專利名稱：高顯色指數(shù)的可調(diào)色溫照明器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固態(tài)照明(SSL)，并且特別涉及具有多個(gè)LED芯片或LED封裝的SSL照明設(shè)備，結(jié)合它們的發(fā)射光以發(fā)出具有期望特性的光。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是將電能轉(zhuǎn)化成光的固態(tài)器件，并且通常包括夾在反相摻雜層之間的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體材料有源層。當(dāng)跨摻雜層施加偏壓時(shí)，空穴和電子被注入有源層內(nèi)，它們?cè)谄渲兄匦陆Y(jié)合以發(fā)光。光線從有源層以及從LED的所有表面射出。為了在電路或其他類似裝置中使用LED芯片，已知可將LED芯片封入封裝內(nèi)以提供環(huán)境和/或機(jī)械保護(hù)、顏色選擇、聚光等。LED封裝還包括用于將LED封裝電連接至外部 電路的電引腳、觸點(diǎn)或跡線。在圖I示出的典型LED封裝10中，利用焊接接合或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂將單個(gè)LED芯片12安裝在反射杯13上。一根或多根引線11將LED芯片12的歐姆觸點(diǎn)連接至引腳15A和/或15B，引腳可以被連接至反射杯13或與之集成在一起。反射杯可以裝有密封材料16，其中可以包含波長轉(zhuǎn)換材料例如熒光體。由LED以第一波長放射的光可以被熒光體吸收，熒光體可以相應(yīng)地以第二波長發(fā)射光。整套組件隨后被封入透明的保護(hù)樹脂14內(nèi)，保護(hù)樹脂14可以被模制為透鏡的形狀以使從LED芯片12放射出的光線準(zhǔn)直。盡管反射杯13可以沿向上的方向引導(dǎo)光線，但是在反射光線時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)光損耗(也就是部分光線可能會(huì)由于實(shí)際反射面的反射率小于100%而被反射杯吸收)。另外，因?yàn)榭赡茈y以通過引腳15A，15B吸取熱量，所以對(duì)于封裝(例如圖I中所示的封裝10)來說熱滯留可能會(huì)是一個(gè)問題。圖2中示出的常規(guī)LED封裝20可以更加適用于可能產(chǎn)生較多熱量的高功率操作。在LED封裝20中，一個(gè)或多個(gè)LED芯片22被安裝在載體例如印刷電路板(PCB)載體、基板或襯底23上。安裝在襯底23上的金屬反射器24圍繞LED芯片22并且反射由LED芯片22放射的光線，使之離開封裝20。反射器24還對(duì)LED芯片22提供了機(jī)械保護(hù)。一根或多根連接引線11被設(shè)置在LED芯片22上的歐姆觸點(diǎn)和襯底23上的電跡線25A，25B之間。安裝好的LED芯片22隨后被覆以密封劑26，密封劑26可以對(duì)芯片提供環(huán)境和機(jī)械保護(hù)，同時(shí)還可以用作透鏡。金屬反射器24通常通過焊料或環(huán)氧樹脂接合而被連接至載體。例如圖I和圖2中所示的那些LED和LED封裝比較普遍地被用于先前屬于白熾照明或熒光照明領(lǐng)域的照明應(yīng)用。LED和LED封裝可以被設(shè)置作為SSL照明設(shè)備或燈內(nèi)的光源并且可以使用單個(gè)或多個(gè)LED或LED封裝。這些照明設(shè)備的普遍接受度隨著LED發(fā)光效率和品質(zhì)的改進(jìn)而不斷增加。已經(jīng)證實(shí)LED能夠以大于150L/W的效率發(fā)出白光，并且預(yù)計(jì)LED將在未來十年內(nèi)成為主要的商用照明器件。由不同光源發(fā)出的光可以在顯色指數(shù)(CRI或CRI Ra)和色溫方面來度量。CRI是光源與理想或自然光源相比如實(shí)再現(xiàn)各種對(duì)象顏色的能力的量化計(jì)量。具有接近100的高CRI的光源可能在色彩很關(guān)鍵的應(yīng)用例如照相和電影中合乎需要。日光具有接近100的高CRI，而白熾燈泡具有相對(duì)接近的大于95的CRI。作為比較，熒光照明具有在70-80范圍內(nèi)的較低CRI，而汞蒸氣燈或鈉燈具有低得多的40或更小的CRI。適合用于一般室內(nèi)照明的高品質(zhì)光應(yīng)該具有大于90的CRI。色溫是通過將光的色度與理想黑體輻射器的相比較而確定的光源特性。受熱黑體輻射器與由光源生成的顏色相匹配時(shí)所處的溫度(通常以開爾文(K)計(jì)量)即為光源的色溫。對(duì)于白熾光源來說，光是熱起源的并且非常接近于理想黑體輻射器的情況。5000K或更高的較高色溫是“冷色”并且呈綠色到藍(lán)色，而2700到3500K的較低色溫被認(rèn)為是“暖色”并且呈黃色到紅色。一般照明可以具有在2000到10000K之間的色溫，其中大多數(shù)常規(guī)照明器件的色溫都在2700到6500K之間。與白熾輻射相比，例如熒光燈這樣的光源主要是通過處理主體而不是升高主體的溫度來發(fā)光。這就意味著釋放的輻射并不遵循黑體光譜的形式并且這些光源被指定稱為相關(guān)色溫(CCT)。CCT是對(duì)于人的色彩感覺來說與燈發(fā)出的光最近似匹配的黑體輻射器色溫。對(duì)于高品質(zhì)光源，照明的顏色盡可能接近于黑體光譜(也就是CIE色度圖上的黑體軌跡)也很重要。一種這樣的標(biāo)準(zhǔn)偏差是利用麥克亞當(dāng)(MacAdam)橢圓通過對(duì)黑體軌跡通常在四 階麥克亞當(dāng)橢圓內(nèi)的適當(dāng)近似來進(jìn)行測(cè)量。SSL照明設(shè)備已經(jīng)發(fā)展為使用多個(gè)LED芯片或LED封裝，其中至少一部分涂有轉(zhuǎn)換材料以使所有LED芯片或封裝的組合發(fā)出期望波長的白光。其中一部分包括覆蓋有轉(zhuǎn)換材料例如YAG = CE或Bose的藍(lán)色發(fā)光LED以及覆蓋有RGB熒光體的藍(lán)色或紫外光LED。這樣得到的照明設(shè)備通常具有良好的功效，但是只有中等的CRI。這些照明設(shè)備特別是色溫在2700K到4000K之間時(shí)通常都不能同時(shí)表現(xiàn)出期望的高CRI和高功效。用于從多個(gè)離散光源發(fā)出白光以在期望色溫下提供改進(jìn)CRI的技術(shù)已經(jīng)發(fā)展為使用來自不同離散光源的不同色調(diào)。在發(fā)明名稱為“Lighting Device and LightingMethod”的美國專利US7213940中介紹了這樣的技術(shù)。在一種這樣的裝置中，452nm峰值的藍(lán)色I(xiàn)nGaNLED被涂以黃色的轉(zhuǎn)換材料例如YAG = Ce熒光體，以提供不同程度黃色的顏色并且具有落在CIE圖上遠(yuǎn)高于黑體軌跡的色點(diǎn)。涂有黃色轉(zhuǎn)換材料的藍(lán)色發(fā)光LED經(jīng)常被稱為藍(lán)移黃(BSY) LED或LED芯片。BSY發(fā)射光與來自紅色AlInGaP LED的光相組合以將黃光LED的黃光“拉向”黑體曲線從而發(fā)出暖色的白光。圖3示出了 CIE圖，在來自紅色發(fā)光LED的紅光34和來自不同BSY發(fā)光元(emitter) 36的各種黃色和帶黃色的點(diǎn)之間具有連接線32。通過這種方法，就能夠生成具有改進(jìn)CRI的高功效暖色白光。某些實(shí)施例表現(xiàn)出改進(jìn)的功效，其中在低于3500K的色溫下具有大于90的CRI Ra。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及具有光引擎的tp SSL照明設(shè)備，光引擎被設(shè)置用于通過改變光引擎內(nèi)發(fā)光元群組的發(fā)射光而允許將照明設(shè)備發(fā)射光的特性以期望的方式改變。在某些實(shí)施例中，照明設(shè)備的色溫能夠在一定范圍內(nèi)改變，同時(shí)將發(fā)射光保持在CIE圖中黑體軌跡的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的SSL照明設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例包括固態(tài)發(fā)光元的控制組和固態(tài)發(fā)光元的可變組。來自發(fā)光元控制組和可變組的組合光促使發(fā)射光處于黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。而且，改變發(fā)光元可變組的發(fā)光強(qiáng)度促使控制和可變發(fā)光元的組合發(fā)射光在某一溫度范圍內(nèi)改變同時(shí)仍然在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)發(fā)光。
