小張力。另外,上述掩模張力機(jī)構(gòu)88優(yōu)選也設(shè)定最大張力(MAX)。例如,在判斷為向陰影掩模81施加張力不足的情況下,掩模張力機(jī)構(gòu)88在增強(qiáng)張力的方向上工作。然而,過(guò)大的張力會(huì)有發(fā)生陰影掩模81的斷裂或形變的危險(xiǎn)。因此,為了能夠防止這樣的問(wèn)題的發(fā)生,優(yōu)選在上述掩模張力機(jī)構(gòu)88上設(shè)定最大張力。此外,在陰影掩模81上是否施加張力過(guò)度,或張力是否不足,例如,能夠從陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84和被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的位置關(guān)系判斷。另外,在陰影掩模81上,設(shè)置用于使陰影掩模81對(duì)準(zhǔn)于絕對(duì)位置的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記等的基準(zhǔn)位置標(biāo)記,能夠通過(guò)該基準(zhǔn)標(biāo)記與裝置側(cè)的基準(zhǔn)位置的位置關(guān)系進(jìn)行判斷。此外,即使在由張力在陰影掩模81上產(chǎn)生伸長(zhǎng)的情況下,在設(shè)計(jì)的允許限度內(nèi)可以使用。然而,預(yù)先將由溫度造成的伸長(zhǎng)等也考慮在內(nèi),陰影掩模81希望制作得比設(shè)計(jì)的絕對(duì)尺寸(設(shè)計(jì)值)小。這樣將陰影掩模81制作得比設(shè)計(jì)值小,吸收由熱造成的陰影掩模81的伸長(zhǎng),向陰影掩模81施加張力、對(duì)被成膜基板200進(jìn)行蒸鍍之前進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整(即,被成膜基板200 和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)),從而能夠進(jìn)行蒸鍍位置的微調(diào)整,并且能夠控制由熱造成的陰影掩模81的變形。此外,上述被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn),可以通過(guò)將陰影掩模81對(duì)準(zhǔn)其原點(diǎn)位置(裝置上確定的初始位置),并將該陰影掩模81作為基準(zhǔn),將被成膜基板200 與該陰影掩模81對(duì)合的方法(掩?;鶞?zhǔn))進(jìn)行,也可以通過(guò)將被成膜基板200作為基準(zhǔn), 將陰影掩模81與被成膜基板200對(duì)合的方法(基板基準(zhǔn))進(jìn)行。另外,在本實(shí)施方式中,以下述情況為例進(jìn)行說(shuō)明,即,上述陰影掩模81的開口部 82與上述蒸鍍?cè)?5中射出口 86的配置對(duì)應(yīng),各射出口 86位于平面視圖中任意一個(gè)開口部 82內(nèi),并且開口部82和射出口 86為1對(duì)1的對(duì)應(yīng)設(shè)置。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。 開口部82和射出口 86并不是必須要相對(duì)配置,另外也可以不是1對(duì)1的對(duì)應(yīng)。具體而言,開口部82的間距ρ與射出口 86的間距也可以不一致。另外,開口部82 的寬度d5或?qū)挾萪6與射出口 86的開口寬度(開口徑)也可以不一致。例如,在圖1所示的例子中,射出口 86的開口徑既可以比開口部82的寬度d6大也可以比其小。另外,也可以相對(duì)于一個(gè)開口部82設(shè)置多個(gè)射出口 86,也可以相對(duì)于多個(gè)開口部82設(shè)置一個(gè)射出口 86。另外,也可以使多個(gè)射出口 86中的一部分(至少一個(gè))的射出口 86、或、射出口 86的一部分的區(qū)域,與非開口部(即,陰影掩模81中開口部82以外的區(qū)域(例如開口部82·82 間的區(qū)域))相對(duì)設(shè)置。其中,從降低在陰影掩模81的非開口部上附著的蒸鍍顆粒的量,盡可能提高材料利用效率的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選以各射出口 86的至少一部分(即,至少一部分的區(qū)域)與一個(gè)或多個(gè)開口部82重疊的方式,使各射出口 86分別與開口部82相對(duì)設(shè)置。另外,更優(yōu)選以各射出口 86位于平面視圖中任意一個(gè)開口部82內(nèi)的方式,使射出口 86和開口部82相對(duì)設(shè)置。另外,從提高材料利用效率的觀點(diǎn)出發(fā),希望開口部82和射出口 86為1對(duì)1的對(duì)應(yīng)。
另外,在本實(shí)施方式中,以陰影掩模81的開口部82和蒸鍍?cè)?5的射出口 86 —維 (即,線狀)排列的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。陰影掩模81的開口部82和蒸鍍?cè)?5的射出口 86也可以分別以二維(即,面狀)排列。另外,在本實(shí)施方式中,以陰影掩模81的開口部82和蒸鍍?cè)?5的射出口 86分別設(shè)置多個(gè)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。上述陰影掩模81只要具備至少1個(gè)開口部82即可,蒸鍍?cè)?5只要具備至少1個(gè)射出口 86即可。S卩,陰影掩模81以及蒸鍍?cè)?5可以具有開口部82和射出口 86分別僅設(shè)置1個(gè)的構(gòu)成。即使在這種情況下,也能夠通過(guò)使掩模單元80和被成膜基板200中的至少一方相對(duì)移動(dòng),使蒸鍍顆粒經(jīng)由陰影掩模81的開口部82在被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210上順次蒸鍍,在被成膜基板200上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜。此外,開口部82和射出口 86的數(shù)量沒(méi)有特別限定,可以根據(jù)被成膜基板200的大小等適當(dāng)設(shè)定。另外,在本實(shí)施方式中,以陰影掩模81具有狹縫狀的開口部82(具體而言,在基板掃描方向上以條帶狀延伸設(shè)置的開口部82)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,上述開口部82的形狀,只要以能夠得到所期望的蒸鍍圖案的方式適當(dāng)設(shè)定即可,沒(méi)有特別限定。例如,上述開口部82的形狀可以具有狹縫形狀。此外,在這種情況下,也希望上述開口部82的延伸設(shè)置方向,在上述被成膜基板200為TFT基板10等的陣列基板時(shí),與以條帶狀形成的同一色的子像素的列方向一致。另外,在本實(shí)施方式中,以基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70作為基板保持構(gòu)件71具備靜電卡盤的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。這樣,通過(guò)被成膜基板200由靜電卡盤所保持,能夠有效地防止被成膜基板200因自重造成的撓曲的發(fā)生。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,根據(jù)被成膜基板200的大小,例如,作為上述基板保持構(gòu)件71,也可以使用向基板施加張力而進(jìn)行機(jī)械夾持的輥等的保持構(gòu)件。另外,在本實(shí)施方式中,以作為閘板89,在陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5之間設(shè)置可進(jìn)退的閘板的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,例如,在作為蒸鍍?cè)?5,使用能夠0N/0FF切換的蒸鍍?cè)?5,被成膜基板200中、不需要蒸鍍的部分位于陰影掩模81的開口區(qū)域(即,與開口部82相對(duì)的區(qū)域)的情況下,可以使蒸鍍OFF,不使蒸鍍顆粒飛翔。例如,作為閘板89,也可以為如下構(gòu)成,S卩,通過(guò)封閉蒸鍍?cè)?5的射出口 86將蒸鍍顆粒的射出(放出)停止的閘板89,設(shè)置在蒸鍍?cè)?5上?;蛘?,也可以為如下構(gòu)成,S卩,代替在上述射出口 86上設(shè)置閘板89,基于蒸鍍ON信號(hào)或蒸鍍OFF信號(hào),通過(guò)將蒸鍍?cè)?5的電源0N/0FF,使蒸鍍顆粒的發(fā)生本身停止??傊?,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,因?yàn)槭褂帽然迕娣e(基板尺寸)小的陰影掩模81,并且陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5被一體化,所以并不需要像以往那樣將多個(gè)蒸鍍?cè)?或射出口)中的一部分的蒸鍍?cè)?或射出口)進(jìn)行OFF/OFF控制,只要在非蒸鍍區(qū)域中,將蒸鍍?cè)?5本身,S卩,全部射出口 86進(jìn)行ON或OFF即可。因此,能夠不需要復(fù)雜的機(jī)構(gòu),簡(jiǎn)單地進(jìn)行0N/0FF控制。另外,在本實(shí)施方式中,如上所述,以從TFT基板10側(cè)取出光的底部發(fā)射型的有機(jī) EL顯示裝置1的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。本發(fā)明也能夠適用于從密封基板40側(cè)取出光的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置1。另外,在本實(shí)施方式中,以作為TFT基板10和密封基板40的支撐基板使用玻璃基板的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此。作為這些TFT基板10以及密封基板40中的各支撐基板,在有機(jī)EL顯示裝置1為底部發(fā)射型的有機(jī)EL顯示裝置的情況下,除了玻璃基板以外,例如,也能夠使用塑料基板等的透明基板。另一方面,在上述有機(jī)EL顯示裝置1為頂部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置的情況下,作為上述支撐基板,除了上述那樣的透明基板以外,例如,也能夠使用陶瓷基板等的不透明的基板。另外,在本實(shí)施方式中,以陽(yáng)極(在本實(shí)施方式中,第1電極21)形成為矩陣狀的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,作為上述陽(yáng)極,如果具有作為向有機(jī)EL層供給空穴的電極的功能,則其形狀、材質(zhì)以及大小就沒(méi)有特別限定,例如也可以形成條帶狀。但是從有機(jī)EL元件的性質(zhì)方面考慮,優(yōu)選陽(yáng)極和陰極中的至少一方為透明。一般而言,使用透明的陽(yáng)極。另外,在本實(shí)施方式中,上述掃描速度、蒸鍍速度、上述TFT基板10的往復(fù)掃描次數(shù),并不局限于上述的值。通過(guò)調(diào)整這些,能夠以所期望的生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間得到所期望的膜厚。另外,作為被成膜基板200的TFT基板10和陰影掩模81之間的間隙gl、上述蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的間隙g2也不局限于上述的值。TFT基板10和陰影掩模81之間的間隙gl,只要使間隙保持一定,在兩者不接觸的范圍內(nèi)適當(dāng)調(diào)整即可。另外,蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的間隙g2,只要根據(jù)蒸鍍顆粒的空間上擴(kuò)散的分布和從蒸鍍?cè)?5所放射的熱的影響適當(dāng)調(diào)整即可。另外,在本實(shí)施方式中,以下述情況為例進(jìn)行說(shuō)明,S卩,運(yùn)算部102通過(guò)由圖像檢測(cè)部101所檢測(cè)的圖像,確定被成膜基板200和陰影掩模81的相對(duì)移動(dòng)量時(shí),從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量,運(yùn)算并確定被成膜基板200的基板位置的校正值。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,例如,也可以使用在存儲(chǔ)部(存儲(chǔ)部件)中預(yù)先存儲(chǔ)的對(duì)照表,從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量,確定被成膜基板200的基板位置的校正值。S卩,上述控制電路100也可以具備存儲(chǔ)有上述對(duì)照表的存儲(chǔ)部;和使用上述對(duì)照表,從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量,選擇(確定)被成膜基板200的基板位置的校正值的選擇部?!矊?shí)施方式2〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖14 圖16進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式 1中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖14是表示有機(jī)EL顯示裝置1的變形例的截面圖。在本實(shí)施方式中,代替圖8所示的有機(jī)EL顯示裝置1,對(duì)于制造圖14所示的有機(jī) EL顯示裝置1的方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,使空穴輸送層的膜厚對(duì)應(yīng)各個(gè)R、G、B顏色,即,對(duì)應(yīng)每個(gè)子像素 2R · 2G · 2B進(jìn)行變化而優(yōu)化。圖14所示的有機(jī)EL顯示裝置1,代替圖8所示的有機(jī)EL顯示裝置1中空穴注入層兼空穴輸送層22,具備空穴注入層27和空穴輸送層^R · 28G · 28B.空穴輸送層 28R · 28G · 28B分別由相同的材料構(gòu)成,僅其膜厚各自不同。
在本實(shí)施方式中,如圖14所示,在各子像素2R*2G*2B中各開口部15R*15G*15B 內(nèi),空穴輸送層28R和發(fā)光層23R、空穴輸送層28G和發(fā)光層23G、空穴輸送層28B和發(fā)光層 23B分別從空穴注入層27側(cè)順次鄰接疊層。在本實(shí)施方式中,除了發(fā)光層23R · 23G · 23B,對(duì)于上述空穴輸送層^R · 28G · 28B 也進(jìn)行分別涂布形成(圖案形成)。圖15是以工序順序表示圖14所示的有機(jī)EL顯示裝置1的制造工序的流程圖。另夕卜,圖16的(a) (c)是分別表示紅色的子像素2R、綠色的子像素2G、藍(lán)色的子像素2B蒸鍍時(shí)的TFT基板10和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)的平面圖,圖16的(a)表示紅色的子像素2R蒸鍍時(shí)的平面圖,圖16的(b)表示綠色的子像素2G蒸鍍時(shí)的平面圖,圖16的(c)表示藍(lán)色的子像素2B蒸鍍時(shí)的平面圖。本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置1的制造方法,如圖15所示,代替空穴注入層·空穴輸送層蒸鍍工序(S2),具備空穴注入層蒸鍍工序(S51)與空穴輸送層蒸鍍工序 (S52)。此外,對(duì)于S2以外的步驟(工序),與上述實(shí)施方式1記載的各步驟相同。因此, 在本實(shí)施方式中,對(duì)于空穴注入層蒸鍍工序(S51)和空穴輸送層蒸鍍工序(S52)以外的各步驟,省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,對(duì)于與上述實(shí)施方式1中TFT基板制作工序(Si)同樣制作的 TFT基板10,首先,與上述實(shí)施方式1同樣,實(shí)施用于脫水的減壓烘烤和作為第1電極21的表面清洗的氧等離子體處理。然后,使用現(xiàn)有的蒸鍍裝置,與上述實(shí)施方式1同樣操作,將空穴注入層27對(duì)于 TFT基板10內(nèi)的顯示區(qū)域整面進(jìn)行蒸鍍(S51)。在本實(shí)施方式中,作為空穴注入層27的材料,使用m-MTDATAG、4,4”_三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)-三苯基胺),將其膜厚設(shè)為30nm。接著,使用上述實(shí)施方式1記載的蒸鍍裝置50,進(jìn)行空穴輸送層^R -28G.28B的分別涂布形成(S52)。如圖16的(a) (c)所示,在TFT基板10上,作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,分別設(shè)置子像素 2R用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221R、子像素2G用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221G、子像素2B用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記22IB。另外, 在陰影掩模81上,作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,分別設(shè)置子像素2R用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84R、子像素2G用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84G、子像素2B用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84B。在空穴輸送層^R · 28G · 28B的蒸鍍時(shí),在圖10中由Sll和S14所示的TFT基板 10和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)中,首先,使用子像素2R用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84R· 221R進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。然后,僅是材料與發(fā)光層23R · 23G · 23B不同,使用同樣的蒸鍍方法,形成子像素 2R的空穴輸送層^R。接著,將形成有空穴輸送層^R WTFT基板10,在與基板掃描方向垂直的方向上挪動(dòng),使用子像素2G用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84G-221G進(jìn)行調(diào)準(zhǔn),與空穴輸送層^R同樣操作,形成子像素2G用的空穴輸送層^G。然后,將形成有空穴輸送層28G的TFT基板10,在與基板掃描方向垂直的方向上挪動(dòng),使用子像素2B用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84B · 221B進(jìn)行調(diào)準(zhǔn),與空穴輸送層^R · 28G同樣操作, 形成子像素2B用的空穴輸送層^B。
這些空穴輸送層^R · 28G · 28B的各膜厚,能夠通過(guò)對(duì)應(yīng)各子像素2R.2G.2B,改變作為被成膜基板200的TFT基板10的掃描速度或往復(fù)次數(shù)而改變。在本實(shí)施方式中,以子像素2R、子像素2B、子像素2G的順序(即,空穴輸送層^R、 空穴輸送層^B、空穴輸送層28G的順序)膜厚變厚的方式設(shè)定各空穴輸送層^R -28G ·28Β 的膜厚。在本實(shí)施方式中,作為空穴輸送層^R *28G ·28Β的材料使用α -NPD,各個(gè)膜厚順次設(shè)為 50nm、150nm、100nm。這樣,根據(jù)本實(shí)施方式,因?yàn)槟軌蚴箍昭ㄝ斔蛯觀R · 28G · 28B的膜厚在各色(各子像素2R · 2G · 2B)中可變,所以能夠在各色中優(yōu)化微腔效應(yīng)。此外,微腔效應(yīng)是指通過(guò)子像素2R · 2G · 2B所形成的光學(xué)的共振結(jié)構(gòu),在第1電極21和第2電極沈之間發(fā)生的光往復(fù)共振,其結(jié)果,會(huì)發(fā)生發(fā)光光譜的尖銳化和色純度的提高的現(xiàn)象。因?yàn)榘l(fā)生最優(yōu)微腔效應(yīng)的光學(xué)的距離在各色的發(fā)光波長(zhǎng)中不同,所以需要在各色中調(diào)整光學(xué)的距離,作為其中一個(gè)方法,如上所述,有使特定的有機(jī)層的膜厚可變的方法。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,雖然將空穴輸送層^R · 28G · 28B的膜厚對(duì)應(yīng)各顏色而改變,但本實(shí)施方式并不局限于此。不限于空穴輸送層^R · 28G · ^B,對(duì)于空穴注入層27、電子輸送層24、電子注入層25、或、上述沒(méi)有圖示的載流子阻擋層等,也可以通過(guò)本發(fā)明的方法對(duì)應(yīng)各顏色改變膜厚而形成。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,由圖16的(a) (C)所示的調(diào)準(zhǔn)方法,對(duì)應(yīng)每個(gè)子像素2R · 2G · 2B分別形成空穴輸送層^R · 28G · 28B,由此沒(méi)有必要對(duì)應(yīng)每個(gè)子像素2R · 2G · 2B替換陰影掩模81,另外,能夠在同一個(gè)真空腔室60中形成空穴輸送層 28R · 28G · 28B。而且,因?yàn)槟軌蛞訲FT基板10的掃描速度和往復(fù)次數(shù)控制膜厚,所以沒(méi)有必要對(duì)應(yīng)每個(gè)空穴輸送層^R · 28G · 28B改變蒸鍍顆粒從蒸鍍?cè)?5蒸發(fā)的速率(蒸鍍速率)。以往,為了使蒸鍍速率可變,例如蒸鍍?cè)词褂蜜釄鍟r(shí),需要通過(guò)溫度進(jìn)行控制。因此,有在溫度的穩(wěn)定化上花費(fèi)時(shí)間,或伴隨溫度的波動(dòng)而易于在蒸鍍速率上產(chǎn)生不勻的問(wèn)題點(diǎn)。然而,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,因?yàn)椴皇菧囟瓤刂疲悄軌蛴蓲呙杷俣群屯鶑?fù)次數(shù)控制膜厚,所以不發(fā)生那樣的問(wèn)題。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,以在TFT基板10上設(shè)置各子像素2R · 2G · 2B 用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221R · 221G · 221B,并在陰影掩模81上設(shè)置各子像素2R · 2G · 2B用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84R · 84G · 84B的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,可以使上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221R· 221G· 221B或調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84R · 84G · 84B中的任意一個(gè)共通。例如,也可以通過(guò)將陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的圖案僅設(shè)為一個(gè),將其調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84與TFT基板10中各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221R · 221G · 221B順次對(duì)準(zhǔn)進(jìn)行蒸鍍,由此分別形成各空穴輸送層^R · 28G · 28B0另外,也能夠作為陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84對(duì)應(yīng)每個(gè)子像素2R · 2G · 2B形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84R · 84G · 84B,將TFT基板10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221在子像素 2R · 2G · 2B中共通化僅設(shè)為一個(gè)。
此外,將各色用的蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81在基板掃描方向上并列配置,在對(duì)應(yīng)各種顏色(各子像素2R · 2G · 2B)形成空穴輸送層^R · 28G · 28B的情況下,只要TFT基板 10的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84分別在TFT基板10和陰影掩模81上各設(shè)一個(gè)即可,由此,也可以進(jìn)行在線蒸鍍。〔實(shí)施方式3〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖17和圖18進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1、2的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1、2中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖17是本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要構(gòu)成要素的俯視圖。另外,圖18是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60 (參照?qǐng)D3)內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50具有與實(shí)施方式1所示的蒸鍍裝置50同樣的構(gòu)成要素。此外,在圖17和圖18中,對(duì)于一部分構(gòu)成要素,省略圖示。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,如圖17和圖18所示,掩模單元80和保持被成膜基板200的基板保持構(gòu)件71的配置,在上下反轉(zhuǎn),在該方面與實(shí)施方式1涉及的蒸鍍裝置 50不同。在本實(shí)施方式中,基板保持構(gòu)件71,例如具備稱為xy臺(tái)的在χ方向和y方向上可以移動(dòng)地設(shè)置的基板臺(tái),被成膜基板200由該基板臺(tái)保持。此外,上述基板臺(tái)也可以具有靜電卡盤功能。另外,基板保持構(gòu)件71也可以代替上述基板臺(tái),具備如上述實(shí)施方式1所說(shuō)明的輥,由輥保持被成膜基板200并使其移動(dòng)。另外,在本實(shí)施方式中,掩模單元80,例如,通過(guò)固定于真空腔室60、例如載置陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5進(jìn)行收納·固定的支架等沒(méi)有圖示的掩模保持構(gòu)件(掩模保持構(gòu)件 87,參照?qǐng)D幻,陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5被一體地保持。此外,上述掩模保持構(gòu)件可以固定在真空腔室60的頂壁或周壁,也可以由從底壁延伸的沒(méi)有圖示的支軸(支柱)固定在底壁。另外,在固定掩模單元80,使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)的情況下,例如,也可以使蒸鍍?cè)?5直接固定于真空腔室60 (參照?qǐng)D3)的頂壁,陰影掩模81通過(guò)沒(méi)有圖示的掩模保持構(gòu)件固定在上述真空腔室60的內(nèi)壁的任意一處。另外,也可以在真空腔室60的頂壁設(shè)置設(shè)有蒸鍍?cè)?5的射出口 86的天窗,蒸鍍?cè)?5的主體部分也可以配置 (載置)在真空腔室60的外側(cè)??傊鲜鲅谀卧?0只要陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置固定即可。在本實(shí)施方式中,如圖17和圖18所示,蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81配置在被成膜基板200的上方,由此蒸鍍顆粒從蒸鍍?cè)?5的射出口 86向下方射出。此外,蒸鍍?cè)?5具有向下方射出蒸鍍顆粒的機(jī)構(gòu)。從蒸鍍?cè)?5射出的蒸鍍顆粒經(jīng)由陰影掩模81的開口部82,蒸鍍?cè)谕ㄟ^(guò)其下的被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210(參照?qǐng)D 1)上。S卩,對(duì)于在上述實(shí)施方式1記載的蒸鍍方法中,通過(guò)D印0- 進(jìn)行蒸鍍的方法,在本實(shí)施方式中,如上所述,蒸鍍?cè)?5配置在被成膜基板200的上方,如上所述,經(jīng)由陰影掩模81的開口部82使蒸鍍顆粒從上方向下方蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上(Down Deposition,以下記為“D印o-Down”)。 在實(shí)施方式1中,為了防止被成膜基板200的自重?fù)锨?,并且將被成膜基?00和陰影掩模81的距離維持一定,作為基板保持構(gòu)件71,通過(guò)靜電卡盤吸附被成膜基板200。然而,在本實(shí)施方式中,因?yàn)槿缟纤鐾ㄟ^(guò)D印o-Down進(jìn)行蒸鍍,所以如上所述通過(guò)基板臺(tái)或輥,只要在不發(fā)生自重?fù)锨某潭缺3直怀赡せ?00即可。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,可以將蒸鍍裝置50的結(jié)構(gòu)設(shè)為簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),沒(méi)有由吸附不良造成的大型的被成膜基板200落下的危險(xiǎn)性,能夠期待蒸鍍裝置50的穩(wěn)定工作以及成品率的提高。〔實(shí)施方式4〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖19的(a) (C)進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 3的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 3中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖19的(a)是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50的真空腔室60內(nèi)、蒸鍍時(shí)的掩模單元80和被成膜基板200的位置關(guān)系的平面圖,圖19的(b) · (c)是分別由箭頭表示基板掃描方向的一例的圖。此外,在圖19的(a)中對(duì)于一部分構(gòu)成要素省略圖示。本實(shí)施方式,如圖19的(a)所示,在掩模單元80中陰影掩模81的開口部82的長(zhǎng)軸方向上掃描被成膜基板200,在這點(diǎn)上與實(shí)施方式1不同。S卩,在本實(shí)施方式中,在圖10所示的S12中,使用陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,以使基板掃描方向和陰影掩模81的開口部82的長(zhǎng)軸方向一致的方式進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。因此,在本實(shí)施方式中,如圖19的(a)所示,在被成膜基板200中蒸鍍區(qū)域210的外側(cè),沿著與基板掃描方向垂直的方向,即,沿著蒸鍍區(qū)域210的長(zhǎng)邊210a,設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部 220。另外,在本實(shí)施方式中,與上述實(shí)施方式1同樣,開口部82沿著作為陰影掩模81 的長(zhǎng)軸方向的長(zhǎng)邊81a以條帶狀形成。因此,在本實(shí)施方式中,在如圖10所示的S13中,以被成膜基板200的長(zhǎng)軸方向和陰影掩模81的短軸方向一致的方式,被成膜基板200通過(guò)基板保持構(gòu)件71在上述實(shí)施方式1旋轉(zhuǎn)90°后的狀態(tài)下保持。在本實(shí)施方式中,例如,如圖19的(a) (c)所示,使被成膜基板200,沿著被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的一邊(短邊210b)相對(duì)于陰影掩模81相對(duì)移動(dòng)后,沿著與上述邊正交的邊(長(zhǎng)邊210a)相對(duì)移動(dòng)。在本實(shí)施方式中,在圖10所示的S13之后,作為蒸鍍工序,重復(fù)進(jìn)行沿著上述被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的一邊的相對(duì)移動(dòng)、和沿著與該邊正交的邊的相對(duì)移動(dòng)(曲折移動(dòng)、曲折掃描)。在本實(shí)施方式中,在基板掃描前進(jìn)行充分的調(diào)準(zhǔn),在基板掃描中不進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。在被成膜基板200中,如圖19的(a)所示,在基板掃描方向中,夾著被成膜基板 200的蒸鍍區(qū)域210設(shè)置2個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220。因此,以下為了說(shuō)明的方便,在上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220中,如圖19的(a)中實(shí)線所示,在掃描開始時(shí),將在基板掃描方向上位于上游側(cè)(始端側(cè))的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220稱為“第 1調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220”,另一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220稱為“第2調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220”。
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在本實(shí)施方式中,被成膜基板200和陰影掩模81,首先,如圖19中實(shí)線所示,以被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210與陰影掩模81的開口部82不重疊的方式,在陰影掩模81的蒸鍍區(qū)域外進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。具體而言,首先,將被成膜基板200的第1調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221作為始端標(biāo)記,通過(guò)該始端標(biāo)記、和與上述第1調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220相對(duì)的陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83(以下,為了說(shuō)明的方便,稱為“第1調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83”)中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。接著,如圖19的(a)中由兩點(diǎn)劃線以及箭頭所示,沿著陰影掩模81的長(zhǎng)軸方向 (即,被成膜基板200的短軸方向)掃描被成膜基板200。由此,經(jīng)由陰影掩模81的開口部82,在被成膜基板200中的蒸鍍區(qū)域210,在與實(shí)施方式例1差別90°的方向上,形成上述條帶狀的蒸鍍膜211。接著,如圖19的(a)的最下段所示,上述被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210完全通過(guò)陰影掩模81的開口部82,由此在被成膜基板200被掃描至蒸鍍區(qū)域210外時(shí),使用與上述第1調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220 · 83相反側(cè)的第2調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220 ·83中的上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 ·84, 再次進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。此時(shí),將上述第2調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221作為終端標(biāo)記,使用上述第2 調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220 · 83中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 · 84,如圖19的(a) · (b)中箭頭和兩點(diǎn)劃線所示, 將被成膜基板200在陰影掩模81的短軸方向挪動(dòng)。然后,將被成膜基板200如上所述在陰影掩模81的短軸方向挪動(dòng)時(shí)的上述第2調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221作為始端標(biāo)記, 使用上述第2調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220 · 83中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 · 84進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。然后,如圖19的(a) · (b)所示,通過(guò)在與目前為止相反的方向(即,與第1次的基板掃描方向相反的方向)上掃描被成膜基板200,對(duì)于未蒸鍍區(qū)域再掃描被成膜基板200。此外,此時(shí),在由往復(fù)掃描在相同地方進(jìn)行多次蒸鍍的情況下,如圖19的(C)中由箭頭所示,沿著陰影掩模81的長(zhǎng)軸方向,使基板掃描方向反轉(zhuǎn),重復(fù)對(duì)相同地方的蒸鍍。然后,通過(guò)該往復(fù)掃描,在蒸鍍區(qū)域210的一部分區(qū)域形成所期望膜厚的蒸鍍膜211 (第η次掃描結(jié)束)時(shí),如上所述,將被成膜基板200在陰影掩模81的短軸方向挪動(dòng),對(duì)于未蒸鍍區(qū)域,與第η次掃描同樣操作進(jìn)行第η+1次掃描。通過(guò)重復(fù)這些操作,能夠在被成膜基板200 的蒸鍍區(qū)域210的整面上形成條帶狀的蒸鍍膜211。由此,使用被成膜基板200中、與基板掃描方向垂直的方向的蒸鍍區(qū)域210的寬度 (在本實(shí)施方式中,相比于與陰影掩模81的短邊81b相對(duì)的長(zhǎng)邊210a的寬度d4,與基板掃描方向垂直的方向的寬度(短邊gib的寬度業(yè))短的陰影掩模81,能夠在被成膜基板200 的蒸鍍區(qū)域210的整面上形成所期望膜厚的蒸鍍膜211。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,為了實(shí)現(xiàn)陰影掩模81的進(jìn)一步小型化,也可以使用全部邊的寬度都比被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的各邊短的陰影掩模81。另外,在本實(shí)施方式中,因?yàn)楸怀赡せ?00的停止僅在使基板掃描方向反轉(zhuǎn)(切換)的一瞬間,而在移動(dòng)中也進(jìn)行蒸鍍,所以生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間不會(huì)變長(zhǎng)?!矊?shí)施方式5〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖20進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 4的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 4中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。
圖20是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50的真空腔室60內(nèi)、蒸鍍時(shí)的掩模單元 80和被成膜基板200的位置關(guān)系的平面圖。此外,在圖20中,對(duì)于一部分構(gòu)成要素,省略圖
7J\ ο本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,如圖20所示,在同一真空腔室60內(nèi),設(shè)置多個(gè)掩模單元80,各掩模單元80中矩形(帶狀)的陰影掩模81,在其短軸方向并列設(shè)置多個(gè),在該方面與上述實(shí)施方式4中的蒸鍍裝置50不同。具體而言,在上述真空腔室60內(nèi),作為掩模單元80,設(shè)置有發(fā)光層23R形成用的掩模單元(以下,記為“掩模單元80R”)、發(fā)光層23G形成用的掩模單元(以下,記為“掩模單元80G”)、發(fā)光層2 形成用的掩模單元(以下,記為“掩模單元80B”)3個(gè)掩模單元。掩模單元80R,作為陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5,具備發(fā)光層23R形成用的陰影掩模 (以下,記為“陰影掩模81R”)和相對(duì)于該陰影掩模81R位置相對(duì)固定的蒸鍍?cè)?以下,記為“蒸鍍?cè)?5R”)。同樣,掩模單元80G,作為陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5,具備發(fā)光層23G形成用的陰影掩模(以下,記為“陰影掩模81G”)和相對(duì)于該陰影掩模81G位置相對(duì)固定的蒸鍍?cè)?以下,記為“蒸鍍?cè)?5G”)。掩模單元80B,作為陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5,具備發(fā)光層2 形成用的陰影掩模 (以下,記為“陰影掩模81B”)和相對(duì)于該陰影掩模81B位置相對(duì)固定的蒸鍍?cè)?以下,記為“蒸鍍?cè)?5B,,)。這些掩模單元80R · 80G · 80B中各陰影掩模8IR · 8IG · 8IB分別以互相的長(zhǎng)邊 81a之間接近的方式并列設(shè)置。在本實(shí)施方式中,與上述實(shí)施方式4相同,在S12中,以基板掃描方向與陰影掩模 81R · 81G · 81B中各個(gè)開口部82的長(zhǎng)軸方向一致的方式進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。另外,被成膜基板200,在S13中,以被成膜基板200的長(zhǎng)軸方向與陰影掩模 81R · 81G · 81B的短軸方向一致的方式,與上述實(shí)施方式4同樣,通過(guò)基板保持構(gòu)件71,在上述實(shí)施方式1旋轉(zhuǎn)90°后的狀態(tài)下保持,S13之后,作為蒸鍍工序,進(jìn)行與上述實(shí)施方式 4同樣的由曲折移動(dòng)進(jìn)行的曲折掃描。圖20表示被成膜基板200橫跨陰影掩模81G · 81B的狀態(tài)。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)將各色的掃描速度和往復(fù)次數(shù)調(diào)整一致,如圖20所示,一邊使被成膜基板200橫跨多個(gè)陰影掩模81,一邊使多個(gè)有機(jī)層(例如發(fā)光層23R -23G -23B 中的至少2個(gè))在同一被成膜基板200上同時(shí)蒸鍍。在現(xiàn)有的蒸鍍裝置以及蒸鍍方法中,例如分別涂布形成各色的發(fā)光層時(shí),對(duì)每個(gè)發(fā)光層準(zhǔn)備真空腔室,或在同一真空腔室中,切換(更換)陰影掩模和蒸鍍?cè)?,只是按照時(shí)間順序分別(非同時(shí)地)形成各發(fā)光層。然而,根據(jù)本實(shí)施方式,因?yàn)槿缟纤瞿軌蚴苟鄠€(gè)有機(jī)層同時(shí)蒸鍍,所以如上所述將各色的陰影掩模81R · 81G · 81B收納在一個(gè)真空腔室60內(nèi),由此能夠僅由一個(gè)真空腔室 60,形成全部發(fā)光層23R · 23G · 23B的圖案。而且,通過(guò)如上所述同時(shí)蒸鍍多個(gè)有機(jī)層,能夠縮短蒸鍍裝置50的生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間?!矊?shí)施方式6〕
