專利名稱：結(jié)構(gòu)體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在電子設(shè)備(例如各種視聽設(shè)備、家電設(shè)備、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)設(shè)備及其周邊設(shè)備)、輸送機(jī)、建筑物等所有物體中使用的結(jié)構(gòu)體及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前為止，作為用于電子設(shè)備的布線基板，已知具有樹脂層和陶瓷層的布線基板。例如，日本特開平2-253941號公報(bào)中記載了在金屬箔的一面噴鍍陶瓷而形成陶瓷層，以與該金屬箔的陶瓷層側(cè)相接的方式層疊預(yù)浸坯料，進(jìn)行熱壓成型而形成的布線基板。但是，一般地，由于陶瓷層與樹脂層的粘合強(qiáng)度低，因此對布線基板施加了應(yīng)カ的情形下，陶瓷層與樹脂層容易剝離。因此，由于該剝離引起布線中容易發(fā)生斷線，致使布線基板的電氣可靠性容易降低。因此，優(yōu)選提供電氣可靠性改進(jìn)的布線基板。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明通過提供電氣可靠性改善的結(jié)構(gòu)體，從而解決了上述要求。用于解決課題的手段本發(fā)明的一個實(shí)施方式涉及的結(jié)構(gòu)體具有包含無定形狀態(tài)的氧化硅、且彈性模量為45GPa以下的無機(jī)絕緣層。本發(fā)明的一個實(shí)施方式涉及的結(jié)構(gòu)體的制造方法具有將包含含有無定形狀態(tài)的氧化硅的無機(jī)絕緣粒子的無機(jī)絕緣溶膠涂布的エ序，以及通過在小于氧化硅的結(jié)晶化開始溫度下加熱上述無機(jī)絕緣粒子而使它們相互連接，從而形成包含無定形狀態(tài)的氧化硅、且弾性模量為45GPa以下的無機(jī)絕緣層的エ序。發(fā)明的效果根據(jù)上述構(gòu)成，能夠提供電氣可靠性改善的結(jié)構(gòu)體。


圖IA是將具有本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的布線基板的安裝結(jié)構(gòu)體沿厚度方向切斷的剖面圖，圖IB是放大表示圖IA中所示的安裝結(jié)構(gòu)體的Rl部分的剖面圖。圖2A示意地表示2個第1無機(jī)絕緣粒子結(jié)合的情況，圖2B是放大表示圖IA中所示的安裝結(jié)構(gòu)體的R2部分的剖面圖。圖3是放大表示圖IB中所示的安裝結(jié)構(gòu)體的R3部分的剖面圖。圖4A-圖4F是說明圖IA中所示的布線基板的制造エ序的沿厚度方向切斷的剖面圖。圖5A-圖5C是說明圖IA中所示的布線基板的制造ェ序的沿厚度方向切斷的剖面圖。圖6A和圖6B是說明圖IA中所示的布線基板的制造エ序的沿厚度方向切斷的剖面圖。圖7A和圖7B是對將試樣1的層疊板沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片。圖8A是將圖7B的R4部分放大的照片，圖8B是對將試樣2的層疊板沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片。圖9A是將圖8B的R5部分放大的照片，圖9B是對將試樣3的層疊板沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片。圖IOA是對將試樣4的層疊板沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片，圖IOB是將圖IOA的R6部分放大的照片。圖IlA是對將試樣5的層疊板沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片，圖IlB是對將試樣6的層疊板的無機(jī)絕緣層沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片。圖12A是對將試樣7的層疊板的無機(jī)絕緣層沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片，圖12B是對將試樣8的層疊板的無機(jī)絕緣層沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片。圖13A是對將試樣9的層疊板的無機(jī)絕緣層沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片，圖13B是對將試樣10的層疊板的無機(jī)絕緣層沿厚度方向切斷的剖面的一部分用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝的照片。圖14是采用激光拉曼分光裝置對第1無機(jī)絕緣粒子進(jìn)行分析的測定結(jié)果。圖15是采用激光拉曼分光裝置對第2無機(jī)絕緣粒子進(jìn)行分析的測定結(jié)果。
具體實(shí)施例方式以下根據(jù)附圖對本發(fā)明的一個實(shí)施方式涉及的布線基板詳細(xì)說明。圖IA中所示的布線基板3在例如各種視聽設(shè)備、家電設(shè)備、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)裝置或其周邊設(shè)備等電子設(shè)備中使用。該布線基板3包含芯基板5和在芯基板5的上下面形成的ー對布線層6，具有支持電子部件2同時將用于驅(qū)動或控制電子部件2的電源、信號供給于電子部件2的功能。需要說明的是，電子部件2是例如IC或LSI等半導(dǎo)體元件，在布線基板3經(jīng)由焊料等導(dǎo)電材料形成的凸點(diǎn)4進(jìn)行倒裝片式安裝。該電子部件2的母材由例如硅、鍺、鎵砷、 鎵砷磷、氮化鎵或碳化硅等半導(dǎo)體材料形成。以下對布線基板3的構(gòu)成詳細(xì)說明。(芯基板)芯基板5提高布線基板3的剛性的同時，實(shí)現(xiàn)ー對布線層6間的導(dǎo)通，其包含支持布線層6的基體7、設(shè)置于基體7的通孔、設(shè)置在該通孔內(nèi)且將ー對布線層6彼此電連接的筒狀的通孔導(dǎo)體8和被該通孔導(dǎo)體8包圍的絕緣體9。基體7具有樹脂基體10、在該樹脂基體10上下面設(shè)置的第1無機(jī)絕緣層Ila和以在基體7的最外層配置的方式設(shè)置于該第1無機(jī)絕緣層Ila的一主面的第1樹脂層12a。
樹脂基體10形成基體7的主要部分，包含例如樹脂部和由該樹脂部被覆的基材。樹脂基體10的厚度設(shè)定為例如0. Imm以上3. Omm以下，在平面方向上的熱膨脹率設(shè)定為例如3ppm/°C以上20ppm/°C以下，在厚度方向上的熱膨脹率設(shè)定為例如30ppm/°C以上 50ppm/°C以下，介電損耗正切設(shè)定為例如0. 01以上0. 02以下。其中，樹脂基體10的熱膨脹率使用市售的TMA(Thermo-Mechanical Analysis)裝置，采用根據(jù)JISK7197-1991的測定方法測定。此外，樹脂基體10的介電損耗正切采用根據(jù)JISR1627-1996的共振器法測定。以下以第1和第2樹脂層12a、12b，第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb為代表的各構(gòu)件的熱膨脹率和介電損耗正切與樹脂基體10同樣地測定。樹脂基體10的樹脂部可由例如環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、氰酸酯樹脂、 聚苯醚樹脂、全芳香族聚酰胺樹脂或聚酰亞胺樹脂等熱固化性樹脂形成。將上述樹脂部的彈性模量設(shè)定為例如0. IGPa以上5GPa以下，將硬度設(shè)定為例如0. 02GPa以上0. 5GPa以下， 將厚度方向和平面方向上的熱膨脹率設(shè)定為例如20ppm/°C以上50ppm/°C以下。其中，樹脂基體10的樹脂部的彈性模量和硬度采用根據(jù)IS014577-1 :2002的以下的方法測定。首先，將樹脂基體10的樹脂部沿厚度方向切斷，用氬離子對切斷面進(jìn)行研磨。接下來，使用納米壓痕儀，對該納米壓痕儀的由金剛石制成的BerkoviCh壓頭施加載荷，將該壓頭向研磨面壓入。接著，通過用對壓入的壓頭施加的載荷除以該壓頭的接觸投影面積，從而算出硬度。此外，由壓入時的載荷與壓入深度的關(guān)系求出載荷-位移曲線，由該載荷-位移曲線算出彈性模量。該測定可使用例如MTS公司制納米壓痕儀XP。以下以第1 和第2樹脂層12a、12b，第1和第2無機(jī)絕緣層1 la、1 Ib為代表的各構(gòu)件的彈性模量和硬度與樹脂基體10的樹脂部同樣地測定。樹脂基體10中所含的上述基材用于使樹脂基體10的平面方向的熱膨脹率減小的同吋，提高樹脂基體10的剛性。上述基材可由例如多個纖維形成的織布或無紡布或者將多個纖維在一方向上排列的纖維組形成。作為上述纖維，可使用例如玻璃纖維、樹脂纖維、碳纖維或金屬纖維等。本實(shí)施方式中，樹脂基體10還含有由無機(jī)絕緣材料形成的多個第1填料粒子構(gòu)成的第1填料13a。其結(jié)果能夠使樹脂基體10的熱膨脹率減小，同時提高樹脂基體10的剛性。