根據(jù)本發(fā)明的SSL照明設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例包括固態(tài)發(fā)光元的控制組，具有以高于CIE圖內(nèi)BBL的色點(diǎn)發(fā)光的第一發(fā)光兀以及以低于BBL的色點(diǎn)發(fā)光的第二發(fā)光兀。包括有發(fā)光元的可變組，可以改變其發(fā)光強(qiáng)度以根據(jù)色溫范圍改變控制和可變發(fā)光元的組合發(fā)射光同時(shí)將發(fā)射光保持在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的光引擎的一個(gè)實(shí)施例包括第一組固態(tài)發(fā)光元，其中包括高于CIE圖內(nèi)的BBL發(fā)射光的第一發(fā)光兀和低于BBL發(fā)射光的第二發(fā)光兀。來自第一和第二發(fā)光兀的組合光生成的發(fā)射光色點(diǎn)在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。還包括第二組固態(tài)發(fā)光兀，來自第一組和第二組發(fā)光兀的組合光促使發(fā)射光處于BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)，其中改變第二組發(fā)光兀的 強(qiáng)度促使來自第一組和第二組發(fā)光元的發(fā)射光在某一色溫范圍內(nèi)改變同時(shí)仍然在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)放射。根據(jù)本發(fā)明用于改變來自照明設(shè)備的發(fā)射光的方法的一個(gè)實(shí)施例包括以CIE圖上黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)的第一色點(diǎn)從第一光源提供發(fā)射光。從第二光源提供發(fā)射光，其發(fā)光強(qiáng)度是可變的，由此根據(jù)發(fā)射光的范圍改變照明設(shè)備的發(fā)射光，所有的發(fā)射光范圍都在黑體軌跡的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的光引擎的再一個(gè)實(shí)施例可以包括藍(lán)移綠(BSG)LED芯片，其中包括涂有綠色熒光體的藍(lán)色LED。綠色熒光體被設(shè)置用于吸收從藍(lán)色LED放射出的至少部分藍(lán)光并放射出綠光。包括有紅色發(fā)光LED芯片，并且來自BSG LED芯片和紅色LED芯片的組合光生成具有的色點(diǎn)在CIE圖中BBL標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)的光。本發(fā)明的各種應(yīng)用和優(yōu)點(diǎn)將根據(jù)以下舉例介紹本發(fā)明特征的詳細(xì)說明和附圖而變得顯而易見。


圖I示出了現(xiàn)有技術(shù)中LED燈的一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中LED燈的另一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖3是示出了 BSY和紅色發(fā)光元之間連接線的CIE圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的SSL照明設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的SSL照明設(shè)備光引擎的一個(gè)實(shí)施例的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明示出了用于一個(gè)LED芯片控制組實(shí)施例的放射特性的曲線圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明示出了用于一個(gè)LED芯片可變組實(shí)施例的放射特性的曲線圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明示出了用于一個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性的曲線圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明示出了用于三個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性的表格；圖10是根據(jù)本發(fā)明示出了用于三個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性的CIE圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的光引擎的另一個(gè)實(shí)施例的平面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明示出了用于LED芯片控制組的放射特性的曲線圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明示出了用于另一個(gè)LED芯片可變組實(shí)施例的放射特性的曲線圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明示出了用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性的曲線圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明示出了用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性的CIE圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明示出了用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性的表格；
圖17是根據(jù)本發(fā)明示出了用于另一些LED芯片實(shí)施例的放射特性的CIE圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明示出了用于又一些LED芯片實(shí)施例的放射特性的另一 CIE圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明用于一個(gè)光引擎實(shí)施例的電路示意圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的電路示意圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的電路示意圖；
圖22是根據(jù)本發(fā)明用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的電路示意圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明用于一個(gè)光引擎實(shí)施例的采用開關(guān)機(jī)構(gòu)的電路圖；圖24是根據(jù)本發(fā)明用于另一個(gè)光引擎實(shí)施例的也采用開關(guān)機(jī)構(gòu)的電路圖；以及圖25是根據(jù)本發(fā)明用于再一個(gè)光引擎實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及組合多種發(fā)光元類型的發(fā)射光以獲得期望照明設(shè)備放射特性的SSL燈或照明設(shè)備(SSL照明設(shè)備)。本發(fā)明特別涉及在LED芯片陣列中具有多個(gè)不同類型LED芯片的SSL照明設(shè)備，其中部分LED芯片放射不同波長的光。部分LED芯片的發(fā)射光可以保持不變，同時(shí)另一些LED的發(fā)射光可以改變，由此在一定范圍內(nèi)改變SSL照明設(shè)備發(fā)射光的色溫。在本發(fā)明的另一方面中，發(fā)射光在該色溫范圍中始終被保持在CIE圖上BBL的可接受:偏差以內(nèi)。在某些實(shí)施例中，由LED芯片控制組中不同類型的LED芯片放射的光的比例保持不變，而來自可變LED或LED組的光則被改變以提供SSL照明設(shè)備所需的放射特性改變。也就是說，LED芯片可變組的發(fā)射光可以改變以在特定的溫度范圍內(nèi)改變SSL照明設(shè)備發(fā)射光的色溫同時(shí)仍保持在標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，LED芯片控制組可以包括放射第一種顏色和第二種顏色光的第一和第二發(fā)光元類型，其發(fā)光強(qiáng)度被保持為彼此恒定的比例?？勺兊腖ED芯片或LED芯片組可以包括放射第三種顏色的第三LED類型，第三顏色可以改變以獲得期望的放射特性改變例如色溫的改變。在這些實(shí)施例中，第一發(fā)光兀的發(fā)光比與第二發(fā)光兀相比可以保持不變，但是第一和第二發(fā)光元與第三發(fā)光元相比的發(fā)光比可以改變，從而改變SSL照明設(shè)備的發(fā)射光。在另一些實(shí)施例中，LED芯片控制組也可以包括第一和第二發(fā)光元類型，其發(fā)光比被保持不變。LED芯片的可變組可以包括發(fā)出第三種和第四種顏色的第三和第四LED芯片，兩者之間可以保持恒定的發(fā)光比。為了獲得用于不同SSL照明設(shè)備的不同放射特性，來自LED芯片可變組的光的比例與LED芯片控制組相比是變化的。也就是說，LED芯片可變組的強(qiáng)度與控制組相比是變化的。在某些實(shí)施例中，可以在每一個(gè)相應(yīng)組中保持不同類型LED芯片之間的發(fā)光比，同時(shí)改變LED芯片可變組的發(fā)光強(qiáng)度。應(yīng)該理解LED芯片控制組可以包括多于兩個(gè)LED芯片且LED芯片可變組可以包括多于兩個(gè)LED芯片，其中某些實(shí)施例使每一個(gè)組中的發(fā)光比保持不變并且改變不同組之間的發(fā)光比。在另一些實(shí)施例中，LED芯片可變組或控制組內(nèi)的發(fā)光強(qiáng)度比可以改變以提供用于照明設(shè)備的期望放射。例如，在某些實(shí)施例中，LED芯片可變組中不同LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度也可以改變。