對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖21進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 5的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 5中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖21是表示本實(shí)施方式涉及的掩模單元80中陰影掩模81的開口部82的長(zhǎng)軸方向和基板掃描方向的關(guān)系的平面圖。在本實(shí)施方式中,被成膜基板200,與上述實(shí)施方式4相同,在S13中,以被成膜基板200的長(zhǎng)軸方向和陰影掩模81R · 81G · 81B的短軸方向一致的方式,通過(guò)基板保持構(gòu)件 71,在上述實(shí)施方式1旋轉(zhuǎn)90°的狀態(tài)下保持。其中,在上述實(shí)施方式4中進(jìn)行了曲折掃描,但在本實(shí)施方式中,如圖20所示,與實(shí)施方式1同樣,沿著陰影掩模81的短軸方向掃描被成膜基板200。因此,在本實(shí)施方式中,不是使被成膜基板200連續(xù)地移動(dòng),而是在被成膜基板 200中蒸鍍區(qū)域210的一部分區(qū)域上,形成與陰影掩模81的開口部82相同形狀的蒸鍍膜 211后,以開口部82位于未蒸鍍區(qū)域的方式,沿著陰影掩模81的短軸方向,使被成膜基板 200相對(duì)移動(dòng)(位移)規(guī)定的寬度、例如相當(dāng)于開口部82的間距ρ與開口部82的個(gè)數(shù)相乘后的寬度。然后,在該狀態(tài)下,保持被成膜基板200并使其靜止,在未蒸鍍區(qū)域形成與陰影掩模81的開口部82相同形狀的蒸鍍膜211。此外,在本實(shí)施方式中,“靜止”是指將陰影掩模81和被成膜基板200的向掃描方向的相對(duì)移動(dòng)停止,即,停止掃描的意思。因此,在本實(shí)施方式中,作為上述蒸鍍?cè)?5,使用射出口 86 二維配置的面蒸鍍?cè)础?在本實(shí)施方式中,蒸鍍?cè)?5的射出口 86在陰影掩模81的開口部82的整面上配置。S卩,在本實(shí)施方式中,為了能夠在陰影掩模81的開口部82全體中使蒸鍍顆粒蒸鍍,對(duì)于一個(gè)開口部82設(shè)置多個(gè)射出口 86,并且各射出口 86沿著各開口部82的長(zhǎng)軸方向排列設(shè)置。在本實(shí)施方式中,如上所述,通過(guò)蒸鍍一挪動(dòng)并保持、靜止一蒸鍍一稍微挪動(dòng)并保持、靜止一蒸鍍這樣地重復(fù)靜止?fàn)顟B(tài)即停止掃描狀態(tài)下的蒸鍍(成膜)和相對(duì)移動(dòng),能夠在被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的整面上形成與陰影掩模81的開口部82相同形狀的蒸鍍膜 211。根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,斷續(xù)地進(jìn)行通過(guò)陰影掩模81和被成膜基板200的相對(duì)移動(dòng)的掃描。其中,即使在這樣地?cái)嗬m(xù)地進(jìn)行通過(guò)陰影掩模81和被成膜基板200的相對(duì)移動(dòng)的掃描的情況下,陰影掩模81和被成膜基板200的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn),即,調(diào)準(zhǔn)調(diào)整和基板-掩模間隔的調(diào)整(間隔控制)優(yōu)選連續(xù)進(jìn)行,沒(méi)有停止蒸鍍本身的必要。S卩,在本實(shí)施方式中,在使陰影掩模81和被成膜基板200的掃描停止時(shí),也優(yōu)選連續(xù)地進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整和基板-掩模間隔的調(diào)整。即使這樣通過(guò)連續(xù)地進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)和間隔控制,例如將間板89關(guān)閉等將靜止?fàn)顟B(tài)的成膜停止,進(jìn)入下一個(gè)掃描工序(例如基板掃描工序),在下次靜止時(shí),由于沒(méi)有必要重新更改調(diào)準(zhǔn)和間隔控制,所以能夠縮短生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間。〔實(shí)施方式7〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖M和圖25進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 6的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 6中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖M是從被成膜基板200的背面?zhèn)扔^察本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的被成膜基板200和掩模單元80的平面圖。另外,圖25是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外,圖25相當(dāng)于從圖M所示的C-C線箭頭方向截面觀察時(shí)的蒸鍍裝置50的截面。其中,在本實(shí)施方式中, 為了圖示的方便,省略陰影掩模81的開口部和蒸鍍膜等的構(gòu)成的一部分。在本實(shí)施方式中,主要對(duì)掩模單元80的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。如圖M和圖25所示,本實(shí)施方式涉及的掩模單元80中掩模張力機(jī)構(gòu)88具備將陰影掩模81在施加張力的狀態(tài)下固定(拉緊)在裝置(即,蒸鍍裝置50)上的掩模夾 130(夾子、夾子部件)。上述掩模夾130分別設(shè)置在陰影掩模81的長(zhǎng)度方向兩端部(即, 短邊 81b · 81b)。另外,上述掩模單元80,作為支撐陰影掩模81的掩模保持構(gòu)件87,具備在與陰影掩模81的抵接部上具有掩模支撐部141 · 141(掩模支撐棒、掩模保持臺(tái))的掩模固定臺(tái)。 艮口,在本實(shí)施方式中,上述掩模支撐部141 · 141發(fā)揮作為與陰影掩模81的抵接構(gòu)件的功能。此外,在本實(shí)施方式中,掩模保持構(gòu)件87既可以固定在真空腔室60的頂壁或周壁上,也可以由從底壁延伸的沒(méi)有圖示的支軸(支柱)固定在底壁上。因此,上述掩模支撐部 141 ·141既可以固定在真空腔室60的頂壁或周壁上,也可以由從底壁延伸的沒(méi)有圖示的支軸(支柱)固定在底壁上。即,上述掩模支撐部141 · 141本身可以是支撐陰影掩模81的支撐構(gòu)件(掩模保持部件)。另外,作為上述掩模固定臺(tái)(掩模保持構(gòu)件87),使用保持 固定陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的支架的情況下,上述掩模支撐部141 · 141可以是保持·固定蒸鍍?cè)?5的支架的一部分。即,上述掩模支撐部141 · 141可以安裝在保持·固定蒸鍍?cè)?5的支架上。因此,上述掩模夾130 · 130,可以將陰影掩模81,在施加張力的狀態(tài)下,固定在例如真空腔室60的內(nèi)壁的任何地方,也可以固定在支架等的掩模保持構(gòu)件87上。此外,上述掩模夾130 · 130只要能夠?qū)㈥幱把谀?1在施加張力的狀態(tài)下固定在裝置上即可,其材質(zhì)和形狀沒(méi)有特別限定。S卩,作為上述掩模夾130 · 130,只要是在不施加張力的狀態(tài)下,安裝有掩模夾 130 · 130的陰影掩模81的全長(zhǎng),比經(jīng)由掩模支撐部141 · 141上連接裝置內(nèi)部的陰影掩模 81的固定部間的直線距離(長(zhǎng)度)短,通過(guò)施加張力,能夠在裝置內(nèi)部的陰影掩模81的固定部間拉緊架設(shè)陰影掩模81的掩模夾即可。此外,在這里,“經(jīng)由掩模支撐部141 -141上, 裝置內(nèi)部的陰影掩模81的固定部間,,是指蒸鍍裝置50中陰影掩模81的固定位置間。另外,上述掩模張力機(jī)構(gòu)88,如圖25所示,優(yōu)選通過(guò)掩模夾130 · 130在陰影掩模 81上向傾斜方向施加張力。上述掩模支撐部141 · 141,例如,在圖M和圖25中,設(shè)置在陰影掩模81的下側(cè) (即,陰影掩模81中,與被成膜基板200的相對(duì)面的相反側(cè))中、掩模夾130 · 130與作為蒸鍍區(qū)域的開口部形成區(qū)域(即,開口部82組)之間的區(qū)域(具體而言,陰影掩模81的長(zhǎng)度方向兩端部附近)。由此,在圖M和圖25所示的例子中,上述掩模夾130 ·130,將掩模支撐部141 ·141 作為支點(diǎn),在陰影掩模81上向斜下方施加張力。
S卩,上述掩模支撐部141 -141通過(guò)載置上述陰影掩模81,在保持上述陰影掩模81 和被成膜基板200的平行的狀態(tài)下保持陰影掩模81,并且發(fā)揮作為向上述陰影掩模81施加張力時(shí)的支點(diǎn)的功能。這樣,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,作為掩模張力機(jī)構(gòu)88,設(shè)置具有掩模支撐部 141 · 141的掩模固定臺(tái),通過(guò)在陰影掩模81上向斜下方施加張力,能夠防止陰影掩模81 的起伏。其結(jié)果能夠精度良好地調(diào)準(zhǔn)被成膜基板200和陰影掩模81。另外,對(duì)于蒸鍍區(qū)域 210也可以減輕陰影掩模81的起伏,所以能夠改善被成膜基板200的蒸鍍偏差。這樣,在本實(shí)施方式中,上述實(shí)施方式1同樣,通過(guò)進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn),能夠調(diào)整被成膜基板200中的蒸鍍位置。另外,在本實(shí)施方式中,被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn),可以利用將陰影掩模81對(duì)準(zhǔn)于蒸鍍裝置50的原點(diǎn),將該陰影掩模81作為基準(zhǔn),在該陰影掩模81上對(duì)合被成膜基板200的方法(掩?;鶞?zhǔn))進(jìn)行,也可以利用將被成膜基板200作為基準(zhǔn),在被成膜基板200上對(duì)合陰影掩模81的方法(基板基準(zhǔn))進(jìn)行。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,通過(guò)掩模夾130,調(diào)整陰影掩模81的位置和張力。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)使掩模夾130移動(dòng)到其原點(diǎn)位置(裝置上確定的初始位置),能夠?qū)㈥幱把谀?1本身調(diào)整(配置)到其原點(diǎn)位置。在本實(shí)施方式中,被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn),也能夠使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221,與上述實(shí)施方式1同樣操作進(jìn)行,作為蒸鍍膜211的圖案形成,如上所述例如進(jìn)行發(fā)光層23R · 23G · 23Β等的有機(jī)EL層的圖案形成時(shí),能夠?qū)⑦@些有機(jī)EL層,精度良好地分別涂布而蒸鍍。此外,在本實(shí)施方式中,同一基板的基板掃描優(yōu)選進(jìn)行1次 多次,進(jìn)行成膜直到目的的膜厚。另外,在本實(shí)施方式中,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的基板位置校正,如在上述實(shí)施方式1中所說(shuō)明的,希望在被成膜基板200進(jìn)入來(lái)自蒸鍍?cè)?5的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)之前進(jìn)行。因此,在本實(shí)施方式中,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221(調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220)也如圖M所示,優(yōu)選在基板掃描方向從蒸鍍區(qū)域210的靠前的位置設(shè)置,在進(jìn)行往復(fù)蒸鍍時(shí),優(yōu)選從蒸鍍區(qū)域210的相反側(cè)的靠前的位置設(shè)置。另外,為了確保上述蒸鍍區(qū)域210,在不能將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220)比上述蒸鍍區(qū)域210突出設(shè)置的情況下,如上所述,也可以將陰影掩模81的開口部82的掃描方向的開口寬度縮短等,將陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84相對(duì)于陰影掩模81的開口部82相對(duì)地配置在外側(cè)。換言之,也可以通過(guò)在陰影掩模81側(cè),使調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)地配置在由上述蒸鍍?cè)?5而產(chǎn)生的蒸鍍區(qū)域的外側(cè),如上所述,在陰影掩模81側(cè)進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)位置的調(diào)整。另外,如圖5的(b) .(c)所示,在陰影掩模81上設(shè)置基板掃描方向的寬度小于陰影掩模81的基板掃描方向的寬度的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84時(shí),根據(jù)與上述同樣的理由,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84, 如圖M所示,優(yōu)選設(shè)置在陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部(即,基板掃描方向的上游側(cè)端部)。另外,在進(jìn)行往復(fù)蒸鍍時(shí),優(yōu)選在基板掃描方向兩端部(即四角)設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 84。
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另外,在本實(shí)施方式中,用于向陰影掩模81施加張力的掩模張力機(jī)構(gòu)88,如上所述,并不是作為對(duì)于被成膜基板200的夾具(掩模夾具,工件夾具),而是作為蒸鍍裝置50 的一部分(機(jī)構(gòu))而設(shè)置。因此,在本實(shí)施方式中,如上所述,使用通過(guò)在被成膜基板200和陰影掩模81之間設(shè)置一定的間隙gl,不使被成膜基板200和陰影掩模81粘附的蒸鍍方式,通過(guò)在蒸鍍裝置 50設(shè)置上述掩模張力機(jī)構(gòu)88,能夠改善陰影掩模81的撓曲以及熱膨張。另外,能夠配合蒸鍍時(shí)的狀況(例如,陰影掩模81的熱膨張和被成膜基板200的完成精度),由張力調(diào)整陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)精度。此外,在本實(shí)施方式中,上述掩模張力機(jī)構(gòu)88為了抑制由向陰影掩模81施加張力帶來(lái)的陰影掩模81的撓曲,希望能夠設(shè)定最小張力(MIN)。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,以掩模保持構(gòu)件87 (掩模固定臺(tái))具有設(shè)置在陰影掩模81的長(zhǎng)度方向兩端部附近的掩模支撐部141 · 141作為與陰影掩模81抵接的抵接構(gòu)件的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,上述掩模保持構(gòu)件87也可以具備圍繞陰影掩模81的開口部82框狀的抵接構(gòu)件。在該情況下,上述抵接構(gòu)件能夠平行地保持上述陰影掩模81,并且可以作為向陰影掩模81施加張力時(shí)的支點(diǎn)使用。另外,在本實(shí)施方式中,如上所述,作為使上述掩模夾130 · 130以掩模支撐部 141 ·141為支點(diǎn),在陰影掩模81上向傾斜方向施加張力的例子,如圖25和圖沈所示,以向斜下方施加張力的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,也可以將與陰影掩模81抵接的抵接構(gòu)件(例如, 上述掩模支撐部141 · 141)設(shè)置在圖25和圖沈中的上側(cè),即,陰影掩模81中與被成膜基板200的相對(duì)面?zhèn)龋蛐鄙戏绞┘訌埩?。如上所述,向陰影掩?1施加張力時(shí),以其本身被固定不進(jìn)行動(dòng)作的掩模支撐部 141 ·141等、與陰影掩模81的上表面或下表面抵接的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn),在陰影掩模81上向傾斜方向施加張力,由此能夠在陰影掩模81上容易地施加張力。另外,上述掩模單元80具備掩模支撐部141 · 141等的抵接構(gòu)件,上述掩模張力機(jī)構(gòu)88具有以上述掩模固定臺(tái)等的支撐構(gòu)件中掩模支撐部141 · 141等的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn)在上述陰影掩模81上從傾斜方向施加張力的機(jī)構(gòu),由此能夠由掩模支撐部141 · 141和被成膜基板200的平行校正,進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正。此外,其中,掩模支撐部141 · 141等的抵接構(gòu)件,更具體而言,表示被固定不進(jìn)行動(dòng)作、具備掩模支撐部 141 · 141的掩模固定臺(tái)等的支撐構(gòu)件。這樣的平行校正,與在前后左右進(jìn)行移動(dòng)動(dòng)作的掩模張力機(jī)構(gòu)88本身的嚴(yán)格平行校正相比,精度高且能夠容易地進(jìn)行。S卩,與通過(guò)相對(duì)于上述陰影掩模81在前后左右移動(dòng)的掩模張力機(jī)構(gòu)88本身,將上述陰影掩模81和被成膜基板200嚴(yán)格地平行校正相比,通過(guò)上述抵接構(gòu)件和被成膜基板 200的平行校正進(jìn)行上述陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正,精度高而且容易。因此,通過(guò)如上所述使用在陰影掩模81的上表面或下表面抵接的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn),能夠容易且精度良好地進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正。另外,因?yàn)檠谀V尾?41 · 141等的抵接構(gòu)件(更具體而言,上述抵接構(gòu)件和被成膜基板200的平行校正)支配陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正,所以在交換陰影掩模81時(shí),不需要嚴(yán)格地調(diào)整陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正。因此,能夠容易地進(jìn)行上述陰影掩模81的交換。此外,陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正是指陰影掩模81的掩模面和被成膜基板200的基板面的平行校正(即,陰影掩模81和被成膜基板200之間的間隙gl的均勻調(diào)整)的意思?!矊?shí)施方式8〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖沈 圖30進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 7(特別是上述實(shí)施方式 1 '7)的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 7中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖沈表示從被成膜基板200的背面?zhèn)扔^察本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的被成膜基板200和掩模單元80的平面圖。另外,圖27是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外,圖27相當(dāng)于從圖26所示的D-D線箭頭方向截面觀察時(shí)的蒸鍍裝置50的截面。其中,在本實(shí)施方式中,為了圖示的方便,省略陰影掩模81的開口部和蒸鍍膜等的構(gòu)成的一部分。另外,圖四是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50的構(gòu)成的一部分的框圖。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中的掩模單元80為了將陰影掩模81與絕對(duì)位置 (調(diào)準(zhǔn)的絕對(duì)位置)對(duì)準(zhǔn),作為絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,如圖27所示,在上述蒸鍍裝置 50內(nèi)設(shè)置與陰影掩模81的絕對(duì)位置對(duì)應(yīng)的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120。另外,如圖27和圖洲所示,在上述陰影掩模81上設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置 50中的掩模單元80在這些方面與上述實(shí)施方式7涉及的蒸鍍裝置50中的掩模單元80不同。此外,基于陰影掩模81和蒸鍍裝置50的相對(duì)位置或陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置,為了不使陰影掩模81超出被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210,預(yù)先在設(shè)計(jì)階段、裝置上確定上述絕對(duì)位置。圖觀為說(shuō)明陰影掩模81的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)的平面圖。圖觀是從陰影掩模81的上方觀察圖27中由虛線包圍的區(qū)域R時(shí)的平面圖。如圖28所示,在區(qū)域R中設(shè)置作為絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112 和成為用于確認(rèn)絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的窗(窗部)的開口部113。調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 ·112例如由大小2個(gè)開口部構(gòu)成,沿著基板掃描方向(陰影掩模81 的短邊81b)平行地設(shè)置。上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112中的任意一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記可以用作調(diào)準(zhǔn)中心,另一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記用于確認(rèn)基板掃描方向與作為陰影掩模81的帶狀的開口部82的延伸設(shè)置方向的陰影掩模81的短邊81b呈平行這樣的方向(即,與基板掃描方向平行的方向)。陰影掩模81的與上述基板掃描方向平行的方向的確認(rèn)能夠按照以下,使用上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112而進(jìn)行。具體而言,首先,作為攝像部件(圖像讀取部件),例如利用具備CCD的圖像傳感器 150(第2圖像傳感器、調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件、參照?qǐng)D29)讀取調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 ·112的各個(gè)中心坐標(biāo), 以通過(guò)其中心的平行線與基板掃描方向平行的方式,使用張力控制部163(參照?qǐng)D29)調(diào)整陰影掩模81的位置。
由此,能夠使基板掃描方向、與陰影掩模81中應(yīng)該與基板掃描方向平行的邊(在本實(shí)施方式中,短邊81b · 81b)、特別是沿著該邊延伸設(shè)置的開口部82的邊(陰影掩模81 中,與基板掃描方向平行的方向的開口部82的邊(開口端))平行。此外,上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110 (調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112),雖然僅在陰影掩模81的與基板掃描方向平行的二邊(在本實(shí)施方式中,短邊81b *81b)中一側(cè)的邊上設(shè)置,但更優(yōu)選在兩側(cè)的邊上設(shè)置。通過(guò)使用在陰影掩模81的兩側(cè)所設(shè)置的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110,使基板掃描方向、與陰影掩模81中應(yīng)該與基板掃描方向平行的邊平行,能夠使陰影掩模81中應(yīng)該與基板掃描方向平行的邊,準(zhǔn)確地與基板掃描方向平行。此外,在本實(shí)施方式中,作為上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110,如上所述利用多個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行陰影掩模81的平行校正(Θ調(diào)整),但本實(shí)施方式并不局限于此。例如,在以使絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的轉(zhuǎn)動(dòng)中點(diǎn)(蒸鍍?cè)?5的中點(diǎn)(中心坐標(biāo)))、與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的作為調(diào)準(zhǔn)中心的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的中點(diǎn)(中心坐標(biāo))為同一點(diǎn) (同一坐標(biāo))的方式,嚴(yán)格地調(diào)整絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的作為調(diào)準(zhǔn)中心的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的情況等時(shí),絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110并不一定需要由多個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記構(gòu)成。即使在陰影掩模81的與基板掃描方向平行的二邊(在本實(shí)施方式中,短邊81b *81b)中各個(gè)邊上,作為絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110分別各設(shè)置一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下,也可以進(jìn)行陰影掩模81的平行調(diào)整。另外,在陰影掩模81中的這些調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112的附近,為了由圖像傳感器150 讀取絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,設(shè)置上述開口部113,能夠從該開口部113確認(rèn)絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120。絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對(duì)準(zhǔn),如上所述,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112中的一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行。具體而言,預(yù)先設(shè)定絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120、與調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112中作為調(diào)準(zhǔn)中心使用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,調(diào)整陰影掩模81的位置,以達(dá)到該設(shè)定的值。此時(shí),為了容易看到絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,優(yōu)選在陰影掩模81上設(shè)置寬大的開口。然而,寬大的開口在向陰影掩模81施加張力時(shí),有形狀歪斜的可能性。因此,除成為用于確認(rèn)這樣的陰影掩模81的窗的開口部113之外,還設(shè)置難以發(fā)生形變、比開口部113小的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112,優(yōu)選使用該調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112作為調(diào)準(zhǔn)中心以及平行確認(rèn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,將陰影掩模81與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。此外,上述開口部113既可以為單一的開口(孔),也可以為網(wǎng)眼圖案開口。通過(guò)如上所述使成為窗的開口部113不是單一的孔,而是以能夠看到絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120 的程度開口的格子窗(網(wǎng)眼圖案開口),能夠抑制窗的形變。根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,在陰影掩模81以及蒸鍍裝置50內(nèi)與陰影掩模81相對(duì)的位置上,設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Iio以及絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,作為成為用于將陰影掩模81與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)的基準(zhǔn)的標(biāo)記。另外,將絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。由此,能夠使陰影掩模81與裝置內(nèi)部的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。 由此,能夠?qū)㈥幱把谀?1相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置保持一定。例如為了提高蒸鍍材料的利用效率,希望上述蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的間隙g2盡可能小。
然而,若蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的距離接近,陰影掩模81的溫度上升,陰影掩模81產(chǎn)生伸長(zhǎng),并發(fā)生撓曲(松弛)。因此,在本實(shí)施方式中,通過(guò)掩模張力機(jī)構(gòu)88,從陰影掩模81中與基板掃描方向垂直的方向(即,陰影掩模81的長(zhǎng)度方向)的兩側(cè),向陰影掩模81施加張力,以絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120為基準(zhǔn),以陰影掩模81達(dá)到絕對(duì)尺寸(設(shè)計(jì)的絕對(duì)值)的方式,在對(duì)被成膜基板200的蒸鍍前進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整。由此,能夠?qū)㈥幱把谀?1與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn),能夠?qū)⑴c蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。另外,在本實(shí)施方式中,如圖28所示,將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 ·112的形狀設(shè)為圓形,將開口部113(窗部)的形狀設(shè)為四邊形,但這些調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112和開口部113的形狀并不局限于此。這些調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 ·112和開口部113的形狀,只要調(diào)準(zhǔn)和平行方向的計(jì)算易于實(shí)施即可,能夠選擇四邊形和三角形、或其他任意的形狀。另外,在本實(shí)施方式中,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記112由尺寸不同的開口部形成, 但本實(shí)施方式并不局限于此。其中,在本實(shí)施方式中,如上所述,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 ·112中的任意一個(gè)作為調(diào)準(zhǔn)中心。因此,明確調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 ·112中的哪個(gè)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記為調(diào)準(zhǔn)中心,哪個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記為平行確認(rèn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,從由圖像傳感器150讀取的圖像進(jìn)行圖像檢測(cè)時(shí),為了防止識(shí)別錯(cuò)誤, 優(yōu)選調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112的尺寸和形狀中的至少一方不同。此外,在本實(shí)施方式中,以將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記111 · 112中任意一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記作為調(diào)準(zhǔn)中心,用于絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的調(diào)準(zhǔn),另一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記作為平行確認(rèn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記使用的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,也可以在絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的調(diào)準(zhǔn)中使用兩個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記。另外,在本實(shí)施方式中,將由溫度造成的伸長(zhǎng)等也考慮在內(nèi),優(yōu)選陰影掩模81預(yù)先制作得比設(shè)計(jì)的絕對(duì)尺寸(設(shè)計(jì)值)小,在上述調(diào)準(zhǔn)調(diào)整中,陰影掩模81優(yōu)選通過(guò)施加張力,調(diào)整為設(shè)想的絕對(duì)尺寸、或、比絕對(duì)尺寸略短的尺寸。另外,在掩模單元的準(zhǔn)備工序中,優(yōu)選通過(guò)識(shí)別陰影掩模81的長(zhǎng)度方向兩側(cè)端的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110,在不施加張力,或,優(yōu)選陰影掩模81的張力小的狀態(tài)下,將陰影掩模81設(shè)置在蒸鍍裝置50中,進(jìn)行陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的位置對(duì)準(zhǔn)。此外,絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110能夠通過(guò)例如在真空腔室60的外側(cè),如上所述,作為攝像部件(圖像讀取部件) 設(shè)置例如具備CXD的圖像傳感器150而進(jìn)行識(shí)別。由此,即使如上所述在拉近蒸鍍?cè)?5和被成膜基板200的距離以提高材料的利用效率的情況下,也能夠通過(guò)預(yù)先將陰影掩模81制作得比設(shè)計(jì)值小而吸收由熱造成的陰影掩模81的伸長(zhǎng),將絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120作為基準(zhǔn),以陰影掩模81達(dá)到絕對(duì)位置(設(shè)計(jì)的絕對(duì)值)的方式,向陰影掩模81施加張力,進(jìn)行蒸鍍位置的微調(diào)整。另外,能夠同時(shí)控制由熱造成的陰影掩模81的變形。另外,在本實(shí)施方式中,為了抑制因向陰影掩模81施加張力而造成的陰影掩模81 的撓曲,上述掩模張力機(jī)構(gòu)88希望能夠設(shè)定最小張力(MIN)。如上所述,在本實(shí)施方式中,通過(guò)將掩模張力機(jī)構(gòu)88不是安裝在對(duì)于被成膜基板 200的夾具上而是安裝于蒸鍍裝置50本身,能夠在蒸鍍前進(jìn)行陰影掩模81的伸長(zhǎng)的調(diào)整。由此,在即將蒸鍍之前,能夠減輕陰影掩模81的自重?fù)锨陀蔁嵩斐傻年幱把谀?1的撓曲,能夠?qū)崿F(xiàn)蒸鍍精度的提高。另外,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,如圖四所示,優(yōu)選具備上述圖像傳感器 150,作為用于進(jìn)行絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110以及絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對(duì)準(zhǔn)的位置檢測(cè)部件,并且控制電路100除了上述實(shí)施方式1記載的構(gòu)成,還具備圖像檢測(cè)部161、運(yùn)算部162、張力控制部163。上述圖像傳感器150作為用于進(jìn)行絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110以及絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對(duì)準(zhǔn)的位置檢測(cè)部件發(fā)揮功能。另外,圖像檢測(cè)部161從由圖像傳感器150讀取的圖像,進(jìn)行絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 110以及絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的圖像檢測(cè)。另外,運(yùn)算部162從由圖像檢測(cè)部161檢測(cè)的圖像,確定絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110相對(duì)于絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的相對(duì)移動(dòng)量(由掩模張力機(jī)構(gòu)88施加的張力)。例如, 上述運(yùn)算部162,例如,上述運(yùn)算部102通過(guò)計(jì)算絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的偏差量(χ軸方向和y軸方向的偏差成分以及xy平面中的轉(zhuǎn)動(dòng)成分),運(yùn)算并確定絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的位置的校正值。張力控制部163以絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120重疊的方式,調(diào)整向陰影掩模81施加的張力。S卩,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)圖像檢測(cè)部161,從圖像傳感器150所讀取的圖像進(jìn)行絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110以及絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的圖像檢測(cè),利用運(yùn)算部162,從由圖像檢測(cè)部161所檢測(cè)的圖像,計(jì)算絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120 的偏差量,由此運(yùn)算并確定絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的位置的校正值。上述校正值,作為校正信號(hào)輸出到上述張力控制部163,張力控制部163基于來(lái)自上述運(yùn)算部162的校正信號(hào),通過(guò)掩模夾130 · 130調(diào)整向陰影掩模81施加的張力,通過(guò)使絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110相對(duì)于絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120相對(duì)移動(dòng),進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整。此外,在本實(shí)施方式中,例如與上述實(shí)施方式1 7同樣,將被成膜基板200和陰影掩模81的間隙gl保持一定,例如,通過(guò)將被成膜基板200以一定的速度掃描,使被成膜基板200通過(guò)陰影掩模81的開口部形成區(qū)域,進(jìn)行對(duì)被成膜基板200的蒸鍍。另外,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221,一邊掃描一邊進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn),從與裝置內(nèi)的基準(zhǔn)位置(絕對(duì)位置或裝置原點(diǎn))的相對(duì)位置以及與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置,進(jìn)行陰影掩模 81的張力調(diào)整,與陰影掩模81的自重?fù)锨蛴蔁嵩斐傻膿锨男U瑫r(shí),一并進(jìn)行陰影掩模81的伸長(zhǎng)率的調(diào)整。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)如上所述使用絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,使陰影掩模81和裝置內(nèi)的基準(zhǔn)位置對(duì)準(zhǔn),例如,上述蒸鍍裝置50被在線化,作為基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,具備具有基板搬運(yùn)路徑的搬運(yùn)裝置,即使陰影掩模81和蒸鍍?cè)?85橫跨被成膜基板200,也可以使能夠?qū)⒄翦兎植急3忠欢ǖ膮^(qū)域縮小集中(限定)。即,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)如上所述使用絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120將陰影掩模81和絕對(duì)位置(裝置內(nèi)的基準(zhǔn)位置)對(duì)準(zhǔn),能夠?qū)⑸鲜鲫幱把谀?81與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。因此,能夠準(zhǔn)確地固定蒸鍍裝置50和陰影掩模81的相對(duì)位置或蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81的相對(duì)位置(其中,如上所述存在由調(diào)準(zhǔn)作業(yè)造成的微小工作區(qū)域)。