第1填料粒子可由例如氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氫氧化鋁或碳酸鈣等無機(jī)絕緣材料形成。將第1填料粒子的粒徑設(shè)定為例如0. 5 μ m以上5. 0 μ m以下，將熱膨脹率設(shè)定為例如 0ppm/°C以上15ppm/°C以下。此外，相對于樹脂基體10的樹脂部和第1填料13a的體積的合計(jì)，將第1填料13a的體積的比例(以下稱為“第1填料13a的含量”)設(shè)定為例如3體積％以上60體積％以下。其中，第1填料粒子的粒徑如下所述測定。首先，用場致發(fā)射型電子顯微鏡觀察樹脂基體10的研磨面或切斷面，對經(jīng)放大以包含20粒子數(shù)以上50粒子數(shù)以下的粒子的剖面進(jìn)行拍攝。其次，在該放大的剖面測定各粒子的最大徑，將該測定的最大粒徑作為第1填料粒子的粒徑。此外，第1填料13a的含量(體積％ )，通過用場致發(fā)射型電子顯微鏡對樹脂基體10的研磨面進(jìn)行拍攝，使用圖像解析裝置等，在10處剖面測定第1填料13a在樹脂基體10的樹脂部中所占的的面積比率(面積％)，算出其測定值的平均值，視為含量(體積％)，由此進(jìn)行測定。另ー方面，在樹脂基體10的上下面形成的第1無機(jī)絕緣層Ila由包含低介電損耗正切和低熱膨脹率的氧化硅的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，與樹脂材料相比剛性高，因此具有提高基體7的剛性的功能。第1無機(jī)絕緣層Ila的平面方向的熱膨脹率比一般的樹脂材料的平面方向的熱膨脹率低，因此能夠使布線基板3的平面方向上的熱膨脹率接近于電子部件2的在平面方向的熱膨脹率，能夠減輕由熱應(yīng)カ引起的布線基板3的翹曲。第1無機(jī)絕緣層Ila的厚度方向的熱膨脹率，由于比平面方向的熱膨脹率低的樹脂膜的厚度方向的熱膨脹率小，因此與使用了樹脂膜的情形相比，能夠使基體7的厚度方向的熱膨脹率減小，能夠使起因于基體7與通孔導(dǎo)體8的熱膨脹率的不同的熱應(yīng)カ變小，能夠減輕通孔導(dǎo)體8的斷線。第1無機(jī)絕緣層11a，通常由于無機(jī)絕緣材料與樹脂材料相比介電損耗正切低，并且與樹脂基體10相比對于布線層6接近地配置，因此能夠提高在芯基板5的上下面配置的布線層6的信號傳送特性。將第1無機(jī)絕緣層Ila的厚度設(shè)定為例如3 μ m以上100 μ m以下、和/或樹脂基體 10的3%以上10%以下。此外，將第1無機(jī)絕緣層Ila的彈性模量設(shè)定為IOGPa以上45GPa 以下、和/或、樹脂基體10的樹脂部的5倍以上100倍以下。此外，將第1無機(jī)絕緣層Ila 的硬度設(shè)定為0. 5GPa以上4GPa以下、和/或、樹脂基體10的樹脂部的2倍以上100倍以下。此外，將第1無機(jī)絕緣層Ila的厚度方向和平面方向上的熱膨脹率設(shè)定為例如0ppm/°C 以上10ppm/°C以下，將介電損耗正切設(shè)定為例如0. 0001以上0. 001以下。作為構(gòu)成第1無機(jī)絕緣層Ila的無機(jī)絕緣材料，可使用例如含90重量％以上的氧化硅的無機(jī)絕緣材料，其中優(yōu)選使用含99重量％以上且小于100重量％的氧化硅的無機(jī)絕緣材料。使用含90重量％以上且小于100重量％的氧化硅的無機(jī)絕緣材料的情形下，該無機(jī)絕緣材料除了氧化硅以外，還可含有例如氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂或氧化鋯等無機(jī)絕緣材料。此外，第1無機(jī)絕緣層Ila中所含的氧化硅是無定形(非晶)狀態(tài)。無定形狀態(tài)的氧化硅與結(jié)晶狀態(tài)的無機(jī)絕緣材料相比，能夠使由結(jié)晶結(jié)構(gòu)造成的熱膨脹率的各向異性減輕，因此布線基板3的加熱后將布線基板3冷卻吋，能夠使第1無機(jī)絕緣層Ila的收縮在厚度方向和平面方向更均勻，能夠減輕第1無機(jī)絕緣層Ila中的裂紋的發(fā)生。此外，將無定形狀態(tài)的氧化硅的結(jié)晶相的區(qū)域設(shè)定為例如小于10體積％，其中優(yōu)選設(shè)定為小于5體積％。其中，氧化硅的結(jié)晶相區(qū)域的體積比如下所述測定。首先，通過制作以不同的比率含100%結(jié)晶化的試樣粉末和非晶粉末的多個比較試樣，采用X射線衍射法測定該比較試樣，從而制作表示該測定值與結(jié)晶相區(qū)域的體積比的相對關(guān)系的標(biāo)準(zhǔn)曲線。然后，采用X射線衍射法測定作為測定對象的調(diào)查試樣，將該測定值與標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行比較，由該測定值算出結(jié)晶相區(qū)域的體積比，從而測定調(diào)查試樣的結(jié)晶相區(qū)域的體積比。上述的第1無機(jī)絕緣層11a，如圖IB中所示，包含多個第1無機(jī)絕緣粒子Ha和與該第1無機(jī)絕緣粒子Ha相比粒徑更大的多個第2無機(jī)絕緣粒子14b。該第1無機(jī)絕緣粒子1 和第2無機(jī)絕緣粒子14b，可由例如上述的氧化硅、氧化鋁、氧化硼、氧化鎂或氧化鈣等無機(jī)絕緣材料形成。此外，第1和第2無機(jī)絕緣層lla、llb，相對于第1無機(jī)絕緣粒子 14a和第2無機(jī)絕緣粒子14b的合計(jì)體積，含有20體積％以上90體積％以下的第1無機(jī)絕緣粒子14a，相對于上述合計(jì)體積，含有10體積％以上80體積％以下的第2無機(jī)絕緣粒子14b。第1無機(jī)絕緣粒子1 的粒徑設(shè)定為3nm以上IlOnm以下，如圖2A中所示，通過相互結(jié)合，致密地形成第1無機(jī)絕緣層Ila的內(nèi)部。此外，將第1無機(jī)絕緣粒子Ha的彈性模量設(shè)定為例如IOGPa以上30GPa以下，將第1無機(jī)絕緣粒子14a的硬度設(shè)定為例如0. 5GPa 以上2GPa以下。此外，將第2無機(jī)絕緣粒子14b的粒徑設(shè)定為0. 5 μ m以上5 μ m以下，通過與第1 無機(jī)絕緣粒子Ha結(jié)合，經(jīng)由第1無機(jī)絕緣粒子1 而相互粘合。此外，將第2無機(jī)絕緣粒子14b的彈性模量設(shè)定為例如40GPa以上75GPa以下，和/或第1無機(jī)絕緣粒子14a的彈性模量的例如2倍以上7倍以下。此外，將第2無機(jī)絕緣粒子14b的硬度設(shè)定為例如5GPa 以上IOGPa以下，和/或第1無機(jī)絕緣粒子14a的硬度的例如3倍以上20倍以下。其中，第1無機(jī)絕緣粒子1 和第2無機(jī)絕緣粒子14b，通過用場致發(fā)射型電子顯微鏡觀察第1無機(jī)絕緣層Ila的研磨面或切斷面來確認(rèn)。此外，第1無機(jī)絕緣粒子Ha和第2無機(jī)絕緣粒子14b的體積％如下算出。首先，用場致發(fā)射型電子顯微鏡拍攝第1無機(jī)絕緣層Ila的研磨面。然后，由拍攝的圖像使用圖像解析裝置等，測定第1無機(jī)絕緣粒子Ha 和第2無機(jī)絕緣粒子14b的面積比率(面積％ )。然后，通過算出該測定值的平均值，從而算出第1和第2無機(jī)絕緣粒子14a、14b的體積％。此外，第1無機(jī)絕緣粒子Ha和第2無機(jī)絕緣粒子14b的粒徑，通過用場致發(fā)射型電子顯微鏡觀察無機(jī)絕緣層11的研磨面或切斷面，拍攝以包含20粒子數(shù)以上50粒子數(shù)以下的粒子的方式放大的剖面，用該拍攝的放大剖面測定各粒子的最大徑，從而測定。另ー方面，在無機(jī)絕緣層Ila的一個主面形成的第1樹脂層1 介于無機(jī)絕緣層 Ila與后述的導(dǎo)電層15之間，具有緩和第1無機(jī)絕緣層Ila和導(dǎo)電層15之間的熱應(yīng)カ的功能和減輕由第1無機(jī)絕緣層Ila的裂紋產(chǎn)生的導(dǎo)電層15的斷線的功能，一個主面與第1 無機(jī)絕緣層Ila抵接，另ー主面與導(dǎo)電層15抵接，包含例如樹脂部和由該樹脂部被覆的第 2填料l!3b。此外，將第1樹脂層12a的厚度設(shè)定為例如0. 1 μ m以上5 μ m以下，將彈性模量設(shè)定為例如0. OlGPa以上IGI^a以下，將硬度設(shè)定為例如0. OlGPa以上0. 3GPa，將厚度方向和平面方向上的熱膨脹率設(shè)定為例如20ppm/°C以上100ppm/°C以下，將介電損耗正切設(shè)定為例如0. 005以上0. 02以下。第1樹脂層12a中所含的樹脂部形成第1樹脂層12a的主要部分，由例如環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、氰酸酯樹脂或聚酰亞胺樹脂等熱固化性樹脂構(gòu)成。第1樹脂層12a中所含的第2填料13b，具有提高第1樹脂層12a的阻燃性的功能、抑制后述的處理時層疊片彼此粘合的功能，由例如氧化硅等無機(jī)絕緣材料形成的多個第2填料粒子構(gòu)成。將該第2填料粒子的粒徑設(shè)定為例如0. 05 μ m以上0. 7 μ m以下，將第 1樹脂層12a中的含量設(shè)定為例如0體積％以上10體積％以下。此外，第2填料粒子的粒徑、含量與第1填料粒子同樣地測定。此外，基體7中設(shè)置有在厚度方向上貫通該基體7、為例如直徑是0. Imm以上Imm 以下的圓柱狀的通孔。在通孔的內(nèi)部，將芯基板5的上下的布線層6電連接的通孔導(dǎo)體8 沿通孔的內(nèi)壁形成為筒狀。作為該通孔導(dǎo)體8，能夠由例如銅、銀、金、鋁、鎳或鉻等導(dǎo)電材料形成，將熱膨脹率設(shè)定為例如14ppm/°C以上18ppm/°C以下。