以下討論的實(shí)施例涉及通過改變至少一個(gè)LED芯片組的發(fā)射光來改變SSL照明設(shè)備的色溫。但是，應(yīng)該理解在其他的實(shí)施例中也可以改變LED組內(nèi)的放射特性。還應(yīng)該理解放射不同波長的不同類型的LED芯片可以提供不同的控制水平或范圍，同時(shí)仍然保持期望CRI并且仍然保持發(fā)射光在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。應(yīng)該理解LED芯片的可變組和控制組可以包括以多種不同波長發(fā)射光的多個(gè)不同的LED芯片。在一個(gè)實(shí)施例中，控制LED芯片可以包括BSY LED芯片和紅色發(fā)光LED芯片，兩者之間保持恒定的發(fā)光比?？勺僉ED芯片可以包括一個(gè)或多個(gè)藍(lán)色發(fā)光LED芯片，根據(jù)期望的SSL照明設(shè)備特性提供可變的藍(lán)色光量。如下所述，可以加入更多的藍(lán)光以提高CCT,同時(shí)仍以BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差來維持發(fā)射光。在另一個(gè)實(shí)施例中，LED芯片的控制組可以包括BSY和紅色芯片，兩者之間保持基本恒定的發(fā)光比。LED的可變組可以包括藍(lán)色和綠色LED芯片，兩者之間也可以保持發(fā)光比。SSL照明設(shè)備的光的CCT可以通過改變LED芯片可變組與LED芯片控制組相比的整體放射而有所改變。在另一些實(shí)施例中，LED芯片的控制組和可變組可以包括放射不同顏色或波長光的其他LED芯片類型。根據(jù)本發(fā)明的其他SSL照明設(shè)備實(shí)施例可以包括涂有綠色轉(zhuǎn)換材料的藍(lán)色發(fā)光LED (BSG LED芯片)，其中來自LED的全部或絕大部分藍(lán)光都被綠色轉(zhuǎn)換材料轉(zhuǎn)換。BSG LED芯片提供帶綠色的光并且具有在CIE圖上高于BBL的色點(diǎn)。BSG發(fā)射光與來自紅色或帶紅色的LED芯片的光相組合以將BSGLED芯片的綠光拉向BBL，從而發(fā)出具有期望溫度的暖色白光。期望溫度下的光可以落入BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。在如上所述希望改變可變光溫度的不同實(shí)施例中，BSG和紅色LED芯片可以包括如上所述的LED芯片控制組或可變組。作為控制LED芯片，BSG和紅色LED芯片的發(fā)射光可以保持不變，同時(shí)其他LED芯片可變組的發(fā)射光可以改變以在一定范圍內(nèi)改變SSL照明設(shè)備發(fā)射光的色溫。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，照明設(shè)備的發(fā)射光在該色溫范圍中始終被保 持在CIE圖上BBL的可接受偏差以內(nèi)。在另一些實(shí)施例中，BSG和紅色LED芯片也可以包括LED芯片可變組，其發(fā)射光可以改變并與來自LED芯片控制組的發(fā)射光相組合以在一定范圍內(nèi)改變發(fā)射光的色溫，同時(shí)將發(fā)射光保持在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。本文中參照某些實(shí)施例介紹了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以用多種不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)被解讀為受限于本文中所述的實(shí)施例。具體地，以下參照具有不同結(jié)構(gòu)LED芯片陣列的某些SSL照明設(shè)備來介紹本發(fā)明。這些設(shè)備統(tǒng)稱為SSL照明設(shè)備，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以被用于具有不同發(fā)光元類型的多種不同陣列結(jié)構(gòu)的多種其他的燈或照明應(yīng)用。照明設(shè)備及其部件可以具有圖示內(nèi)容以外的不同形狀和尺寸，并且陣列中可以包括不同數(shù)量的LED芯片。陣列中的部分或全部LED芯片可以涂有轉(zhuǎn)換材料，轉(zhuǎn)換材料可以包括加有熒光體的粘合劑(“熒光體/粘合劑涂層”)，但是應(yīng)該理解也可以使用無轉(zhuǎn)換材料的LED。根據(jù)本發(fā)明的照明設(shè)備被描述為使用LED芯片或LED芯片陣列作為其光源，但是應(yīng)該理解照明設(shè)備也可以包括LED和LED封裝。LED、LED芯片或LED封裝的各種不同設(shè)置方式均可在根據(jù)本發(fā)明的SSL照明設(shè)備中進(jìn)行組合，并且可以使用混合或離散的固態(tài)照明元件來提供所需的照明特性組合。為了便于說明，以下將SSL照明設(shè)備中的發(fā)光元描述為使用“LED芯片”，但是應(yīng)該理解它們可以包括本文中介紹的任何一種發(fā)光元類型。還應(yīng)該理解當(dāng)某一元件例如一層、一個(gè)區(qū)域或一塊基板被稱為在另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在中間元件。而且，相對(duì)術(shù)語例如“內(nèi)”、“外”、“上部”、“上方”、“下部”、“下方”和“下”以及類似術(shù)語可以在本文中被用于描述一層或另一區(qū)域的關(guān)系。應(yīng)該理解這些術(shù)語是為了涵蓋除圖中所示取向以外的不同的設(shè)備取向。
盡管術(shù)語第一、第二等可以在本文中被用于描述不同的元件、部件和/或區(qū)段，但是這些元件、部件和/或區(qū)段不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段與另一區(qū)域、層或區(qū)段區(qū)分開。因此，下述的第一元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段也可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段而并不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。本文中參照構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施例示意圖的截面圖示來介紹本發(fā)明的實(shí)施例。因此，各層的實(shí)際厚度可以有所不同，并且可以預(yù)見到例如由于制造技術(shù)和/或公差而造成的示范性形狀的改變。本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被解讀為受限于本文所示區(qū)域的特定形狀，而是應(yīng)該包括例如由于加工而造成的形狀偏差。圖示或描述為方形或矩形的區(qū)域通常都由于正常的制造公差而具有圓化或弧形特征。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且 它們的形狀并不是為了表示設(shè)備中區(qū)域的精確形狀，也不是為了限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)該理解本文中所述的設(shè)置方式可以在具有以不同方式設(shè)置的不同特征的多種不同的SSL照明設(shè)備中使用。圖4僅根據(jù)本發(fā)明示出了 SSL照明設(shè)備50的一個(gè)實(shí)施例，其中可以包括根據(jù)本發(fā)明設(shè)置作為其光源的多個(gè)LED芯片。照明設(shè)備50通常包括可以利用多種不同的安裝機(jī)構(gòu)在夾具、墻壁或天花板內(nèi)安裝就位的殼體52。在圖示的實(shí)施例中，安裝機(jī)構(gòu)包括第一安裝夾54、第二安裝夾56和第三安裝夾(圖4中不可見)。光引擎62被設(shè)置在殼體52內(nèi)并且包括多個(gè)LED芯片64，安裝為使來自LED芯片的光被引導(dǎo)從殼體52的開口離開并且將LED芯片64的發(fā)射光組合以形成照明設(shè)備50的期望放射特性。在殼體開口上可以包括擴(kuò)散器66,并且包括有電源/轉(zhuǎn)換器68。殼體52還可以包括可與供電設(shè)備72接合的電連接區(qū)域70 (在本實(shí)施例中是愛迪生插座)。電源/轉(zhuǎn)換器68也可以位于殼體內(nèi)并且可以包括常規(guī)的整流器和高壓轉(zhuǎn)換器。如果向照明設(shè)備50提供包括AC電壓的電力，那么電源/轉(zhuǎn)換器68可以轉(zhuǎn)換AC電力并且向光引擎62提供形式與驅(qū)動(dòng)LED芯片64相兼容的能量以使它們能夠發(fā)光。功率轉(zhuǎn)換器也可以被設(shè)置用于向不同的LED芯片組64提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其中至少部分LED芯片的發(fā)射光根據(jù)電源/轉(zhuǎn)換器的控制而改變。這些控制信號(hào)可以利用已知的電子部件和電路提供，并且對(duì)部分LED芯片的發(fā)射光的改變可以被手動(dòng)或電動(dòng)控制。在該實(shí)施例中，擴(kuò)散器66可以被設(shè)計(jì)用于促進(jìn)有效的顏色混合、去像素化和高光學(xué)效率。擴(kuò)散器66可以通過以需要卸載(斷電)該設(shè)備才能將其拆除的方式機(jī)械卡扣裝配至下殼體而連接至殼體52，和/或擴(kuò)散器(透鏡)可以例如通過本領(lǐng)域公知的適當(dāng)熱熔技術(shù)進(jìn)行熱熔而永久連接(也就是需要進(jìn)行破壞才能拆除)。