然而,如上所述在不使用絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行陰影掩模81的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)的情況下,雖然能夠進(jìn)行陰影掩模81粗位置確定,但不能準(zhǔn)確地固定蒸鍍裝置50和陰影掩模81的相對(duì)位置或蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81的相對(duì)位置,即,不能在來(lái)自蒸鍍?cè)?5 的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)上準(zhǔn)確定位陰影掩模81。陰影掩模81需要配置在來(lái)自蒸鍍?cè)?5的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)內(nèi)。 因此,在蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域和陰影掩模81的開口部82的相對(duì)位置關(guān)系沒(méi)有正確固定的情況下,為了即使陰影掩模81的位置相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域多少錯(cuò)位,陰影掩模81 也不超過(guò)蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域,需要預(yù)先將蒸鍍區(qū)域設(shè)計(jì)得足夠?qū)挕H欢?,如果?zhǔn)確地確定蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81的相對(duì)位置(即,陰影掩模81相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域的位置),就可以縮小集中蒸鍍區(qū)域。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,不需要為了即使陰影掩模81的位置多少錯(cuò)位也不會(huì)造成問(wèn)題而預(yù)先拓寬蒸鍍區(qū)域的設(shè)計(jì), 能夠高效地使蒸鍍材料蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上。因此,能夠使材料的利用效率提高。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,通過(guò)在上述陰影掩模81、和上述掩模單元80或真空腔室60中與上述陰影掩模81相對(duì)的位置,分別設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,進(jìn)一步而言,通過(guò)上述蒸鍍裝置50具有圖四所示的構(gòu)成,能夠進(jìn)行平行校正。即,能夠使基板掃描方向、與陰影掩模81中與基板掃描方向平行的方向的開口部82的邊平行。圖四所示的各構(gòu)成要素,可以作為用于使用上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行陰影掩模81和基板掃描方向的平行調(diào)整(換言之,蒸鍍裝置50中陰影掩模81的平行調(diào)整)的調(diào)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)使用。因此,在使被成膜基板200相對(duì)于陰影掩模81相對(duì)移動(dòng)時(shí),被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210在到達(dá)陰影掩模81的開口部82之前,如果由被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84進(jìn)行1次調(diào)準(zhǔn),則即使不在蒸鍍時(shí)的基板掃描中進(jìn)行隨時(shí)調(diào)準(zhǔn)、 從而調(diào)整被成膜基板200和陰影掩模81的位置偏差,也能夠在目的區(qū)域(條帶區(qū)域)將蒸
鍍顆粒蒸鍍。由此,能夠抑制蒸鍍膜211相對(duì)于基板掃描方向和陰影掩模81的開口部82的θ 偏差的邊緣模糊,能夠更準(zhǔn)確地形成由蒸鍍膜211而得到的規(guī)定圖案(蒸鍍圖案)。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,通過(guò)在上述陰影掩模81、和上述掩模單元80或真空腔室60中與上述陰影掩模81相對(duì)的位置,分別設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,來(lái)確定真空腔室60內(nèi)陰影掩模81的絕對(duì)位置或陰影掩模81相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置。因此,蒸鍍的0N/0FF控制,在使被成膜基板200相對(duì)于陰影掩模81相對(duì)移動(dòng)時(shí),即使不識(shí)別被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,也可以由被成膜基板200相對(duì)于上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的掃描方向的距離(基板進(jìn)行的絕對(duì)距離)進(jìn)行控制。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,與上述實(shí)施方式7同樣,以掩模張力機(jī)構(gòu)88具備掩模夾130,通過(guò)掩模夾130向陰影掩模81施加張力的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。圖30是示意地表示在圖3所示的蒸鍍裝置50上形成有絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的情況下,上述蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。在上述蒸鍍裝置50中,如圖30所示,為了使陰影掩模81與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn),在上述掩模保持構(gòu)件87上設(shè)置有與陰影掩模81的絕對(duì)位置對(duì)應(yīng)的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,并且在上述陰影掩模81上設(shè)置有絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110。如圖30所示,在掩模保持構(gòu)件87上設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120時(shí),掩模保持構(gòu)件87如上所述具有滑塊機(jī)構(gòu)時(shí),絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120設(shè)置在由滑塊機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的可動(dòng)部142的可動(dòng)區(qū)域外,S卩,設(shè)置在不會(huì)由可動(dòng)部142而位置變動(dòng)(滑動(dòng))或被覆的位置。另外,此時(shí),張力控制部163基于來(lái)自運(yùn)算部162的校正信號(hào),通過(guò)上述滑塊機(jī)構(gòu)調(diào)整向陰影掩模81施加的張力,使可動(dòng)部142滑動(dòng)移動(dòng),使絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110相對(duì)于絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120相對(duì)移動(dòng),由此進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整。另外,在圖30中,如上所述,以將用于使陰影掩模81與絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120設(shè)置在掩模保持構(gòu)件87上的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,作為位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)的裝置側(cè)的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,在調(diào)準(zhǔn)調(diào)整時(shí),為蒸鍍裝置50中與陰影掩模81 相對(duì)的位置,且只要設(shè)置在不會(huì)位置變動(dòng)的固定位置即可。同樣地在圖27中,作為位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)的裝置側(cè)的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,在調(diào)準(zhǔn)調(diào)整時(shí),為蒸鍍裝置50中與陰影掩模81相對(duì)的位置,且只要設(shè)置在不會(huì)位置變動(dòng)的固定位置即可。因此,上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,例如,可以設(shè)置在真空腔室60的底壁等的內(nèi)壁、或蒸鍍?cè)?5等上。此外,在掩模保持構(gòu)件87如上所述具有滑塊機(jī)構(gòu)時(shí),蒸鍍?cè)?5當(dāng)然也可以設(shè)置在由滑塊機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的可動(dòng)部的可動(dòng)區(qū)域外。另外,在圖1和圖30中,以蒸鍍?cè)?5載置在掩模保持構(gòu)件87上的情況為例進(jìn)行圖示,但如上所述,蒸鍍?cè)?5的配設(shè)位置(固定位置)并不局限于此,也可以設(shè)置在真空腔室60本身等、蒸鍍裝置50中的與上述掩模保持構(gòu)件87不干擾的位置。另外,當(dāng)然在使上述掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)時(shí),掩模保持構(gòu)件87本身以能夠在χ軸方向和y軸方向移動(dòng)的方式設(shè)置,如上所述在蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81的相對(duì)位置被固定的狀態(tài)下,也可以使蒸鍍?cè)?5與陰影掩模81和上述掩模保持構(gòu)件 87 一起可動(dòng)。另外,在本實(shí)施方式中,以可動(dòng)部142例如通過(guò)與滑塊連接,作為可動(dòng)部發(fā)揮功能的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,也可以是可動(dòng)部142其本身,例如能夠通過(guò)油壓泵等在上下方向滑動(dòng)移動(dòng),使可動(dòng)部142在上下方向滑動(dòng)移動(dòng),由此能夠調(diào)整向陰影掩模81施加的張力。〔實(shí)施方式9〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖31進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。圖31是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外,在本實(shí)施方式中,為了圖示的方便,省略陰影掩模81的開口部和蒸鍍膜等的構(gòu)成的一部分。另外,圖31中從陰影掩模81的上方觀察由虛線包圍的區(qū)域 R時(shí)的平面圖與圖觀相同。此外,在本實(shí)施方式中,與上述實(shí)施方式7、8同樣,以陰影掩模81的固定(拉緊) 使用掩模夾130 · 130的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,主要是對(duì)與上述實(shí)施方式7 · 8的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。在上述實(shí)施方式7 · 8中,對(duì)于通過(guò)陰影掩模81的長(zhǎng)度方向兩端部所設(shè)置的掩模
51夾130 · 130,從陰影掩模81的長(zhǎng)度方向兩側(cè),分別向陰影掩模81施加張力情況進(jìn)行說(shuō)明。然而,此時(shí),根據(jù)調(diào)準(zhǔn)的狀態(tài),有在陰影掩模81上產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)(扭曲)的可能性。作為這樣的例子,例如,可以考慮在上述實(shí)施方式7 ·8中,一個(gè)掩模夾130向圖25和圖28的圖面靠前側(cè)移動(dòng),另一個(gè)掩模夾130向圖25和圖28的圖面里側(cè)移動(dòng)的情況。當(dāng)然,在調(diào)準(zhǔn)時(shí)如果可靠地進(jìn)行平行線方向的調(diào)準(zhǔn)(平面方向的調(diào)準(zhǔn))就不會(huì)發(fā)生上述那樣的問(wèn)題。然而,在將調(diào)準(zhǔn)位置識(shí)別錯(cuò)誤時(shí),就可能發(fā)生上述的問(wèn)題。因此,在本實(shí)施方式中,對(duì)于將一個(gè)掩模夾130固定在掩模保持構(gòu)件87上,通過(guò)與上述掩模夾130相對(duì)設(shè)置的另一個(gè)掩模夾130,僅從陰影掩模81的長(zhǎng)軸方向上的一個(gè)端部側(cè)(即,僅一個(gè)方向)向陰影掩模81施加張力,由此進(jìn)行陰影掩模81的張力調(diào)整的情況進(jìn)行說(shuō)明。如圖31所示,本實(shí)施方式涉及的掩模單元80具備掩模支撐部141 (掩模支撐棒、 掩模保持臺(tái))和掩模固定臺(tái)144,作為掩模保持構(gòu)件87。上述掩模固定臺(tái)144,可以使用具備滑動(dòng)機(jī)構(gòu),與掩模夾130連接的連接部中的一個(gè)為可動(dòng)部142,能夠由長(zhǎng)度調(diào)整進(jìn)行陰影掩模81的張力調(diào)整,能夠使掩模夾130在前后左右以及θ (轉(zhuǎn)動(dòng))移動(dòng)的固定臺(tái)。此外,上述掩模夾130的作為連接部的可動(dòng)部142和固定部143中,可動(dòng)部142例如通過(guò)與滑塊連接,發(fā)揮作為可動(dòng)部的功能。如圖31所示,本實(shí)施方式涉及的陰影掩模81,被一體地固定(夾)在上述掩模固定臺(tái)144的固定部143上,而另一方面,通過(guò)被固定在上述可動(dòng)部142上的掩模夾130施加張力,由此能夠進(jìn)行絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)以及與被成膜基板200的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。這樣,在本實(shí)施方式中,調(diào)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)以及張力機(jī)構(gòu)通過(guò)一個(gè)掩模夾130主要承擔(dān)掩模固定臺(tái)144,如上所述陰影掩模81通過(guò)另一個(gè)掩模夾130被夾在上述掩模固定臺(tái)144上, 因此在上述陰影掩模81上只產(chǎn)生一個(gè)軸方向的張力。因此,陰影掩模81本身不會(huì)扭曲,能夠進(jìn)行穩(wěn)定的動(dòng)作。此外,上述掩模支撐部141,與上述實(shí)施方式7 · 8同樣,與被成膜基板200平行地保持陰影掩模81,并且發(fā)揮作為用于向陰影掩模81施加張力的支點(diǎn)的功能。上述掩模支撐部141既可以固定在真空腔室60的周壁等的內(nèi)壁上,也可以固定在掩模固定臺(tái)144中不滑動(dòng)移動(dòng)的固定位置。另外,在沒(méi)有與滑塊機(jī)構(gòu)連接的掩模夾130側(cè)所設(shè)置的掩模支撐部141,不用于作為向陰影掩模81施加張力的支點(diǎn),因此只要能夠水平地保持陰影掩模81即可。因此,如圖 31所示,在沒(méi)有與滑塊機(jī)構(gòu)連接的掩模夾130側(cè),例如,既可以在陰影掩模81的上下設(shè)置掩模支撐部141,也可以設(shè)置以插入陰影掩模81的形式進(jìn)行保持的輥構(gòu)件。另外,在本實(shí)施方式中,如上所述調(diào)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)以及張力機(jī)構(gòu)通過(guò)一個(gè)掩模夾130主要承擔(dān)掩模固定臺(tái)144,陰影掩模81通過(guò)另一個(gè)掩模夾130被夾在上述掩模固定臺(tái)144中, 因此掩模張力機(jī)構(gòu)88和掩模保持構(gòu)件87 —體地設(shè)置,掩模保持構(gòu)件87兼作為掩模張力機(jī)構(gòu)88。此外,在本實(shí)施方式中,如圖31所示,以通過(guò)在陰影掩模81上設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110,在蒸鍍裝置50內(nèi)部設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120而進(jìn)行陰影掩模81的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。
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然而,本實(shí)施方式并不局限于此,也可以省去使用上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的絕對(duì)位置調(diào)準(zhǔn)。即,如上所述,例如也可以通過(guò)使掩模夾130 移動(dòng)到其原點(diǎn)位置(裝置上確定的初始位置),將陰影掩模81本身調(diào)整(配置)在其原點(diǎn)位置。由此,與設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的情況相比較, 能夠使裝置構(gòu)成單純化(簡(jiǎn)單化)。其中,如上所述,在不使用絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行陰影掩模81的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)時(shí),雖然能夠?qū)㈥幱把谀?1粗定位,但不能準(zhǔn)確地固定蒸鍍裝置50和陰影掩模81 的相對(duì)位置或蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81的相對(duì)位置。因此,不能在來(lái)自蒸鍍?cè)?5的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)將陰影掩模81準(zhǔn)確地定位,為了即使陰影掩模81的位置相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域多少錯(cuò)位,陰影掩模81也不會(huì)超過(guò)蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域,必須預(yù)先將蒸鍍區(qū)域設(shè)計(jì)得足夠?qū)挕R虼?,在本?shí)施方式中,希望在陰影掩模81上設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110,并且在掩模單元80 (具體而言,構(gòu)成掩模單元80的蒸鍍?cè)?5或掩模固定臺(tái)144等)或真空腔室 60中的與上述陰影掩模81相對(duì)的位置上設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120。另外,在圖31中,以蒸鍍?cè)?5載置在掩模固定臺(tái)144上的情況為例進(jìn)行圖示,但在本實(shí)施方式中,蒸鍍?cè)?5的配設(shè)位置(固定位置)也可以設(shè)置在真空腔室60本身等、蒸鍍裝置50中的與上述掩模固定臺(tái)144不干擾的位置。另外,在使上述掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)時(shí),掩模固定臺(tái)144 本身以能夠在X軸方向和y軸方向移動(dòng)的方式設(shè)置,如上所述,在蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81 的相對(duì)位置固定的狀態(tài)下,也可以使蒸鍍?cè)?5與陰影掩模81和上述掩模固定臺(tái)144 一起可動(dòng)?!矊?shí)施方式10〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖32進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 8的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 8中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖32是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外,在本實(shí)施方式中,為了圖示的方便,省略陰影掩模81的開口部和蒸鍍膜等的構(gòu)成的一部分。另外,圖32中,從陰影掩模81側(cè)(即,陰影掩模81的下方) 觀察由虛線包圍的區(qū)域R時(shí)的平面圖與圖觀相同。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,如圖32所示,與上述實(shí)施方式3同樣,掩模單元 80和保持被成膜基板200的基板保持構(gòu)件71的配置上下反轉(zhuǎn),在該方面與上述實(shí)施方式8 涉及的蒸鍍裝置50不同。S卩,相對(duì)于在上述實(shí)施方式8中通過(guò)0印0 Up進(jìn)行蒸鍍,在本實(shí)施方式中,通過(guò) Depo Down進(jìn)行蒸鍍。在本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中,基板保持構(gòu)件71例如具備設(shè)置成能夠在χ 方向和y方向上移動(dòng)的基板臺(tái),被成膜基板200被該基板臺(tái)保持。此外,上述基板臺(tái)也可以具有靜電卡盤功能。另外,基板保持構(gòu)件71也可以代替上述基板臺(tái),如上述實(shí)施方式1所說(shuō)明的那樣具備輥,由輥保持被成膜基板200并使其移動(dòng)。
在本實(shí)施方式中,蒸鍍?cè)?5,例如,通過(guò)固定在真空腔室60上、并例如通過(guò)載置蒸鍍?cè)?5而收納·固定的支架等的、沒(méi)有圖示的保持構(gòu)件(蒸鍍?cè)幢3謽?gòu)件)保持。此外, 作為上述保持構(gòu)件,能夠使用例如與上述實(shí)施方式3中使用的支架同樣的支架。上述保持構(gòu)件,例如,被固定在真空腔室60的頂壁或周壁等上。在本實(shí)施方式中,與上述實(shí)施方式8同樣,掩模張力機(jī)構(gòu)88使用掩模夾130 · 130, 將掩模支撐部141 · 141(掩模支撐棒、掩模保持臺(tái))作為支點(diǎn),在陰影掩模81上向斜下方施加張力。因此,在本實(shí)施方式中,掩模支撐部141 · 141固定在真空腔室60的周壁或底壁上,或以能夠載置陰影掩模81的方式,形成為L(zhǎng)字形狀或U字形狀(凹形狀部),并且吊接在上述蒸鍍?cè)幢3謽?gòu)件或真空腔室60的頂壁上。另外,絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120,例如, 形成在真空腔室60的底壁等的內(nèi)壁、或蒸鍍?cè)?5等上。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,對(duì)于在陰影掩模81上向斜下方施加張力的情況進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。例如,在陰影掩模81上例如向斜上方施加張力時(shí),例如也可以如下操作。即,將掩模支撐部141 ·141設(shè)置在陰影掩模81中的與蒸鍍?cè)?5的相對(duì)面?zhèn)取H缓?,將上述陰影掩?1和蒸鍍?cè)?5,吊接在例如通過(guò)載置進(jìn)行收納·固定的支架等的、沒(méi)有圖示的掩模保持構(gòu)件或真空腔室60的頂壁等上。另外,將掩模夾130 · 130固定在上述掩模保持構(gòu)件或真空腔室60的頂壁或周壁等的內(nèi)壁上。此外,此時(shí),絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120可以設(shè)置在上述掩模保持構(gòu)件上,也可以設(shè)置在真空腔室60的頂壁或蒸鍍?cè)?5上。此外,即使如上所述在進(jìn)行0印0 Down時(shí),或在絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的上下關(guān)系逆轉(zhuǎn)的情況下,上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對(duì)準(zhǔn)的方法也與上述實(shí)施方式8所示的情況相同。因此,在本實(shí)施方式中,省略其說(shuō)明?!矊?shí)施方式11〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖33 圖35進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 10(特別是上述實(shí)施方式8) 的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 10中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖33是從被成膜基板200的背面?zhèn)扔^察本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的被成膜基板200和掩模單元80的平面圖。另外,圖34和圖35是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外,圖 34相當(dāng)于從圖33所示的E-E線箭頭方向截面觀察時(shí)蒸鍍裝置50的截面,圖35相當(dāng)于從圖 33所示的F-F線箭頭方向截面觀察時(shí)蒸鍍裝置50的截面。其中,在本實(shí)施方式中,為了圖示的方便省略陰影掩模81的開口部和蒸鍍膜等的構(gòu)成的一部分。另外,圖35中從陰影掩模81的上方觀察由虛線包圍的區(qū)域R時(shí)的平面圖,與圖觀相同。如圖33所示,本實(shí)施方式涉及的掩模單元80中掩模張力機(jī)構(gòu)88在陰影掩模81 的各角部(四角)分別設(shè)置掩模夾130,在該方面與上述實(shí)施方式8不同。因此,在本實(shí)施方式中,一邊通過(guò)分別使圖33所示的、陰影掩模81的各角部所設(shè)置的4個(gè)掩模夾130移動(dòng)而調(diào)整張力,一邊進(jìn)行圖35所示的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對(duì)準(zhǔn)。此外,絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110的形狀以及絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110和絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120的位置對(duì)準(zhǔn),如在上述實(shí)施方式8中,參照?qǐng)D四和圖30所說(shuō)明的內(nèi)容。因此, 在本實(shí)施方式中,省略其具體的說(shuō)明。這4個(gè)掩模夾130分別能夠在圖33中、χ軸(士χ軸)方向和y軸(士y軸)方向移動(dòng),在即將蒸鍍之前,通過(guò)以沒(méi)有陰影掩模81的撓曲(松弛)的程度向陰影掩模81施加張力,進(jìn)行絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。特別是如上所述如果拉近上述蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的距離,則在使蒸鍍速率以目的的蒸鍍速率穩(wěn)定時(shí),陰影掩模81的溫度也上升,在陰影掩模81產(chǎn)生撓曲。因此,預(yù)先將陰影掩模81制作得比設(shè)計(jì)值小,吸收由熱造成的陰影掩模81的伸長(zhǎng),以將絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記120作為基準(zhǔn),陰影掩模81達(dá)到絕對(duì)位置(設(shè)計(jì)的絕對(duì)值) 的方式,向陰影掩模81施加張力,由此能夠進(jìn)行蒸鍍位置的微調(diào)整,并且能夠控制由熱造成的陰影掩模81的變形。此時(shí),在本實(shí)施方式中,上述掩模夾130設(shè)置在陰影掩模81的各角部(四角),各掩模夾130能夠分別在χ軸方向和y軸方向移動(dòng),由此能夠在陰影掩模81上向全部方向 (360度)施加張力。即,能夠在上述陰影掩模81上從所有方向施加張力。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,與上述實(shí)施方式8相比,能夠進(jìn)行更細(xì)致的位置調(diào)整,與上述實(shí)施方式8相比,能夠使調(diào)準(zhǔn)精度提高。因此,能夠使蒸鍍精度進(jìn)一步提高。此外,被成膜基板200,為了不發(fā)生由自重造成的撓曲,希望通過(guò)在基板保持構(gòu)件 71上使用例如靜電卡盤,由靜電卡盤保持被成膜基板200。另外,在本實(shí)施方式中,被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)能夠使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221,與上述實(shí)施方式1同樣操作進(jìn)行。在本實(shí)施方式中,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84優(yōu)選設(shè)置在陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部(即,基板掃描方向的上游側(cè)端部),在進(jìn)行往復(fù)蒸鍍時(shí),優(yōu)選在基板掃描方向兩端部 (即四角)上設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84。此時(shí),例如,在圖33中由箭頭表示的基板掃描方向上進(jìn)行蒸鍍時(shí),使用圖33中、陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83上所設(shè)置的4個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84中、左側(cè)的2個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)。然后,在與圖33中由箭頭所示的基板掃描方向相反方向上進(jìn)行蒸鍍時(shí),使用圖33中、右側(cè)的2個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)。另外,被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn),如下操作進(jìn)行。即,在被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220到達(dá)陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83的時(shí)刻,使被成膜基板200的進(jìn)行(掃描)暫時(shí)停止,考慮陰影掩模81和被成膜基板200的位置、被成膜基板200的平行度、陰影掩模81的尺寸,例如,使基板臺(tái)等的基板保持構(gòu)件71 (基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70)和掩模夾130等移動(dòng)。此外,此時(shí),如上所述如果預(yù)先將陰影掩模81制作得小,則掩模張力機(jī)構(gòu)88 運(yùn)行能夠抑制撓曲。此外,在本實(shí)施方式中,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 -221的基板位置校正,在被成膜基板200 進(jìn)入來(lái)自蒸鍍?cè)?5的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)之前進(jìn)行。因此,在本實(shí)施方式中,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220),如圖33所示,分別比蒸鍍區(qū)域210的基板掃描方向兩端部突出而設(shè)置。此外,在本實(shí)施方式中,作為上述被成膜基板200,例如能夠使用上述TFT基板10。 此時(shí),作為蒸鍍膜211的圖案形成,如上所述例如在進(jìn)行發(fā)光層23R -23G -23B等的有機(jī)EL 層的圖案形成時(shí),能夠?qū)⑦@些有機(jī)EL層精度良好地分別涂布蒸鍍。此外,作為此時(shí)的蒸鍍條件,例如能夠與上述實(shí)施方式1記載的蒸鍍條件同樣地設(shè)定。作為一例,在本實(shí)施方式中,例如,將蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81之間的間隙g2設(shè)為 100mm,將作為被成膜基板200的TFT基板10和陰影掩模81之間的距離設(shè)為200 μ m。另外,對(duì)于上述TFT基板10的基板尺寸,掃描方向設(shè)為320mm,與掃描方向垂直的方向設(shè)為400mm,對(duì)于蒸鍍區(qū)域(顯示區(qū)域)的寬度,掃描方向的寬度(上述寬度d4)設(shè)為 260mm,與掃描方向垂直的方向的寬度(上述寬度d3)設(shè)為310mm。另外,上述TFT基板10中各子像素2R.2G.2B的開口部15R.15G.15B的寬度,設(shè)為360 μ m(掃描方向)X90 μ m(與掃描方向垂直的方向)。另外,上述開口部15R *15G ·15Β 間的間距設(shè)為480 μ m(掃描方向)X 160 μ m(與掃描方向垂直的方向)。此夕卜,在本實(shí)施方式中,上述開口部15R-15G-15B間的間距(像素開口部間間距)表示相鄰子像素2R.2G.2B 中各個(gè)開口部15R · 15G · 15B間的間距,不是同色子像素間的間距。另外,陰影掩模81,使用長(zhǎng)邊81a(長(zhǎng)軸方向)的寬度dl (與掃描方向垂直的方向的寬度)為700mm、短邊81b (短軸方向)的寬度d2(掃描方向的寬度)為200mm的陰影掩模。另外,陰影掩模81的開口部82為了加強(qiáng)陰影掩模81對(duì)張力負(fù)荷的強(qiáng)度,形成為狹縫(狹縫圖案)。陰影掩模81的開口部82,作為考慮了熱膨張和掩模張力后的尺寸(絕對(duì)尺寸、設(shè)計(jì)值),將在基板掃描方向?yàn)?mm、在與基板掃描方向垂直的方向?yàn)?30 μ m的開口部82設(shè)為1個(gè)狹縫圖案,將基板掃描方向的間距設(shè)為5mm,將與基板掃描垂直方向的間距設(shè)為480μπι。另外,在基板掃描方向上形成30個(gè)狹縫。另外,各狹縫的圖案長(zhǎng)設(shè)為150mm。 另外,蒸鍍速率設(shè)為2. Onm/s?!矊?shí)施方式12〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖36 圖45進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 11的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 11中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。在上述實(shí)施方式1 11中,作為調(diào)準(zhǔn)被成膜基板200和陰影掩模81的方法,以通過(guò)使用圖像傳感器90的圖像識(shí)別,將被成膜基板200和陰影掩模81在蒸鍍開始前進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)的方法,或,通過(guò)使用圖像傳感器90連續(xù)的圖像識(shí)別、實(shí)時(shí)地將被成膜基板200和陰影掩模81調(diào)準(zhǔn)的方法為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,在掃描(相對(duì)移動(dòng))被成膜基板200或掩模單元80時(shí)產(chǎn)生的機(jī)械精度并不絕對(duì)。因此,僅將被成膜基板200和陰影掩模81通過(guò)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221在蒸鍍開始前進(jìn)行調(diào)準(zhǔn),由這樣的機(jī)械精度、被成膜基板200和陰影掩模81各自的熱膨張、TFT基板10等的被成膜基板200的圖案偏差等、各種因素,有可能會(huì)產(chǎn)生被成膜基板200與陰影掩模81的位置偏差。另外,在一邊掃描,一邊從使用在真空腔室60上安裝的CXD等的攝像元件(攝像部件)進(jìn)行攝像而得到的圖像,將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221同時(shí)圖像識(shí)別時(shí),識(shí)別精度降低。特別在使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200移動(dòng)時(shí),需要設(shè)置多個(gè)攝像元件,或需要使攝像元件配合掩模單元80的掃描(相對(duì)移動(dòng))而移動(dòng),此時(shí),不可否認(rèn)識(shí)別精度的降低。圖36是表示在被成膜基板200和陰影掩模81上產(chǎn)生位置偏差時(shí)的被成膜基板 200的蒸鍍圖案的平面圖。如圖36所示,被成膜基板200和陰影掩模81的位置偏差,引起在被成膜基板200 上所形成的蒸鍍圖案的位置偏差。因此,在本實(shí)施方式中,對(duì)沿著被成膜基板200的掃描方向,遍及被成膜基板200 中上述掩模單元80和被成膜基板200中的至少一方相對(duì)移動(dòng)的區(qū)域的一端到另一端之間而設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案,在蒸鍍整個(gè)過(guò)程中,通過(guò)調(diào)準(zhǔn)傳感器(調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)連續(xù)監(jiān)控(識(shí)別)。由此,一邊使被成膜基板200和掩模單元80中的至少一方相對(duì)移動(dòng),動(dòng)態(tài)地進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn),一邊進(jìn)行掃描和蒸鍍。在本實(shí)施方式中,這樣通過(guò)實(shí)時(shí)地控制被成膜基板200和陰影掩模81的偏差量, 避免被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)偏差。圖37是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖38是圖37所示的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要構(gòu)成要素的俯視圖。圖39 是表示從被成膜基板的背面?zhèn)扔^察時(shí)的、本實(shí)施方式中使用的被成膜基板200的調(diào)準(zhǔn)圖案和蒸鍍圖案與調(diào)準(zhǔn)傳感器和膜厚傳感器的位置關(guān)系的平面圖。此外,圖39表示成膜途中的狀態(tài)。另外,為了圖示的方便,在圖39中,被成膜基板由兩點(diǎn)劃線表示。