7
在形成為筒狀的通孔導(dǎo)體8的中空部，將絕緣體9形成為柱狀。絕緣體9能夠由例如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、氟樹脂、硅酮樹脂、聚苯醚樹脂或雙馬來酰亞胺三嗪樹脂等樹脂材料形成。(布線層)另ー方面，在芯基板5的上下面，如上所述形成ー對布線層6。ー對布線層6中，ー個布線層6經(jīng)由焊料3與電子部件2連接，另ー個布線層6經(jīng)由未圖示的接合材料與未圖示的外部布線基板連接。各布線層6包含在第1樹脂層1 上或后述的第3樹脂層12c上部分地形成的多個導(dǎo)電層15、在該第1樹脂層1 上或第3樹脂層12c上的沒有形成導(dǎo)電層15的區(qū)域上形成的多個第2樹脂層12b、在該第2樹脂層12b上形成的多個第2無機(jī)絕緣層lib、在該第2無機(jī)絕緣層12b上形成的多個第3樹脂層12c、第2樹脂層12b、貫通第2無機(jī)絕緣層 12b和第3樹脂層12c的多個穿孔、在該穿孔內(nèi)形成的多個穿孔導(dǎo)體16。此外，導(dǎo)電層15 和穿孔導(dǎo)體16相互地電連接，構(gòu)成接地用布線、電カ供給用布線和/或信號用布線。多個導(dǎo)電層15隔著第2樹脂層12b、第2無機(jī)絕緣層lib和第3樹脂層12c在厚度方向上相互隔離，隔著第2樹脂層12b在平面方向上相互隔離。導(dǎo)電層15可由例如銅、 銀、金、鋁、鎳或鉻等導(dǎo)電材料形成。此外，對于導(dǎo)電層15，將其厚度設(shè)定為3μπι以上20μπι 以下，將熱膨脹率設(shè)定為例如14ppm/°C以上18ppm/°C以下。第2樹脂層12b與導(dǎo)電層15的側(cè)面和另ー主面抵接，作為防止沿厚度方向或平面方向隔離的導(dǎo)電層15彼此的短路的絕緣構(gòu)件發(fā)揮功能。第2樹脂層12b能夠由例如環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、氰酸酯樹脂、聚苯醚樹脂、全芳香族聚酰胺樹脂或聚酰亞胺樹脂等熱固化性樹脂形成。將第2樹脂層12b的厚度設(shè)定為例如3 μ m以上30 μ m以下，和/或第1樹脂層 12a的厚度的例如1. 5倍以上20倍以下。此外，將第2樹脂層12b的彈性模量設(shè)定為例如 0. 2GPa以上20GPa以下，和/或第1樹脂層12a的彈性模量的例如2倍以上100倍以下。 此外，將第2樹脂層12b的硬度設(shè)定為例如0. 05GPa以上2GPa以下，和/或第1樹脂層1 的硬度的例如5倍以上20倍以下。此外，將第2樹脂層12b的介電損耗正切設(shè)定為例如 0. 01以上0. 02以下，將第2樹脂層12b的厚度方向和平面方向上的熱膨脹率設(shè)定為例如 20ppm/°C以上50ppm/°C以下。此外，第2樹脂層12b的厚度是第1樹脂層1 上或第3樹脂層12c上的厚度。此外，本實(shí)施方式中，第2樹脂層12b含有由無機(jī)絕緣材料形成的多個第3填料粒子構(gòu)成的第3填料13c。該第3填料13c可由與第1填料13a同樣的材料形成，能夠使第2 樹脂層12b的熱膨脹率減小，提高第2樹脂層12b的剛件。第2無機(jī)絕緣層11b，經(jīng)由第3樹脂層12c和第2樹脂層12b與鄰接的第2無機(jī)絕緣層lib相接，與上述的基體7中所含的第1無機(jī)絕緣層Ila同樣地，由與樹脂材料相比剛性高、熱膨脹率和介電損耗正切低的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，因此產(chǎn)生與上述的基體7中所含的第1無機(jī)絕緣層Ila同樣的效果。此外，第2無機(jī)絕緣層11b，與第1無機(jī)絕緣層Ila鄰接的情形下，經(jīng)由第1樹脂層1 和第2樹脂層12b與第1無機(jī)絕緣層Ila相接。將第2無機(jī)絕緣層lib的厚度設(shè)定為例如3 μ m以上30 μ m以下、和/或、第2樹脂層12b的厚度的0. 5倍以上10倍以下(優(yōu)選0. 8倍以上1. 2倍以下)。其他的構(gòu)成如圖2B中所示，是與上述的第1無機(jī)絕緣層Ila同樣的構(gòu)成。第3樹脂層12c介于第2無機(jī)絕緣層lib與導(dǎo)電層15之間，具有與上述的基體7 中所含的第1樹脂層12a同樣的構(gòu)成。因此，產(chǎn)生與上述的基體7中所含的第1樹脂層1 同樣的效果。穿孔導(dǎo)體16將厚度方向上相互隔離的導(dǎo)電層15彼此相互連接，形成向芯基板5 寬度變窄的柱狀。穿孔導(dǎo)體16可由例如銅、銀、金、鋁、鎳或鉻等導(dǎo)電材料形成，將熱膨脹率設(shè)定為例如14ppm/°C以上18ppm/°C以下。(第1和第2無機(jī)絕緣層)例如將由電子部件2與布線基板3的熱膨脹率的不同引起的熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)カ等應(yīng)カ施加于布線基板3的情形下，第1無機(jī)絕緣層Ila與樹脂基體10的樹脂部或第1樹脂層1 有時剝離，或者第2無機(jī)絕緣層lib與第2樹脂層12b或第3樹脂層12c有時剝離。另ー方面，本實(shí)施方式中，將第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量設(shè)定為 45GPa以下，由于設(shè)定得比作為一般的無定形狀態(tài)的氧化硅構(gòu)成的材料的ニ氧化硅玻璃 (弾性模量為72GI^左右)小，因此能夠使第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量與由一般與無機(jī)絕緣材料相比彈性模量小的樹脂材料構(gòu)成的樹脂基體10的樹脂部、第1樹脂層 12a、第2樹脂層12b和第3樹脂層12c的彈性模量相接近。因此，能夠減輕第1無機(jī)絕緣層Ila與樹脂基體10的樹脂部或第1樹脂層12a的剝離、或者、第2無機(jī)絕緣層lib與第 2樹脂層12b或第3樹脂層12c的剝離，以至于能夠得到電氣可靠性優(yōu)異的布線基板3。此外，如本實(shí)施方式那樣，優(yōu)選將第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量設(shè)定為IOGPa以上。其結(jié)果能夠使第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量比樹脂基體10 的樹脂部、第1樹脂層12a、第2樹脂層12b和第3樹脂層12c的彈性模量高，能夠提高布線基板3的剛性。此外，通過提高低熱膨脹的第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量，能夠進(jìn)一歩使布線基板3的熱膨脹率減小。此外，本實(shí)施方式中，將第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的硬度設(shè)定為0. 5GPa以上461 以下。(第1和第2無機(jī)絕緣粒子)將例如由電子部件2與布線基板3的熱膨脹率的不同引起的熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)カ等應(yīng)カ施加于布線基板3的情形下，由于第1無機(jī)絕緣粒子Ha彼此剝離，有時產(chǎn)生第1和第 2無機(jī)絕緣層IlaUlb的裂紋。另ー方面，本實(shí)施方式的布線基板3中，第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb包含與第 1無機(jī)絕緣粒子Ha相比粒徑更大的第2無機(jī)絕緣粒子14b。因此，即使在第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb產(chǎn)生裂紋，裂紋到達(dá)了第2無機(jī)絕緣粒子14b吋，粒徑大的第2無機(jī)絕緣粒子14b也能夠阻止裂紋的伸長，或者能夠沿第2無機(jī)絕緣粒子的表面使裂紋迂回。其結(jié)果能夠抑制裂紋貫通第1或第2無機(jī)絕緣層IlaUlb而到達(dá)導(dǎo)電層15，能夠減輕以該裂紋為起點(diǎn)的導(dǎo)電層15的斷線，從而能夠得到電氣可靠性優(yōu)異的布線基板3。為了阻止裂紋的伸長或者使裂紋迂回，第2無機(jī)絕緣粒子的粒徑為0. 5μπι以上的情形特別優(yōu)選。此外，第2無機(jī)絕緣粒子14b由于粒徑大，因此如果只由第2無機(jī)絕緣粒子構(gòu)成第 1和第2無機(jī)絕緣層11a、11b，在1個第2無機(jī)絕緣粒子的周圍配置大量的其他的第2無機(jī)絕緣粒子變得困難，結(jié)果第2無機(jī)絕緣粒子14b彼此的接觸面積變小，第2無機(jī)絕緣粒子14b彼此的粘合強(qiáng)度容易變小。