圖5根據(jù)本發(fā)明示出了光引擎80的一個(gè)實(shí)施例，其中可以包括多個(gè)LED芯片，它們放射的光混合以提供光引擎80所需的放射特性。在該實(shí)施例中，LED芯片包括LED芯片的控制組(Cb和Ck) 82以及LED芯片的可變組(V) 84。如上所述，LED芯片的控制組82可以包括放射不同顏色光的多種LED芯片類型，其中控制組內(nèi)不同類型LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度比例保持不變。LED芯片的可變組84可以包括放射不同顏色光的一種或多種LED芯片類型，其發(fā)光強(qiáng)度可以相對(duì)于LED芯片控制組而改變，由此改變來自光引擎80的發(fā)射光的色溫。在光引擎80中，LED芯片的控制組82可以包括多個(gè)BSY LED芯片(CB)86和多個(gè)紅色發(fā)光LED芯片(CK)88。應(yīng)該理解其他的光引擎實(shí)施例也可以具有單個(gè)BSY LED芯片或單個(gè)紅色發(fā)光LED芯片。如上所述，BSY LED芯片86可以包括涂有黃色熒光體的藍(lán)色LED，其中黃色熒光體吸收藍(lán)光并放射黃光。在一個(gè)實(shí)施例中，藍(lán)色LED可以放射主波長范圍約為430nm到480nm并且在某些實(shí)施例中是從約450nm到460nm的光。在另一些實(shí)施例中，藍(lán)色LED可以放射約為450nm的峰值主波長。藍(lán)色LED可以覆以足夠數(shù)量的黃色熒光體以由黃色熒光體吸收期望的藍(lán)色LED光量，其中BSY LED芯片從LED放射出期望的藍(lán)色光量并從熒光體放射出期望的黃色光量。能夠在BSY LED芯片86中使用的多個(gè)不同的藍(lán)色LED可以由多種不同的半導(dǎo)體材料制成，例如由III族氮化物材料系統(tǒng)中的材料制成。LED結(jié)構(gòu)、特征及其制造和操作是本領(lǐng)域中公知的，并且因此在本文中不再贅述。BSY LED芯片86中可以使用多種不同的黃色熒光體，例如可商購的YAG = Ce熒光體，不過全范圍的廣義黃色輻射光譜均可使用由基于(Gd，Y)3(Al，Ga)5012:Ce系統(tǒng)的熒光體例如Y3A15012 = Ce(YAG)制成的轉(zhuǎn)換顆粒。在LED芯片82中可以使用的某些另外的黃色熒光體可以包括Tb3^xRExO12: Ce (TAG) ; RE=Y, Gd, La, Lu 或
Sr2_x_yBaxCaySi04:Eu。BSY LED芯片86中的藍(lán)色LED可以利用多種不同的方法涂以黃色熒光體，其中一種合適的方法在申請(qǐng)?zhí)枮?1/656759和11/899790、發(fā)明名稱均為“Wafer Level PhosphorCoating Method and Devices Fabricated Utilizing Method” 的美國專利申請(qǐng)中進(jìn)行了介紹，通過引用將兩者都并入本文?？蛇x地，LED芯片可以利用其他的方法例如電泳沉積(EPD)進(jìn)行涂覆，其中一種合適的EH)方法在申請(qǐng)?zhí)枮?1/473089、發(fā)明名稱為“Close LoopElectrophoretic Deposition of Semiconductor Devices” 的美國專利申請(qǐng)中進(jìn)行了介紹，通過引用將其并入本文。應(yīng)該理解其他的常規(guī)涂覆方法也可以使用，包括但不限于旋涂O除了 BSY LED芯片86以外，LED芯片的控制組82還可以包括紅色發(fā)光LED芯片(CK)88。其中可以包括常規(guī)的紅色發(fā)光LED，例如紅色發(fā)光的基于AlInGaP的LED芯片。紅色發(fā)光LED芯片88還可以包括涂有紅色轉(zhuǎn)換材料例如紅色熒光體的LED。紅色發(fā)光LED芯片88可以包括不同的LED，其中某些實(shí)施例包括藍(lán)色或紫外(UV)發(fā)光LED，不過應(yīng)該理解也可以使用放射不同顏色的LED。在這些實(shí)施例中，LED可以覆蓋有紅色熒光體，其數(shù)量足以吸收LED的光并且重新放射出紅光。在LED芯片88中可以使用多種不同的熒光體，包括但不限于Lu2O3: Eu3+(Sr2_xLax) (Ce1^xEux) O4Sr2Ce1^EuxO4Sr2_xEuxCe04SrTiO3: Pr3+, Ga3+CaAlSiN3IEu2+Sr2Si5N8IEu2+LED芯片88中使用的LED也可以利用已知方法例如用于制造LED芯片86的那些方法制成并且可以利用上述方法涂覆。對(duì)于LED芯片的控制組82和可變組84來說，不同的因素確定了能夠由黃色和紅色轉(zhuǎn)換材料吸收的LED光量，并且因此確定了在每一個(gè)組中所需的必要轉(zhuǎn)換材料量。這些因素中的一部分包括但不限于熒光體顆粒的尺寸、粘合材料的類型、熒光體類型和放射的LED光波長之間的匹配效率以及熒光體/粘合層的厚度。也可以使用不同尺寸的熒光體顆粒，包括但不限于范圍在10納米(nm)到30微米(ym)或更大的顆粒。較小的顆粒尺寸與較大尺寸的顆粒相比通常散射和顏色混合更好，以提供更加均勻的光。較大的顆粒與較小的顆粒相比通常在轉(zhuǎn)換光方面更加有效，但是放射的光較不均勻。LED芯片82，84中的熒光體也可以在粘合劑中具有不同濃度或載量的熒光體材料，其中典型的濃度在30-70%重量的范圍內(nèi)。在某些實(shí)施例中，熒光體濃度可以約為65%重量，并且可以均勻地分散在熒光體涂層中，不過應(yīng)該理解在某些實(shí)施例中可能希望使熒光體在不同的區(qū)域有不同的濃度。LED芯片控制組82和可變組84內(nèi)LED上的熒光體涂層的合適厚度可以通過考慮上述因素并結(jié)合特定LED的光通量來確定。圖6是根據(jù)本發(fā)明示出了用于LED芯片控制組的一個(gè)實(shí)施例的放射特性的曲線圖100。來自BSY LED芯片內(nèi)藍(lán)色LED發(fā)射光的藍(lán)光放射峰值102大約在450nm處，并且來自BSY LED芯片內(nèi)熒光體的黃色發(fā)射光峰值104大約在550nm處。來自紅色LED芯片的紅色發(fā)射光峰值106大約在625nm處。 再次參照?qǐng)D5，可變LED芯片84的發(fā)光強(qiáng)度可以改變，從而改變由光引擎80放射出的光的色溫。如上所述，可變LED芯片84可以包括放射一種顏色光的一種LED芯片類型，或者包括多種LED芯片類型，其中每一種類型都放射不同顏色的光。在光引擎80中，可變LED芯片84包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片，其中包括可以由已知半導(dǎo)體材料系統(tǒng)例如III族氮化物材料系統(tǒng)制成并且可以采用已知方法制造的藍(lán)色發(fā)光LED。圖7是根據(jù)本發(fā)明示出了用于一個(gè)LED芯片可變組實(shí)施例的放射特性的曲線圖110?？勺兘M可以從LED芯片的可變組中放射出的藍(lán)光放射峰值112大約在485nm處。箭頭114表示LED芯片第二可變控制組的發(fā)光強(qiáng)度能夠改變以改變光引擎的放射特性。再次參照?qǐng)D5，控制和可變LED芯片82，84可以被安裝至襯底、基板或印刷電路板(PCB) 90 ( “襯底”)，其中可以有能夠?qū)ED芯片以不同的串聯(lián)和并聯(lián)設(shè)置方式連接的導(dǎo)電跡線92。襯底90可以由多種不同的材料構(gòu)成，其中優(yōu)選材料是電絕緣的例如電介質(zhì)。襯底90還可以包括陶瓷例如氧化鋁、氮化鋁、碳化硅或聚合材料例如聚酰亞胺和聚酯等。在某些實(shí)施例中，襯底90可以包括具有高熱導(dǎo)率的材料例如氮化鋁和碳化硅。在另一些實(shí)施例中，襯底90可以包括高反射性材料例如反射性的陶瓷或金屬層譬如銀以增強(qiáng)對(duì)部件的光提取。在另一些實(shí)施例中，襯底90可以包括印刷電路板(PCB)、藍(lán)寶石、碳化硅或硅或任意其他合適的材料，例如可以從明尼蘇達(dá)州Chanhassen市的The Bergquist Company購得的T-Clad熱復(fù)合絕緣基板材料。對(duì)于PCB實(shí)施例，不同的PCB類型均可使用，例如標(biāo)準(zhǔn)的FR-4PCB、金屬芯PCB或任意其他類型的印刷電路板。襯底90的尺寸可以根據(jù)不同的因素而改變，其中一項(xiàng)因素就是LED芯片82，84的尺寸和數(shù)量。襯底90還可以包括晶片座，其與導(dǎo)電跡線92 —起可以是多種不同的材料例如金屬或其他的導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)施例中，它們可以包括利用已知技術(shù)例如電鍍而沉積的銅并且隨后即可使用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝進(jìn)行圖案化。在其他的實(shí)施例中，可以利用掩模來噴鍍層以形成所需的圖案。根據(jù)本發(fā)明，在某些實(shí)施例中部分導(dǎo)電特征可以僅包括銅，而另一些則包括附加材料。例如，晶片座可以電鍍或涂有附加金屬或材料以使它們更加適合用于安裝LED芯片。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片座可以鍍有粘合劑或粘接材料，或者是反射和隔離層。LED芯片可以利用已知方法和材料例如使用常規(guī)的焊料被安裝至晶片座，焊料中可以包含或者也可以不包含助熔材料或可導(dǎo)熱和導(dǎo)電的調(diào)配聚合材料。在某些實(shí)施例中可以包括引線，每一根引線都在其中一根導(dǎo)電跡線92和其中一個(gè)LED芯片82，84之間穿過，并且在某些實(shí)施例中通過其晶片座和引線中相應(yīng)的一個(gè)向LED芯片82，84施加電信號(hào)。如上所述，光引擎80的期望發(fā)射光可以通過組合控制和可變LED芯片82，84的發(fā)射光來提供。根據(jù)本發(fā)明，在一個(gè)實(shí)施例中，來自控制組82中不同LED芯片的發(fā)光比被保持不變。也就是說，BSY LED芯片86的發(fā)光強(qiáng)度與紅色芯片88的發(fā)光強(qiáng)度相比保持不變。在不同的實(shí)施例中，BSY芯片86和紅色芯片88的發(fā)射光可以在發(fā)光元控制組的整體發(fā)射光中占據(jù)不同比例并且來自BSY和紅色LED芯片的組合光可以生成不同溫度的光，同時(shí)BSY和紅色LED芯片之間的發(fā)光比保持不變。根據(jù)本發(fā)明，在某些實(shí)施例中，來自BSY芯片86的流明可以包括LED芯片控制組的約60-90%的發(fā)射光，并且來自紅色芯片88的流明可以包括LED芯片控制組的約10-40%的發(fā)射光。在一個(gè)實(shí)施例中，BSY LED和紅色LED分別放射出第一組發(fā)光元的發(fā)射光的約79%和21%。來自控制組的整體發(fā)射光也可以具有在約1500到4000K范圍內(nèi)的溫度，其中一個(gè)實(shí)施例具有的色溫約為2700K。