另外,圖40和圖41 是表示圖37所示的蒸鍍裝置50的構(gòu)成的一部分的框圖。如圖37所示,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50具備真空腔室60(成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)部件、移動(dòng)部件)、掩模單元80、調(diào)準(zhǔn)傳感器170(調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)、膜厚傳感器180、和控制電路230。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50如圖37 圖39所示,作為調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,固定了與陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)準(zhǔn)傳感器170,在真空腔室60內(nèi),與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?85鄰接設(shè)置(S卩,以相鄰的方式設(shè)置),在該方面與上述實(shí)施方式1 11不同。此外,上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170與蒸鍍?cè)?5相同只要固定與陰影掩模81的相對(duì)位置就可以,也可以與掩模單元80 —體化,也可以與掩模單元80獨(dú)立設(shè)置。即,上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170,在真空腔室60內(nèi)固定掩模單元80,使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)的情況下,與蒸鍍?cè)?5同樣地,例如可以直接固定在真空腔室60 的內(nèi)壁上,也可以保持在沒(méi)有圖示的掩模保持構(gòu)件87(參照?qǐng)D1等)上。另外,在使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的情況下,也可以保持在掩模保持構(gòu)件87 (參照?qǐng)D1 等)上。另外,也可以保持在調(diào)準(zhǔn)傳感器移動(dòng)機(jī)構(gòu)上,該調(diào)準(zhǔn)傳感器移動(dòng)機(jī)構(gòu)保持調(diào)準(zhǔn)傳感器170,并且原樣保持相對(duì)于掩模單元80的相對(duì)位置、相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)(追隨具有掩模保持構(gòu)件87的掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)240 (參照?qǐng)D40)),并與掩模保持構(gòu)件87分別設(shè)置。其中,在調(diào)準(zhǔn)傳感器170與掩模單元80獨(dú)立設(shè)置的情況下,需要進(jìn)行用于將調(diào)準(zhǔn)傳感器170和陰影掩模81的相對(duì)位置固定的調(diào)準(zhǔn)。因此,上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170優(yōu)選組裝入掩模單元80 (被一體化)。換言之,掩模單元80優(yōu)選具備與陰影掩模81的相對(duì)位置被固定的調(diào)準(zhǔn)傳感器170(其中,在此時(shí),如上所述由調(diào)準(zhǔn)作業(yè)造成的微小工作區(qū)域存在)。作為上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170,只要能夠連續(xù)地觀測(cè)被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案,就沒(méi)有特別限定。作為上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170,既可以是光學(xué)傳感器,也可以是超聲波傳感器等、光學(xué)傳感器以外的傳感器。另外,作為上述光學(xué)傳感器,例如,可以是具備CCD等的攝像元件(攝像部件)的圖像傳感器,也可以是檢測(cè)激光或紅外光等的反射強(qiáng)度的傳感器,也可以是檢測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221的散射光的配光分布的傳感器。在調(diào)準(zhǔn)傳感器170如上所述為檢測(cè)激光或紅外光等的反射強(qiáng)度的傳感器的情況下,能夠從其反射強(qiáng)度掌握調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的位置。另外,在調(diào)準(zhǔn)傳感器170如上所述為檢測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的散射光的配光分布的傳感器的情況下,從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的散射光的配光分布的變化,能夠掌握調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的位置。作為上述光學(xué)傳感器,能夠使用例如,位置傳感器、LED型調(diào)準(zhǔn)傳感器、2分割檢測(cè)器、4分割檢測(cè)器等的檢測(cè)器等通過(guò)進(jìn)行光束的位置測(cè)定測(cè)量檢測(cè)對(duì)象物的位置的傳感器。在這些傳感器中能夠使用市售的傳感器。特別是非分割型的位置傳感器,能夠高精度地測(cè)量以高速移動(dòng)的點(diǎn)的位置。在由上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170進(jìn)行的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的檢測(cè)中,例如能夠采用LSA(激光步進(jìn)對(duì)準(zhǔn),Laser Step Alignment)方式、LIA(激光干涉對(duì)準(zhǔn),Laser Interferometric Alignment)方式等公知的各種方式。如上所述,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 -221的基板位置校正,更希望在被成膜基板200進(jìn)入來(lái)自蒸鍍?cè)?5的蒸鍍顆粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)之前進(jìn)行。因此,在本實(shí)施方式中,陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84優(yōu)選設(shè)置在陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部,更優(yōu)選設(shè)置在陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的兩端部。因此,上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170對(duì)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,優(yōu)選與陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部相對(duì)設(shè)置,更優(yōu)選與陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的兩端部相對(duì)設(shè)置。另外,例如在進(jìn)行往復(fù)蒸鍍時(shí),如上所述,優(yōu)選在基板掃描方向兩端部(即四角) 設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84。因此,在進(jìn)行往復(fù)蒸鍍時(shí),如圖37 圖39由兩點(diǎn)劃線所示,調(diào)準(zhǔn)傳感器 170,在與圖37 圖39中由箭頭所示的基板掃描方向的相反方向上將被成膜基板200和掩模單元80相對(duì)移動(dòng)(掃描)時(shí),優(yōu)選設(shè)置在與陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部相對(duì)的位置,更優(yōu)選設(shè)置在與陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的兩端部相對(duì)的位置。另外,如將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84設(shè)置在陰影掩模81的四角的情況那樣,通過(guò)相對(duì)于陰影掩模81,在掃描方向設(shè)置多個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,并且對(duì)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84在掃描方向上設(shè)置多個(gè)調(diào)準(zhǔn)傳感器170,能夠掌握陰影掩模81和被成膜基板200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的偏差(θ偏差)。因此, 不論是否進(jìn)行往復(fù)蒸鍍,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84和調(diào)準(zhǔn)傳感器170都優(yōu)選沿著掃描方向(例如基板掃描方向)設(shè)置多個(gè)。在本實(shí)施方式中,如上所述,一邊蒸鍍一邊連續(xù)地觀測(cè)被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案。因此,如圖39所示,在被成膜基板200上,遍及被成膜基板200的掃描方向中的掃描區(qū)域全域,設(shè)置由多個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221構(gòu)成的調(diào)準(zhǔn)圖案。另外,如上所述,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 84 · 221更優(yōu)選設(shè)置在陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的兩端部。因此,上述調(diào)準(zhǔn)圖案(調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220)優(yōu)選夾著蒸鍍區(qū)域210,沿著上述蒸鍍區(qū)域210中與基板掃描方向平行的短邊 210b · 210b 設(shè)置。根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,通過(guò)陰影掩模81的掩模開口部,在蒸鍍整個(gè)過(guò)程中, 連續(xù)監(jiān)測(cè)(識(shí)別)遍及被成膜基板200的掃描方向設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)圖案),由此能夠準(zhǔn)確地掌握被成膜基板200的掃描量。因此,能夠更準(zhǔn)確進(jìn)行蒸鍍控制。另外,如圖37 圖39所示,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50具備測(cè)量在被成膜基板200上所形成的蒸鍍膜211的膜厚的膜厚傳感器180。上述膜厚傳感器180,例如,通過(guò)測(cè)量在被成膜基板200實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211 的膜厚,控制在被成膜基板200上所形成的蒸鍍膜211的膜厚。另外,上述膜厚傳感器180,與調(diào)準(zhǔn)傳感器170同樣,優(yōu)選固定與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置。由此,能夠一邊在被成膜基板200上將蒸鍍膜211成膜(蒸鍍),一邊連續(xù)實(shí)時(shí)地控制在被成膜基板200上所形成的蒸鍍膜211的膜厚。因此,膜厚傳感器180,例如,配置在陰影掩模81中基板掃描方向后方(基板掃描方向下游側(cè))。膜厚傳感器180,例如,在陰影掩模81中基板掃描方向后方(基板掃描方向下游側(cè))、在蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域中基板掃描方向的中心部附近,與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?85鄰接(S卩,相鄰地)配置。此時(shí),膜厚傳感器180希望與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5盡可能接近地設(shè)置。由此,膜厚傳感器180能夠觀測(cè)剛通過(guò)陰影掩模81后的被成膜基板200的蒸鍍膜211。此外,被成膜基板200中的與膜厚傳感器180的相對(duì)部可以作為膜厚檢測(cè)區(qū)域部使用。作為上述膜厚傳感器180,例如能夠使用市售的膜厚傳感器,能夠使用任意的膜厚傳感器。作為上述膜厚傳感器180,例如,適合使用對(duì)作為對(duì)象物的蒸鍍膜211照射激光,檢測(cè)其反射光的反射強(qiáng)度·光譜等從而算出膜厚的非接觸的技術(shù)。但并不局限于此,也可以使用利用由紫外光或X射線產(chǎn)生的熒光的技術(shù)、和渦電流式或接觸式的膜厚傳感器。接著,對(duì)于上述蒸鍍裝置50中調(diào)準(zhǔn)調(diào)整涉及的處理(調(diào)準(zhǔn)控制),主要參照?qǐng)D40 在以下進(jìn)行說(shuō)明。此外,在以下的說(shuō)明中,以作為調(diào)準(zhǔn)傳感器170,使用測(cè)量激光的反射強(qiáng)度的傳感器的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此。調(diào)準(zhǔn)傳感器170發(fā)揮作為用于進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81的位置對(duì)準(zhǔn)的位置檢測(cè)部件的功能。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,如圖37所示,作為控制電路,具備具有圖40和圖 41所示的構(gòu)成的控制電路230。上述控制電路230作為調(diào)準(zhǔn)控制部,如圖40所示,具備檢測(cè)部231 (差分檢測(cè)部、 運(yùn)算部)、校正量算出部232 (運(yùn)算部)、掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234、蒸鍍ON/ OFF控制部235、閘板驅(qū)動(dòng)控制部236。此外,上述檢測(cè)部231和校正量算出部232,相當(dāng)于圖4所示的運(yùn)算部102。另外, 蒸鍍0N/0FF控制部235相當(dāng)于圖4所示的蒸鍍0N/0FF控制部104。
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上述檢測(cè)部231,從調(diào)準(zhǔn)傳感器170的檢測(cè)信號(hào),檢測(cè)(作為差分檢測(cè))調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量(χ軸方向和y軸方向中偏差成分以及xy平面中轉(zhuǎn)動(dòng)成分)與被成膜基板200的掃描量,將該檢測(cè)結(jié)果送到校正量算出部232和蒸鍍0N/0FF控制部235。上述校正量算出部232基于從上述檢測(cè)部231接收的檢測(cè)結(jié)果,確定被成膜基板 200和陰影掩模81的相對(duì)移動(dòng)量(例如被成膜基板200相對(duì)于陰影掩模81的移動(dòng)量)。 具體而言,上述校正量算出部232基于從上述檢測(cè)部231接收的檢測(cè)結(jié)果,算出調(diào)準(zhǔn)的校正量(被成膜基板200的基板位置的校正值)和基板掃描的校正量,將該算出結(jié)果作為校正信號(hào),輸送到掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234和蒸鍍0N/0FF控制部235。此外,在本實(shí)施方式中,上述調(diào)準(zhǔn)的校正量(被成膜基板200的基板位置的校正值)通過(guò)對(duì)相對(duì)于基板掃描方向垂直的方向和被成膜基板200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向進(jìn)行運(yùn)算而確定。掩模驅(qū)動(dòng)控制部233和掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)MO,基于來(lái)自上述校正量算出部232的校正信號(hào),使被成膜基板200和掩模單元80的至少一方相對(duì)移動(dòng),使被成膜基板200和掩模單元80移動(dòng)到適當(dāng)?shù)膾呙栉恢谩>唧w而言,掩模驅(qū)動(dòng)控制部233基于來(lái)自上述校正量算出部232的校正信號(hào),例如,驅(qū)動(dòng)與掩模單元80連接的掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(掩模單元移動(dòng)部件)240中xy θ驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)等的電動(dòng)機(jī)Ml、以及、掩模張力機(jī)構(gòu)88的至少一方。由此,掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)M0,以陰影掩模81處于適當(dāng)?shù)恼翦兾恢玫姆绞?,原樣保持上述陰影掩?1和蒸鍍?cè)?5的相對(duì)位置,使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)。另外,掩模張力機(jī)構(gòu)88,以陰影掩模81處于適當(dāng)?shù)恼翦兾恢玫姆绞?,調(diào)整向陰影掩模81施加的張力。另外,基板驅(qū)動(dòng)控制部234,基于來(lái)自上述校正量算出部232的校正信號(hào),驅(qū)動(dòng)基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70中、與基板保持構(gòu)件71連接的xy θ驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)等的電動(dòng)機(jī)72,由此較正被成膜基板200的基板位置。這樣,根據(jù)本實(shí)施方式,從調(diào)準(zhǔn)的偏差量和基板掃描量導(dǎo)出各自的校正值,基于該校正值調(diào)整(控制)陰影掩模81和被成膜基板200的對(duì)準(zhǔn)。S卩,在本實(shí)施方式中,這些掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)Μ0、掩模張力機(jī)構(gòu)88、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,也作為調(diào)整上述被成膜基板200和陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)整部件發(fā)揮功能。另外,蒸鍍0N/0FF控制部235,從由檢測(cè)部231所檢測(cè)的基板掃描量和由校正量算出部232所算出的基板掃描的校正量,算出被成膜基板200相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域的相對(duì)位置,在蒸鍍膜211的成膜區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)的始端發(fā)生蒸鍍ON信號(hào),在終端發(fā)生蒸鍍OFF信號(hào)。閘板驅(qū)動(dòng)控制部236,若從蒸鍍0N/0FF控制部235輸入蒸鍍OFF信號(hào),則使驅(qū)動(dòng)閘板89的電動(dòng)機(jī)237(閘板驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)、電動(dòng)機(jī)部)驅(qū)動(dòng),將閘板89封閉,若從蒸鍍0N/0FF 控制部235輸入蒸鍍ON信號(hào),則使驅(qū)動(dòng)閘板89的電動(dòng)機(jī)237(閘板驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)、電動(dòng)機(jī)部) 驅(qū)動(dòng),將閘板89開放。接著,對(duì)于從激光的反射強(qiáng)度求出調(diào)準(zhǔn)的偏差量的方法,參照?qǐng)D42的(a) · (b)在以下進(jìn)行說(shuō)明。此外,圖42的(a) · (b)表示使被成膜基板200相對(duì)于陰影掩模81相對(duì)移動(dòng)的情況。圖42的(a)是表示圖39所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220的主要部分的概略構(gòu)成的平面圖。 另外,圖42的(b)是表示圖42的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220的構(gòu)成調(diào)準(zhǔn)圖案的各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221、陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84和激光點(diǎn)的位置關(guān)系的平面圖。此外,為了圖示的方便, 在圖42的(b)中,陰影掩模81,僅對(duì)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84進(jìn)行圖示,對(duì)陰影掩模81其本身,省略圖
7J\ ο上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221優(yōu)選由高反射的材料形成。作為上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的材料,可以列舉例如Al (鋁)、Ti (鈦)等的金屬材料。這些調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221預(yù)先形成在被成膜基板200上。此外,作為上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的材料,例如能夠使用與TFT基板10等所使用的電極材料等的反射材料(高反射構(gòu)件)相同的材料。因此,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,在TFT基板10等的被成膜基板200中、例如在柵極電極、 源極電極、漏極電極等的電極形成工序中,希望利用與這些電極相同的材料,預(yù)先與這些電極同時(shí)形成。由此,能夠避免在被成膜基板200上設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221造成的工序數(shù)的增大或?qū)肫渌牧系鹊某杀驹黾拥膯?wèn)題。另外,陰影掩模81優(yōu)選由低反射材料形成,或經(jīng)過(guò)低反射加工。上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,如上所述,由形成在陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83上的開口部 (掩模開口部)構(gòu)成。如圖42 (b)所示,在陰影掩模81上,作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,沿著掃描方向,例如設(shè)置2 個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84(以下,將各個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,從基板掃描方向上游側(cè)順次記作“第1開口部 84a”、“第2開口部84b”)。上述第1開口部8 和第2開口部84b,以各自位于調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221的圖案邊界上的方式配置。另外,在第1開口部8 和第2開口部84b上,從調(diào)準(zhǔn)傳感器170中的激光照射部照射激光。調(diào)準(zhǔn)傳感器170從激光照射部向上述第1開口部8 和第2開口部84b照射激光, 測(cè)定來(lái)自在上述第1開口部8 和第2開口部84b上照射的激光所產(chǎn)生的激光點(diǎn)171的反射強(qiáng)度,將該反射強(qiáng)度作為檢測(cè)信號(hào)送到控制電路230??刂齐娐?30基于由該調(diào)準(zhǔn)傳感器170所得到的反射強(qiáng)度,判斷激光點(diǎn)171和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的位置偏差,即,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84(第1開口部84a、第2開口部84b)和激光點(diǎn)171 的位置偏差??刂齐娐?30中的檢測(cè)部231,從反射強(qiáng)度IRl和反射強(qiáng)度頂2,檢測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 和各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 (第1開口部84a、第2開口部84b)的偏差量(χ軸方向和y軸方向的偏差成分以及xy平面的轉(zhuǎn)動(dòng)成分)與被成膜基板200的掃描量。此外,這里,反射強(qiáng)度IRl表示在基板掃描方向上游側(cè)的作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的第1開口部8 上點(diǎn)照射而產(chǎn)生的激光的反射強(qiáng)度。另外,反射強(qiáng)度IR2表示在基板掃描方向下游側(cè)的作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的第2開口部84b上點(diǎn)照射而產(chǎn)生的激光的反射強(qiáng)度。圖43是圖42(b)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84(第1開口部84a、第2開口部84b)的關(guān)系中所得到的激光的反射強(qiáng)度和被成膜基板200的掃描時(shí)間的關(guān)系的圖。在圖43所示的圖中,在最初的第1期間Tl中,表示反射強(qiáng)度IRl和反射強(qiáng)度頂2 相等的狀態(tài)。即,在該第1期間Tl中,表示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84(第1開口部84a和第2開口部84b)處于正確的位置關(guān)系。例如,在圖42(b)所示的例子中,表示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221的邊界部(調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221中與基板掃描方向平行的一邊)相等地通過(guò)第1開口部84a 和第2開口部84b的中心部,表示陰影掩模81和被成膜基板200被正確地調(diào)準(zhǔn)。接下來(lái)的第2期間T2,表示通過(guò)斷續(xù)地形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,不能從第1開口部84a 和第2開口部84b觀測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,所以反射強(qiáng)度IRl · IR2兩者都減少。在接下來(lái)的第3期間T3中,因?yàn)槟軌驈牡?開口部8 和第2開口部84b再次觀測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,所以反射強(qiáng)度IRl · IR2上升。然而,在第3期間T3中,反射強(qiáng)度IR2顯示比反射強(qiáng)度IRl高的反射強(qiáng)度。這表示從第2開口部84b露出的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的面積比從第1開口部8 露出的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 的面積大,相比于第1開口部84a,在第2開口部84b中可以觀測(cè)到更多的面積的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221。SP,第3期間T3,表示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221偏向第2開口部84b側(cè),調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84(第1開口部84a、第2開口部84b)沒(méi)有被正確調(diào)準(zhǔn)。因此,在上述第3期間T3中,通過(guò)從上述反射強(qiáng)度的不同進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整,在接著能夠從第1開口部8 和第2開口部84b再次觀測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的第5期間T5中,與第1期間Tl同樣地成為反射強(qiáng)度IRl和反射強(qiáng)度IR2相等的狀態(tài)。第5期間T5,與第1期間Tl同樣,表示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 (第1開口部 84a、第2開口部84b)被正確調(diào)準(zhǔn)。此外,在第3期間T3和第5期間T5之間的第4期間T4、以及在第5期間T5和第 7期間T7之間的第6期間T6,與第2期間T2同樣,因?yàn)檎{(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221從第1開口部8 和第2開口部84b遠(yuǎn)離,所以2個(gè)反射強(qiáng)度IRl · IR2都變小。在第7期間T7中,因?yàn)槟軌驈牡?開口部8 和第2開口部84b再次觀測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,所以反射強(qiáng)度IRl · IR2上升。然而,在第7期間T7中,因?yàn)榉瓷鋸?qiáng)度IRl比反射強(qiáng)度IR2高,所以從第1開口部 84a露出的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的面積比從第2開口部84b露出的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的面積大,表示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221偏向第1開口部8 側(cè)。因此,在上述第7期間T7中,通過(guò)從上述反射強(qiáng)度的不同進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整,在接著能夠從第1開口部8 和第2開口部84b再次觀測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的期間,成為反射強(qiáng)度和反射強(qiáng)度IR2相等的狀態(tài)。如以上所述,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)測(cè)定伴隨掃描時(shí)間的經(jīng)過(guò)而變化的反射強(qiáng)度, 能夠一邊進(jìn)行基板掃描(基板搬運(yùn))一邊實(shí)時(shí)地檢測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記83和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的偏差。另外,如上所述,通過(guò)作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84在基板掃描方向上設(shè)置多個(gè)掩模開口部, 從由各個(gè)掩模開口部得到的反射強(qiáng)度的不同,能夠掌握調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221偏向掩模開口部的哪一側(cè)。因此,通過(guò)如上所述沿著掃描方向設(shè)置多個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,也能夠觀測(cè)陰影掩模81 和被成膜基板200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的偏差(θ偏差)。因此,如圖39所示,在使用陰影掩模81的長(zhǎng)邊81a的寬度比被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210中、與上述陰影掩模81的長(zhǎng)邊81a相對(duì)的邊(長(zhǎng)邊210a)的寬度長(zhǎng)的陰影掩模81時(shí),在沿著被成膜基板200中與上述邊(長(zhǎng)邊210a)垂直的邊(短邊210a)進(jìn)行掃描
62時(shí),例如,即使僅在與掃描方向平行的2個(gè)邊(短邊210a *210a)中的一個(gè)邊設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221的情況下,通過(guò)如上所述以從掩模開口部所得到的反射強(qiáng)度相等的方式進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)調(diào)整, 能夠消除也包含θ偏差在內(nèi)的調(diào)準(zhǔn)偏差。其結(jié)果,能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。此外,如圖39所示,在被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的兩端側(cè)(即,與基板掃描方向垂直的方向的兩側(cè))形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 -221時(shí),如上所述不局限于調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84是否沿著掃描方向設(shè)置多個(gè),都能夠不僅掌握被成膜基板200的掃描量,還能夠掌握調(diào)準(zhǔn)的θ偏差。在這里,接下來(lái),對(duì)如上所述從被成膜基板200中蒸鍍區(qū)域210的兩端側(cè)所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84· 221掌握調(diào)準(zhǔn)的θ偏差的方法,在以下進(jìn)行說(shuō)明。圖44是表示從被成膜基板200的導(dǎo)入時(shí)(即,基板掃描開始時(shí))的、反射強(qiáng)度和被成膜基板200的掃描時(shí)間的關(guān)系的圖。在圖44中,頂和IL分別如圖39所示,表示通過(guò)陰影掩模81中在與掃描方向垂直的方向相互相對(duì)設(shè)置的各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 84(掩模開口部)測(cè)量得到的、來(lái)自被成膜基板 200中在蒸鍍區(qū)域210的兩端側(cè)相互相對(duì)設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 · 221的反射強(qiáng)度。在圖44所示的圖中,在從基板導(dǎo)入到規(guī)定時(shí)期為止的初始期間TO中,首先出現(xiàn)來(lái)自反射強(qiáng)度頂?shù)男盘?hào)。這表示得到反射強(qiáng)度頂?shù)恼{(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221比得到反射強(qiáng)度IL的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221更先被檢測(cè)到,表明得到反射強(qiáng)度頂?shù)恼{(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221比得到反射強(qiáng)度IL的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221提前出現(xiàn)。即,表示作為被成膜基板200和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn),產(chǎn)生θ偏差(轉(zhuǎn)動(dòng)偏差)。因此,在上述初始期間TO中,例如,如上所述通過(guò)基板驅(qū)動(dòng)控制部234,驅(qū)動(dòng)與基板保持構(gòu)件71連接的xy θ驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)等的電動(dòng)機(jī)72,使基板保持構(gòu)件71在θ方向移動(dòng) (轉(zhuǎn)動(dòng)),使被成膜基板200在θ方向移動(dòng)(轉(zhuǎn)動(dòng)),從而能夠校正被成膜基板200的位置。 由此,能夠消除上述的θ偏差。此外,在本實(shí)施方式中,如圖42 (a) · (b)所示,通過(guò)斷續(xù)地形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,反射強(qiáng)度也如圖43所示斷續(xù)地變化。因此,通過(guò)對(duì)該變化的周期計(jì)數(shù),能夠正確掌握(監(jiān)控)被成膜基板200的掃描量。由此,能夠高精度地控制閘板89的開關(guān)時(shí)間等。因此,能夠進(jìn)行更高精度的蒸鍍。此外,在圖42(a) · (b)中,雖然使調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的斷續(xù)周期(形成周期)一定,但本實(shí)施方式并不局限于此。例如,根據(jù)被成膜基板200的位置將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的221的斷續(xù)寬度,如圖45所示,從dll改變到dl2等,將調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的斷續(xù)周期(形成周期)根據(jù)被成膜基板200的位置而特意地改變,從而能夠更準(zhǔn)確地掌握被成膜基板200的位置(掃描量)O另外,代替如上所述根據(jù)被成膜基板200的位置改變調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的斷續(xù)周期 (形成周期),或者與其并用,根據(jù)被成膜基板200的位置改變調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221的形狀,由此能夠更準(zhǔn)確地掌握被成膜基板200的位置(掃描量)。接著,對(duì)于上述蒸鍍裝置50的膜厚調(diào)整涉及的處理(膜厚控制),主要參照?qǐng)D41 在以下進(jìn)行說(shuō)明。此外,在以下的說(shuō)明中,以作為膜厚傳感器180,使用測(cè)定來(lái)自對(duì)象物(蒸鍍膜211)的反射強(qiáng)度的傳感器的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此。
雖然使用各個(gè)傳感器時(shí)的膜厚的檢測(cè)方法其本身隨著傳感器的種類而不同,但膜厚調(diào)整涉及的處理其本身基本上相同。另外,對(duì)于膜厚的檢測(cè)方法,例如使用市售的傳感器時(shí),只要按照其規(guī)格即可,在這里省略其詳細(xì)的說(shuō)明,但即使在使用不同的傳感器時(shí),也可以充分地實(shí)施。此外,對(duì)于上述的調(diào)準(zhǔn)傳感器170也當(dāng)然可以是同樣的。上述控制電路230,作為膜厚控制部,如圖41所示,具備膜厚偏差量算出部251(運(yùn)算部)、校正量算出部252 (運(yùn)算部)、掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234、蒸鍍控制部 253。上述膜厚偏差量算出部251從通過(guò)上述膜厚傳感器180所檢測(cè)的反射強(qiáng)度,和與相對(duì)于預(yù)先設(shè)定的膜厚的反射強(qiáng)度的差分算出膜厚的偏差量,將其算出結(jié)果送到上述校正量算出部252。校正量算出部252,基于從膜厚偏差量算出部251接收的算出結(jié)果,算出被成膜基板200或掩模單元80的掃描速度的校正量或蒸鍍次數(shù)的校正量、蒸鍍?cè)?5的溫度的校正量,將該算出結(jié)果,作為校正信號(hào),送到掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234、蒸鍍控制部253。在使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)時(shí),掩模校正(調(diào)整)與掩模單元80連接的掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(掩模單元移動(dòng)部件)240中xy θ驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)等的電動(dòng)機(jī) 241的轉(zhuǎn)速,由此校正(調(diào)整)掩模單元80的掃描速度。或、基于來(lái)自上述校正量算出部 252的校正信號(hào),驅(qū)動(dòng)上述電動(dòng)機(jī)Μ1,校正(調(diào)整)蒸鍍次數(shù)。在使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)時(shí),基板驅(qū)動(dòng)控制部234基于來(lái)自上述校正量算出部252的校正信號(hào),例如,校正(調(diào)整)基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70中、與基板保持構(gòu)件71連接的xy θ驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)等的電動(dòng)機(jī)72的轉(zhuǎn)速,由此校正(調(diào)整)被成膜基板200 的掃描速度?;?、基于來(lái)自上述校正量算出部252的校正信號(hào),驅(qū)動(dòng)上述電動(dòng)機(jī)72,校正(調(diào)整)蒸鍍次數(shù)。另外,蒸鍍控制部253基于來(lái)自上述校正量算出部252的校正信號(hào),例如,驅(qū)動(dòng)蒸鍍?cè)?5上所設(shè)置的加熱器260等的加熱部件,由此調(diào)整蒸鍍?cè)?5的溫度。這樣,根據(jù)本實(shí)施方式,例如,從在被成膜基板200上成膜的蒸鍍膜211中膜厚的實(shí)際偏差量,導(dǎo)出關(guān)系膜厚的偏差的校正值,基于該校正值,調(diào)整(控制)在被成膜基板200 上所蒸鍍的蒸鍍膜211的膜厚。此外,在圖37所示的例子中,表示了如下例子作為基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,使用例如具有框狀的基板保持構(gòu)件71的輥式的移動(dòng)機(jī)構(gòu),使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,例如,如上所述,也可以使用油壓式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)。另外,如圖1所示,也可以是在被成膜基板200中與掩模單元80的相對(duì)面的相反面?zhèn)龋O(shè)置使用靜電卡盤的基板保持構(gòu)件71,在靜電卡盤上吸附被成膜基板200的狀態(tài)下使被成膜基板200移動(dòng)。另外,當(dāng)然,也可以設(shè)為如上所述使用掩模驅(qū)動(dòng)控制部233使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的構(gòu)成,此時(shí),可以固定被成膜基板200,僅使掩模單元80移動(dòng),也可以使被成膜基板200和掩模單元80兩者都相對(duì)移動(dòng)。