而本實(shí)施方式的布線基板3中，第1和第2無機(jī)絕緣層1 la、 lib不僅包含粒徑大的第2無機(jī)絕緣粒子14b，而且包含粒徑小的第1無機(jī)絕緣粒子14a，第 2無機(jī)絕緣粒子彼此經(jīng)由在該第2無機(jī)絕緣粒子的周圍配置的多個第1無機(jī)絕緣粒子1 而接合。因此，能夠使第2無機(jī)絕緣粒子與第1無機(jī)絕緣粒子的接觸面積變大，能夠減少第 2無機(jī)絕緣粒子14b彼此的剝離。該效果在將第1無機(jī)絕緣粒子的粒徑設(shè)定為IlOnm以下的情形下變得特別顯著。另ー方面，本實(shí)施方式的布線基板3中，將第1無機(jī)絕緣粒子14a的粒徑設(shè)定為 3nm以上IlOnm以下這樣微小。這樣，由于第1無機(jī)絕緣粒子14a的粒徑非常小，因此第1 無機(jī)絕緣粒子Ha彼此在小于結(jié)晶化開始溫度的條件下相互牢固地結(jié)合。其結(jié)果第1和第 2無機(jī)絕緣粒子自身在無定形狀態(tài)下該粒子彼此結(jié)合，第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb成為無定形狀態(tài)。因此，如上所述，第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的熱膨脹率的各向異性變小。此外，如果將第1無機(jī)絕緣粒子14a的粒徑設(shè)定為3nm以上IlOnm以下這樣微小，則第 1無機(jī)絕緣粒子14a的原子、特別是表面的原子活躍地運(yùn)動，因此推測即使在小于結(jié)晶化開始溫度的低溫下第1無機(jī)絕緣粒子Ha彼此也牢固地結(jié)合。此外，結(jié)晶化開始溫度是非晶的無機(jī)絕緣材料開始結(jié)晶化的溫度、即結(jié)晶相區(qū)域的體積增加的溫度。此外，本實(shí)施方式中，為了使第2無機(jī)絕緣粒子14b彼此相互隔離，將各個第2無機(jī)絕緣粒子14b用多個第1無機(jī)絕緣粒子1 被覆。其結(jié)果防止粘合強(qiáng)度低且容易剝離的第2無機(jī)絕緣粒子14b彼此的接觸，能夠抑制第2無機(jī)絕緣粒子14b的剝離，從而能夠減輕由第2無機(jī)絕緣粒子引起的裂紋的發(fā)生和伸長。第1無機(jī)絕緣粒子14a，如本實(shí)施方式那樣，優(yōu)選為球狀。其結(jié)果變得容易將大量的第1無機(jī)絕緣粒子Ha填充到第2無機(jī)絕緣粒子間的空隙，而且使第1無機(jī)絕緣粒子1 間的空隙的體積減小，能夠使第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的內(nèi)部結(jié)構(gòu)致密，能夠改善第 1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的剛性。此外，第2無機(jī)絕緣粒子14b，如本實(shí)施方式那樣，優(yōu)選為曲面狀，更優(yōu)選為球狀。 其結(jié)果，第2無機(jī)絕緣粒子14b的表面變得光滑，將該表面的應(yīng)カ分散，能夠減輕以第2無機(jī)絕緣粒子14b的表面為起點(diǎn)的第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的裂紋的發(fā)生。第2無機(jī)絕緣粒子14b，如本實(shí)施方式那樣，優(yōu)選與第1無機(jī)絕緣粒子1 相比硬度高。通過使第1無機(jī)絕緣粒子14a的硬度小，能夠使第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的硬度減小，同時通過使第2無機(jī)絕緣粒子14b的硬度大，裂紋到達(dá)了第2無機(jī)絕緣粒子14b 吋，能夠使該裂紋向第2無機(jī)絕緣粒子14b的內(nèi)部伸長減少，從而能夠減少第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb中的裂紋的伸長。此外，第2無機(jī)絕緣粒子14b，如本實(shí)施方式那樣，優(yōu)選與第1無機(jī)絕緣粒子Ha相比彈性模量高。(第1和第2無機(jī)絕緣粒子的分子結(jié)構(gòu))無定形狀態(tài)的氧化硅已知具有分子彼此結(jié)合為環(huán)狀的多元環(huán)結(jié)構(gòu)。該多元環(huán)結(jié)構(gòu)通過使用拉曼分光法，能夠詳細(xì)地分析，例如，拉曼位移在eOOcm—1以上620cm—1以下的范圍內(nèi)的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值已知表示多元環(huán)結(jié)構(gòu)中的3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例。此外，無定形狀態(tài)的氧化硅中，拉曼位移在600CHT1的拉曼散射強(qiáng)度的值比拉曼位移在620CHT1的拉曼散射強(qiáng)度的值大。另ー方面，本實(shí)施方式中，第1無機(jī)絕緣粒子14a的拉曼位移在eOOcm—1以上620cm-1以下的范圍內(nèi)的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值比第1無機(jī)絕緣粒子14a的拉曼位移在 600cm-1的拉曼散射強(qiáng)度的值小。即，第1無機(jī)絕緣粒子1 在多元環(huán)結(jié)構(gòu)中3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例小。其結(jié)果，第1無機(jī)絕緣粒子14a，分子彼此致密地配置的3元環(huán)結(jié)構(gòu)少，密度小，因此彈性模量和硬度小。因此，利用該第1無機(jī)絕緣粒子14a，能夠使第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量和硬度小。此外，第1無機(jī)絕緣粒子14a，由于多元環(huán)結(jié)構(gòu)中3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例小，因此能夠提高與樹脂材料的粘合強(qiáng)度。推測這是因?yàn)?，?無機(jī)絕緣粒子14a由于3元環(huán)結(jié)構(gòu)少，被環(huán)狀結(jié)構(gòu)包圍的區(qū)域大，樹脂分子的一部分容易進(jìn)入該區(qū)域，因此氧化硅分子與樹脂分子的親和性升高。因此，通過將該第1無機(jī)絕緣粒子Ha配置在第1和第2無機(jī)絕緣層 IlaUlb的主面，能夠提高第1和第2無機(jī)絕緣層11a、11b，與樹脂基體10的樹脂部、第1 樹脂層12a、第2樹脂層12b和第3樹脂層12c的粘合強(qiáng)度。此外，第1無機(jī)絕緣粒子1 優(yōu)選在拉曼位移為600CHT1以上620CHT1以下的范圍內(nèi)不具有拉曼散射強(qiáng)度的峰。其中，第1無機(jī)絕緣粒子14a的拉曼散射強(qiáng)度，通過使用激光拉曼分光裝置，觀察通過對于第1無機(jī)絕緣粒子Ha照射激光(波長514. 53nm)而產(chǎn)生的拉曼光譜而測定。該測定中可使用例如株式會社堀場制作所制激光拉曼分光裝置LabRAM HR-SOO0以下在第2 無機(jī)絕緣粒子14b中也與第1無機(jī)絕緣粒子14a同樣地測定拉曼散射強(qiáng)度。另ー方面，本實(shí)施方式中，第2無機(jī)絕緣粒子14b的拉曼位移為eOOcm—1以上 620cm-1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值比第1無機(jī)絕緣粒子14a的拉曼位移為 600cm-1以上620cm—1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值更大。因此，能夠使第2無機(jī)絕緣粒子14b的多元環(huán)結(jié)構(gòu)中3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例比第1無機(jī)絕緣粒子1 的多元環(huán)結(jié)構(gòu)中3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例大，從而能夠使第2無機(jī)絕緣粒子14b的彈性模量和硬度比第 1無機(jī)絕緣粒子Ha大。此タト，如本實(shí)施方式那樣，優(yōu)選第2無機(jī)絕緣粒子14b的拉曼位移為eOOcm—1以上620cm—1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值比第2無機(jī)絕緣粒子14b的拉曼位移為 600cm-1中的拉曼散射強(qiáng)度的值大。其結(jié)果，能夠使第2無機(jī)絕緣粒子14b的多元環(huán)結(jié)構(gòu)中 3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例更大，使第2無機(jī)絕緣粒子14b的彈性模量和硬度更大。該第2無機(jī)絕緣粒子14b，優(yōu)選如本實(shí)施方式那樣，經(jīng)由第1無機(jī)絕緣粒子14a，與樹脂基體10的樹脂部、第1樹脂層12a、第2樹脂層12b和第3樹脂層12c連接。