同樣如上所述，LED芯片可變組中的LED芯片84的發(fā)光強(qiáng)度可以改變以改變由光引擎80放射出的色溫。藍(lán)色發(fā)光LED芯片可以在不同的實(shí)施例中被用于可變LED芯片84，其中可以使用放射不同波長藍(lán)光的不同的藍(lán)色LED芯片。藍(lán)色LED芯片的強(qiáng)度可以增加以使藍(lán)光被加入光引擎80的整體發(fā)射光中。也就是說，來自藍(lán)色LED芯片的光的比例被成比例地增加到來自控制LED芯片82的發(fā)射光中。加入藍(lán)光提高了由LED引擎80放射的光的CCT。來自藍(lán)色LED芯片的藍(lán)光波長應(yīng)該被選擇為使得在色溫升高時(shí)，由光引擎80生成的混合光仍保持在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，混合光應(yīng)該(沿切向)保持為BBL的約O. 01 Au’V’，并且此時(shí)CRI Ra應(yīng)該盡可能在整個(gè)CCT范圍上保持良好。在另一個(gè)實(shí)施例中，光應(yīng)該以同樣優(yōu)化的CRI Ra保持為BBL的O. 01 Λ u’ V’。圖8是根據(jù)本發(fā)明示出了在光引擎80的一個(gè)實(shí)施例中用于控制和可變LED芯片82，84的組合放射特性的曲線圖120。來自LED控制組的峰值放射被設(shè)置為來自BSY LED芯片的藍(lán)色和黃色峰值122，124和來自紅色LED芯片的紅色峰值126。來自LED芯片可變組的發(fā)射光被示出為藍(lán)色發(fā)射光強(qiáng)度改變的藍(lán)色峰值127。來自LED控制組的光保持基本恒定，同時(shí)藍(lán)光的強(qiáng)度相對(duì)于LED芯片控制組變化以改變光引擎的色溫。LED芯片可變組的最低發(fā)光強(qiáng)度128 (基本為零發(fā)射光)是用于光引擎約為2700K的放射溫度。對(duì)于來自可變組的該特定波長的藍(lán)光，藍(lán)光發(fā)光強(qiáng)度的增加對(duì)應(yīng)于3000、3500、4000、4500、5000和5700的光引擎放射溫度。在圖示的實(shí)施例中，用于LED芯片可變組的最高發(fā)光強(qiáng)度129是用于光引擎約為6500K的色溫。圖9和圖10根據(jù)本發(fā)明示出了用于三個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性，其中使用不同峰值放射波長的藍(lán)色發(fā)光LED芯片用于其可變的LED芯片。圖9是列舉用于三種不同光引擎的放射特性的表格130，而圖10是示出了用于不同實(shí)施例的放射特性的CIE圖140。參照?qǐng)D9，第一實(shí)施例132包括發(fā)射光在484到491nm范圍內(nèi)的藍(lán)色LED芯片，其中最優(yōu)波長為488nm。該最優(yōu)放射在圖10中以放射線142表示。在光引擎中由藍(lán)色LED提供的最大流明比例約為15%。這就允許用于光引擎的CCT范圍根據(jù)藍(lán)色LED最大為15%的放射強(qiáng)度可以約為2725到4000K。對(duì)于該溫度范圍，CCT在該CCT范圍中始終保持為BBL的O. 009 Λ u’ V’，同時(shí)保持72的最小CRI Ra。這在圖10中被示出為溫度放射線144。第二實(shí)施例134的這種特性被示出為對(duì)于484到491nm的藍(lán)色可變LED芯片具有類似的波長范圍，其中最優(yōu)波長為487nm。該最優(yōu)放射在圖10中被示出為放射線146。在該實(shí)施例中，由藍(lán)色LED芯片提供的最大流明比例約為25%。這種設(shè)置方式提供了 2725到5000K的更大可變CCT范圍，同時(shí)仍保持在O. 009 Au’V’以內(nèi)，正如圖10中的溫度放射線148所示。但是，這樣會(huì)得到具有60的較低CRI Ra的發(fā)射光。因此，該實(shí)施例允許更大的溫度范圍，但是降低了 CRI Ra。第三實(shí)施例136的這種特性被示出為使藍(lán)色可變LED芯片具有從484到487nm的放射范圍，其中最優(yōu)放射為484nm。該最優(yōu)放射在圖10中被示出為放射線150。在該實(shí)施例中，由藍(lán)色LED芯片提供的最大流明比例約為光引擎整體發(fā)射光的27%。這種設(shè)置方式提供了 2725到6000K的更大一些的可變CCT范圍，同時(shí)仍保持在O. 009 Au’ V’以內(nèi)，正如圖10中的溫度放射線152所示。但是，這樣會(huì)得到具有60的較低CRI Ra的發(fā)射光。因此，該實(shí)施例允許更大一些的溫度范圍，但是進(jìn)一步降低了 CRI Ra。應(yīng)該理解以不同的最優(yōu)波長放射的不同類型藍(lán)色LED可以被用于在BBL的期望標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)實(shí)現(xiàn)期望的光引擎波長范圍。上述三種情況僅僅是可以使用的不同藍(lán)色發(fā)光元的示例而不應(yīng)被解讀為限制性的。如上所述，LED芯片的可變組可以包括多于一組LED類型，其中每一組都放射出不同波長的光。在某些實(shí)施例中，不同類型LED之間的光比例可以保持不變，其中由光引擎中的LED芯片可變組提供的光比例可以相對(duì)于LED芯片控制組變化以改變由光引擎放射出的光的色溫。這樣多種LED類型的設(shè)置方式特別適用于使CRI Ra增加的光引擎。
圖11根據(jù)本發(fā)明示出了與圖5所示和上述的光引擎80相類似的光引擎170的另一個(gè)實(shí)施例。光引擎170可以包括LED芯片的控制組172和LED芯片的可變組174。類似于圖5中的光引擎80，光引擎170中的LED芯片控制組172可以包括BSY芯片176和紅色芯片178。如上參照光引擎80所述，來自圖5中LED芯片可變組84的藍(lán)光的變化在BBL的可接受偏差以內(nèi)提供了一定的色溫范圍。在某些實(shí)施例中，藍(lán)光的增加也可以造成更小的CRI Ra。造成這種CRI Ra下降的一個(gè)潛在原因是來自LED芯片控制組的過量紅光。補(bǔ)償該紅光的一種方法是在LED芯片可變組中包括補(bǔ)償紅光的光照含量。LED芯片可變組的不同實(shí)施例可以包括能夠補(bǔ)償紅光以減少或消除這種CRI下降的多種類型的LED芯片。對(duì)于光引擎170來說，LED芯片的可變組可以包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片(Vb) 180和綠色發(fā)光LED芯片(Ve) 182。來自綠色發(fā)光LED芯片182的綠光能夠補(bǔ)償LED芯片控制組中的紅光以在期望色溫范圍中通過增加藍(lán)色發(fā)射光的比例來最小化CRI的下降。在某些實(shí)施例中，藍(lán)色和綠色LED芯片180，182能夠在兩者之間保持相同的發(fā)光比以使得不必增加改變光引擎170的CCT所需的控制。圖12是示出了來自LED芯片控制組170的放射特性的曲線圖190，其類似于圖6所示和上述的用于LED芯片控制組82的放射特性。藍(lán)色和黃色峰值192，194由BSY發(fā)光元分別在約450nm和550nm處生成。來自紅色LED芯片的紅色發(fā)射光峰值196大約在625nm處。圖13是示出了用于LED芯片可變組的放射特性的曲線圖200。峰值藍(lán)色發(fā)射光202通過藍(lán)色LED芯片被設(shè)置在約460nm處。峰值綠色發(fā)射光204通過綠色LED芯片被設(shè)置在約530nm處。箭頭206表示藍(lán)色和綠色LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度能夠改變以改變光引擎170的色溫，其中兩種變化的發(fā)射光彼此之間的比例相同。圖14是示出了用于光引擎170中的控制和可變LED芯片的組合放射特性的曲線圖210。藍(lán)色、黃色和紅色峰值211，212和213如上圖12中所示對(duì)應(yīng)于來自BSY和紅色LED芯片的用于LED芯片控制組的光。可變的藍(lán)色和綠色發(fā)射光214，215如圖13所示分別來自于LED芯片可變組的作用。箭頭216表示藍(lán)色和綠色LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度能夠改變以改變光引擎發(fā)射光的色溫。