根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,因?yàn)槟軌蛞贿呎翦儭呙瑁贿厡?shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)陰影掩模 81和被成膜基板200,所以能夠進(jìn)行更高精度的調(diào)準(zhǔn)。另外,沒(méi)有為了調(diào)準(zhǔn)而停止掃描的必要,因此能夠更高效率地將蒸鍍膜211成膜。因此,能夠更高效率地生產(chǎn)最終制品。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,只要在被成膜基板200上設(shè)置簡(jiǎn)單的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 84即可,對(duì)被成膜基板200的利用效率沒(méi)有影響。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,因?yàn)椴皇沁M(jìn)行圖案識(shí)別,而是使用激光監(jiān)控其反射強(qiáng)度, 所以不需要復(fù)雜的運(yùn)算裝置,還不會(huì)發(fā)生識(shí)別錯(cuò)誤等,所以能夠以簡(jiǎn)單裝置,進(jìn)行更高精度的穩(wěn)定的調(diào)準(zhǔn)。本實(shí)施方式的要點(diǎn),如上所述,在于連續(xù)地測(cè)定預(yù)先在被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221(調(diào)準(zhǔn)圖案)與陰影掩模81上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 (調(diào)準(zhǔn)圖案)的位置關(guān)系,評(píng)價(jià)調(diào)準(zhǔn)偏差,由此連續(xù)地進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)動(dòng)作,只要滿足該點(diǎn),則不限于上述的例子。此外,在本實(shí)施方式中,以在確定被成膜基板200和陰影掩模81的相對(duì)的移動(dòng)量時(shí),校正量算出部232基于從檢測(cè)部231接收的檢測(cè)結(jié)果,算出調(diào)準(zhǔn)的校正量和基板掃描的校正量的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,例如,也可以使用預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部(存儲(chǔ)部件)的對(duì)照表,從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量,確定被成膜基板200的基板位置的校正值。S卩,上述控制電路100也可以具備存儲(chǔ)有上述對(duì)照表的存儲(chǔ)部;和使用上述對(duì)照表,從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量,選擇(確定)被成膜基板200的基板位置的校正值的選擇部。另外,在本實(shí)施方式中,如上所述以作為調(diào)準(zhǔn)傳感器170使用光學(xué)傳感器的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,如上所述,作為上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170,也可以是光學(xué)傳感器以外的傳感
ο另外,在本實(shí)施方式中,以膜厚傳感器180通過(guò)測(cè)量在被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的膜厚,控制在被成膜基板200上所形成的蒸鍍膜211的膜厚的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,也可以通過(guò)從水晶振動(dòng)子的共振頻率的變化算出附著在水晶振動(dòng)子的膜厚檢測(cè)面的成膜材料的質(zhì)量,使用預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部的校正系數(shù)等將水晶振動(dòng)子表面的附著量換算為被成膜基板200表面的膜厚,與設(shè)定的膜厚比較。另外,蒸鍍膜211的膜厚,也可以通過(guò)如下方式進(jìn)行控制,即,在從蒸鍍?cè)?5放出的蒸鍍顆粒蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上時(shí),通過(guò)多個(gè)水晶振動(dòng)子由膜厚傳感器180檢測(cè)從蒸鍍?cè)?5放出的蒸發(fā)流的密度分布,對(duì)應(yīng)密度分布的梯度,使用xyz θ臺(tái)等調(diào)整掩模單元80 與被成膜基板200的距離。此外,在如上述實(shí)施方式1所記載的那樣作為被成膜基板200使用例如TFT基板 10的情況等下,對(duì)于進(jìn)行整面蒸鍍的層,沒(méi)有必要進(jìn)行上述調(diào)準(zhǔn)控制(掩模調(diào)準(zhǔn)處理),但對(duì)于這樣的層,也優(yōu)選實(shí)施上述膜厚的有源控制?!矊?shí)施方式13〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖46和圖47的(a) · (b)進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 12(特別是上述實(shí)施方式 12)的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 12中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。在上述實(shí)施方式12中,主要以作為調(diào)準(zhǔn)傳感器170,使用測(cè)量激光的反射強(qiáng)度的傳感器的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170并不局限于此,如上所述,也可以是具備CCD等的攝像元件的圖像傳感器。S卩,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,與上述實(shí)施方式12相同,調(diào)準(zhǔn)傳感器170(圖像傳感器)在真空腔室60內(nèi),與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5鄰接設(shè)置(S卩,以相鄰的方式設(shè)置),與陰影掩模81的相對(duì)位置被固定,在該方面與上述實(shí)施方式1 12不同。圖46是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50的構(gòu)成的一部分的框圖。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,作為控制電路,具備具有圖46和上述圖41所示構(gòu)成的控制電路230。此外,對(duì)于圖41所示的構(gòu)成,因?yàn)榕c上述實(shí)施方式12相同,所以在本實(shí)施方式中,省略上述說(shuō)明。上述控制電路230,作為調(diào)準(zhǔn)控制部,如圖46所示,具備圖像檢測(cè)部271、檢測(cè)部 272 (差分檢測(cè)部、運(yùn)算部)、校正量算出部232 (運(yùn)算部)、掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234、蒸鍍0N/0FF控制部273、間板驅(qū)動(dòng)控制部236。此外,在本實(shí)施方式中,上述檢測(cè)部272和校正量算出部232相當(dāng)于圖4所示的運(yùn)算部102。另外,圖像檢測(cè)部271相當(dāng)于圖4所示的圖像檢測(cè)部101。檢測(cè)部272相當(dāng)于圖 40所示的檢測(cè)部231。蒸鍍0N/0FF控制部273相當(dāng)于圖4所示的蒸鍍0N/0FF控制部104 以及圖40所示的蒸鍍0N/0FF控制部235。 此外,在以下,關(guān)于圖46,僅對(duì)上述圖像檢測(cè)部271、檢測(cè)部272、蒸鍍0N/0FF控制部273進(jìn)行說(shuō)明。關(guān)于其他的構(gòu)成,在上述實(shí)施方式12中,例如將檢測(cè)部231替換為檢測(cè)部272,將蒸鍍0N/0FF控制部235替換為蒸鍍0N/0FF控制部273。作為調(diào)準(zhǔn)傳感器170使用圖像傳感器時(shí),如圖46所示,首先,利用圖像檢測(cè)部271, 從由調(diào)準(zhǔn)傳感器170 (圖像傳感器)讀取的圖像,進(jìn)行被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 221和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的圖像檢測(cè)。另外,從該被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221中、表示蒸鍍區(qū)域210的始端的始端標(biāo)記、和表示蒸鍍區(qū)域210的終端的終端標(biāo)記,檢測(cè)被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的始端和終端。檢測(cè)部272,將在圖像檢測(cè)部271所檢測(cè)的圖像,作為調(diào)準(zhǔn)傳感器170的檢測(cè)信號(hào)使用,檢測(cè)(作為差分檢測(cè))調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的偏差量(χ軸方向和y軸方向的偏差成分以及xy平面的轉(zhuǎn)動(dòng)成分)、與被成膜基板200的掃描量,將該檢測(cè)結(jié)果送到校正量算出部232。蒸鍍0N/0FF控制部273,若由圖像檢測(cè)部271檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的終端,則使蒸鍍OFF信號(hào)發(fā)生,若由圖像檢測(cè)部271檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的始端,則使蒸鍍ON信號(hào)發(fā)生。接著,對(duì)于作為調(diào)準(zhǔn)傳感器170,如上所述使用圖像傳感器時(shí)調(diào)準(zhǔn)的偏差量的求法進(jìn)行說(shuō)明。圖47的(a)是表示圖39所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220的主要部分的概略構(gòu)成的平面圖。 另外,圖47的(b)是表示圖47的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220的構(gòu)成調(diào)準(zhǔn)圖案的各調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221與陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84的位置關(guān)系的平面圖。此外,為了圖示的方便,在圖47 的(b)中,陰影掩模81僅圖示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,對(duì)于陰影掩模81本身,省略圖示。上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84,如上所述,由陰影掩模81的在調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83所形成的開口部(掩模開口部)構(gòu)成。此外,在本實(shí)施方式中,作為上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,例如能夠使用與TFT基板10等所使用的電極材料等的反射材料(高反射構(gòu)件)相同的材料。因此,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221,在TFT 基板10等的被成膜基板200中、例如在柵極電極、源極電極、漏極電極等的電極形成工序中,能夠利用與這些電極相同的材料,與這些電極同時(shí)形成。根據(jù)本實(shí)施方式,如圖47的(b)所示,將上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 (掩模開口部)作為圖像讀取,通過(guò)測(cè)定調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221的端部(外緣部)間的距離,求出基板和掩模的調(diào)準(zhǔn)的偏差量。此外,在圖47的(b)所示的例子中,僅圖示調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的端部間的距離q。 然而,如在上述實(shí)施方式1中使用圖5的(a) (d)所說(shuō)明的那樣,通過(guò)作為運(yùn)算部的檢測(cè)部231,從由圖像檢測(cè)部271檢測(cè)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221的圖像,測(cè)定(算出)χ軸方向的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的端部(外緣部)間的距離r和y軸方向的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221的端部(外緣部)間的距離q,計(jì)算調(diào)準(zhǔn)的偏差量。另外,在該情況下,通過(guò)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84沿著掃描方向設(shè)置多個(gè),或在被成膜基板200 中的蒸鍍區(qū)域210的兩端側(cè)設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221,能夠不僅觀測(cè)被成膜基板200的掃描量,也能夠觀測(cè)陰影掩模81和被成膜基板200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的偏差(θ偏差)。另外,在本實(shí)施方式中,如圖47的(a) · (b)所示,通過(guò)斷續(xù)地形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221, 能夠正確把握(監(jiān)控)被成膜基板200的掃描量,并能夠更高精度地控制閘板89的開關(guān)時(shí)間等。在本實(shí)施方式中,如上所述,作為調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,將固定與陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)準(zhǔn)傳感器170,與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5鄰接設(shè)置,通過(guò)陰影掩模81的掩模開口部,在蒸鍍整個(gè)過(guò)程中,由上述調(diào)準(zhǔn)傳感器170連續(xù)監(jiān)控(識(shí)別)遍及被成膜基板200的掃描方向而設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (調(diào)準(zhǔn)圖案),從而能夠一邊蒸鍍 掃描,一邊實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)陰影掩模81和被成膜基板200。因此,能夠進(jìn)行更高精度的調(diào)準(zhǔn)。另外,因?yàn)闆](méi)有必要為了調(diào)準(zhǔn)而停止掃描,所以能夠更高效率地將蒸鍍膜211成膜。因此,能夠更高效率地生產(chǎn)最終制品?!矊?shí)施方式14〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖48 圖50進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 13(特別是上述實(shí)施方式 12)的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 13中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。在上述實(shí)施方式1 13中,以通過(guò)陰影掩模81觀測(cè)被成膜基板200的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。即,在上述實(shí)施方式1 13中,通過(guò)測(cè)定預(yù)先在被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案(例如調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84)與陰影掩模81上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案(例如調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221)的位置偏差,從被成膜基板200和陰影掩模81的調(diào)準(zhǔn)的偏差量,控制蒸鍍膜211(蒸鍍圖案)的
位置偏差。然而,在本實(shí)施方式中,通過(guò)測(cè)定預(yù)先在被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案與實(shí)際上所成膜的蒸鍍膜211 (蒸鍍圖案)的偏差量,直接觀測(cè)并控制蒸鍍膜211 (蒸鍍圖案) 的位置偏差。
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圖48是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。另外,圖49是表示圖48所示的蒸鍍裝置50的構(gòu)成的一部分的框圖。如圖48所示,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50具備真空腔室60(成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)部件、移動(dòng)部件)、掩模單元80、調(diào)準(zhǔn)傳感器190(調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)、膜厚傳感器180(沒(méi)有圖示,參照?qǐng)D37 圖40,膜厚觀測(cè)部件)、和控制電路觀0。此外,在本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中,作為調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件的調(diào)準(zhǔn)傳感器190, 在真空腔室60內(nèi),與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5鄰接設(shè)置(即,以相鄰的方式設(shè)置),與陰影掩模81的相對(duì)位置被固定。本實(shí)施方式涉及的調(diào)準(zhǔn)傳感器190,如圖48所示,具備紫外光照射裝置191(紫外光照射部)和檢測(cè)器192 (檢測(cè)部)。上述紫外光照射裝置191和檢測(cè)器192,如圖48所示,夾著被成膜基板200相互相對(duì)設(shè)置。此外,紫外光照射裝置191設(shè)置在與被成膜基板200的蒸鍍面的相反側(cè)。另外,在本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中,調(diào)準(zhǔn)傳感器190與上述實(shí)施方式 12· 13中的調(diào)準(zhǔn)傳感器170相比,設(shè)置在基板掃描方向后方(基板掃描方向下游側(cè))。由此,在本實(shí)施方式中,不是如上述實(shí)施方式12 · 13所示通過(guò)陰影掩模81觀測(cè)被成膜基板 200,而是直接觀測(cè)剛通過(guò)陰影掩模81后的被成膜基板200。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)上述調(diào)準(zhǔn)傳感器190與陰影掩模81的相對(duì)位置被固定,能夠一邊蒸鍍·掃描,一邊觀測(cè)遍及被成膜基板200的掃描方向設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)圖案和通過(guò)陰影掩模81的被成膜基板200的蒸鍍膜211,并且基于該觀測(cè)結(jié)果,能夠進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)。此外,上述調(diào)準(zhǔn)傳感器190希望與膜厚傳感器180相同,與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?85盡可能接近設(shè)置。由此,能夠觀測(cè)剛通過(guò)陰影掩模81后的被成膜基板200的蒸鍍膜211。接著,對(duì)于使用上述調(diào)準(zhǔn)傳感器190求出調(diào)準(zhǔn)的偏差量的方法,參照?qǐng)D50的 (a) (c)在以下進(jìn)行說(shuō)明。圖50的(a) (c)是對(duì)于從被成膜基板200上預(yù)先設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與在被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍圖案的關(guān)系,測(cè)定調(diào)準(zhǔn)的偏差量的方法進(jìn)行說(shuō)明的平面圖。圖50的(a)表示在被成膜基板200所形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀的一例。另外,圖50 的(b)表示有調(diào)準(zhǔn)偏差時(shí)的、圖50的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍圖案的位置關(guān)系。圖50的(c)表示沒(méi)有調(diào)準(zhǔn)偏差時(shí)的、圖50的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍圖案的位置關(guān)系。如圖50的(a) (c)所示,在本實(shí)施方式中,在被成膜基板200中的蒸鍍區(qū)域210 內(nèi)設(shè)置陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222。在本實(shí)施方式中,如上所述,通過(guò)調(diào)準(zhǔn)傳感器190測(cè)定被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的蒸鍍圖案與預(yù)先設(shè)置在被成膜基板200上的上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的位置關(guān)系。此外,作為上述蒸鍍圖案,例如,可以列舉有機(jī)EL層等中的有機(jī)層圖案。在本實(shí)施方式中,只要能夠觀測(cè)由蒸鍍膜211的光致發(fā)光和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的材料就沒(méi)有特別限定。在本實(shí)施方式中,從能夠?qū)Ρ榷攘己玫赜^測(cè)由蒸鍍膜 211的光致發(fā)光和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222出發(fā),上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222優(yōu)選由反射或吸收紫外光的材料形成,更優(yōu)選由不透射紫外光的材料形成。
因此,上述被成膜基板200為TFT基板10時(shí),作為上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,例如,可以使用TFT基板10的制作時(shí)所使用的Al等的電極材料。作為上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,例如能夠使用與TFT基板10等所使用的電極材料相同的材料。因此,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,在TFT基板10等的被成膜基板200中、例如在柵極電極、源極電極、漏極電極等的電極形成工序中,能夠利用與這些電極相同的材料,與這些電極同時(shí)形成。此外,作為被成膜基板200例如使用TFT基板10等的配線基板(電極基板、陣列基板)時(shí),上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222可以避開配線形成,也可以將配線本身作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222利用。 由此,能夠避免在被成膜基板200上設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222造成的工序數(shù)的增大和其他材料的導(dǎo)入等的成本增加的問(wèn)題。但是,本實(shí)施方式并不局限于此,例如,也可以在被成膜基板200中與蒸鍍面相反側(cè)的面(基板背面)上,由反射或吸收紫外光的材料,優(yōu)選由不透射紫外光的材料,另外設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222。另外,被成膜基板200中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222(調(diào)準(zhǔn)圖案)的周邊區(qū)域由能夠透射紫外光的材料形成。此外,在調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222由透射一部分紫外光(S卩,不完全阻擋)的材料形成時(shí), 被成膜基板200中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的周邊區(qū)域優(yōu)選由紫外光的透射率高于調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的材料形成。在本實(shí)施方式中,在蒸鍍工序中,使用陰影掩模81,如圖50的(C)所示,以蒸鍍膜 211與上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222重疊的方式形成蒸鍍膜211。此外,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222預(yù)先形成在被成膜基板200中、形成蒸鍍膜211的蒸鍍圖案的區(qū)域。被成膜基板200在剛通過(guò)陰影掩模81后(S卩,蒸鍍后),利用紫外光照射裝置191, 從被成膜基板200中與蒸鍍面相反側(cè)的面(基板背面)入射紫外光時(shí),蒸鍍了有機(jī)層的區(qū)域進(jìn)行PL (光致發(fā)光)發(fā)光。因此,在調(diào)準(zhǔn)傳感器190的上述檢測(cè)器192中,如圖50的(b) · (c)所示,同時(shí)觀測(cè)非發(fā)光的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221和進(jìn)行發(fā)光的蒸鍍膜211的蒸鍍圖案。因此,通過(guò)對(duì)由該檢測(cè)器192所觀測(cè)的圖像進(jìn)行圖像識(shí)別,導(dǎo)出調(diào)準(zhǔn)的偏差量,能夠進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)的控制。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,作為控制電路,具備具有圖49和上述圖41所示的構(gòu)成的控制電路觀0。此外,因?yàn)閷?duì)于圖41所示的構(gòu)成,與上述實(shí)施方式12相同,所以在本實(shí)施方式中,省略上述說(shuō)明。上述控制電路觀0,作為調(diào)準(zhǔn)控制部,如圖49所示,具備圖像檢測(cè)部觀1、檢測(cè)部 282 (差分檢測(cè)部、運(yùn)算部)、校正量算出部232 (運(yùn)算部)、掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234、蒸鍍0N/0FF控制部觀3、間板驅(qū)動(dòng)控制部236。此外,在本實(shí)施方式中,上述檢測(cè)部282和校正量算出部232相當(dāng)于圖4所示的運(yùn)算部102。另外,圖像檢測(cè)部281相當(dāng)于圖4所示的圖像檢測(cè)部101。檢測(cè)部282相當(dāng)于圖 40所示的檢測(cè)部231。蒸鍍0N/0FF控制部283相當(dāng)于圖4所示的蒸鍍0N/0FF控制部104 以及圖40所示的蒸鍍0N/0FF控制部235。此外,以下,關(guān)于圖49,僅對(duì)上述圖像檢測(cè)部觀1、檢測(cè)部觀2、蒸鍍0N/0FF控制部 283進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于其他的構(gòu)成,在上述實(shí)施方式12中,例如將檢測(cè)部231替換為檢測(cè)部
69觀2,將蒸鍍0N/0FF控制部235替換為蒸鍍0N/0FF控制部觀3。在本實(shí)施方式中,如圖49所示,首先,利用圖像檢測(cè)部,從由調(diào)準(zhǔn)傳感器190中的檢測(cè)器192讀取的圖像,進(jìn)行非發(fā)光的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222以及進(jìn)行發(fā)光的蒸鍍膜211的圖像檢測(cè)(圖像識(shí)別)。另外,從被成膜基板200上所設(shè)置的、表示蒸鍍區(qū)域210的始端的始端標(biāo)記、以及表示蒸鍍區(qū)域210的終端的終端標(biāo)記,檢測(cè)被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的始端和終端。此外,調(diào)準(zhǔn)傳感器190,因?yàn)闄z測(cè)實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的圖像,所以設(shè)置在陰影掩模81的基板掃描方向的下游側(cè)。因此,始端標(biāo)記與上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222不同,在基板掃描方向上,設(shè)置在被成膜基板200的比蒸鍍區(qū)域210靠前的位置。另一方面,終端標(biāo)記在被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210內(nèi),在基板掃描方向上,設(shè)置在被成膜基板200的比蒸鍍區(qū)域 210的終端靠前的位置。此外,對(duì)于蒸鍍區(qū)域210的終端,可以從由檢測(cè)部282所檢測(cè)的基板掃描量掌握, 并不一定需要終端標(biāo)記。檢測(cè)部觀2,從由圖像檢測(cè)部281所檢測(cè)到的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211的圖像, 算出相當(dāng)于上述距離r*q的、χ軸方向的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211的端部(外緣部)間的距離R以及y軸方向的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211的端部(外緣部)間的距離Q。檢測(cè)部282將該算出的距離R和距離Q與預(yù)先設(shè)定的值(S卩,圖50的(c)表示的、 沒(méi)有調(diào)準(zhǔn)偏差時(shí)的、對(duì)應(yīng)的X軸方向上調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211的端部間的距離以及y 軸方向上調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211的端部間的距離)進(jìn)行比較。由此,檢測(cè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222 與實(shí)際所成膜的蒸鍍膜211的偏差量和被成膜基板200的掃描量。此外,此時(shí),通過(guò)將調(diào)準(zhǔn)傳感器190在掃描方向上并列設(shè)置多個(gè)或在與掃描方向垂直的方向上并列設(shè)置多個(gè),由各調(diào)準(zhǔn)傳感器190同時(shí)觀測(cè)多個(gè)區(qū)域的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211,不僅能夠觀測(cè)被成膜基板200的掃描量,而且能夠觀測(cè)陰影掩模81和被成膜基板 200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的偏差(Θ偏差)。檢測(cè)部觀2,將這樣操作而檢測(cè)到的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222與實(shí)際所成膜的蒸鍍膜211的偏差量(X軸方向和y軸方向的偏差成分以及Xy平面的轉(zhuǎn)動(dòng)成分)和被成膜基板200的掃描量,送到校正量算出部232。蒸鍍0N/0FF控制部觀3,若由圖像檢測(cè)部281檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的終端,則使蒸鍍OFF信號(hào)發(fā)生,若由圖像檢測(cè)部281檢測(cè)到蒸鍍區(qū)域210的始端,則使蒸鍍ON信號(hào)發(fā)生。如上所述,根據(jù)本實(shí)施方式,作為調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,將固定了與陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)準(zhǔn)傳感器190與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5鄰接設(shè)置,通過(guò)在蒸鍍整個(gè)過(guò)程中,由上述調(diào)準(zhǔn)傳感器190連續(xù)監(jiān)控(識(shí)別)被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222 (調(diào)準(zhǔn)圖案) 與被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的位置關(guān)系,能夠一邊蒸鍍 掃描,一邊實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211。另外,通過(guò)實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211,能夠?qū)崟r(shí)地調(diào)準(zhǔn)陰影掩模81 和被成膜基板200。因此,能夠進(jìn)行更高精度的調(diào)準(zhǔn)。另外,因?yàn)闆](méi)有必要為了調(diào)準(zhǔn)而停止掃描,所以能夠更高效率地將蒸鍍膜211成膜。因此,能夠更高效率地生產(chǎn)最終制品。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,不是使用在陰影掩模81和被成膜基板200上分別設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 -221進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)動(dòng)作,而是如上所述,直接評(píng)價(jià)被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的偏差,因此能夠進(jìn)行更高精度的調(diào)準(zhǔn)。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,以調(diào)準(zhǔn)傳感器190在真空腔室60內(nèi)、與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5鄰接設(shè)置(S卩,以相鄰的方式設(shè)置),與陰影掩模81的相對(duì)位置被固定的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,調(diào)準(zhǔn)傳感器190不一定需要固定與陰影掩模81 的相對(duì)位置。如上所述,從使用安裝于真空腔室60的CXD等的攝像元件(攝像部件)而攝像的圖像,對(duì)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 · 221同時(shí)進(jìn)行圖像識(shí)別時(shí),識(shí)別精度降低。然而,如本實(shí)施方式所示,在直接評(píng)價(jià)被成膜基板200上實(shí)際蒸鍍的蒸鍍膜211的偏差時(shí),只要能夠觀測(cè)被成膜基板200上的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211即可,沒(méi)有必要同時(shí)觀測(cè)陰影掩模81上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84和被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222。因此,不會(huì)發(fā)生上述識(shí)別精度的降低的問(wèn)題。因此,作為上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,沒(méi)有必要固定與陰影掩模81的相對(duì)位置,例如,也可以是安裝于真空腔室60的CCD等的攝像元件。另外,作為上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,也可以使用固定了相對(duì)于上述被成膜基板200的相對(duì)位置的多個(gè)調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件。此外,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)進(jìn)行上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211的位置對(duì)準(zhǔn),進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)。因此,上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222也發(fā)揮作為陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的功能。在本實(shí)施方式中,調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,對(duì)于上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置,優(yōu)選與上述實(shí)施方式1 13同樣,與上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211 非接觸地進(jìn)行光學(xué)觀測(cè)。上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,即,作為觀測(cè)上述被成膜基板200上所設(shè)置的、陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜211的位置關(guān)系的部件,能夠使用進(jìn)行光致發(fā)光的觀測(cè)、反射強(qiáng)度的觀測(cè)、透射強(qiáng)度的觀測(cè)、單純的圖像識(shí)別等的光學(xué)觀測(cè)的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件。本實(shí)施方式的重點(diǎn),如上所述,在于直接評(píng)價(jià)預(yù)先在被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222(調(diào)準(zhǔn)圖案)和實(shí)際所成膜的蒸鍍膜211的蒸鍍圖案的偏差,只要滿足該點(diǎn), 就不局限于上述例子?!矊?shí)施方式I5〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖51和圖52進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 14(特別是上述實(shí)施方式 14)的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 14中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,如圖51的(a) (c)所示,在被成膜基板200中的蒸鍍區(qū)域210 內(nèi),作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,形成內(nèi)部(即,一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222內(nèi))具有四處開口部22 的格子狀(“田”字狀)的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222。圖51的圖51的(a)表示在被成膜基板200上形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的形狀的一例。另外,圖51的(b)表示有調(diào)準(zhǔn)偏差時(shí)的、圖51的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的蒸鍍圖案的位置關(guān)系。圖51的(c)表示沒(méi)有調(diào)準(zhǔn)偏差時(shí)的、圖51的(a)所示的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的蒸鍍圖案的位置關(guān)系。在本實(shí)施方式中,在蒸鍍工序中,使用陰影掩模81,如圖51的(c)所示,以蒸鍍膜 211的中心部位于(重疊)上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的中心部,蒸鍍膜211從調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222上所設(shè)置的4個(gè)開口部2 均等地露出的方式,形成蒸鍍膜211。