其結(jié)果， 利用與第2無機(jī)絕緣粒子14b相比多元環(huán)結(jié)構(gòu)中3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例小且與樹脂材料的粘合強(qiáng)度高的第1無機(jī)絕緣粒子14a，能夠提高第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb與樹脂基體 10的樹脂部、第1樹脂層12a、第2樹脂層12b及第3樹脂層12c的粘合強(qiáng)度。此外，優(yōu)選第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的主面只由第1無機(jī)絕緣粒子Ha構(gòu)成。此外，對于第1和第2無機(jī)絕緣層11a、11b，第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的拉曼位移為eOOcm—1以上620cm—1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值比第2無機(jī)絕緣粒子 14b的拉曼位移為eOOcm—1以上620cm—1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值小。其結(jié)果， 能夠使第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的彈性模量和硬度比第2無機(jī)絕緣粒子14b小。其中，第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的拉曼散射強(qiáng)度，通過使用株式會社堀場制作所制激光拉曼分光裝置LabRAM HR-800，觀察對于沿第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb的厚度方向切斷的剖面照射激光(波長514. 53nm)產(chǎn)生的拉曼光譜而測定。(第3和第4無機(jī)絕緣粒子)此外，本實(shí)施方式的布線基板3中，如圖3中所示，第1無機(jī)絕緣粒子Ha包含粒徑設(shè)定為3nm以上15nm以下的第3無機(jī)絕緣粒子Hc和粒徑設(shè)定為35nm以上IlOnm以下的第4無機(jī)絕緣粒子14d。這種情況下，由于第3無機(jī)絕緣粒子Hc非常小，因此該各第3無機(jī)絕緣粒子14c、 與其他第3無機(jī)絕緣粒子Hc或第4無機(jī)絕緣粒子14d的接觸面積變大，能夠使第3無機(jī)絕緣粒子彼此或第3及第4無機(jī)絕緣粒子彼此牢固地結(jié)合。此外，即使第3無機(jī)絕緣粒子剝離，產(chǎn)生了裂紋，利用與第3無機(jī)絕緣粒子Hc相比粒徑大的第4無機(jī)絕緣粒子14d，也可良好地抑制裂紋的伸長。第1和第2無機(jī)絕緣層11a、11b，優(yōu)選相對于第1無機(jī)絕緣粒子1 和第2無機(jī)絕緣粒子14b的合計(jì)體積，包含10體積％以上50體積％以下的第3無機(jī)絕緣粒子14c，相對于第1無機(jī)絕緣粒子14a和第2無機(jī)絕緣粒子14b的合計(jì)體積，包含10體積％以上40 體積％以下的第4無機(jī)絕緣粒子14d。通過包含10體積％以上的第3無機(jī)絕緣粒子14c， 能夠以高密度使第3無機(jī)絕緣粒子Hc配置于第2無機(jī)絕緣粒子14b彼此的間隙以及第2 無機(jī)絕緣粒子14b與第4無機(jī)絕緣粒子14d的間隙，能夠使第3無機(jī)絕緣粒子Hc彼此相互地結(jié)合，能夠使該間隙中的裂紋的發(fā)生和伸長減輕。此外，通過包含10體積％以上的第 4無機(jī)絕緣粒子14d，能夠利用第4無機(jī)絕緣粒子14d良好地抑制在第2無機(jī)絕緣粒子14b 彼此的間隙發(fā)生的裂紋的伸長。(第1和第3樹脂層)另ー方面，本實(shí)施方式的布線基板3中，第1和第3樹脂層12a、12c與第2樹脂層 12b比較，將厚度設(shè)定得較小，并且將彈性模量設(shè)定得低。這種情況下，利用薄且容易彈性變形的第1和第3樹脂層12a、12c，使由第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb與導(dǎo)電層15的熱膨脹量的不同引起的熱應(yīng)カ得以緩和。因此，抑制導(dǎo)電層15從第1和第2無機(jī)絕緣層11a、 lib剝離，能夠減輕導(dǎo)電層15的斷線，從而能夠得到電氣可靠性優(yōu)異的布線基板3。此外， 第1和第3樹脂層12a、12c，優(yōu)選不僅與第2樹脂層12b相比厚度設(shè)定得小且彈性模量設(shè)定得低，而且與樹脂基體10、第1無機(jī)絕緣層Ila和第2無機(jī)絕緣層lib比較，也將厚度設(shè)定得小，并且將彈性模量設(shè)定得低。此外，第1和第3樹脂層12a、12c介于第1和第2無機(jī)絕緣層11a、lib上面與導(dǎo)電層15下面之間。因此，第1和第3樹脂層12a、12c與作為在平面方向鄰接的導(dǎo)電層15彼此的絕緣構(gòu)件發(fā)揮功能的第2樹脂層12b比較，厚度増加的要求少，能夠容易地使厚度小。此外，第1和第3樹脂層12a、12c，由于彈性模量低，與第1和第2無機(jī)絕緣層11a、 lib的粘合強(qiáng)度以及與導(dǎo)電層15的粘合強(qiáng)度高，因此能夠利用第1和第3樹脂層12a、12c 提高第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb與導(dǎo)電層15的粘合強(qiáng)度。此外，第1和第3樹脂層12a、12c，與第2樹脂層12b相比彈性模量低，剛性低，將第1和第3樹脂層12a、12c的厚度設(shè)定得比第2樹脂層12b小，從而成為薄的層，因此能夠使第1和第3樹脂層12a、12c對于布線基板3的剛性的影響小，能夠提高布線基板3的剛性。此外，第1和第3樹脂層12a、12c，熱膨脹率容易變得比第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb和導(dǎo)電層15高，使第1和第3樹脂層12a、12c成為薄的層，因此能夠使第1和第3 樹脂層Ua、12c對于第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb和導(dǎo)電層15的熱膨脹的影響小，能夠減輕第1和第2無機(jī)絕緣層lla、ll與導(dǎo)電層15的剝離。此外，第1和第3樹脂層12a、12c，介電損耗正切容易變得比第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb高，由于使第1和第3樹脂層lh、12c成為薄的層，因此通過使介電損耗正切低的第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb與導(dǎo)電層15近接，能夠提高導(dǎo)電層15的信號傳送特性。此外，第2樹脂層12b，通過與導(dǎo)電層15的側(cè)面抵接，配置在平面方向上隔離的導(dǎo)電層15之間，具有提高該導(dǎo)電層15彼此之間的絕緣性的功能，為了承擔(dān)該絕緣功能，將至少一部分配置在平面方向上鄰接的導(dǎo)電層15彼此之間，由于使第2樹脂層12b的厚度、彈性模量比第1和第3樹脂層12a、12c大，因此能夠承擔(dān)該絕緣功能，同時能夠提高布線基板 3的剛性。此外，第2樹脂層12b，具有使厚度方向上隔離的第1及第2無機(jī)絕緣層IlaUlb 彼此粘合的功能，為了承擔(dān)該粘合功能，將厚度設(shè)定得比導(dǎo)電層15大，由于使第2樹脂層 12b的彈性模量比第1和第3樹脂層12a、12c大，因此能夠承擔(dān)該接著功能，同時能夠提高布線基板3的剛性。第2樹脂層12b，優(yōu)選如本實(shí)施方式那樣與第1和第3樹脂層12a、12c相比為低熱膨脹率。其結(jié)果，通過使厚度大的第2樹脂層12b為低熱膨脹，能夠使布線基板3為低熱膨脹。此外，第2樹脂層12b，優(yōu)選與第1和第3樹脂層12a、12c相比為低介電損耗正切。 其結(jié)果，通過使與導(dǎo)電層15的側(cè)面和上面抵接的第2樹脂層12b為低介電損耗正切，能夠提高導(dǎo)電層15的信號傳送特性。第1和第3樹脂層12a、12c中所含的樹脂材料，優(yōu)選與第2樹脂層12b中所含的樹脂材料相比，使用低彈性模量、高熱膨脹率或高介電損耗正切的樹脂材料。其結(jié)果，能夠使第1和第3樹脂層12a、12c為低彈性模量，使第2樹脂層12b為低熱膨脹率或低介電損耗正切。作為這樣的樹脂材料的組合，例如，可將環(huán)氧樹脂用于第1和第3樹脂層12a、12c， 將聚苯醚樹脂、聚苯氧基樹脂或氟樹脂用于第2樹脂層12b。第1和第3樹脂層12a、12c中所含的第2無機(jī)絕緣填料13b，優(yōu)選樹脂材料內(nèi)的含量比第1無機(jī)絕緣填料13a和第3無機(jī)絕緣填料13c小。其結(jié)果，能夠使第1和第3樹脂層12a、12c為低彈性模量，使樹脂基體10和第2樹脂層12b為低熱膨脹率或低介電損耗正切。此外，第2無機(jī)絕緣填料13b，優(yōu)選粒徑比第1無機(jī)絕緣填料13a和第3無機(jī)絕緣填料13c小。