LED芯片可變組的最低發(fā)光強(qiáng)度217 (基本為零發(fā)射光)是用于光引擎約為2700K的發(fā)射光溫度。對(duì)于來自可變組的該特定波長的藍(lán)光和綠光，藍(lán)光和綠光發(fā)光強(qiáng)度的增加對(duì)應(yīng)于3000、3500、4000、4500、5000和5700的光引擎放射溫度。在圖示的 實(shí)施例中，用于LED芯片可變組的最高發(fā)光強(qiáng)度218是用于光引擎約為6500K的色溫。圖15和圖16根據(jù)本發(fā)明示出了用于一個(gè)光引擎實(shí)施例的放射特性，具有用于LED芯片控制組的BSY和紅色LED芯片以及用于LED芯片可變組的藍(lán)色和綠色LED芯片。圖15是示出了 BSY和紅色LED芯片發(fā)光點(diǎn)232，234的CIE圖230，其中兩者之間的BSY和紅色連接線236示出了可以通過組合BSY和紅色LED芯片的發(fā)射光得到的不同發(fā)光點(diǎn)。在該實(shí)施例中，發(fā)射光組合以生成控制組的色點(diǎn)238。來自LED芯片可變組的色點(diǎn)被示出為綠色色點(diǎn)240和藍(lán)色色點(diǎn)242，其中兩點(diǎn)之間的連接線244表示用于來自綠色和藍(lán)色LED芯片光組合的不同的可能點(diǎn)。在該實(shí)施例中，來自綠色和藍(lán)色LED芯片的光組合為可變的LED芯片色點(diǎn) 246。光引擎連接線248示出了能夠通過組合來自控制和可變LED芯片的光實(shí)現(xiàn)的不同色點(diǎn)。在該實(shí)施例中，來自LED芯片可變組的藍(lán)光和綠光的比例保持不變，但是組合光的強(qiáng)度可以沿著連接線248有所改變。連接線248包括落在BBL 252期望偏差以內(nèi)的白色發(fā)射光部分250。在該實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)偏差小于BBL的O. 01 Au’ V’，這樣就在偏差以內(nèi)提供了約為2700到6500K的溫度范圍?，F(xiàn)參照?qǐng)D16，列出了用于該光引擎實(shí)施例的部分放射特性的表格260。光引擎的CRI Ra與上述光引擎80相比有所改善。具體地，CRI Ra在其4500K色溫下的最低點(diǎn)90. I及其色溫2700K下的最高點(diǎn)92. 7之間變化。對(duì)于該色溫范圍，Au’ V’在O. 000002到O. 009667之間變化，整個(gè)范圍都低于O. 01 Au’ V’的目標(biāo)閾值。不同的控制和可變LED芯片可以用上述兩個(gè)實(shí)施例以外的多種不同方式設(shè)置。在一個(gè)實(shí)施例中，LED芯片的控制組或可變組可以包括涂有不同熒光體的一種類型的發(fā)光元以實(shí)現(xiàn)期望色點(diǎn)。例如，控制LED芯片可以包括具有黃色熒光體和紅色熒光體的藍(lán)色發(fā)光LED。類似地，LED芯片的可變組可以包括涂有綠色熒光體的藍(lán)色LED (BSG LED)。在一個(gè)實(shí)施例中，藍(lán)色LED可以放射出波長范圍在440nm到480nm的光，并且能夠利用上述的不同方法涂以綠色熒光體。可以將多種不同的熒光體用于提供期望的藍(lán)光和綠光的色點(diǎn)組合，包括但不限于SrGa2S4: Eu ；Sr2_yBaySi04:Eu ;或SrSi2O2N2IEu0熒光體材料可以用上述用于黃色熒光體的不同濃度例如30-60%重量被包括在粘合材料內(nèi)。顆粒也可以具有不同的尺寸例如范圍在10到30mm內(nèi)。同樣如上所述，在不同的實(shí)施例中，熒光體可以均勻分布在藍(lán)色LED上，或者也可以在不同區(qū)域具有不同的濃度。圖17是示出了用于LED芯片可變組的放射范圍的CIE圖270，其中包括涂有綠色熒光體的藍(lán)色LED。藍(lán)色LED的放射波以藍(lán)色放射線272表示，其中放射范圍約為440nm到480nm。綠色熒光體的放射以綠色放射線274表示，示出的放射范圍是從535到565nm。根據(jù)本發(fā)明用于一個(gè)BSG LED實(shí)施例的適當(dāng)組合放射區(qū)域以放射BSG塊276表示，其中在每一個(gè)角部都有塊坐標(biāo)。BSG LED可以用塊276內(nèi)的色點(diǎn)放射，并且在圖示的實(shí)施例中，塊276構(gòu)成了由以下的近似CIE圖坐標(biāo)建立的第一 CIE顏色空間
V F
JkJ
A0.150.20B0.250.29C ,290.40
D0.170.33應(yīng)該理解根據(jù)本發(fā)明的不同BSG LED可以在具有圖17所示以外的多種不同形狀和尺寸的不同顏色空間內(nèi)提供發(fā)射光。圖18根據(jù)本發(fā)明示出了另一種CIE圖280，其中示出了第二和第三CIE顏色空間282,284。第二顏色空間282由五個(gè)點(diǎn)界定并且具有以下的近似CIE坐標(biāo)
I
I YV
成、AJ
Ai0.130.26 B10.150.20
Ci0.350.48
D10.260.50
WH I ‘ H
HilU.ZO βφΖσ第三顏色空間284由四個(gè)點(diǎn)界定并且具有以下的近似CIE坐標(biāo)
點(diǎn)XY
A20.210.28
B20.26§.28
C20.320.42
D20.280.44
第三顏色空間284覆蓋第二顏色空間282內(nèi)的一個(gè)區(qū)域，并且應(yīng)該理解其他的顏色空間實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明可以覆蓋第二顏色空間282內(nèi)的不同區(qū)域。例如，用于其他顏色空間的坐標(biāo)可以覆蓋第二顏色空間中的區(qū)域。也就是說，這些可選實(shí)施例可以具有介于第一和第二顏色空間之間的坐標(biāo)?？蛇x實(shí)施例中的A坐標(biāo)可以具有范圍在O. 13到O. 21的X坐標(biāo)以及范圍在O. 26到O. 28的y坐標(biāo)。類似地，B坐標(biāo)可以具有范圍在O. 15到O. 26的x坐標(biāo)以及范圍在O. 20到O. 28的Y坐標(biāo)。C坐標(biāo)可以具有范圍在O. 32到O. 35的x坐標(biāo)以及范圍在O. 42到O. 48的y坐標(biāo)，還有D坐標(biāo)可以具有范圍在O. 26到O. 28的x坐標(biāo)以及范圍在O. 44到O. 50的J坐標(biāo)?？蛇x的塊也可以具有5個(gè)或更多個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)以給出不同形狀的塊。應(yīng)該理解可選實(shí)施例可以具有其他X，I坐標(biāo)的多種另外的塊，并且可以包括覆蓋不同區(qū)域的顏色空間，其中一部分可以至少部分位于第二顏色空間282以外?？刂芁ED也可以被包括在內(nèi)并且可以包括多種不同類型的LED芯片。在一個(gè)實(shí)施例中，它們可以如圖15所示和如上所述包括BSY和紅色的LED芯片。特定BSG塊內(nèi)的特定發(fā)光點(diǎn)可以與LED芯片控制組的發(fā)光點(diǎn)相組合以提供期望的光引擎放射。如圖15中所示的實(shí)施例，BSG可變LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度可以改變以在一定范圍內(nèi)改變光引擎發(fā)射光的溫度，其中發(fā)射光在該溫度范圍內(nèi)始終保持在BBL的可接受偏差以內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，可接
受偏差是O. 01 Au’ V’，但是應(yīng)該理解可以使用高達(dá)O. 10 Au’ V’或更高的多種其他偏差。根據(jù)本發(fā)明，在可選實(shí)施例中，BSG LED芯片可以包括LED芯片的控制組，并且在某些實(shí)施例中來自BSG芯片的發(fā)射光可以是任何一個(gè)上述CIE顏色空間內(nèi)的點(diǎn)。來自BSG芯片的發(fā)射光可以提供落在CIE圖上的黑體軌跡(BBL)上方的顏色，并且紅色或帶紅色的LED芯片提供落在BBL下方的光。來自BSG LED芯片的光可以與來自紅色或帶紅色的LED芯片的光相組合以將BSG芯片的色點(diǎn)“拉向”BBL從而生成期望的白光溫度。來自紅色LED芯片的發(fā)射光可以具有多種不同的波長，并且在某些實(shí)施例中發(fā)射光可以主要處在600到660nm的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，紅色LED芯片可以具有605到625nm的主波長范圍。對(duì)于高品質(zhì)光源，BSG和紅色LED芯片的組合照明應(yīng)該產(chǎn)生盡可能接近BBL的照明顏色。如上所述，一種這樣的標(biāo)準(zhǔn)偏差是根據(jù)麥克亞當(dāng)橢圓進(jìn)行測(cè)量，其中合理接近BBL的一個(gè)實(shí)施例是在10階麥克亞當(dāng)橢圓以內(nèi)。在另一些實(shí)施例中，合理近似可以在4階麥克亞當(dāng)橢圓以內(nèi)。來自BSG和紅色LED芯片的組合光能夠提供CCT范圍在2500到20000K的光照。在某些實(shí)施例中，該范圍可以用CRI Ra大于或等于75的光照實(shí)現(xiàn)。在某些實(shí)施例中，光照可以用中等到良好的CRE表現(xiàn)出約為2700K的CCT。在另一些實(shí)施例中，來自BSG和紅色LED芯片的光可以具有大于或等于90的CRI Ra并且可以具有約為3500到15000K的CCT范圍。