此外,調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222預(yù)先形成在被成膜基板200中、形成蒸鍍膜211的蒸鍍圖案的區(qū)域。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)設(shè)置上述形狀的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,能夠不進(jìn)行圖像識(shí)別,根據(jù)上述的4個(gè)開口部22 間的熒光強(qiáng)度的比率,導(dǎo)出調(diào)準(zhǔn)的偏差量。此外,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50和蒸鍍方法,如上所述,使用與在上述實(shí)施方式14中使用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222不同形狀的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,并且作為檢測(cè)器192,使用檢測(cè)熒光強(qiáng)度的檢測(cè)器,伴隨于此,控制體系一部分不同,除了這一點(diǎn)以外,與上述實(shí)施方式14相同。因此,在以下的說(shuō)明中,說(shuō)明與上述實(shí)施方式14的不同點(diǎn)。本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,與上述實(shí)施方式14所示的蒸鍍裝置50同樣,具備真空腔室60 (成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)部件、移動(dòng)部件)、掩模單元80、調(diào)準(zhǔn)傳感器190 (調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)、膜厚傳感器180 (沒(méi)有圖示、參照?qǐng)D37 圖40),并且作為控制電路,代替控制電路觀0,具備具有圖52和上述圖41所示構(gòu)成的控制電路四0。此外,因?yàn)閷?duì)于圖41所示的構(gòu)成,與上述實(shí)施方式12相同,所以在本實(shí)施方式也省略上述說(shuō)明。圖52是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50的構(gòu)成的一部分的框圖。上述控制電路四0,作為調(diào)準(zhǔn)控制部,如圖52所示,具備檢測(cè)部291 (差分檢測(cè)部、 運(yùn)算部)、校正量算出部232 (運(yùn)算部)、掩模驅(qū)動(dòng)控制部233、基板驅(qū)動(dòng)控制部234、蒸鍍ON/ OFF控制部四2、閘板驅(qū)動(dòng)控制部236。此外,在本實(shí)施方式中,上述檢測(cè)部291和校正量算出部232相當(dāng)于圖4所示的運(yùn)算部102。另外,檢測(cè)部291相當(dāng)于圖40所示的檢測(cè)部231,蒸鍍0N/0FF控制部292相當(dāng)于圖40所示的蒸鍍0N/0FF控制部235。此外,以下,關(guān)于圖52,僅對(duì)于檢測(cè)部、蒸鍍0N/0FF控制部292進(jìn)行說(shuō)明。關(guān)于其他的構(gòu)成,在上述實(shí)施方式12中,例如將檢測(cè)部231替換為檢測(cè)部四1,將蒸鍍0N/0FF 控制部235替換為蒸鍍0N/0FF控制部四2。 在本實(shí)施方式中,如圖52所示,將由調(diào)準(zhǔn)傳感器190中的檢測(cè)器192檢測(cè)的熒光強(qiáng)度作為調(diào)準(zhǔn)傳感器190的檢測(cè)信號(hào),由檢測(cè)部,檢測(cè)(作為差分檢測(cè))調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222 與實(shí)際所成膜的蒸鍍膜211的偏差量(χ軸方向和y軸方向的偏差成分以及xy平面的轉(zhuǎn)動(dòng)成分)和被成膜基板200的掃描量。然后,將該檢測(cè)結(jié)果送到校正量算出部232和蒸鍍ON/ OFF控制部四2。此外,在本實(shí)施方式中,通過(guò)將調(diào)準(zhǔn)傳感器190在掃描方向上并列設(shè)置多個(gè),或、 在與掃描方向垂直的方向上并列設(shè)置多個(gè),由各調(diào)準(zhǔn)傳感器190同時(shí)觀測(cè)多個(gè)區(qū)域的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和蒸鍍膜211,不僅能夠觀測(cè)被成膜基板200的掃描量,也能夠觀測(cè)陰影掩模81和被成膜基板200的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的偏差(θ偏差)。另外,蒸鍍0N/0FF控制部292從由檢測(cè)部291所檢測(cè)的基板掃描量和由校正量算出部232算出的基板掃描的校正量,算出被成膜基板200相對(duì)于蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域的相對(duì)位置,在蒸鍍膜211的成膜區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)的始端使蒸鍍ON信號(hào)發(fā)生,在終端使蒸鍍 OFF信號(hào)發(fā)生。此外,在本實(shí)施方式中,調(diào)準(zhǔn)傳感器190由于檢測(cè)實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的圖像,所以設(shè)置在陰影掩模81的基板掃描方向的下游側(cè)。因此,始端標(biāo)記與上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222 不同,在基板掃描方向上,設(shè)置在被成膜基板200的比蒸鍍區(qū)域210靠前的位置。另一方面, 終端標(biāo)記在被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210內(nèi),在基板掃描方向上,設(shè)置在被成膜基板200 的比蒸鍍區(qū)域210終端靠前的位置。此外,在本實(shí)施方式中,與上述實(shí)施方式14同樣,利用有機(jī)層的PL發(fā)光進(jìn)行蒸鍍膜211和調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的位置檢測(cè)。因此,在本實(shí)施方式中,如上所述作為檢測(cè)器192使用檢測(cè)熒光強(qiáng)度的檢測(cè)器,檢測(cè)始端標(biāo)記和終端標(biāo)記時(shí),作為上述始端標(biāo)記,優(yōu)選在蒸鍍區(qū)域 210的外側(cè)形成由PL發(fā)光的材料構(gòu)成的標(biāo)記。此外,終端標(biāo)記由于形成在蒸鍍區(qū)域210內(nèi),優(yōu)選設(shè)置成與調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222不同的形狀,或如圖45所示根據(jù)被成膜基板200的位置改變斷續(xù)周期(形成周期),由此能夠識(shí)別終端標(biāo)記。此外,對(duì)于蒸鍍區(qū)域210的終端,可以從由檢測(cè)部291檢測(cè)的基板掃描量掌握,并不一定需要終端標(biāo)記。如上所述,根據(jù)本實(shí)施方式,作為調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,將固定了與陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)準(zhǔn)傳感器190與陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5鄰接設(shè)置,如上所述從熒光強(qiáng)度的比率由調(diào)準(zhǔn)傳感器190連續(xù)監(jiān)控(識(shí)別)被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222 (調(diào)準(zhǔn)圖案) 與被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的位置關(guān)系,由此能夠一邊蒸鍍 掃描,一邊實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211。另外,通過(guò)實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211,能夠?qū)崟r(shí)地調(diào)準(zhǔn)陰影掩模 81和被成膜基板200。因此,能夠進(jìn)行更高精度的調(diào)準(zhǔn)。另外,由于沒(méi)有必要為了調(diào)準(zhǔn)停止掃描,所以能夠更高效率地將蒸鍍膜211成膜。 因此,能夠更高效率地生產(chǎn)最終制品。另外,根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述通過(guò)設(shè)計(jì)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的圖案形狀,能夠不進(jìn)行圖像識(shí)別而正確地掌握被成膜基板200的掃描量。此外,在本實(shí)施方式中,作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,使用在內(nèi)部(S卩,一個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222 內(nèi))具有四處開口部22 的格子狀的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222,但本實(shí)施方式并不局限于此。從上述實(shí)施方式12可知,在將調(diào)準(zhǔn)的對(duì)象物之間重疊時(shí),開口部存在,隨著從其開口部露出的測(cè)定對(duì)象物的面積,由調(diào)準(zhǔn)傳感器得到的測(cè)定值發(fā)生變動(dòng)時(shí),能夠通過(guò)該測(cè)定值,評(píng)價(jià)調(diào)準(zhǔn)偏差。因此,上述開口部22 只要設(shè)置多個(gè)即可,不局限于4個(gè)。此外,在實(shí)施方式14 ·15中,如上所述,對(duì)于通過(guò)由調(diào)準(zhǔn)傳感器190連續(xù)監(jiān)控(識(shí)別)被成膜基板200上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222和被成膜基板200上所蒸鍍蒸鍍膜211的位置關(guān)系,一邊蒸鍍 掃描,一邊實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222與被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的方法進(jìn)行說(shuō)明。然而,本發(fā)明并不局限于此。例如,也可以使用分別固定了與陰影掩模81的相對(duì)位置的多個(gè)調(diào)準(zhǔn)傳感器,觀測(cè)陰影掩模81上所形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84與被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的相對(duì)位置,從該觀測(cè)結(jié)果,調(diào)整陰影掩模81上所形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記 84和被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的相對(duì)位置,由此進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)。此外,同樣,也可以使用分別固定了與陰影掩模81的相對(duì)位置的多個(gè)調(diào)準(zhǔn)傳感器,觀測(cè)陰影掩模81上所形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84與被成膜基板200上所形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 或調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222的相對(duì)位置,由此基于該觀測(cè)結(jié)果,進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的位置對(duì)準(zhǔn)。此時(shí),例如,沒(méi)有必要在上述陰影掩模81上形成開口部、經(jīng)過(guò)該開口部觀測(cè)被成膜基板200上形成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221或調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222。因此,能夠在這些調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221 ·222 上,形成例如由任意的材料構(gòu)成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記。另外,在蒸鍍?cè)?5的蒸鍍區(qū)域外設(shè)置調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84 ·221時(shí),可以在被成膜基板200 側(cè),作為調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221設(shè)置開口部,經(jīng)過(guò)該開口部觀測(cè)陰影掩模81上所設(shè)置的由任意的材料或開口部構(gòu)成的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84?!矊?shí)施方式I6〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖53的(a) · (b) 圖59進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 15的不同點(diǎn),在與上述實(shí)施方式1 15中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。圖53的(a) · (b)是表示在被成膜基板200和陰影掩模81之間設(shè)置空隙時(shí),陰影掩模81的開口部82與蒸鍍膜211的蒸鍍寬度和蒸鍍位置的關(guān)系的圖。在上述各實(shí)施方式中,使用具有小于被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域210的面積(尺寸)的矩形(帶狀)的陰影掩模81,在被成膜基板200和陰影掩模81之間設(shè)置一定的空隙(間隙gl、掩模間隔)的狀態(tài)下,掃描陰影掩模81、蒸鍍?cè)?5和被成膜基板200中的至少一方,將蒸鍍顆粒蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00的蒸鍍區(qū)域全域上。然而,這樣在被成膜基板200和陰影掩模81之間設(shè)置空隙時(shí),被成膜基板200上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜211的蒸鍍寬度(例如像素圖案的圖案寬度)和蒸鍍位置,并不一定要與陰影掩模81的開口部82的寬度和位置一致。例如,被成膜基板200和陰影掩模81,具有圖53的(a)所示的位置關(guān)系,并且蒸鍍顆粒的飛來(lái)方向?yàn)閳D53的(a)中以箭頭表示的方向時(shí),蒸鍍膜211的蒸鍍圖案(例如由蒸鍍膜211所形成的像素圖案)相對(duì)于陰影掩模81的開口部82,寬度、位置都變化。因此,被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量,如圖53的(b)所示,從由兩點(diǎn)劃線所示的狀態(tài)變動(dòng)為由實(shí)線所示的狀態(tài)時(shí),蒸鍍膜211的蒸鍍圖案相對(duì)于陰影掩模81 的開口部82,寬度、位置都進(jìn)一步變動(dòng)。這樣,在被成膜基板200和陰影掩模81之間存在空隙時(shí),若該空隙的空隙量發(fā)生變動(dòng),則發(fā)生得到的蒸鍍膜211的蒸鍍寬度和蒸鍍位置的變動(dòng)。因此,如果不將上述空隙量保持一定,則蒸鍍圖案上發(fā)生偏差,不能遍及被成膜基板200的蒸鍍區(qū)域全域形成高精細(xì)的蒸鍍圖案。因此,在上述各實(shí)施方式中,例如,如圖10的S13所示,以在粗調(diào)準(zhǔn)后遍及TFT基板10等的被成膜基板200全體,被成膜基板200和陰影掩模81之間的間隙(基板-掩模間隔)達(dá)到所期望的一定值的方式,進(jìn)行間隔調(diào)整,從而進(jìn)行被成膜基板200和陰影掩模81 的位置對(duì)準(zhǔn),然后,原樣保持該基板-掩模間隔,例如使被成膜基板200相對(duì)于陰影掩模81 相對(duì)移動(dòng),進(jìn)行蒸鍍。此外,基板-掩模間隔,可以通過(guò)測(cè)定基板-掩模間隔等,以基板-掩模間隔達(dá)到所期望的一定值的方式,調(diào)整掩模保持構(gòu)件87或基板保持構(gòu)件71等的高度,能夠進(jìn)行一定程度的調(diào)整。然而,現(xiàn)實(shí)中,如果不設(shè)置控制上述空隙量的部件,則由于被成膜基板的自重?fù)锨⒄翦冄b置本身的精度原因、由熱造成的構(gòu)件的膨張等的原因,空隙量不斷變動(dòng)。特別如上所述,作為被成膜基板使用大型基板時(shí),由于被成膜基板的自重?fù)锨⒈怀赡せ寤蛘翦冄谀5臒崤驈埖?,有上述空隙量易于變?dòng)的問(wèn)題點(diǎn)。因此,在上述各實(shí)施方式中,作為調(diào)整被成膜基板200與陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)整部件,例如,使用掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)M0、掩模張力機(jī)構(gòu)88、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70、掩模支撐部141等,適當(dāng)?shù)鼐S持被成膜基板200和陰影掩模81的相對(duì)位置關(guān)系。作為一例,例如,以基板-掩模間隔達(dá)到所期望的一定值的方式進(jìn)行間隔調(diào)整時(shí), 使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記等進(jìn)行陰影掩模81的張力調(diào)整,或通過(guò)靜電卡盤等,將被成膜基板200以沒(méi)有由自重造成的撓曲的狀態(tài)保持,或使用掩模支撐部141等的抵接構(gòu)件進(jìn)行陰影掩模81和被成膜基板200的平行校正(陰影掩模81和被成膜基板200之間的間隙gl的均勻調(diào)整), 或利用多個(gè)絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記110等的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行陰影掩模81的平行校正。另外,為了將蒸鍍中的基板-掩模間隔保持一定,使用調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記等進(jìn)行陰影掩模 81的張力調(diào)整,進(jìn)行陰影掩模81的自重?fù)锨蛴蔁嵩斐傻膿锨男U蛲ㄟ^(guò)靜電卡盤等,以吸附被成膜基板200的狀態(tài)使被成膜基板200移動(dòng),或如專利文獻(xiàn)10所示,不是滾珠絲桿的轉(zhuǎn)動(dòng),使用輥式或油壓式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)或xy臺(tái)等、能夠保持被成膜基板200或掩模單元80,使其在水平方向上移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu),或以不發(fā)生被成膜基板200的撓曲的方式通過(guò) Depo Down進(jìn)行蒸鍍。在本實(shí)施方式中,對(duì)于如下的方法進(jìn)行說(shuō)明,S卩,如上所述在伴有空隙的蒸鍍方法中,為了實(shí)現(xiàn)高精細(xì)的蒸鍍圖案,通過(guò)準(zhǔn)確掌握陰影掩模81和被成膜基板200之間的空隙量或該空隙量的分布,進(jìn)行空隙的微小調(diào)整,從而更嚴(yán)格地將上述空隙量(即,間隙gl的大小)控制為一定。圖M是示意地表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。圖55是表示圖M所示的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要構(gòu)成要素的一例的俯視圖。如圖M所示,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50具備真空腔室60(成膜腔室)、基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70 (基板移動(dòng)部件、移動(dòng)部件)、掩模單元80、空隙傳感器401、和控制電路410。另外,如圖M所示,本實(shí)施方式涉及的掩模單元80具備陰影掩模81、蒸鍍?cè)?5、 閘板89、傳動(dòng)裝置402(空隙量控制機(jī)構(gòu)、保持部件、支撐構(gòu)件)。另外,雖然沒(méi)有圖示,但在本實(shí)施方式中,在上述掩模單元80中也優(yōu)選設(shè)置掩模張力機(jī)構(gòu)88等的張力機(jī)構(gòu)。上述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70、掩模單元80、空隙傳感器401設(shè)置在真空腔室60內(nèi)。此外,在本實(shí)施方式中,如圖M所示,作為基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70,如圖37或圖48等所示,例如表示了使用具有框狀的基板保持構(gòu)件71的輥式的移動(dòng)機(jī)構(gòu),使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)的例子。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,例如,如上所述,也可以使用油壓式的移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被成膜基板200相對(duì)于掩模單元80相對(duì)移動(dòng)。另外,如圖1所示,也可以在被成膜基板 200中與掩模單元80的相對(duì)面的相反面?zhèn)?,設(shè)置使用靜電卡盤的基板保持構(gòu)件71,在使被成膜基板200吸附在靜電卡盤上的狀態(tài)下使被成膜基板200移動(dòng)。另外,當(dāng)然,也可以設(shè)為如上所述例如使用掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)240和掩模驅(qū)動(dòng)控制部233使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的構(gòu)成,此時(shí),可以固定被成膜基板200,僅使掩模單元80移動(dòng),也可以使被成膜基板200和掩模單元80兩者都相對(duì)移動(dòng)。在本實(shí)施方式中,為了一邊更嚴(yán)格地將被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量保持一定、一邊進(jìn)行掃描,作為調(diào)整被成膜基板200與陰影掩模81的相對(duì)位置的調(diào)整部件,設(shè)置上述的空隙傳感器401和傳動(dòng)裝置402??障秱鞲衅?01為用于測(cè)定被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量的傳感
ο空隙傳感器401測(cè)量被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量,作為空隙量信號(hào)送到控制電路410。作為上述空隙傳感器401,例如,能夠使用通過(guò)透明的被成膜基板200、或、被成膜基板200中透明區(qū)域(S卩,透過(guò)上述被成膜基板200),測(cè)量(讀取)被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量的光學(xué)式的空隙傳感器。此時(shí),空隙傳感器401、被成膜基板200和陰影掩模81分別以具有如下的位置關(guān)系的方式安裝,即,在空隙量的測(cè)量時(shí),空隙傳感器401通過(guò)被成膜基板200的透明區(qū)域,能夠測(cè)定從被成膜基板200到陰影掩模81的非開口部的空隙。在本實(shí)施方式中,如圖M和圖55所示,將空隙傳感器401配置在被成膜基板200 的上方(上表面?zhèn)?、掩模單元80附近的基板掃描方向的上游側(cè)。在圖55中,將空隙傳感器401在作為陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部(即, 基板掃描方向的上游側(cè)端部)的陰影掩模81的長(zhǎng)邊81a中的兩端部設(shè)置2個(gè)。在被成膜基板200上,為了被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量的傳感, 不受被成膜基板200中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220 (沒(méi)有圖示)和陰影掩模81中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83 (沒(méi)有圖示)、或用于讀取這些標(biāo)記部220 · 83的光學(xué)部件(沒(méi)有圖示)的影響,優(yōu)選從被成膜基板200中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220隔開間隔設(shè)置空隙傳感用的透明區(qū)域(傳感光透射區(qū)域)。但根據(jù)情況,也可以不隔開間隔??障秱鞲衅?01以與上述空隙傳感用的透明區(qū)域相對(duì)的方式設(shè)置。另外,傳動(dòng)裝置402為通過(guò)將控制信號(hào)在ζ軸方向(將陰影掩模81和被成膜基板 200垂直連接的軸方向)的動(dòng)向上變換而控制上述空隙量的ζ軸驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)裝置。傳動(dòng)裝置402發(fā)揮作為控制陰影掩模81和被成膜基板200之間的空隙量的空隙量控制機(jī)構(gòu)的功能。傳動(dòng)裝置402和蒸鍍?cè)?5,既可以固定在真空腔室60的內(nèi)壁中例如底壁上,也可以固定在由使掩模單元80相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)的掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)可移動(dòng)地設(shè)置的、支架等的掩模保持構(gòu)件(與傳動(dòng)裝置402分別設(shè)置的掩模保持構(gòu)件)上。以下,在本實(shí)施方式中,如圖M和圖55所示,以傳動(dòng)裝置402直接、設(shè)置(固定)在陰影掩模81上的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此。陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5相對(duì)位置被固定,但存在由空隙量調(diào)整作業(yè)產(chǎn)生的微小工作區(qū)域。在本實(shí)施方式中,如圖54和圖55所示,通過(guò)在陰影掩模81的下表面鄰接設(shè)置傳動(dòng)裝置402,可以進(jìn)行上述空隙量調(diào)整作業(yè)中的微小調(diào)整。此外,空隙量調(diào)整作業(yè)中的微小調(diào)整,不對(duì)陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的基板掃描方向中相對(duì)的位置關(guān)系有影響,陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5的基板掃描方向中相對(duì)的位置在本實(shí)施方式也被固定。圖56是表示圖54所示的蒸鍍裝置50的構(gòu)成的一部分的框圖??刂齐娐?10,如圖56所示,作為空隙量控制部,具備空隙偏差量算出部411 (空隙偏差量檢測(cè)部、運(yùn)算部)、空隙偏差校正量導(dǎo)出部412 (空隙偏差校正量算出部、運(yùn)算部)、傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)控制部413。如上所述,通過(guò)空隙傳感器401所測(cè)量得到的被成膜基板200和陰影掩模81之間的間隙(空隙)的量,作為空隙量信號(hào)送到控制電路??障镀盍克愠霾?11由從空隙傳感器401送來(lái)的空隙量信號(hào),算出由空隙傳感器401所測(cè)量得到的被成膜基板200和陰影掩模81的間隙、與預(yù)先設(shè)定的被成膜基板200 和陰影掩模81的間隙gl的偏差的量(空隙偏差量)。空隙偏差校正量導(dǎo)出部412,從由空隙偏差量算出部411算出的空隙偏差量,導(dǎo)出 (算出)用于消除上述偏差的校正值(空隙校正值),作為調(diào)整信號(hào)送到傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)控制部 413。傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)控制部413通過(guò)基于上述調(diào)整信號(hào)(空隙校正值)使傳動(dòng)裝置402 在ζ軸方向上移動(dòng),將被成膜基板200和陰影掩模81的間隙(掩模間隔)控制為一定。接著,對(duì)于使用上述蒸鍍裝置50的成膜工序,參照?qǐng)D55、圖57和圖10在以下進(jìn)行說(shuō)明。圖57是表示使用本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50在TFT基板10上成膜規(guī)定圖案的方法的一例的流程圖。首先,如圖55所示,將固定于傳動(dòng)裝置402的陰影掩模81,以基板掃描方向與在陰影掩模81上形成的條帶狀的開口部82的長(zhǎng)軸方向一致的方式,設(shè)置在真空腔室60內(nèi)的蒸鍍?cè)?5上,由此組裝掩模單元80 (掩模單元的準(zhǔn)備)。然后,如圖57所示,在上述真空腔室60中投入TFT基板10,以該TFT基板10的同色子像素列的方向與基板掃描方向一致的方式,使用作為被成膜基板200的TFT基板10 的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記221 (沒(méi)有圖示),進(jìn)行粗調(diào)準(zhǔn)(Sll)。TFT基板10為了不發(fā)生由自重造成的撓曲,由基板保持構(gòu)件71保持。接著,進(jìn)行TFT基板10和陰影掩模81的粗調(diào)準(zhǔn)(S12),然后,如圖10的S13所示, 以TFT基板10和陰影掩模81之間的間隙gl (基板-掩模間隔)成為一定的方式,進(jìn)行間隔調(diào)整,使TFT基板10和陰影掩模81相對(duì)配置,由此進(jìn)行TFT基板10和陰影掩模81的位
置對(duì)準(zhǔn)。在本實(shí)施方式中,在上述S13中,如圖57的S61所示,使用空隙傳感器401測(cè)定 TFT基板10和陰影掩模81之間的空隙量,如上所述,通過(guò)基于來(lái)自該空隙傳感器401的空隙量信號(hào),從控制電路410將適當(dāng)?shù)恼{(diào)整信號(hào)(空隙校正值)送到傳動(dòng)裝置402,將上述間
77隙gi控制為一定(Sei)0然后,使上述傳動(dòng)裝置402的動(dòng)作停止,將上述間隙gl機(jī)械地原樣保持一定,一邊掃描上述TFT基板10 —邊進(jìn)行蒸鍍(S62)。此外,將上述間隙gl機(jī)械地原樣保持一定,一邊掃描上述TFT基板10 —邊進(jìn)行蒸鍍時(shí),能夠采用與上述各實(shí)施方式相同的方法。此外,此時(shí),為了防止由熱造成的陰影掩模 81的膨張等的原因?qū)е碌目障读康淖儎?dòng),希望使用掩模張力機(jī)構(gòu)88等的張力機(jī)構(gòu)進(jìn)行陰影掩模81的張力調(diào)整,進(jìn)行陰影掩模81的自重?fù)锨蛴蔁釋?dǎo)致的撓曲的校正。然后,將成膜有規(guī)定圖案的TFT基板10,從上述真空腔室60取出(S17)。此外,在 S62中,根據(jù)需要,進(jìn)行與圖10的S14 S17同樣的處理(工序)。如以上所述,根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)由空隙傳感器401測(cè)定被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量,能夠準(zhǔn)確掌握被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,能夠準(zhǔn)確控制被成膜基板200和陰影掩模81之間的間隙 gl (空隙量),能夠保持為所期望的一定值。另外,通過(guò)如上所述在上述間隙gl的調(diào)整,即,上述空隙量的控制中使用傳動(dòng)裝置402,能夠進(jìn)行微小調(diào)整,能夠容易且準(zhǔn)確地調(diào)整上述空隙量。這樣通過(guò)使用傳動(dòng)裝置402進(jìn)行微小調(diào)整,能夠?qū)崿F(xiàn)空隙量的更嚴(yán)格的控制。另夕卜,此時(shí),通過(guò)如上所述設(shè)置多個(gè)傳動(dòng)裝置402,能夠?qū)?yīng)空隙量的分布,進(jìn)行局部的空隙量的控制。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,能夠抑制通過(guò)陰影掩模81的開口部82所蒸鍍的像素圖案等的蒸鍍膜211 (沒(méi)有圖示)的寬度的增減、位置偏差、形狀變化,能夠?qū)⒏呔?xì)的圖案遍及被成膜基板200的整面精度良好地形成。此外,在圖57中,如上所述,以在S62中,將間隙gl機(jī)械地保持一定進(jìn)行蒸鍍的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。圖58是表示使用本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50在TFT基板10成膜規(guī)定圖案的方法的另一個(gè)例子的流程圖。在本例中,首先,如圖55所示,將固定于傳動(dòng)裝置402的陰影掩模81,以基板掃描方向與陰影掩模81上所形成的條帶狀的開口部82的長(zhǎng)軸方向一致的方式,設(shè)置在真空腔室60內(nèi)的蒸鍍?cè)?5上,由此組裝掩模單元80 (掩模單元的準(zhǔn)備)。然后,如圖58所示,進(jìn)行與圖57的Sll S61同樣的工序(步驟)。在本例中,其后,在掃描被成膜基板200的過(guò)程中,使用空隙傳感器401測(cè)定TFT基板10和陰影掩模81 之間的空隙量,基于來(lái)自該空隙傳感器401的空隙量信號(hào)從控制電路410將適當(dāng)?shù)恼{(diào)整信號(hào)(空隙校正值)送到傳動(dòng)裝置402,能夠?qū)崟r(shí)地進(jìn)行上述空隙量的測(cè)定·控制(調(diào)整)。 由此,如S63所示,在一邊掃描上述TFT基板10 —邊進(jìn)行蒸鍍時(shí),如S64所示,實(shí)時(shí)地校正空隙量,一邊將上述間隙gl保持一定一邊進(jìn)行蒸鍍。然后,將成膜有規(guī)定圖案的TFT基板10從上述真空腔室60取出(S17)。此外,在本例中,在S63中,也根據(jù)需要,進(jìn)行與圖10的S14 S17同樣的處理(工序)。如上所述,圖58所示的方法,控制、機(jī)構(gòu)都比圖57所示的方法復(fù)雜,但在使掩模單元80和被成膜基板200中的至少一方相對(duì)移動(dòng)進(jìn)行蒸鍍期間,能夠遍及基板掃描方向,將間隙gl可靠地保持為規(guī)定的一定值。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的圖案化。
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此外,在本實(shí)施方式中,如圖55所示,以空隙傳感器401在作為陰影掩模81中基板進(jìn)入方向側(cè)的端部的長(zhǎng)邊81a的兩端部設(shè)置2個(gè)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此。圖59是表示圖54所示的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要構(gòu)成要素的其他例的俯視圖。圖59對(duì)于將上述空隙傳感器401沿著上述長(zhǎng)邊81a設(shè)置3個(gè)(基板進(jìn)入方向側(cè)的長(zhǎng)邊81a的兩端部和中央)的情況進(jìn)行圖示??障秱鞲衅?01可以僅設(shè)置1個(gè)或如圖55所示設(shè)置2個(gè),但為了掌握空隙量的分布,優(yōu)選設(shè)置多個(gè),特別優(yōu)選沿著與基板掃描方向(即,陰影掩模81和被成膜基板200的相對(duì)移動(dòng)方向)垂直的方向,在同一平面內(nèi)并列設(shè)置多個(gè)。如圖59所示,通過(guò)空隙傳感器401在與基板掃描方向垂直的方向并列設(shè)置3個(gè)以上,能夠準(zhǔn)確地掌握空隙量的分布。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,作為空隙傳感器401,使用透過(guò)被成膜基板200 讀取被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量的光學(xué)式的空隙傳感器。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,作為上述空隙傳感器401,也可以使用利用靜電容量式、渦電流方式等的其他的方式的空隙傳感器。其中,靜電容量式的空隙傳感器和渦電流方式的空隙傳感器,基本上測(cè)定傳感器本身與某種物體之間的空隙,上述物體必須為導(dǎo)體。因此,這些空隙傳感器的使用伴有限制。因此,作為空隙傳感器401,如上所述希望使用光學(xué)式的空隙傳感器。另外,在本實(shí)施方式中,以傳動(dòng)裝置402安裝在陰影掩模81上的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,傳動(dòng)裝置402只要能夠控制陰影掩模81和被成膜基板200之間的空隙量即可。傳動(dòng)裝置402為了控制上述空隙量,可以是通過(guò)使傳動(dòng)裝置402在ζ軸方向上動(dòng)作,使陰影掩模81直接在ζ軸方向上動(dòng)作的傳動(dòng)裝置,也可以是使具備蒸鍍?cè)?5和陰影掩模81的掩模單元80整體在ζ軸方向上動(dòng)作的傳動(dòng)裝置,也可以是使至少包含陰影掩模81 的單元的一部分(例如掩模框)在ζ軸方向上動(dòng)作的傳動(dòng)裝置。例如,陰影掩模81可以與掩模框熔接,傳動(dòng)裝置402也可以驅(qū)動(dòng)該掩???。另外,例如在存在安裝或交換陰影掩模81 (或與陰影掩模81 —體設(shè)置的掩模框) 的單元等時(shí),傳動(dòng)裝置402也可以驅(qū)動(dòng)該單元。另外,在上述掩模單元80上,例如,設(shè)置如掩模張力機(jī)構(gòu)88、或、具有具備滑動(dòng)機(jī)構(gòu)的掩模固定臺(tái)144的掩模保持構(gòu)件87、掩模夾130等,用于向陰影掩模81施加張力的機(jī)構(gòu)時(shí),可以由傳動(dòng)裝置402驅(qū)動(dòng)該機(jī)構(gòu)全體。另外,傳動(dòng)裝置402可以不設(shè)置在陰影掩模81的下表面而與上表面鄰接設(shè)置。例如,在進(jìn)行0印0 Down時(shí),傳動(dòng)裝置402也可以與陰影掩模81的上表面鄰接設(shè)置。這樣,傳動(dòng)裝置402通過(guò)直接固定在陰影掩模81上,可以作為掩模保持構(gòu)件87使用,也可以與掩模保持構(gòu)件87分別設(shè)置。另外,在本實(shí)施方式中,以如上所述傳動(dòng)裝置402安裝在陰影掩模81上的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此。例如,作為其他方式,可以是陰影掩模81被固定,在驅(qū)動(dòng)被成膜基板200的機(jī)構(gòu)內(nèi) (例如基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)70),設(shè)置傳動(dòng)裝置等的ζ軸方向的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),由此控制空隙量。即,不使陰影掩模81動(dòng)作,而是使被成膜基板200動(dòng)作,由此來(lái)控制陰影掩模81 和被成膜基板200之間的空隙量。這樣,傳動(dòng)裝置只要使(1)至少包含陰影掩模81的掩模單元80的一部分、或、掩模單元80全體、以及(2)被成膜基板200中的至少一方動(dòng)作即可,例如可以與被成膜基板 200鄰接設(shè)置。此外,從遍及被成膜基板200的整面能夠精度良好地控制空隙量的方面考慮,優(yōu)選上述傳動(dòng)裝置只要使(1)至少包含陰影掩模81的掩模單元80的一部分、或、掩模單元80 全體、以及(2)被成膜基板200中的至少一方動(dòng)作,調(diào)整上述空隙量即可,可以設(shè)置多個(gè),但例如在支架等的掩模保持構(gòu)件87的下表面?zhèn)仍O(shè)置傳動(dòng)裝置時(shí)等,也可以僅設(shè)置1個(gè)。另外,在本實(shí)施方式中,陰影掩模81希望在掩模準(zhǔn)備工序或蒸鍍工序中,以不發(fā)生由自重或熱造成的撓曲或延伸的方式,利用掩模張力機(jī)構(gòu)88施加張力,保持水平。如上所述,在設(shè)置掩模張力機(jī)構(gòu)88、或、具有具備滑動(dòng)機(jī)構(gòu)的掩模固定臺(tái)144的掩模保持構(gòu)件87等、用于向陰影掩模81施加張力的機(jī)構(gòu)時(shí),通過(guò)由傳動(dòng)裝置402驅(qū)動(dòng)該機(jī)構(gòu)全體(例如包含該機(jī)構(gòu)的單元的一部分或全體),能夠與上述各實(shí)施方式、例如實(shí)施方式1、 7 12中說(shuō)明的方法同樣操作,向陰影掩模81施加張力。另外,在傳動(dòng)裝置與被成膜基板200鄰接設(shè)置時(shí),能夠與上述各實(shí)施方式、例如實(shí)施方式1、7 12中所說(shuō)明的方法同樣操作,向陰影掩模81施加張力。但是本實(shí)施方式并不局限于此。例如,在如上所述傳動(dòng)裝置402直接安裝在如上所述的陰影掩模81上的情況下,例如,傳動(dòng)裝置402,與滑塊機(jī)構(gòu)連接等,如圖1中掩模保持構(gòu)件87或圖31所示的可動(dòng)部142那樣,在面方向能夠滑動(dòng)移動(dòng)而設(shè)置,由此能夠向陰影掩模81施加張力,并且能夠?qū)㈤g隙gl控制為一定。此外,在本實(shí)施方式中,作為控制電路410中的構(gòu)成要素(各功能模塊、控制部), 選取用于如上所述使用空隙傳感器401將間隙gl控制為一定的構(gòu)成要素進(jìn)行說(shuō)明。