其結(jié)果，能夠使第1和第3樹脂層12a、12c為低彈性模量，使樹脂基體10和第2樹脂層12b為低熱膨脹率或低介電損耗正切。第1和第3樹脂層12a、12c，優(yōu)選以與第1和第2無機(jī)絕緣層11a、lib抵接的主面中的凹凸，比與導(dǎo)電層15抵接的主面更大的方式形成。S卩，第1和第3樹脂層12a、12c，優(yōu)選與第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb抵接的主面的算木平均粗糙度(Ra)比與導(dǎo)電層15抵接的主面形成得大。其結(jié)果，在第1和第3樹脂層12a、12c與第1和第2無機(jī)絕緣層11a、 lib的界面，利用錨固效果，能夠提高粘合強(qiáng)度，減輕剝離，在第1及第3樹脂層Ua、12c與導(dǎo)電層15的界面之間，能夠減輕形成導(dǎo)電層15時導(dǎo)電材料的一部分殘存于凹部而使鄰接的導(dǎo)電層15彼此短路，從而能夠使導(dǎo)電層15彼此接近而使布線高密度化。此外，對于第1和第3樹脂層12a、12c而言，將與第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb 抵接的主面的算木平均粗糙度設(shè)定為例如0. 3 μ m以上3 μ m以下，將與導(dǎo)電層15抵接的主面的算木平均粗糙度設(shè)定為例如0. 01 μ m以上0. 3 μ m以下。此外，對于第1和第3樹脂層1加、12c而言，優(yōu)選將與第1和第2無機(jī)絕緣層IlaUlb抵接的主面的算木平均粗糙度設(shè)定為與導(dǎo)電層15抵接的主面的例如1.2倍以上3倍以下。此外，算木平均粗糙度依照 IS04287 :1997ο<布線基板3的制造方法>然后，根據(jù)圖4-圖6對上述的布線基板3的制造方法進(jìn)行說明。布線基板3的制造方法包括芯基板5的制作エ序和布線層6的構(gòu)建エ序。(芯基板5的制作エ序)(1)準(zhǔn)備具有包含第1無機(jī)絕緣粒子Ha和第2無機(jī)絕緣粒子14b的固體成分和溶劑的無機(jī)絕緣溶膠llx。無機(jī)絕緣溶膠llx，例如，包含10%體積以上50體積％以下的固體成分，包含50% 體積以上90體積％以下的溶剤。由此，能夠?qū)o機(jī)絕緣溶膠Ilx的粘度保持得低，同時能夠?qū)⒂蔁o機(jī)絕緣溶膠Ilx形成的無機(jī)絕緣層的生產(chǎn)性維持得高。無機(jī)絕緣溶膠Ilx的固體成分，例如，包含20體積％以上90體積％以下的第1無機(jī)絕緣粒子14a，包含10體積％以上80體積％以下的第2無機(jī)絕緣粒子14b。此外，上述固體成分，例如，包含10體積％以上50體積％以下的構(gòu)成第1無機(jī)絕緣粒子Ha的第3無機(jī)絕緣粒子14c，包含10體積％以上40體積％以下的構(gòu)成第1無機(jī)絕緣粒子Ha的第4無機(jī)絕緣粒子14d。由此，在后述的C3)的エ序中能夠有效地減輕第1無機(jī)絕緣層Ila中的裂紋的發(fā)生。此外，第1無機(jī)絕緣粒子14a，例如，能夠通過將硅酸鈉水溶液(水玻璃)等硅酸化合物精制，化學(xué)性地使氧化硅析出而制作。這種情況下，由于能夠在低溫條件下制作第1無機(jī)絕緣粒子14a，因此能夠制作其為無定形狀態(tài)且3元環(huán)所占的比例小的第1無機(jī)絕緣粒子 14a。此外，第1無機(jī)絕緣粒子14a的粒徑，可通過調(diào)節(jié)氧化硅的析出時間來調(diào)整，具體地， 使析出時間越長，第1無機(jī)絕緣粒子14a的粒徑越大。因此，為了制作包含第3無機(jī)絕緣粒子Hc和第4無機(jī)絕緣粒子14d的第1無機(jī)絕緣粒子14a，可將使氧化硅的析出時間彼此不同而形成的2種的無機(jī)絕緣粒子混合。另ー方面，第2無機(jī)絕緣粒子14b由氧化硅構(gòu)成的情況下，能夠通過例如將硅酸鈉水溶液(水玻璃)等硅酸化合物精制，將化學(xué)性使氧化硅析出的溶液在火焰中噴霧，在使凝聚物的形成減少的同時加熱到800°C以上1500°C以下而制作。因此，第2無機(jī)絕緣粒子 14b，由干與第1無機(jī)絕緣粒子1 相比粒徑大，因此容易使高溫加熱時的凝聚體的形成減少，能夠在高溫加熱下容易地制作，從而能夠使3元環(huán)所占的比例増加的同時提高硬度。此外，制作第2無機(jī)絕緣粒子14b時的加熱時間，優(yōu)選設(shè)定為1秒以上180秒以下。其結(jié)果，通過縮短該加熱時間，在加熱到800°C以上1500°C以下的情況下，也能夠抑制第2無機(jī)絕緣粒子14b的結(jié)晶化，維持無定形狀態(tài)。另ー方面，無機(jī)絕緣溶膠Ilx中所含的溶剤，可使用例如甲醇、異丙醇、正丁醇、乙
ニ醇、乙ニ醇單丙醚、單乙酮、單基異丁基酮、ニ甲苯、丙ニ醇單甲醚、丙ニ醇單甲醚乙酸酷、二甲基乙酰胺、和/或包含從這些中選擇的2種以上的混合物的有機(jī)溶劑。其中優(yōu)選包含甲醇、異丙醇或丙二醇單甲醚的有機(jī)溶劑。其結(jié)果，能夠?qū)o機(jī)絕緣溶膠Ilx均勻地涂布， 而且在后述的(3)的工序中能夠高效率地使溶劑蒸發(fā)。(2)然后，如圖4A和圖4B中所示，準(zhǔn)備具有第1樹脂層1 和由銅等導(dǎo)電材料構(gòu)成的金屬箔15x的帶有樹脂的金屬箔，在第1樹脂層12a的一個主面涂布無機(jī)絕緣溶膠llx， 將無機(jī)絕緣溶膠Ilx形成為層狀。帶有樹脂的金屬箔，能夠通過在金屬箔1 上使用棒涂機(jī)、模壓涂布機(jī)、簾式涂布機(jī)等涂布樹脂清漆，進(jìn)行干燥而形成。本工序中形成的第1樹脂層1 為例如B階或C階。無機(jī)絕緣溶膠Ilx的涂布，可使用例如分配器、棒涂機(jī)、模壓涂布機(jī)或絲網(wǎng)印刷進(jìn)行。此時，如上所述，由于將無機(jī)絕緣溶膠Ilx的固體成分設(shè)定為50體積％以下，因此能夠?qū)o機(jī)絕緣溶膠Ilx的粘度設(shè)定得低，提高涂布的無機(jī)絕緣溶膠Ilx的平坦性。此外，第1無機(jī)絕緣粒子1 的粒徑，如上所述，由于設(shè)定為3nm以上，由此也能夠良好地使無機(jī)絕緣溶膠Ilx的粘度減小，改善涂布的無機(jī)絕緣溶膠Ilx的平坦性。(3)接著，使無機(jī)絕緣溶膠Ilx干燥而使溶劑蒸發(fā)。其中，伴隨著溶劑的蒸發(fā)，無機(jī)絕緣溶膠Ilx收縮，該溶劑包含于第1和第2無機(jī)絕緣粒子14a、14b的間隙，不包含在第1和第2無機(jī)絕緣粒子14a、14b自身中。因此，如果無機(jī)絕緣溶膠Ilx包含粒徑大的第2無機(jī)絕緣粒子14b，相應(yīng)地填充溶劑的區(qū)域變小，無機(jī)絕緣溶膠Ilx的溶劑的蒸發(fā)時，無機(jī)絕緣溶膠Ilx的收縮量變小。即，利用第2無機(jī)絕緣粒子14b來限制無機(jī)絕緣溶膠Ilx的收縮。其結(jié)果，能夠使由無機(jī)絕緣溶膠Ilx的收縮引起的裂紋的發(fā)生減輕。此外，即使發(fā)生裂紋，也能夠利用粒徑大的第2無機(jī)絕緣粒子14b來防止該裂紋的伸長。此外，多個第1無機(jī)絕緣粒子14a，由于包含粒徑大的第4無機(jī)絕緣粒子14d和粒徑小的第3無機(jī)絕緣粒子14c，因此第2無機(jī)絕緣粒子14b的間隙中的無機(jī)絕緣溶膠Ilx的收縮受到第4無機(jī)絕緣粒子14d的限制，進(jìn)一步使第2無機(jī)絕緣粒子14b的間隙的裂紋的發(fā)生減少。無機(jī)絕緣溶膠Ilx的干燥，通過例如加熱和風(fēng)干進(jìn)行。將干燥溫度設(shè)定為例如 20°C以上且小于溶劑的沸點(diǎn)(將二種以上的溶劑混合的情形下，沸點(diǎn)最低的溶劑的沸點(diǎn))， 將干燥時間設(shè)定為例如20秒以上30分以下。其結(jié)果，減輕溶劑的沸騰，抑制由于沸騰時產(chǎn)生的氣泡的壓力而將第1和第2無機(jī)絕緣粒子14a、14b擠出，可以使該粒子的分布更均勻。(4)將殘存的無機(jī)絕緣溶膠Ilx的固體成分加熱，由無機(jī)絕緣溶膠Ilx形成第1無機(jī)絕緣層11a。其結(jié)果，得到如圖4C中所示的具有金屬箔1 和第1樹脂層1 和第1無機(jī)絕緣層Ila的層疊片17。其中，本實(shí)施方式的無機(jī)絕緣溶膠Ilx具有將粒徑設(shè)定為IlOnm以下的第1無機(jī)絕緣粒子14a。其結(jié)果，即使無機(jī)絕緣溶膠Ilx的加熱溫度為比較低的溫度，例如，為小于第 1無機(jī)絕緣粒子Ha和第2無機(jī)絕緣粒子14b的結(jié)晶化開始溫度的低溫，也能夠?qū)⒌?無機(jī)絕緣粒子Ha彼此牢固地結(jié)合。需要說明的是，能夠?qū)⒌?無機(jī)絕緣粒子Ha彼此牢固地結(jié)合的溫度，例如，將第1無機(jī)絕緣粒子Ha的粒徑設(shè)定為IlOnm以下的情形下，為250°C左右，將上述粒徑設(shè)定為15nm以下的情形下，為150°C左右。此外，第1和第2無機(jī)絕緣粒子 14a、14b的結(jié)晶化開始溫度為1300°C左右。
15