在這些實(shí)施例中，來自BSG和紅色控制LED芯片的發(fā)射光可以與可變LED芯片的發(fā)射光相組合以在一定范圍內(nèi)改變光引擎的放射溫度，同時(shí)將光照保持在BBL的可接受偏差以內(nèi)，例如為O. 01 Au’V’或者高達(dá)O. 10 Au’V’或更高。在一個(gè)實(shí)施例中，可變LED可以包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片，而在另一些實(shí)施例中，可變LED芯片可以包括不同類型的LED芯片以提供期望的整體放射變化。與上述實(shí)施例相同，可變LED芯片的強(qiáng)度可以有所變化以在期望范圍內(nèi)改變色溫。應(yīng)該理解LED芯片的控制組和可變組能夠包括多種不同LED類型的以不同方式設(shè)置的LED芯片并且放射出上述的以外的不同顏色的光。上述的三個(gè)實(shí)施例僅僅是可以根據(jù)本發(fā)明提供的多種不同設(shè)置方式的示例。LED芯片的控制組和可變組可以根據(jù)本發(fā)明設(shè)置在多種不同的電路裝置中。圖19根據(jù)本發(fā)明示出了光引擎電路示意圖290的一個(gè)實(shí)施例，其中包括LED芯片的控制組292和LED芯片的可變組294。控制LED芯片292包括BSY和紅色LED芯片296，298，它們被示出為能夠串聯(lián)耦合，但是也能夠以不同的并聯(lián)和串聯(lián)設(shè)置方式耦合在一起。BSY和紅色LED芯片296，298的期望數(shù)量被設(shè)置為給出用于不同顏色光的期望發(fā)光比。恒定的驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過控制輸入電路300被加至LED芯片的控制組292。LED芯片的可變組294包括藍(lán)色和綠色LED304，306，它們能夠以不同的串聯(lián)和并聯(lián)連接耦合在一起?？梢园ㄆ谕麛?shù)量的藍(lán)色和綠色LED 304, 306以提供兩者之間的期望光比例。驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以通過可變輸入電路308被加至可變LED芯片294，其中驅(qū)動(dòng)信號(hào)根據(jù)輸入310而改變。這就相應(yīng)地改變了可變LED 芯片294的發(fā)光強(qiáng)度以如上所述改變光引擎290的色溫。圖20-22根據(jù)本發(fā)明示出了光引擎電路的不同實(shí)施例，其中具有加至LED芯片控制組的固定驅(qū)動(dòng)信號(hào)和加至LED芯片可變組的可變信號(hào)?，F(xiàn)參照?qǐng)D20，光引擎電路310包括LED芯片的控制組312和LED芯片的可變組314。LED芯片的控制組312包括串聯(lián)連接至恒定電流源320的多個(gè)BSY LED芯片316和紅色LED芯片318。LED芯片的可變組314包括連接至可變電流源324的多個(gè)藍(lán)色LED芯片322。從恒定電流源320加至LED控制組320的電流通常為BSY和紅色LED芯片316，318提供基本恒定的發(fā)光強(qiáng)度(不受溫度和隨時(shí)間退化的任何影響)。可變電流源324允許改變藍(lán)色LED芯片322的發(fā)光強(qiáng)度，從而改變光引擎的發(fā)射光色溫。圖21示出了具有耦合至恒定電流源320的相同的LED芯片控制組312的光引擎電路330，以使控制組的發(fā)射光不變?？勺冸娏髟?24被耦合至LED芯片的可變組332，其中包括串聯(lián)連接的藍(lán)色發(fā)光LED芯片334和綠色發(fā)光LED芯片336。與以上類似地，可變電流源324允許改變藍(lán)色和綠色LED芯片334，336的發(fā)光強(qiáng)度，從而改變光引擎的發(fā)射光色溫。這種設(shè)置方式還允許將來自綠色和藍(lán)色LED芯片的發(fā)光比保持不變?，F(xiàn)參照?qǐng)D22，示出的光引擎電路340具有耦合至恒定電流源320的相同的LED芯片控制組312，以使控制組的發(fā)射光不變。可變電流源324被耦合至LED芯片的可變組342，其中包括多個(gè)串聯(lián)連接的涂有綠色熒光體的藍(lán)色LED芯片344。與以上類似地，可變電流源324允許改變來自LED芯片344的藍(lán)光和綠光的發(fā)光強(qiáng)度，從而改變光引擎的發(fā)射光色溫。應(yīng)該理解根據(jù)本發(fā)明，在其他的實(shí)施例中光引擎可以被設(shè)置用于以兩種不同溫度中的一種來提供光照。在這些實(shí)施例中，開關(guān)裝置可以被設(shè)置用于允許打開和關(guān)閉LED芯片的可變組以在兩種色溫之間切換。圖23示出的光引擎電路350具有耦合至第一恒定電流源354的LED芯片控制組352以及耦合至第二恒定電流源358的LED芯片可變組356。開關(guān)360被設(shè)置在可變LED芯片356和恒定電流源360之間用于打開和關(guān)閉LED可變組。打開開關(guān)360就切斷了可變LED芯片356并且促使光引擎以一種溫度發(fā)射光。關(guān)閉開關(guān)360就接通了可變LED芯片并且促使光引擎以另一種溫度發(fā)射光。圖24根據(jù)本發(fā)明示出了光引擎電路370的另一個(gè)實(shí)施例，其中具有與LED芯片可變組374和恒定電流源376串聯(lián)耦合的LED芯片控制組372。開關(guān)378與可變LED芯片374并聯(lián)耦合以使得在開關(guān)378關(guān)閉時(shí)，電流通過閉合的開關(guān)旁通可變LED芯片374。這就促使光引擎以一種溫度發(fā)射光。在開關(guān)378打開時(shí)，電流流過可變LED芯片374，促使它們發(fā)射光。這就促使光引擎以第二色溫發(fā)射光。這僅僅是可以根據(jù)本發(fā)明提供的多種不同開關(guān)設(shè)置方式中的兩種。圖25根據(jù)本發(fā)明示出了光引擎電路390的另一個(gè)實(shí)施例，其中包括LED芯片的控制組392和LED芯片的可變組394。電路還包括可變電阻機(jī)構(gòu)396，可以操縱該機(jī)構(gòu)以改變流過LED芯片控制組和可變組392，394的電流。這就相應(yīng)地改變了兩組之間的發(fā)光強(qiáng)度，從而如上所述改變光引擎的放射溫度。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本公開的優(yōu)點(diǎn)可以得出多種修改和變形而并不背離本發(fā)明主旨的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍。因此，必需理解已經(jīng)闡述的圖示實(shí)施例僅僅是為了作為示例， 并且不應(yīng)視為限制了由本發(fā)明所附權(quán)利要求確定的主旨。所以，本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍不應(yīng)受限于上述的各種方案。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)照明設(shè)備，包括 固態(tài)發(fā)光元的控制組；和 固態(tài)發(fā)光元的可變組，來自所述控制組和可變組的組合光促使發(fā)射光處于CIE圖中黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)，改變所述發(fā)光元的可變組的發(fā)光強(qiáng)度促使來自所述控制和可變發(fā)光兀的組合發(fā)射光在某一色溫范圍內(nèi)改變，同時(shí)仍然在所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)發(fā)光。
2.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中發(fā)光元的控制組包括發(fā)不同顏色光的第一LED芯片和第二 LED芯片。
3.如權(quán)利要求2所述的照明設(shè)備，其中所述第一發(fā)光LED芯片的發(fā)光點(diǎn)高于CIE圖中的BBL，而所述第二 LED芯片的發(fā)光點(diǎn)則低于BBL。
4.如權(quán)利要求2所述的照明設(shè)備，其中所述第一LED芯片包括藍(lán)移黃(BSY)LED芯片。
5.如權(quán)利要求2所述的照明設(shè)備，其中所述第二LED芯片包括紅色發(fā)光LED芯片。
6.如權(quán)利要求2所述的照明設(shè)備，其中所述第一LED芯片和第二 LED芯片之間的發(fā)射光之比在來自所述可變發(fā)光元的發(fā)射光改變時(shí)保持基本不變。
7.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片。
8.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元包括不同類型的發(fā)不同顏色光的發(fā)光兀。
9.如權(quán)利要求8所述的照明設(shè)備，其中來自所述不同類型發(fā)光元的光的比例在所述發(fā)光元的可變組的發(fā)射光改變時(shí)保持不變。
10.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片和綠色發(fā)光LED芯片。
11.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元每一個(gè)均包括具有涂以綠色熒光體的藍(lán)色LED的LED芯片。
12.如權(quán)利要求2所述的照明設(shè)備，其中來自所述發(fā)光元的可變組的發(fā)光點(diǎn)在CIE圖上位于來自所述第一 LED芯片和第二 LED芯片的發(fā)光點(diǎn)的左側(cè)。