然而,上述控制電路410,除了上述構(gòu)成要素以外,當(dāng)然也可以具備與圖4或圖29 所示的控制電路100、圖40或圖41所示的控制電路230、圖49所示的控制電路280、圖52 所示的控制電路290中構(gòu)成要素同樣的構(gòu)成要素。另外,在本實(shí)施方式中,以陰影掩模81的開口部82和蒸鍍?cè)?5的射出口 86 —維排列的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此,陰影掩模81的開口部82和蒸鍍?cè)?85的射出口 86可以二維排列,當(dāng)然也可以僅形成一個(gè)。另外,在本實(shí)施方式中,作為閘板89,設(shè)置可以在陰影掩模81和蒸鍍?cè)?5之間能夠進(jìn)退的閘板,在圖57所示的S62或圖58所示的S63中,在進(jìn)行與圖10的S14 S17同樣的處理(工序)時(shí),為了防止蒸鍍顆粒附著在非蒸鍍區(qū)域(不需要蒸鍍部)上,在蒸鍍?cè)?85和陰影掩模81之間插入閘板89,但本實(shí)施方式并不局限于此。例如,本實(shí)施方式中,如上所述,作為蒸鍍?cè)?5,使用能夠0N/0FF切換的蒸鍍?cè)?85,在被成膜基板200中不需要蒸鍍的部分位于陰影掩模81的開口區(qū)域(即,與開口部82 相對(duì)的區(qū)域)時(shí),也可以將蒸鍍OFF,使蒸鍍顆粒不飛翔。[1023]〔實(shí)施方式17〕對(duì)于本實(shí)施方式主要基于圖60和圖61進(jìn)行說(shuō)明,內(nèi)容如下所述。此外,在本實(shí)施方式中,主要說(shuō)明與上述實(shí)施方式1 16的不同點(diǎn)(特別是與實(shí)施方式16的不同點(diǎn)),在與上述實(shí)施方式1 16中使用的構(gòu)成要素具有相同的功能的構(gòu)成要素上標(biāo)注相同的編號(hào),省略其說(shuō)明。本實(shí)施方式中,對(duì)于與實(shí)施方式16同樣,在伴有空隙的蒸鍍方法中,為了實(shí)現(xiàn)高精細(xì)的蒸鍍圖案,更嚴(yán)格地將被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量(S卩,間隙gl的大小)控制為一定的方法進(jìn)行說(shuō)明。圖60是表示本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中真空腔室60內(nèi)的主要構(gòu)成要素的一例的俯視圖。另外,圖61是表示本實(shí)施方式中使用的被成膜基板中空隙傳感用的透明區(qū)域的平面圖。本實(shí)施方式的整體的概念與實(shí)施方式16相同,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50中的構(gòu)成要素本身與實(shí)施方式16涉及的蒸鍍裝置50中的構(gòu)成要素相同。即,本實(shí)施方式涉及的蒸鍍裝置50,僅空隙傳感器401和傳動(dòng)裝置402的數(shù)量和配置不同,具備與圖54所示的蒸鍍裝置50同樣的構(gòu)成要素。在上述實(shí)施方式16中,以將空隙傳感器401在被成膜基板200的上方、沿著掩模單元80附近基板掃描方向的上游側(cè)端部的長(zhǎng)邊81a設(shè)置2個(gè)(基板進(jìn)入方向側(cè)的長(zhǎng)邊81a 的兩端部)或3個(gè)(基板進(jìn)入方向側(cè)的長(zhǎng)邊81a的兩端部和中央)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,如圖60所示,將空隙傳感器401,在被成膜基板200的上方、沿著掩模單元80附近基板掃描方向的上游側(cè)端部的長(zhǎng)邊81a和下游側(cè)的長(zhǎng)邊81a分別設(shè)置3 個(gè)。即,在本實(shí)施方式中,空隙傳感器401分別設(shè)置在陰影掩模81的各長(zhǎng)邊81a的兩端部和中央。另外,在上述實(shí)施方式16中,如圖55和圖59所示,以將傳動(dòng)裝置402,在蒸鍍?cè)?85的長(zhǎng)度方向兩端部,即陰影掩模81的短邊81b的中心附近分別設(shè)置1個(gè)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,如圖60所示,將傳動(dòng)裝置402,除了在蒸鍍?cè)?5的長(zhǎng)度方向兩端部,在蒸鍍?cè)?5的長(zhǎng)度方向中心附近基板掃描方向的上游側(cè)和下游側(cè)分別追加一個(gè)。以下,在本實(shí)施方式中,以使用如圖60所示配置的空隙傳感器401,一邊掃描被成膜基板200 —邊傳感空隙量,實(shí)時(shí)地控制(調(diào)整)空隙量的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中,由于實(shí)時(shí)地控制空隙量,所以如圖61所示,在被成膜基板200中與上述空隙傳感器401的相對(duì)區(qū)域,沿著基板掃描方向,延伸設(shè)置空隙傳感用的透明區(qū)域 201 (傳感光透射區(qū)域)。在圖61表示的例子中,由于空隙傳感器401分別設(shè)置在如上所述陰影掩模81的各長(zhǎng)邊81a的兩端部和中央,所以在被成膜基板200的寬度方向中心附近和長(zhǎng)度方向兩端部,沿著基板掃描方向延伸設(shè)置空隙傳感用的透明區(qū)域201。因此,在本實(shí)施方式中,作為被成膜基板200中的蒸鍍區(qū)域210,以?shī)A著在被成膜基板200的寬度方向中心附近沿著基板掃描方向設(shè)置的空隙傳感用的透明區(qū)域201的方式,分別設(shè)置TFT電路形成區(qū)域202a · 202b。此外,如在實(shí)施方式16中所說(shuō)明的那樣,為了被成膜基板200和陰影掩模81之間的空隙量的傳感不受被成膜基板200中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220 (沒(méi)有圖示)和陰影掩模81中調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部83 (沒(méi)有圖示)、或用于讀取這些標(biāo)記部220 · 83的光學(xué)部件(沒(méi)有圖示)的影響, 空隙傳感用的透明區(qū)域201優(yōu)選從被成膜基板200中的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部220隔開間隔而形成。此外,在圖61中,對(duì)于在被成膜基板200上,空隙傳感用的透明區(qū)域201遍及基板掃描方向連續(xù)設(shè)置的情況進(jìn)行了圖示。然而,本實(shí)施方式并不局限于此,空隙傳感用的透明區(qū)域201也可以斷續(xù)地形成。這些空隙傳感器401、空隙傳感用的透明區(qū)域201、陰影掩模81在本實(shí)施方式中, 分別以具有如下位置關(guān)系的方式安裝,即,在空隙量的測(cè)量時(shí),空隙傳感器401通過(guò)被成膜基板200的透明區(qū)域201,能夠測(cè)定從被成膜基板200到陰影掩模81的非開口部的空隙。根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述,因?yàn)榭障秱鞲衅?01的設(shè)置數(shù)量比實(shí)施方式16增加, 所以與實(shí)施方式16相比,能夠得到更多的有關(guān)空隙量的信息。另外,同樣地,因?yàn)閭鲃?dòng)裝置402的數(shù)量比實(shí)施方式16增加,所以與實(shí)施方式16 相比,能夠以更多的信息為基礎(chǔ)進(jìn)行更精密地控制。特別是在本實(shí)施方式中,因?yàn)樵诨鍜呙璺较虻纳嫌蝹?cè)和下游側(cè),分別設(shè)置空隙傳感器401和傳動(dòng)裝置402,所以例如即使在基板掃描方向的上游側(cè)空隙量大,在下游側(cè)空隙量小的情況下,也能夠獨(dú)立地控制上游側(cè)的傳動(dòng)裝置402和下游側(cè)的傳動(dòng)裝置402,由此能夠遍及被成膜基板200的整面精度良好地控制空隙量。另外,因?yàn)樵陉幱把谀?1的長(zhǎng)度方向(即與基板掃描方向垂直的方向)上也設(shè)置多個(gè)空隙傳感器401和傳動(dòng)裝置402,所以例如即使在陰影掩模81的長(zhǎng)度方向的中心部空隙量大,端部空隙量小的情況下,也能夠獨(dú)立地控制陰影掩模81的長(zhǎng)度方向的中心部的傳動(dòng)裝置402和端部的傳動(dòng)裝置402,由此能夠遍及被成膜基板200的整面精度良好地控制空隙量。根據(jù)本實(shí)施方式,如上所述能夠?qū)⒈怀赡せ?00和陰影掩模81之間的空隙量, 實(shí)時(shí)地調(diào)準(zhǔn),并且遍及被成膜基板200的整面更準(zhǔn)確地控制,能夠可靠地保持為所期望的
一定值。因此,能夠抑制通過(guò)陰影掩模81的開口部82所蒸鍍的像素圖案等的蒸鍍膜 211 (沒(méi)有圖示)的寬度的增減、位置偏差、形狀變化,能夠?qū)⒏呔?xì)的圖案遍及被成膜基板 200的整面精度良好地形成。此外,在本實(shí)施方式中,如上所述,以將空隙傳感器401,在被成膜基板200的上方沿著掩模單元80附近基板掃描方向的上游側(cè)端部的長(zhǎng)邊81a和下游側(cè)的長(zhǎng)邊81a,分別設(shè)置3個(gè)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本實(shí)施方式并不局限于此。例如如上述實(shí)施方式16所示,將空隙傳感器401在被成膜基板200的上方沿著掩模單元80附近基板掃描方向的上游側(cè)端部的長(zhǎng)邊81a,設(shè)置3個(gè)(基板進(jìn)入方向側(cè)的長(zhǎng)邊 81a的兩端部和中央)的情況下,如圖61所示,當(dāng)然也能夠通過(guò)在被成膜基板200中與上述空隙傳感器401的相對(duì)區(qū)域,沿著基板掃描方向,設(shè)置空隙傳感用的透明區(qū)域201,實(shí)時(shí)地控制空隙量。此外,在上述各實(shí)施方式中,主要關(guān)于將被成膜基板200進(jìn)行0印0 Up或0印0 Down的情況進(jìn)行說(shuō)明,但本發(fā)明并不局限于此。例如,上述蒸鍍?cè)?5向著橫向具有射出蒸鍍顆粒的機(jī)構(gòu),在被成膜基板200的蒸鍍面(被成膜面)側(cè)向著蒸鍍?cè)?5側(cè)在垂直方向立起的狀態(tài)下,可以經(jīng)由陰影掩模81將蒸鍍顆粒在橫向上蒸鍍(側(cè)沉積,side deposition)在被成膜基板200上。另外,在上述各實(shí)施方式中,以有機(jī)EL顯示裝置1具備TFT基板10,在該TFT基板10上形成有機(jī)層的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明,但本發(fā)明并不局限于此。上述有機(jī)EL顯示裝置1,代替TFT基板10,可以是在形成有機(jī)層的基板上沒(méi)有形成TFT的無(wú)源型的基板,作為被成膜基板200,也可以使用上述無(wú)源型的基板。另外,在上述各實(shí)施方式中,以如上所述在TFT基板10上形成有機(jī)層的情況為例進(jìn)行說(shuō)明,但本發(fā)明并不局限于此,也能夠適用于代替有機(jī)層,形成電極圖案的情況。本發(fā)明涉及的蒸鍍裝置50以及蒸鍍方法,除了如上所述有機(jī)EL顯示裝置1的制造方法以外,對(duì)于通過(guò)蒸鍍成膜為圖案化的膜的、所有的制造方法以及制造裝置也能夠適用。本發(fā)明涉及的蒸鍍方法以及蒸鍍裝置,如以上所述,使用掩模單元,該掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,上述蒸鍍掩模具有開口部、且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置,進(jìn)行上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的調(diào)整,將上述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),進(jìn)行蒸鍍。根據(jù)本發(fā)明,因?yàn)槿缟纤鰧⒄翦冄谀:驼翦冊(cè)吹南鄬?duì)位置固定,所以能夠使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的蒸鍍掩模,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),進(jìn)行蒸鍍。因此,不發(fā)生伴隨蒸鍍掩模的大型化的自重?fù)锨脱由斓膯?wèn)題,不僅可以相對(duì)于大型的基板形成有機(jī)層的圖案,而且能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成以及高精細(xì)化。另外,根據(jù)本發(fā)明,因?yàn)槿缟纤鍪褂妹娣e小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的蒸鍍掩模,所以能夠抑制、避免伴隨蒸鍍掩模的大型化而保持蒸鍍掩模的框巨大化·超重量化的問(wèn)題的發(fā)生。另外,通過(guò)將上述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定,使掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)進(jìn)行蒸鍍,能夠形成寬度和膜厚均勻的蒸鍍膜。而且,通過(guò)在上述掩模單元和被成膜基板之間設(shè)置空隙,被成膜基板不與蒸鍍掩模接觸,不會(huì)由蒸鍍掩模損傷被成膜基板。另外,也沒(méi)有必要在被成膜基板上形成用于防止這樣的損傷的掩模墊片。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)成本的削減。上述掩模單元還具備向上述蒸鍍掩模施加張力的張力機(jī)構(gòu),在上述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,優(yōu)選以向上述蒸鍍掩模施加張力的狀態(tài)下進(jìn)行保持。S卩,本發(fā)明涉及的蒸鍍方法為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍方法, 優(yōu)選包括位置對(duì)準(zhǔn)工序,準(zhǔn)備掩模單元,該掩模單元具備蒸鍍掩模、蒸鍍?cè)春蛷埩C(jī)構(gòu),且將上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,上述蒸鍍掩模具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置,上述張力機(jī)構(gòu)向上述蒸鍍掩模施加張力,將上述蒸鍍掩模在施加張力的狀態(tài)下保持, 并且將上述掩模單元和被成膜基板,按照上述蒸鍍掩模與被成膜基板以具有一定空隙的狀態(tài)相對(duì)的方式進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn);和蒸鍍工序,以在上述掩模單元和被成膜基板之間具有上述一定空隙的狀態(tài)下,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),進(jìn)行順次蒸鍍。[1061]另外,上述掩模單元優(yōu)選還具有向上述蒸鍍掩模施加張力的張力機(jī)構(gòu)。S卩,本發(fā)明涉及的蒸鍍裝置為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍裝置, 具備掩模單元,其具有蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定, 所述蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)配置,具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,所述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置;和移動(dòng)部件, 其在上述掩模單元和被成膜基板之間具有一定空隙的狀態(tài)下,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),并且上述掩模單元優(yōu)選具有向上述蒸鍍掩模施加張力的張力機(jī)構(gòu)。根據(jù)上述的構(gòu)成,通過(guò)由上述張力機(jī)構(gòu)向上述蒸鍍掩模施加張力,能夠改善上述蒸鍍掩模的由自重造成的撓曲和熱膨張。另外,能夠配合蒸鍍時(shí)的狀況(例如,蒸鍍掩模的熱膨張或被成膜基板的完成精度),由張力調(diào)整蒸鍍掩模的位置對(duì)準(zhǔn)的精度。此外,專利文獻(xiàn)4中,公開了構(gòu)成為使用旋轉(zhuǎn)彈簧,在拉伸的狀態(tài)下將金屬掩模保持在底板上,由此能夠?qū)ⅹM縫維持在規(guī)定形狀,在該底板上安裝基板,由此在基板上形成高精細(xì)的蒸鍍圖案。然而,在上述專利文獻(xiàn)4中記載的方法,如上所述使用底板使基板和金屬掩模粘附進(jìn)行蒸鍍,需要在真空蒸鍍裝置中設(shè)為真空狀態(tài)之前進(jìn)行掩模調(diào)整。因此,對(duì)于真空蒸鍍中的金屬掩模的狀態(tài)(溫度、基板加工質(zhì)量等)的偏差,不能進(jìn)行校正。另外,上述專利文獻(xiàn)4為使用能夠在基板的蒸鍍區(qū)域全體上蒸鍍的尺寸的金屬掩模在基板的蒸鍍區(qū)域進(jìn)行蒸鍍的技術(shù),因?yàn)榛宓恼翦儏^(qū)域小,所以使用比基板小型的金屬掩模,但在基板大型化時(shí),金屬掩模本身也大型化,并且需要大型的底板。因此,處理這樣的金屬掩模和基板的裝置巨大化、復(fù)雜化,不僅裝置的設(shè)計(jì)困難,而且制造工序或掩模交換等的工序中操作的安全性的問(wèn)題依然存在。然而,根據(jù)本發(fā)明,如上所述,不發(fā)生那樣的問(wèn)題。另外,在專利文獻(xiàn)11中公開了作為蒸鍍掩模使用金屬掩模時(shí),由固定部機(jī)構(gòu)將金屬掩模固定在掩模支撐體的掩模支撐部,此時(shí),公開了將金屬掩模沿其周邊方向拉伸固定。然而,專利文獻(xiàn)11只公開了在槽中配置金屬掩模的周邊,在其上通過(guò)夾具固定金屬掩模時(shí),將金屬掩模以在其周邊方向拉伸的狀態(tài)固定,對(duì)于向蒸鍍掩模上施加張力的張力機(jī)構(gòu)本身沒(méi)有公開。而且,在專利文獻(xiàn)11中,因?yàn)樽罱K將金屬掩模由夾具固定在槽中,所以與專利文獻(xiàn)4同樣,對(duì)于真空蒸鍍中的金屬掩模的狀態(tài)(溫度、基板加工質(zhì)量等)的偏差,不能校正。相對(duì)于此,根據(jù)本發(fā)明,如上所述蒸鍍裝置本身具有向上述蒸鍍掩模施加張力的張力機(jī)構(gòu),通過(guò)上述張力機(jī)構(gòu)控制上述蒸鍍掩模的張力。因此,根據(jù)本發(fā)明,如上所述,不僅以在上述掩模單元和被成膜基板之間保持一定空隙的方式抑制·改善上述蒸鍍掩模的由自重造成的撓曲和熱膨張,而且通過(guò)上述張力機(jī)構(gòu),能夠積極地控制像素位置偏差等。另外,上述張力機(jī)構(gòu)因?yàn)樵O(shè)置在上述掩模單元上,所以也能夠作為實(shí)時(shí)調(diào)準(zhǔn)的輔助機(jī)構(gòu)使用。另外,本發(fā)明優(yōu)選將上述掩模單元配置在成膜腔室內(nèi),在成膜腔室內(nèi)進(jìn)行上述蒸鍍,并且在上述蒸鍍掩模、和上述掩模單元或上述成膜腔室中與上述蒸鍍掩模相對(duì)的位置, 分別設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在上述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,對(duì)準(zhǔn)各個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,從而將上述蒸鍍掩模與預(yù)先確定的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)上述的構(gòu)成,能夠?qū)⑸鲜稣翦冄谀Ec絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。因此,能夠準(zhǔn)確地固定上述蒸鍍?cè)春驼翦冄谀5南鄬?duì)位置。即,能夠?qū)⒄翦冄谀?zhǔn)確地定位在來(lái)自蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)。因此,根據(jù)上述的構(gòu)成,能夠?qū)⒄翦儏^(qū)域縮小集中,因此不需要為了即使蒸鍍掩模的位置相對(duì)于蒸鍍區(qū)域多少錯(cuò)位也不出現(xiàn)問(wèn)題而預(yù)先將蒸鍍區(qū)域加寬的設(shè)計(jì)。因此,能夠使材料的利用效率提高。另外,優(yōu)選在上述蒸鍍掩模上,上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo),在上述相對(duì)移動(dòng)的方向(相對(duì)移動(dòng)方向)上平行地分別設(shè)置多個(gè),將上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記中的至少1個(gè)與上述被成膜基板上所設(shè)置的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置對(duì)準(zhǔn),能夠?qū)⑸鲜稣翦冄谀Ec上述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)上述的構(gòu)成,能夠準(zhǔn)確地使上述相對(duì)移動(dòng)方向(即,掃描方向)、與上述蒸鍍掩模中與掃描方向平行的方向的開口部的邊(開口端)平行。另外,優(yōu)選在上述被成膜基板上,在使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)時(shí),在上述被成膜基板中比蒸鍍區(qū)域靠前的位置,設(shè)置上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在上述蒸鍍掩模上,在使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)時(shí),在與上述被成膜基板上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記最開始相對(duì)的端部,設(shè)置上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)時(shí),在上述被成膜基板中比蒸鍍區(qū)域靠前的位置上,將上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和上述被成膜基板上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),由此將上述蒸鍍掩模和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)上述的構(gòu)成,在被成膜基板進(jìn)入來(lái)自蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒所蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)之前,能夠可靠地進(jìn)行上述掩模單元和被成膜基板的位置校正。另外,優(yōu)選在上述蒸鍍掩模和被成膜基板上,上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在上述相對(duì)移動(dòng)的方向(相對(duì)移動(dòng)方向)上平行地分別設(shè)置多個(gè),通過(guò)將上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和上述被成膜基板上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),將上述蒸鍍掩模和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)上述的構(gòu)成,在將上述蒸鍍掩模和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)時(shí),能夠準(zhǔn)確地使上述相對(duì)移動(dòng)方向(即,掃描方向)、與上述蒸鍍掩模中與掃描方向平行的方向的開口部的邊(開口端)平行。另外,優(yōu)選在向上述蒸鍍掩模施加張力時(shí),將與上述蒸鍍掩模的上表面或下表面抵接的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn),在上述蒸鍍掩模上,向斜上方或斜下方施加張力。根據(jù)上述的構(gòu)成,通過(guò)將支撐上述蒸鍍掩模的支撐構(gòu)件(被固定不動(dòng)作)等、與上述蒸鍍掩模的上表面或下表面抵接的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn),在上述蒸鍍掩模上,向斜上方或斜下方施加張力,由此能夠容易地在上述蒸鍍掩模上施加張力。另外,通過(guò)將與上述蒸鍍掩模的上表面或下表面抵接的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn)使用, 能夠容易且精度良好地進(jìn)行上述蒸鍍掩模和被成膜基板的平行校正(上述蒸鍍掩模的掩模面和被成膜基板的基板面的平行校正)。特別是,相比于通過(guò)相對(duì)于上述蒸鍍掩模前后左右移動(dòng)的張力機(jī)構(gòu)本身、嚴(yán)格地平行校正上述蒸鍍掩模和被成膜基板,通過(guò)上述抵接構(gòu)件和被成膜基板的平行校正進(jìn)行上述蒸鍍掩模和被成膜基板的平行校正,精度更高且容易。另外,因?yàn)樯鲜龅纸訕?gòu)件和被成膜基板的平行校正支配著上述蒸鍍掩模和被成膜基板的平行校正,所以在交換上述蒸鍍掩模時(shí),就沒(méi)有必要嚴(yán)格地調(diào)整上述蒸鍍掩模和被成膜基板的平行校正。因此,能夠容易地進(jìn)行上述蒸鍍掩模的交換。另外,優(yōu)選上述蒸鍍掩模的一端被固定,使用上述張力機(jī)構(gòu),向上述蒸鍍掩模,從一個(gè)方向施加張力。根據(jù)上述的構(gòu)成,在上述蒸鍍掩模上僅產(chǎn)生一個(gè)軸方向的張力。因此,蒸鍍掩模不會(huì)扭曲,能夠進(jìn)行穩(wěn)定的動(dòng)作。另外,上述張力機(jī)構(gòu)可以具備在蒸鍍掩模的各角部上所設(shè)置的夾子,通過(guò)向上述夾子分別施加張力,從上述蒸鍍掩模的各角部向上述蒸鍍掩模施加張力。根據(jù)上述的構(gòu)成,因?yàn)槟軌驈乃蟹较蛟谏鲜稣翦冄谀I鲜┘訌埩Γ阅軌蜻M(jìn)行微細(xì)的位置調(diào)整,能夠使位置對(duì)準(zhǔn)精度提高。因此,能夠使蒸鍍精度進(jìn)一步提高。另外,在上述蒸鍍工序中,優(yōu)選一邊蒸鍍,一邊調(diào)整上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。S卩,本發(fā)明涉及的蒸鍍方法為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍方法, 包括位置對(duì)準(zhǔn)工序,準(zhǔn)備掩模單元,上述掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,上述蒸鍍掩模具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置,將上述掩模單元和被成膜基板,按照上述蒸鍍掩模與被成膜基板以具有一定空隙的狀態(tài)相對(duì)的方式進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn);和蒸鍍工序,以在上述掩模單元和被成膜基板之間具有上述一定空隙的狀態(tài)下,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),將上述蒸鍍顆粒經(jīng)由上述蒸鍍掩模的開口部在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域上順次蒸鍍,在上述蒸鍍工序中,優(yōu)選一邊蒸鍍,一邊調(diào)整上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。另外,為此,上述蒸鍍裝置優(yōu)選還具備與上述被成膜基板和蒸鍍掩模鄰接配置、 將與上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置固定的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件;和調(diào)整上述被成膜基板與上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置的調(diào)整部件。S卩,本發(fā)明涉及的蒸鍍裝置為在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜的蒸鍍裝置, 其優(yōu)選具備掩模單元,其具有蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,上述蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)配置,具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,上述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與上述蒸鍍掩模相對(duì)配置;移動(dòng)部件,其在上述掩模單元和被成膜基板之間具有一定空隙的狀態(tài)下,使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng);調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,其與上述被成膜基板和蒸鍍掩模鄰接配置, 將與上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置固定;和調(diào)整部件,其調(diào)整上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。使被成膜基板或掩模單元相對(duì)移動(dòng)(掃描)時(shí)產(chǎn)生的機(jī)械的精度不是絕對(duì)的。然而,通過(guò)一邊蒸鍍,一邊調(diào)整上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置,能夠適當(dāng)?shù)鼐S持蒸鍍中的被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置關(guān)系。因此,根據(jù)上述的各構(gòu)成,即使被成膜基板使用大型的基板,也能夠進(jìn)行位置精度高的圖案形成以及高精細(xì)化。[1096]另外,因?yàn)闆](méi)有必要為了被成膜基板和上述蒸鍍掩模的位置對(duì)準(zhǔn)而停止掃描,所以能夠更高效率地將蒸鍍膜成膜。特別是如上所述,作為調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,使用與被成膜基板和蒸鍍掩模鄰接配置、將與上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置固定的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,觀測(cè)被成膜基板和蒸鍍掩模的相對(duì)位置,由此能夠使識(shí)別精度提高。因此,能夠進(jìn)行更高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。另外,因?yàn)橥ㄟ^(guò)使用上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件能夠使識(shí)別精度提高,所以優(yōu)選在上述蒸鍍掩模和被成膜基板上,分別設(shè)置上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記, 在上述蒸鍍工序中,一邊蒸鍍,一邊利用與上述被成膜基板和蒸鍍掩模鄰接配置的、將與上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置固定的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,觀測(cè)上述蒸鍍掩模和被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,基于該觀測(cè)結(jié)果,調(diào)整上述蒸鍍掩模和被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,從而調(diào)整上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。由此,能夠?qū)崟r(shí)地進(jìn)行更高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。另外,優(yōu)選上述被成膜基板和蒸鍍掩模上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,設(shè)置在從上述蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的蒸鍍區(qū)域外,且上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記為調(diào)準(zhǔn)用的開口部,在上述蒸鍍工序中,利用上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,通過(guò)上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)用的開口部,觀測(cè)上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。根據(jù)上述的構(gòu)成,利用上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,通過(guò)上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)用的開口部,觀測(cè)上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,由此能夠進(jìn)行更準(zhǔn)確的位置對(duì)準(zhǔn)。因此,可以實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的蒸鍍控制。另外,上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件優(yōu)選通過(guò)上述蒸鍍掩模上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)用的開口部,向上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記照射點(diǎn)光,由其反射強(qiáng)度,觀測(cè)上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。由此,能夠不進(jìn)行圖像識(shí)別,而更準(zhǔn)確地觀測(cè)并檢測(cè)出上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。另外,能夠既高精度又更高速地進(jìn)行這些的處理。 因此,能夠適用于使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方高速地相對(duì)移動(dòng)的情況。另外,優(yōu)選在上述被成膜基板上設(shè)置上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在上述蒸鍍工序中,一邊進(jìn)行蒸鍍,一邊利用調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,觀測(cè)上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置,基于該觀測(cè)結(jié)果,調(diào)整上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置,從而調(diào)整上述被成膜基板和上述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。根據(jù)上述的構(gòu)成,因?yàn)槟軌蛟u(píng)價(jià)在被成膜基板上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜的偏差,所以能夠進(jìn)行精度更高的位置對(duì)準(zhǔn)。另外,上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,優(yōu)選以與上述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和蒸鍍膜非接觸的方式,對(duì)上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置進(jìn)行光學(xué)觀測(cè)。[1107]作為觀測(cè)上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的位置關(guān)系的部件,能夠使用進(jìn)行光致發(fā)光的觀測(cè)、反射強(qiáng)度的觀測(cè)、透射強(qiáng)度的觀測(cè)、單純的圖像識(shí)別等的光學(xué)觀測(cè)的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件。另外,優(yōu)選上述被成膜基板中、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,使用反射或吸收紫外光的材料,設(shè)置在從上述蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的蒸鍍區(qū)域內(nèi), 作為上述蒸鍍顆粒,使用光致發(fā)光的材料的蒸鍍顆粒,在上述蒸鍍工序中,使上述蒸鍍顆粒蒸鍍?cè)谏鲜霰怀赡せ迳纤O(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記上,并且上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,通過(guò)向上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記、和成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜照射紫外光,觀測(cè)由紫外光光致發(fā)光的蒸鍍膜、與上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。根據(jù)上述的構(gòu)成,因?yàn)槟軌蛑苯釉u(píng)價(jià)在被成膜基板上實(shí)際所蒸鍍的蒸鍍膜的偏差,所以能夠進(jìn)行精度更高的位置對(duì)準(zhǔn)。另外,優(yōu)選作為上述被成膜基板中上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,為在該調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記內(nèi)具有多個(gè)開口部的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,上述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,由各開口部間的熒光強(qiáng)度的比率,觀測(cè)上述被成膜基板上所設(shè)置的、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為上述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置。根據(jù)上述的構(gòu)成,能夠不進(jìn)行圖像識(shí)別,而更準(zhǔn)確地觀測(cè)并檢測(cè)出上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。另外,能夠既高精度又更高速地進(jìn)行這些的處理。因此,能夠適用于使上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方高速地相對(duì)移動(dòng)的情況。另外,優(yōu)選上述被成膜基板中、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,沿著上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)的方向,遍及上述被成膜基板中上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)的區(qū)域的一端到另一端之間而設(shè)置。通過(guò)一邊蒸鍍一邊連續(xù)觀測(cè)這樣的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,能夠高精度地將上述蒸鍍掩模和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn),并且能夠準(zhǔn)確地掌握被成膜基板的掃描量。因此,可以實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的蒸鍍控制。另外,上述被成膜基板中、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記優(yōu)選斷續(xù)地形成。根據(jù)上述的構(gòu)成,通過(guò)斷續(xù)地形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,反射強(qiáng)度也斷續(xù)地變化。因此,通過(guò)將該變化的周期計(jì)數(shù),能夠準(zhǔn)確地掌握被成膜基板的掃描量。因此,可以實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的蒸鍍控制。另外,上述被成膜基板中、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記, 優(yōu)選根據(jù)被成膜基板的位置,以不同的斷續(xù)周期形成。這樣,根據(jù)被成膜基板的位置特意地改變上述被成膜基板中、上述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的斷續(xù)周期,由此能夠更準(zhǔn)確地掌握被成膜基板的位置 (掃描量)O另外,在上述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,優(yōu)選使用空隙傳感器測(cè)定蒸鍍掩模和被成膜基板