此外，本實(shí)施方式中，將無機(jī)絕緣溶膠Ilx的加熱溫度設(shè)定為小于第1樹脂層1 的熱分解開始溫度。其結(jié)果，能夠抑制第1樹脂層12a的特性下降。需要說明的是，第1樹脂層12a由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的情形下，其熱分解開始溫度為280°C左右。此外，熱分解開始溫度是在按照IS011358 1997的熱重測定中樹脂的質(zhì)量減少5%的溫度。此外，無機(jī)絕緣溶膠Ilx的加熱溫度，由于使殘存的溶劑蒸發(fā)，因此優(yōu)選在溶劑的沸點(diǎn)以上進(jìn)行。此外，上述加熱溫度優(yōu)選設(shè)定為小于第1無機(jī)絕緣粒子Ha和第2無機(jī)絕緣粒子14b的結(jié)晶化開始溫度。這種情形下，能夠使第1無機(jī)絕緣粒子Ha和第2無機(jī)絕緣粒子14b的結(jié)晶化減輕，提高無定形狀態(tài)的比例。其結(jié)果，能夠使結(jié)晶化的第1無機(jī)絕緣層Ila由于相轉(zhuǎn)變而收縮減輕，使第1無機(jī)絕緣層Ila中的裂紋的發(fā)生減輕。此外，將無機(jī)絕緣溶膠Ilx的加熱的溫度設(shè)定為例如100度以上且小于220度，將時間設(shè)定為例如0. 5小時以上M小時以下，例如在大氣氣氛中進(jìn)行。此外，使加熱溫度為 150°C以上的情形下，為了抑制金屬箔1 的氧化，無機(jī)絕緣溶膠Ilx的加熱優(yōu)選在真空、氬等惰性氣氛或氮?dú)夥罩羞M(jìn)行。(5)準(zhǔn)備圖4D中所示的樹脂基體前體10x，在樹脂基體前體IOx的上下面層疊層疊片17。樹脂基體前體10x，例如，可通過將包含未固化的熱固化性樹脂和基材的多個樹脂片層疊而制作。需要說明的是，未固化為按照IS0472 1999的A-階或B-階的狀態(tài)。層疊片17，以第1無機(jī)絕緣層Ila介于金屬箔1 和第2樹脂層12a，與樹脂基體前體IOx之間的方式層疊。(6)然后，通過將上述層疊體在上下方向上加熱加壓，如圖4E中所示，使樹脂基體前體IOx固化而形成樹脂基體10。將上述層疊體的加熱溫度設(shè)定為樹脂基體前體IOx的固化開始溫度以上且小于熱分解溫度。具體地，第1樹脂前體片由環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂或聚苯醚樹脂構(gòu)成的情形下，將上述加熱溫度設(shè)定為例如170°C以上230°C以下。此外，將上述層疊體的壓力設(shè)定為例如2MPa以上3MPa以下，將加熱時間和加壓時間設(shè)定為例如0. 5 小時以上2小時以下。需要說明的是，固化開始溫度為樹脂成為根據(jù)IS0472 1999的C-階的狀態(tài)的溫度。此外，熱分解溫度為在根據(jù)IS011358 1997的熱重測定中樹脂的質(zhì)量減少 5%的溫度。(7)如圖4F中所示，形成在厚度方向上貫通基體7的通孔導(dǎo)體8和在通孔導(dǎo)體8 的內(nèi)部形成絕緣體9，然后，在基體7上形成與通孔導(dǎo)體8連接的導(dǎo)電層15。通孔導(dǎo)體8和絕緣體9如下所述形成。首先，采用例如鉆孔加工、激光加工等，形成多個在厚度方向上貫通基體7和金屬箔15x的通孔。然后，采用例如無電鍍敷、蒸鍍法、 CVD法或?yàn)R射法等，使通孔的內(nèi)壁被覆導(dǎo)電材料，從而形成圓筒狀的通孔導(dǎo)體8。然后，在圓筒狀的通孔導(dǎo)體8的內(nèi)部填充樹脂材料等，從而形成絕緣體9。此外，導(dǎo)電層15，通過從在金屬箔1 形成的通孔內(nèi)露出的絕緣體9和通孔導(dǎo)體8 上，采用例如無電鍍敷法、蒸鍍法、CVD法或?yàn)R射法等，被覆由與金屬箔1 相同的金屬材料構(gòu)成的金屬層。然后，通過使用光刻技術(shù)、蝕刻等將金屬箔1 和/或金屬層圖案化，從而形成導(dǎo)電層15。此外，一旦將金屬箔1 剝離后，可在基體7上形成金屬層，將該金屬層圖案化，形成導(dǎo)電層15。
如上所述能夠制作芯基板5。(布線層6的構(gòu)建工序)(8)重新準(zhǔn)備樹脂前體片IObx和具有金屬箔15x、第3樹脂層12c和第2無機(jī)絕緣層lib的層疊片17后，如圖5A中所示，在樹脂前體片IObx上將層疊片17層疊。樹脂前體片IObx由構(gòu)成第2樹脂層12b的上述的未固化的熱固化性樹脂形成。此外，層疊片17通過例如與(1)44)的工序同樣的工序制作，以第2無機(jī)絕緣層 lib介于樹脂前體片10bx、與金屬箔1 和第3樹脂層12c之間的方式載置于樹脂前體片 IObx 上。(9)然后，在芯基板5的上下面分別經(jīng)由樹脂前體片IObx將層疊片17層疊。(10)通過將芯基板5和層疊片17的層疊體在上下方向上加熱加壓，從而如圖5B 中所示，使樹脂前體片IObx的熱固化性樹脂固化，使樹脂前體片IObx成為第2樹脂層12b。此外，上述層疊體的加熱加壓可例如與(6)的工序同樣地進(jìn)行。(11)如圖5C中所示，采用使用了例如硫酸和過氧化氫水的混合液、氯化鐵溶液或氯化銅溶液等的蝕刻法，從第3樹脂層12c將金屬箔1 剝離。(12)如圖6A中所示，形成將第2樹脂層12b和第2無機(jī)絕緣層lib在厚度方向上貫通的穿孔導(dǎo)體16，在第2無機(jī)絕緣層lib上形成導(dǎo)電層15。穿孔導(dǎo)體16和導(dǎo)電層15，具體地如下所述形成。首先，采用例如YAG激光裝置或二氧化碳激光裝置，形成貫通第2樹脂層12b、第2無機(jī)絕緣層lib和第3樹脂層12c的穿孔。然后，采用例如半添加法、減去法或全添加法等，在穿孔中形成穿孔導(dǎo)體16，同時在第3 樹脂層12c上被覆導(dǎo)電材料而形成導(dǎo)電層15。此外，該導(dǎo)電層15可在工序(11)中不剝離金屬箔13的情況下，通過將該金屬箔13圖案化而形成。(13)如圖6B中所示，通過反復(fù)進(jìn)行(8)-(12)的工序，從而在芯基板5的上下形成布線層6。此外，通過反復(fù)進(jìn)行本工序，能夠?qū)⒉季€層6進(jìn)一步多層化。如上所述，能夠制作布線基板3。此外，通過對于得到的布線基板3，經(jīng)由凸點(diǎn)4而將電子部件2倒裝式安裝，從而能夠制作圖IA中所示的安裝結(jié)構(gòu)體1。此外，電子部件2可通過引線接合與布線基板3電連接，或者可內(nèi)藏于布線基板3。本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，各種的變形、改進(jìn)、組合等是可能的。上述的實(shí)施方式中，對將本發(fā)明應(yīng)用于布線基板的實(shí)例進(jìn)行了說明，但并不限于布線基板，可應(yīng)用于具有上述的無機(jī)絕緣層的全部的結(jié)構(gòu)體。例如，本發(fā)明也可應(yīng)用于移動電話等電子設(shè)備的殼體。這種情形下，無機(jī)絕緣層作為保護(hù)殼體的耐磨性的保護(hù)膜使用。此外，本發(fā)明也可用于汽車、房屋中使用的窗。這種情形下，無機(jī)絕緣層能夠作為被覆窗表面的透光性的耐磨性被膜使用，其結(jié)果能夠抑制由于窗材料表面的損傷而使透明性下降。此外，本發(fā)明也可應(yīng)用于模鑄中使用的模具。這種情形下，無機(jī)絕緣層能夠作為被覆模具表面的耐磨性被膜或絕緣膜使用。此外，無機(jī)絕緣層，通過在內(nèi)部形成空隙，能夠作為被覆由樹脂纖維等形成的過濾器表面的過濾器用多孔體使用。這種情形下，無機(jī)絕緣層能夠用于汽油發(fā)動機(jī)的催化劑載體、柴油發(fā)動機(jī)用的粉塵除去過濾器。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，作為本發(fā)明涉及的布線基板的實(shí)例，列舉了由芯基板和布線層組成的組合多層基板，作為本發(fā)明涉及的布線基板的實(shí)例，除了構(gòu)建多層基板以外，還包括例如插入式基板、無芯基板或只由芯基板組成的單層基板或陶瓷基板、金屬基板、包含金屬板的芯基板。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，在無機(jī)絕緣層中包含第1無機(jī)絕緣粒子和第2 無機(jī)絕緣粒子，但無機(jī)絕緣層可不含第2無機(jī)絕緣粒子而只含第1無機(jī)絕緣粒子，也可在無機(jī)絕緣層中包含粒徑與第1無機(jī)絕緣粒子和第2無機(jī)絕緣粒子不同的無機(jī)絕緣粒子。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，第1無機(jī)絕緣粒子包含第3無機(jī)絕緣粒子和第 4無機(jī)絕緣粒子，但第1無機(jī)絕緣粒子可只含第3無機(jī)絕緣粒子或第4無機(jī)絕緣粒子的任一方。這種情形下，從結(jié)合強(qiáng)度的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選只含第3無機(jī)絕緣粒子。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，樹脂基體的樹脂部和第2樹脂層由熱固化性樹脂形成，但樹脂基體的樹脂部和第2樹脂層的至少一方或者雙方可由熱塑性樹脂形成。 作為該熱塑性樹脂，可使用例如氟樹脂、芳香族液晶聚酯樹脂、聚醚酮樹脂、聚苯醚樹脂或聚酰亞胺樹脂等。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，布線基板具備第1樹脂層和第3樹脂層，但也可不具備第1樹脂層和第3樹脂層。這種情形下，在第1無機(jī)絕緣層上和第2無機(jī)絕緣層上形成導(dǎo)電層。此外，在工序O)中在金屬箔上涂布無機(jī)絕緣溶膠。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，第1和第3樹脂層與第2樹脂層相比，將彈性模量設(shè)定得低，但第1和第3樹脂層與第2樹脂層的彈性模量也可相同。這種情形下，例如， 作為第1和第3樹脂層與第2樹脂層，可使用采用同一樹脂材料形成的樹脂層。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，芯基板和布線層雙方具有無機(jī)絕緣層，但也可以是布線基板的芯基板或布線層的至少任一方具有無機(jī)絕緣層。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，分別進(jìn)行了工序(3)中的溶劑的蒸發(fā)和工序 (4)中的溶劑的加熱，但也可同時進(jìn)行工序(3)和工序0)。此外，上述的本發(fā)明的實(shí)施方式中，在(6)的工序中將未固化的樹脂前體片載置于第2無機(jī)絕緣層上，但也可將未固化的液體的樹脂層前體涂布于第2無機(jī)絕緣層。實(shí)施例以下通過實(shí)施例對本發(fā)明詳細(xì)地說明，但本發(fā)明不受下述實(shí)施例限定，不脫離本發(fā)明的主旨的范圍的變形、實(shí)施方式均包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。<無機(jī)絕緣層的結(jié)構(gòu)、彈性模量和硬度>(評價方法)制作具有金屬箔、由無機(jī)絕緣粒子組成的第1無機(jī)絕緣層和樹脂基體的層疊板，將該層疊板沿厚度方向切斷并研磨的剖面使用場致發(fā)射型電子顯微鏡(日本電子制 JSM-7000F)進(jìn)行拍攝，觀察第1無機(jī)絕緣層的結(jié)構(gòu)。此外，將層疊板沿厚度方向切斷，用氬離子研磨后，使用MTS社制納米壓痕儀XP， 對于該研磨面的第1無機(jī)絕緣層所占的區(qū)域，將該納米壓痕儀的壓頭壓入，測定第1無機(jī)絕緣層的彈性模量和硬度。此外，準(zhǔn)備二氧化硅玻璃，使用MTS社制納米壓痕儀XP，對于二氧化硅玻璃，將該納米壓痕儀的壓頭壓入，測定二氧化硅玻璃的彈性模量和硬度。(層疊板的制作條件)首先，準(zhǔn)備包含第1無機(jī)絕緣粒子的第1無機(jī)絕緣溶膠和包含第2無機(jī)絕緣粒子的第2無機(jī)絕緣溶膠。
作為第1無機(jī)絕緣溶膠，使用了日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社制“PGM-ST”、“MIBK_ST”、 “MIBK-SZC”、“MIBK-SD”、“MEK-AC-210r，、“MEK-EC-2102”、“IPA-ST-ZL” 禾口 “IPA-ST-L” 以及扶?；瘜W(xué)工業(yè)株式會社制 “Quotron PL-l-IPA^^'Quotron PL-2L-PGME” ^P "Quotron SP-03F，，的任一種。此外，作為第2無機(jī)絕緣溶膠，使用了扶?；瘜W(xué)工業(yè)株式會社制“Quotron SP-1B，，、電氣化學(xué)工業(yè)株式會社制 “DF SFP-20M，，、“DFSFP-30M，，和 “DF SFP-130MC，，以及宇部日東化成株式會社制“Hyperecica FQ N2N”的任一種。然后，將規(guī)定的第1無機(jī)絕緣溶膠和第2無機(jī)絕緣溶膠調(diào)和到規(guī)定量，裝入塑料容器，使用塑料球攪拌，均勻地混合。采用該方法準(zhǔn)備試樣1 37的無機(jī)絕緣溶膠。試樣1 37的無機(jī)絕緣溶膠，作為固體成分，包含表1中所示的粒徑和固體成分比(固體成分中的體積％)的第1無機(jī)絕緣粒子和第2無機(jī)絕緣粒子，含45 71重量％的溶劑。需要說明的是，表1的試樣38為
二氧化硅玻璃。然后，將試樣1 37的無機(jī)絕緣溶膠涂布到金屬箔上或帶有樹脂的金屬箔的第1 樹脂層上。第1樹脂層由環(huán)氧樹脂形成。然后，在溫度150°C、時間2小時、氣氛大氣的條件下加熱無機(jī)絕緣溶膠，同時
使溶劑蒸發(fā)，制作層疊片。然后，在包含未固化的熱固化性樹脂的樹脂基體前體的上下面分別層疊層疊片， 在時間1小時、壓力3MPa、溫度180°C的條件下將該層疊體加熱加壓，從而使樹脂基體前體成為樹脂基體，制作層疊板。[表1]
權(quán)利要求
1.一種結(jié)構(gòu)體，其具有包含無定形狀態(tài)的氧化硅、且彈性模量為45GPa以下的無機(jī)絕緣lh。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述無機(jī)絕緣層具有相互連接的第1無機(jī)絕緣粒子、以及粒徑比該第1無機(jī)絕緣粒子大且經(jīng)由所述第1無機(jī)絕緣粒子相互連接的第2無機(jī)絕緣粒子。
3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述第1無機(jī)絕緣粒子的彈性模量比所述第2無機(jī)絕緣粒子的彈性模量小。
4.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述無機(jī)絕緣層的拉曼位移在eOOcm—1以上620cm—1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值比所述第2無機(jī)絕緣粒子的拉曼位移在eOOcm—1以上620cm—1以下的范圍中的拉曼散射強(qiáng)度的峰的值小。
5.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述第1無機(jī)絕緣粒子的多元結(jié)構(gòu)中的3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例比所述第2無機(jī)絕緣粒子的多元結(jié)構(gòu)中的3元環(huán)結(jié)構(gòu)所占的比例小。
6.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述第1無機(jī)絕緣粒子的粒徑為3nm以上IlOnm以下。
7.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述第2無機(jī)絕緣粒子的粒徑為0. 5μπι以上5μπι以下。
8.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)體，其中，還具有在所述無機(jī)絕緣層上配置的第1樹脂層。
9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)體，其中，還具有在所述第1樹脂層上部分地形成的導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)體，其中，還具有在所述第ι樹脂層的未形成所述導(dǎo)電層的區(qū)域上形成的第2樹脂層， 所述導(dǎo)電層的ー個主面與第1樹脂層抵接，側(cè)面及另ー主面與第2樹脂層抵接，所述第 1樹脂層與所述第2樹脂層相比厚度小，并且彈性模量低。
11.如權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)體，其中，將所述無機(jī)絕緣層多層層疊，鄰接的所述無機(jī)絕緣層經(jīng)由所述第1和第2樹脂層相互連接。
12.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述無機(jī)絕緣層的弾性模量為IOGPa以上。
13.如權(quán)利要求12所述的結(jié)構(gòu)體，其中，所述無機(jī)絕緣層的硬度為0.5GPa以上4GPa以下。
14.一種結(jié)構(gòu)體的制造方法，其具有將包含含有無定形狀態(tài)的氧化硅的無機(jī)絕緣粒子的無機(jī)絕緣溶膠涂布的エ序，以及通過在低于氧化硅的結(jié)晶化開始溫度的條件下加熱所述無機(jī)絕緣粒子而使它們相互連接，從而形成包含無定形狀態(tài)的氧化硅、且彈性模量為45GPa以下的無機(jī)絕緣層的ェ序。
全文摘要
本發(fā)明提供電氣可靠性改善的結(jié)構(gòu)體。本發(fā)明的一實(shí)施方式涉及的結(jié)構(gòu)體具有包含無定形狀態(tài)的氧化硅、彈性模量為45GPa以下的第1無機(jī)絕緣層11a。本發(fā)明的一個實(shí)施方式涉及的結(jié)構(gòu)體的制造方法具有將包含含有無定形狀態(tài)的氧化硅的第1無機(jī)絕緣粒子14a的無機(jī)絕緣溶膠11x涂布的工序，和通過在小于氧化硅的結(jié)晶化開始溫度下加熱第1無機(jī)絕緣粒子14a而使它們相互連接，從而形成包含無定形狀態(tài)的氧化硅、彈性模量為45GPa以下的第1無機(jī)絕緣層11a的工序。
文檔編號H05K3/46GK102550138SQ20108004356
公開日2012年7月4日 申請日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日
發(fā)明者林桂 申請人:京瓷株式會社