88之間的空隙量,基于測(cè)定得到的空隙量,使至少包含上述蒸鍍掩模的掩模單元的一部分或掩模單元全體、以及被成膜基板中的至少一方,在將上述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作,將上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量調(diào)整為一定量。另外,為此,上述蒸鍍裝置優(yōu)選具備至少1個(gè)測(cè)定上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的空隙傳感器。雖然蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹奈恢孟鄬?duì)地固定,但存在由空隙量調(diào)整作業(yè)而產(chǎn)生的微小工作區(qū)域。并且,通過(guò)如上所述由空隙傳感器測(cè)定蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量,能夠準(zhǔn)確地掌握蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量。因此,能夠準(zhǔn)確地控制上述空隙量,能夠?qū)⑸鲜隹障读勘3譃樗谕囊欢ㄖ怠R虼?,能夠抑制通過(guò)上述蒸鍍掩模的開口部所蒸鍍的蒸鍍膜的寬度的增減、位置偏差、形狀變化,能夠遍及被成膜基板的整面精度良好地形成高精細(xì)的圖案。另外,通過(guò)上述蒸鍍裝置具備多個(gè)上述空隙傳感器,能夠更準(zhǔn)確地掌握上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的分布,由此能夠更準(zhǔn)確地控制上述空隙量。另外,在上述蒸鍍工序中,優(yōu)選使用空隙傳感器測(cè)定蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量,一邊基于測(cè)定得到的空隙量將上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量調(diào)整為一定量,一邊進(jìn)行上述蒸鍍。這樣,通過(guò)一邊進(jìn)行蒸鍍一邊實(shí)時(shí)地調(diào)整上述空隙量,能夠?qū)⑸鲜隹障读靠煽康乇3譃橐?guī)定的一定值。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)精度更高的圖案化。作為上述空隙傳感器,優(yōu)選使用透過(guò)上述被成膜基板測(cè)定上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的光學(xué)式的空隙傳感器。作為上述空隙傳感器,也能夠使用利用靜電容量式、渦電流方式等的、其他的方式的空隙傳感器。然而,這些空隙傳感器,基本上測(cè)定傳感器本身與某種物體之間的空隙,上述物體必須為導(dǎo)體。因此,這些空隙傳感器的使用伴有限制。因此,作為上述空隙傳感器,希望使用如上所述光學(xué)式的空隙傳感器。通過(guò)使用上述空隙傳感器,能夠透過(guò)上述被成膜基板測(cè)定上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量。另外,上述空隙傳感器,優(yōu)選在與上述相對(duì)移動(dòng)的方向垂直的方向上排列并設(shè)置多個(gè),在上述被成膜基板上,用于由上述空隙傳感器測(cè)定空隙量的透明區(qū)域,在上述相對(duì)移動(dòng)的方向上延伸設(shè)置,并且在與上述相對(duì)移動(dòng)的方向垂直的方向上排列并設(shè)置多個(gè),在上述蒸鍍工序中,通過(guò)在上述被成膜基板上所設(shè)置的、用于空隙量的測(cè)定的透明區(qū)域上分別相對(duì)設(shè)置的空隙傳感器,透過(guò)上述被成膜基板,測(cè)定上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量。如上所述通過(guò)設(shè)置多個(gè)空隙傳感器,因?yàn)槟軌蛘莆湛障读康姆植?,所以能夠?qū)⑸鲜隹障读扛鼑?yán)格地控制為一定。另外,上述空隙量的調(diào)整優(yōu)選通過(guò)使用傳動(dòng)裝置,使至少包含上述蒸鍍掩模的掩模單元的一部分或掩模單元全體、以及被成膜基板中的至少一方,在將上述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作而進(jìn)行。另外,為此,上述蒸鍍裝置,優(yōu)選具備傳動(dòng)裝置,該傳動(dòng)裝置使至少包含上述蒸鍍掩模的掩模單元的一部分或掩模單元全體、以及被成膜基板中的至少一方,在將上述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作,從而調(diào)整上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的
空隙量。另外,上述蒸鍍裝置,優(yōu)選具備空隙偏差量運(yùn)算部,其算出由空隙傳感器所測(cè)定的空隙量與預(yù)先設(shè)定的蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的偏差的量;空隙偏差校正量導(dǎo)出部,其從由上述空隙偏差量運(yùn)算部所算出的空隙偏差量,導(dǎo)出用于消除上述偏差的校正值;和傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)控制部,其基于由上述空隙偏差校正量導(dǎo)出部所導(dǎo)出的空隙偏差校正量,以使上述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙保持一定的方式,使上述傳動(dòng)裝置,在將上述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作。如上所述通過(guò)在上述空隙量的調(diào)整中使用傳動(dòng)裝置,能夠進(jìn)行空隙的微小調(diào)整, 并容易且準(zhǔn)確地調(diào)整上述空隙量。另外,在上述蒸鍍工序中,優(yōu)選在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中一邊使掩模單元和被成膜基板中的至少一方連續(xù)地相對(duì)移動(dòng),一邊使上述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域順次蒸鍍。這樣通過(guò)一邊使掩模單元和被成膜基板中的至少一方連續(xù)地相對(duì)移動(dòng)一邊進(jìn)行蒸鍍,即使在基板掃描方向上有蒸鍍顆粒的飛翔分布,掃描方向的分布也被平均化。因此, 能夠得到在基板面內(nèi)均勻地形成圖案的蒸鍍膜。另外,在上述蒸鍍工序中,也可以通過(guò)重復(fù)以下的兩個(gè)工序,使上述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域上順次蒸鍍,該兩個(gè)工序?yàn)槭股鲜鲅谀卧捅怀赡せ逯械闹辽僖环较鄬?duì)移動(dòng)而掃描上述掩模單元和被成膜基板中的至少一方的工序;和停止上述掃描,使上述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域蒸鍍的工序,。作為上述蒸鍍掩模,優(yōu)選使用矩形的蒸鍍掩模,上述蒸鍍掩模的短軸方向的邊,比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中、與上述蒸鍍掩模的短軸方向相對(duì)的邊的寬度短,上述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊,比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中、與上述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊相對(duì)的邊的寬度長(zhǎng)。根據(jù)上述的構(gòu)成,例如,能夠在上述蒸鍍掩模的長(zhǎng)度方向兩側(cè)部形成調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部。 因此,能夠容易且更精密地進(jìn)行調(diào)準(zhǔn)。另外,在上述蒸鍍工序中,優(yōu)選使掩模單元和被成膜基板中的至少一方往復(fù)移動(dòng)。以往,為了使蒸鍍速率可變,例如蒸鍍?cè)词褂蜜釄鍟r(shí),需要通過(guò)溫度進(jìn)行控制。因此,存在溫度的穩(wěn)定化上花費(fèi)時(shí)間,或伴隨溫度的波動(dòng)而易于在蒸鍍速率上產(chǎn)生不勻的問(wèn)題點(diǎn)。然而,根據(jù)上述的構(gòu)成,因?yàn)椴皇菧囟瓤刂?,而是能夠由往?fù)移動(dòng)的次數(shù)控制膜厚,所以不會(huì)發(fā)生那樣的問(wèn)題。另外,特別是如上所述在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中,一邊使掩模單元和被成膜基板中的至少一方連續(xù)地相對(duì)移動(dòng)一邊將上述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域上順次蒸鍍時(shí),在進(jìn)行上述那樣的往復(fù)移動(dòng)的情況下,被成膜基板的停止僅在使基板掃描方向反轉(zhuǎn)的一瞬間,而在移動(dòng)中也進(jìn)行蒸鍍,所以生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間不會(huì)變長(zhǎng)。另外,在上述蒸鍍工序中,優(yōu)選將沿著被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的一邊的相對(duì)移動(dòng)和沿著與該邊正交的邊的相對(duì)移動(dòng)重復(fù)進(jìn)行。根據(jù)上述的構(gòu)成,使用面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的蒸鍍掩模,能夠在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域整體上效率良好地形成成膜圖案(蒸鍍膜)。特別是如上所述在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中,一邊使掩模單元和被成膜基板中的至少一方連續(xù)地相對(duì)移動(dòng),一邊使上述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中順次蒸鍍時(shí), 在進(jìn)行上述那樣的相對(duì)移動(dòng)時(shí),被成膜基板的停止僅在切換基板掃描方向的一瞬間,而在移動(dòng)中也進(jìn)行蒸鍍,所以生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間不會(huì)變長(zhǎng)。在上述蒸鍍工序中,在上述被成膜基板中不需要上述蒸鍍顆粒的蒸鍍的區(qū)域,優(yōu)選使來(lái)自上述蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒的射出停止。這樣上述被成膜基板中不需要上述蒸鍍顆粒的蒸鍍的區(qū)域中,通過(guò)使來(lái)自上述蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒的射出停止,能夠防止向多余的部分(非蒸鍍區(qū)域)的蒸鍍。另外,根據(jù)本發(fā)明,因?yàn)槿缟纤鍪褂妹娣e小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的蒸鍍掩模,并將蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,所以即使在上述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)瓷显O(shè)置多個(gè)開口部和射出口時(shí),也沒(méi)有必要像以往那樣將多個(gè)蒸鍍?cè)?或射出口)中的一部分蒸鍍?cè)?或射出口)進(jìn)行OFF/OFF控制,而只要在非蒸鍍區(qū)域中,將來(lái)自上述蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒的射出(即,來(lái)自全部射出口的蒸鍍顆粒的射出)停止即可。因此,不需要復(fù)雜的結(jié)構(gòu),能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行0N/0FF控制。另外,在上述蒸鍍方法中,作為上述掩模單元,優(yōu)選使用上述射出口分別與上述蒸鍍掩模的開口部相對(duì)設(shè)置的掩模單元。根據(jù)上述的構(gòu)成,因?yàn)槟軌蚪档驮谡翦冄谀5姆情_口部附著的蒸鍍顆粒的量,所以能夠使材料利用效率提高。在上述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,優(yōu)選以述掩模單元位于被成膜基板的上方的方式,將上述掩模單元和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn),在上述蒸鍍工序中,通過(guò)從上述蒸鍍?cè)聪蛑路缴涑稣翦冾w粒,使上述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域順次蒸鍍。在上述的方法中,因?yàn)楸怀赡せ迮渲迷谘谀卧南路?,所以只要通過(guò)基板臺(tái)或輥等,以不發(fā)生自重?fù)锨某潭缺3直怀赡せ寮纯?。因此,能夠容易且安全地將被成膜基板在維持與蒸鍍掩模的距離為一定的狀態(tài)下保持。上述規(guī)定圖案能夠作為有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)層。上述蒸鍍方法能夠適用于有機(jī)電致發(fā)光元件的制造。本發(fā)明不局限于上述的各實(shí)施方式,在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)可以有各種變更, 關(guān)于將在不同的實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)方案適當(dāng)組合而得到的實(shí)施方式,也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的蒸鍍裝置和蒸鍍方法,例如,能夠適用于在有機(jī)EL顯示裝置中有機(jī)層的分別涂布形成等的成膜過(guò)程中使用的、有機(jī)EL顯示裝置的制造裝置和制造方法等。符號(hào)說(shuō)明1有機(jī)EL顯示裝置2像素2R · 2G · 2B 子像素10TFT基板(被成膜基板)20有機(jī)EL元件[1165]21第1電極22空穴注入層兼空穴輸送層(有機(jī)層)23R · 23G · 23B 發(fā)光層(有機(jī)層)24電子輸送層(有機(jī)層)25電子注入層(有機(jī)層)26第2電極27空穴注入層(有機(jī)層)28R · 28G · 28B 空穴輸送層50蒸鍍裝置60真空腔室(成膜腔室)70基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)(調(diào)整部件)71基板保持構(gòu)件72電動(dòng)機(jī)80掩模單元80R ‘ 80G ‘ 80B 掩模單元81陰影掩模81R.81G.81B 陰影掩模81a長(zhǎng)邊81b短邊82開口部83調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部84調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84R.84G.84B 調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記84a第1開口部(調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記)84b第2開口部(調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記)85蒸鍍?cè)?6射出口87掩模保持構(gòu)件88掩模張力機(jī)構(gòu)(張力機(jī)構(gòu)、調(diào)整部件)89閘板90圖像傳感器(調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)100控制電路101圖像檢測(cè)部102運(yùn)算部103電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部104蒸鍍0N/0FF控制部105閘板驅(qū)動(dòng)控制部110絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記)111調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記(絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記)
92[1204]112調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記(絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記)113開口部120絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn)標(biāo)記(絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記)130掩模夾141掩模支撐部142可動(dòng)部143固定部144掩模固定臺(tái)150圖像傳感器161圖像檢測(cè)部162運(yùn)算部163張力控制部170調(diào)準(zhǔn)傳感器(調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)171激光點(diǎn)180膜厚傳感器190調(diào)準(zhǔn)傳感器(調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件)191紫外光照射裝置192檢測(cè)器200被成膜基板201透明區(qū)域(空隙傳感用的透明區(qū)域)202a · 202b TFT電路形成區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)210蒸鍍區(qū)域210a長(zhǎng)邊210b短邊211蒸鍍膜220調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記部221調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記22IR · 221G · 22IB 調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記222a開口部230控制電路231檢測(cè)部232校正量算出部233掩模驅(qū)動(dòng)控制部234基板驅(qū)動(dòng)控制部235蒸鍍0N/0FF控制部236閘板驅(qū)動(dòng)控制部237電動(dòng)機(jī)240掩模單元移動(dòng)機(jī)構(gòu)(調(diào)整部件)[1243]241電動(dòng)機(jī)251膜厚偏差量算出部252校正量算出部253蒸鍍控制部260加熱器271圖像檢測(cè)部272檢測(cè)部273蒸鍍0N/0FF控制部280控制電路281圖像檢測(cè)部282檢測(cè)部283蒸鍍0N/0FF控制部290控制電路291檢測(cè)部292蒸鍍0N/0FF控制部410控制電路411空隙偏差量算出部412空隙偏差校正量導(dǎo)出部413傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)控制部
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍方法,在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜,該蒸鍍方法的特征在于,包括位置對(duì)準(zhǔn)工序,準(zhǔn)備掩模單元,該掩模單元具備蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)矗覍⑺稣翦冄谀:驼翦冊(cè)吹南鄬?duì)位置固定,所述蒸鍍掩模具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域, 所述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與所述蒸鍍掩模相對(duì)配置,按照所述蒸鍍掩模與被成膜基板以具有一定空隙的狀態(tài)相對(duì)的方式,進(jìn)行所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的調(diào)整,將所述掩模單元和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn);和蒸鍍工序,將所述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定,使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng),將所述蒸鍍顆粒經(jīng)由所述蒸鍍掩模的開口部在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域上順次蒸鍍。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍方法,其特征在于所述掩模單元還具備向所述蒸鍍掩模施加張力的張力機(jī)構(gòu),在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,以向所述蒸鍍掩模施加張力的狀態(tài)進(jìn)行保持。
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍方法,其特征在于將所述掩模單元配置在成膜腔室內(nèi),在成膜腔室內(nèi)進(jìn)行所述蒸鍍,并且在所述蒸鍍掩模、和所述掩模單元或所述成膜腔室中與所述蒸鍍掩模相對(duì)的位置上, 分別設(shè)置絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,通過(guò)對(duì)準(zhǔn)各個(gè)調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,將所述蒸鍍掩模與預(yù)先確定的絕對(duì)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
4.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍掩模上,所述絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記在所述相對(duì)移動(dòng)的方向上平行地分別設(shè)置多個(gè),通過(guò)將所述蒸鍍掩模上所設(shè)置的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記中的至少1個(gè)與所述被成膜基板上所設(shè)置的絕對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),使所述蒸鍍掩模對(duì)準(zhǔn)于所述絕對(duì)位置。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述被成膜基板上,在使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)時(shí),在所述被成膜基板中比蒸鍍區(qū)域靠前的位置上,設(shè)置所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在所述蒸鍍掩模上,在使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)時(shí),在與所述被成膜基板上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記最開始相對(duì)的端部上,設(shè)置所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)時(shí),在所述被成膜基板中比蒸鍍區(qū)域靠前的位置上,將所述蒸鍍掩模上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和所述被成膜基板上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),由此將所述蒸鍍掩模和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍掩模和被成膜基板上,所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記在所述相對(duì)移動(dòng)的方向上平行地分別設(shè)置多個(gè),通過(guò)將所述蒸鍍掩模上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和所述被成膜基板上所設(shè)置的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),將所述蒸鍍掩模和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。
7.如權(quán)利要求2 4中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于將與所述蒸鍍掩模的上表面或下表面抵接的抵接構(gòu)件作為支點(diǎn),在所述蒸鍍掩模上向斜上方或斜下方施加張力。
8.如權(quán)利要求2 4、7中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于所述蒸鍍掩模的一端被固定,使用所述張力機(jī)構(gòu),向所述蒸鍍掩模,從一個(gè)方向施加張力。
9.如權(quán)利要求2 4、7中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于所述張力機(jī)構(gòu)具備在蒸鍍掩模的各角部所設(shè)置的夾子,通過(guò)分別向所述夾子施加張力,從所述蒸鍍掩模的各角部向所述蒸鍍掩模施加張力。
10.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,一邊進(jìn)行蒸鍍,一邊調(diào)整所述被成膜基板和所述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。
11.如權(quán)利要求10所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍掩模和被成膜基板上,分別設(shè)置所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在所述蒸鍍工序中,一邊進(jìn)行蒸鍍,一邊利用與所述被成膜基板和蒸鍍掩模鄰接配置的、將與所述蒸鍍掩模的相對(duì)位置固定的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,觀測(cè)所述蒸鍍掩模和被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,基于該觀測(cè)結(jié)果,調(diào)整所述蒸鍍掩模和被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置,由此調(diào)整所述被成膜基板和所述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。
12.如權(quán)利要求11所述的蒸鍍方法,其特征在于所述被成膜基板和蒸鍍掩模上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,設(shè)置在從所述蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的蒸鍍區(qū)域外,并且所述蒸鍍掩模上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記為調(diào)準(zhǔn)用的開口部,在所述蒸鍍工序中,利用所述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,經(jīng)過(guò)所述蒸鍍掩模上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)用的開口部,觀測(cè)所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。
13.如權(quán)利要求12所述的蒸鍍方法,其特征在于所述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,經(jīng)過(guò)所述蒸鍍掩模上所設(shè)置的調(diào)準(zhǔn)用的開口部,向所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記照射點(diǎn)光,由其反射強(qiáng)度,觀測(cè)所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。
14.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述被成膜基板上,設(shè)置所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,在所述蒸鍍工序中,一邊進(jìn)行蒸鍍,一邊利用調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,觀測(cè)所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為所述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置,基于該觀測(cè)結(jié)果,調(diào)整所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為所述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置,由此調(diào)整所述被成膜基板和所述蒸鍍掩模的相對(duì)位置。
15.如權(quán)利要求14所述的蒸鍍方法,其特征在于所述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,以與所述調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記和蒸鍍膜非接觸的方式,對(duì)所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為所述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置進(jìn)行光學(xué)觀測(cè)。
16.如權(quán)利要求15所述的蒸鍍方法,其特征在于所述被成膜基板中所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,使用反射或吸收紫外光的材料,設(shè)置在從所述蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的蒸鍍區(qū)域內(nèi),作為所述蒸鍍顆粒,使用光致發(fā)光材料的蒸鍍顆粒,在所述蒸鍍工序中,使所述蒸鍍顆粒在所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記上進(jìn)行蒸鍍,并且所述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,向所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記以及成膜為所述規(guī)定圖案的蒸鍍膜照射紫外光,由此觀測(cè)由紫外光而光致發(fā)光的蒸鍍膜與所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記的相對(duì)位置。
17.如權(quán)利要求16所述的蒸鍍方法,其特征在于所述被成膜基板中所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記為在該調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記內(nèi)具有多個(gè)開口部的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,所述調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件,由各開口部間的熒光強(qiáng)度的比率,觀測(cè)所述被成膜基板上所設(shè)置的、所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記與成膜為所述規(guī)定圖案的蒸鍍膜的相對(duì)位置。
18.如權(quán)利要求11 17中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于所述被成膜基板中所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,沿著所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)的方向,遍及所述被成膜基板中所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)的區(qū)域的一端到另一端之間而設(shè)置。
19.如權(quán)利要求11 18中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于所述被成膜基板中所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記斷續(xù)地形成。
20.如權(quán)利要求19所述的蒸鍍方法,其特征在于所述被成膜基板中所述蒸鍍掩模和被成膜基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的調(diào)準(zhǔn)標(biāo)記,根據(jù)被成膜基板的位置,以不同的斷續(xù)周期形成。
21.如權(quán)利要求1 20中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,使用空隙傳感器測(cè)定蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量, 基于測(cè)定的空隙量,使至少包含所述蒸鍍掩模的掩模單元的一部分或掩模單元全體、以及、 被成膜基板中的至少一方,在將所述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作,將所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量調(diào)整為一定量。
22.如權(quán)利要求21所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,使用空隙傳感器測(cè)定蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量,基于測(cè)定的空隙量,一邊將所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量調(diào)整為一定量,一邊進(jìn)行所述蒸鍍。
23.如權(quán)利要求21或22所述的蒸鍍方法,其特征在于作為所述空隙傳感器,使用透過(guò)所述被成膜基板測(cè)定所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的光學(xué)式的空隙傳感器。
24.如權(quán)利要求23所述的蒸鍍方法,其特征在于所述空隙傳感器,在與所述相對(duì)移動(dòng)的方向垂直的方向上排列并設(shè)置多個(gè),在所述被成膜基板上,用于由所述空隙傳感器測(cè)定空隙量的透明區(qū)域,在所述相對(duì)移動(dòng)的方向上延伸設(shè)置,并且在與所述相對(duì)移動(dòng)方向垂直的方向上排列并設(shè)置多個(gè),在所述蒸鍍工序中,通過(guò)與所述被成膜基板上所設(shè)置的、用于空隙量的測(cè)定的透明區(qū)域分別相對(duì)設(shè)置的空隙傳感器,透過(guò)所述被成膜基板測(cè)定所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量。
25.如權(quán)利要求21 24中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于所述空隙量的調(diào)整,通過(guò)使用傳動(dòng)裝置,使至少包含所述蒸鍍掩模的掩模單元的一部分或掩模單元全體、以及、被成膜基板中的至少一方,在將所述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作而進(jìn)行。
26.如權(quán)利要求1 25中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中,一邊使掩模單元和被成膜基板中的至少一方連續(xù)地相對(duì)移動(dòng),一邊使所述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域順次蒸鍍。
27.如權(quán)利要求1 25中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,通過(guò)重復(fù)以下的兩個(gè)工序,使所述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域順次蒸鍍,該兩個(gè)工序?yàn)槭顾鲅谀卧捅怀赡せ逯械闹辽僖环较鄬?duì)移動(dòng),掃描所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方的工序;和停止所述掃描,使所述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域蒸鍍的工序。
28.如權(quán)利要求1 27中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于作為所述蒸鍍掩模,使用矩形的蒸鍍掩模,其中,所述蒸鍍掩模的短軸方向的邊,比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中與所述蒸鍍掩模的短軸方向相對(duì)的邊的寬度短,所述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊,比被成膜基板的蒸鍍區(qū)域中與所述蒸鍍掩模的長(zhǎng)軸方向的邊相對(duì)的邊的寬度長(zhǎng)。
29.如權(quán)利要求1 28中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,使掩模單元和被成膜基板中的至少一方往復(fù)移動(dòng)。
30.如權(quán)利要求1 29中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,重復(fù)進(jìn)行沿著被成膜基板的蒸鍍區(qū)域的一邊的相對(duì)移動(dòng)和沿著與該邊正交的邊的相對(duì)移動(dòng)。
31.如權(quán)利要求1 30中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述蒸鍍工序中,在所述被成膜基板中不需要所述蒸鍍顆粒的蒸鍍的區(qū)域,停止從所述蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒的射出。
32.如權(quán)利要求1 31中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于作為所述掩模單元,使用所述射出口分別與所述蒸鍍掩模的開口部相對(duì)設(shè)置的掩模單兀。
33.如權(quán)利要求1 32中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中,以所述掩模單元位于被成膜基板的上方的方式,將所述掩模單元和被成膜基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn),在所述蒸鍍工序中,通過(guò)從所述蒸鍍?cè)聪蛳路缴涑稣翦冾w粒,使所述蒸鍍顆粒在被成膜基板的蒸鍍區(qū)域上順次蒸鍍。
34.如權(quán)利要求1 33中任一項(xiàng)所述的蒸鍍方法,其特征在于 所述規(guī)定圖案為有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層。
35.一種蒸鍍裝置,在被成膜基板上進(jìn)行規(guī)定圖案的成膜,該蒸鍍裝置的特征在于,具備掩模單元,其具有蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)?,且將所述蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)吹南鄬?duì)位置固定,所述蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)配置,具有開口部,且面積小于被成膜基板的蒸鍍區(qū)域,所述蒸鍍?cè)淳哂猩涑稣翦冾w粒的射出口,該射出口與所述蒸鍍掩模相對(duì)配置;和移動(dòng)部件,其將所述掩模單元和被成膜基板之間的空隙保持一定,使所述掩模單元和被成膜基板中的至少一方相對(duì)移動(dòng)。
36.如權(quán)利要求35所述的蒸鍍裝置,其特征在于所述掩模單元還具備向所述蒸鍍掩模施加張力的張力機(jī)構(gòu)。
37.如權(quán)利要求35所述的蒸鍍裝置,其特征在于,還具備與所述被成膜基板和蒸鍍掩模鄰接配置,將與所述蒸鍍掩模的相對(duì)位置固定的調(diào)準(zhǔn)觀測(cè)部件;和調(diào)整所述被成膜基板和所述蒸鍍掩模的相對(duì)位置的調(diào)整部件。
38.如權(quán)利要求35 37中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置,其特征在于具備至少1個(gè)測(cè)定所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的空隙傳感器。
39.如權(quán)利要求35 37中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置,其特征在于具備傳動(dòng)裝置,所述傳動(dòng)裝置使至少包含所述蒸鍍掩模的掩模單元的一部分或掩模單元全體、以及、被成膜基板中的至少一方,在將所述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作,調(diào)整所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量。
40.如權(quán)利要求39所述的蒸鍍裝置,其特征在于,具備空隙偏差量運(yùn)算部,其算出由空隙傳感器所測(cè)定的空隙量、與預(yù)先設(shè)定的蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙量的偏差的量;空隙偏差校正量導(dǎo)出部,其從由所述空隙偏差量運(yùn)算部所算出的空隙偏差量,導(dǎo)出用于消除所述偏差的校正值;和傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)控制部,其基于由所述空隙偏差校正量導(dǎo)出部所導(dǎo)出的空隙偏差校正量,以使所述蒸鍍掩模和被成膜基板之間的空隙為一定的方式,使所述傳動(dòng)裝置,在將所述蒸鍍掩模和被成膜基板垂直連接的軸方向上動(dòng)作。
全文摘要
使用掩模單元(80),該掩模單元(80)具備陰影掩模(81)和蒸鍍?cè)?85),且將陰影掩模(81)和蒸鍍?cè)?85)的相對(duì)位置固定,該陰影掩模(81)具有開口部(82),且面積小于被成膜基板(200)的蒸鍍區(qū)域(210),該蒸鍍?cè)?85)具有射出蒸鍍顆粒的射出口(86),該射出口(86)與陰影掩模(81)相對(duì)配置,進(jìn)行陰影掩模(81)和被成膜基板(200)之間的空隙量的調(diào)整,將掩模單元(80)和被成膜基板(200)之間的空隙量保持一定,使掩模單元(80)和被成膜基板(200)中的至少一方相對(duì)移動(dòng),將蒸鍍顆粒經(jīng)由陰影掩模(81)的開口部(82)在蒸鍍區(qū)域(210)上順次蒸鍍。由此,能夠在大型的基板上形成高精細(xì)的蒸鍍圖案。
文檔編號(hào)H05B33/10GK102482760SQ20108004061
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月15日
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