13.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中來自所述控制組和可變組的組合發(fā)射光的CRI在所述色溫范圍內(nèi)始終具有大于90的CRI值。
14.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述標(biāo)準(zhǔn)偏差是所述BBL的0.01 Au’ v’。
15.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述色溫范圍約為2700到4000K。
16.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述色溫范圍約為2700到5000K。
17.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述色溫范圍約為2700到6500K。
18.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組發(fā)的光具有約為488nm的波長并且所述色溫范圍約為2700到4000K。
19.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組發(fā)的光具有約為487nm的波長并且所述色溫范圍約為2700到5000K。
20.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組發(fā)的光具有約為485nm的波長并且所述色溫范圍約為2700到6500K。
21.如權(quán)利要求I所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組包括發(fā)的光的波長在460nm和530nm的第一發(fā)光元和第二發(fā)光元，并且所述色溫范圍約為2700到6500K。
22.一種固態(tài)照明設(shè)備，包括 固態(tài)發(fā)光元的控制組，具有以高于CIE圖內(nèi)的黑體軌跡(BBL)的色點(diǎn)發(fā)光的第一發(fā)光元和以低于BBL的色點(diǎn)發(fā)光的第二發(fā)光元；以及 發(fā)光元的可變組，能夠改變發(fā)光元的可變組的發(fā)光強(qiáng)度以根據(jù)色溫范圍改變控制發(fā)光元和可變發(fā)光元的組合發(fā)射光，同時(shí)將所述發(fā)射光保持在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。
23.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中來自所述第一發(fā)光元和第二發(fā)光元的所述組合光組合為所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)的色點(diǎn)。
24.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述第一發(fā)光元包括藍(lán)移黃(BSY)LED芯片。
25.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述第二發(fā)光元包括紅色發(fā)光LED芯片。
26.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述第一LED芯片和第二 LED芯片之間的發(fā)射光之比在來自所述可變發(fā)光元的發(fā)射光改變時(shí)保持基本不變。
27.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片。
28.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元包括不同類型的發(fā)不同顏色光的發(fā)光兀。
29.如權(quán)利要求28所述的照明設(shè)備，其中來自所述不同類型的發(fā)光元的光的比例在所述發(fā)光元的可變組的發(fā)射光改變時(shí)保持不變。
30.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元包括藍(lán)色發(fā)光LED芯片和綠色發(fā)光LED芯片。
31.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述可變發(fā)光元每一個(gè)均包括具有涂以綠色熒光體的藍(lán)色LED的LED芯片。
32.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中來自所述發(fā)光元的可變組的發(fā)光點(diǎn)在CIE圖上位于來自所述第一發(fā)光元和第二發(fā)光元的發(fā)光點(diǎn)的左側(cè)。
33.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述標(biāo)準(zhǔn)偏差是所述BBL的0.01 Au’ v’。
34.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組發(fā)的光具有約為488nm的波長并且所述色溫范圍約為2700到4000K。
35.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組發(fā)的光具有約為487nm的波長并且所述色溫范圍約為2700到5000K。
36.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組發(fā)的光具有約為485nm的波長并且所述色溫范圍約為2700到6500K。
37.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，其中所述發(fā)光元的可變組包括發(fā)的光的波長在460nm和530nm的第一發(fā)光元和第二發(fā)光元，并且所述色溫范圍約為2700到6500K。
38.如權(quán)利要求22所述的照明設(shè)備，進(jìn)一步包括用于打開和關(guān)閉所述發(fā)光元的可變組的發(fā)射光的開關(guān)機(jī)構(gòu)。
39.一種用于改變來自照明設(shè)備的發(fā)射光的方法，包括 以CIE圖上的黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)的第一色點(diǎn)從第一光源提供發(fā)射光；以及 從第二光源提供發(fā)射光，第二光源的發(fā)光強(qiáng)度是可變的，由此根據(jù)發(fā)射光的范圍改變所述照明設(shè)備的發(fā)射光，發(fā)射光范圍全部都在所述黑體軌跡的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第一光源包括發(fā)出組合為所述色點(diǎn)的不同顏色的光的第一 LED芯片和第二 LED芯片。
41.如權(quán)利要求39所述的方法,其中所述第一光源包括第一發(fā)光(LED)芯片和第二發(fā)光(LED)芯片,其中所述第一發(fā)光二極管(LED)芯片發(fā)的光高于CIE圖中的BBL,而所述第二 LED芯片則低于BBL，來自所述第一 LED芯片和第二 LED芯片的發(fā)射光組合為所述顏色的第一色點(diǎn)。
42.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第一光源包括藍(lán)移黃(BSY)LED芯片和紅色發(fā)光LED芯片。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中所述第一LED芯片和第二 LED芯片之間的發(fā)射光之比在所述第二光源的發(fā)射光改變時(shí)始終保持基本不變。
44.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第二光源包括以基本相同的波長發(fā)光的LED 心/T
45.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第二光源包括不同類型的發(fā)基本上不同波長的光的發(fā)光兀。
46.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第二光源以在CIE圖上位于所述第一色點(diǎn)左側(cè)的第二色點(diǎn)發(fā)光。
47.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述標(biāo)準(zhǔn)偏差是所述BBL的0.01 Au’ v’。
48.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述色溫范圍至少是2700到4000K。
49.一種光引擎，包括 第一組固態(tài)發(fā)光元，包括在CIE圖內(nèi)的黑體軌跡(BBL)之上發(fā)光的第一發(fā)光元和在BBL下方發(fā)光的第二發(fā)光元，來自所述第一發(fā)光元和第二發(fā)光元的組合光生成的發(fā)射光色點(diǎn)在所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)；以及 第二組固態(tài)發(fā)光兀，來自所述第一組發(fā)光兀和第二組發(fā)光兀的組合光促使發(fā)射光處于黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)，其中改變第二組發(fā)光元的強(qiáng)度促使來自所述第一組發(fā)光元和第二組發(fā)光元的發(fā)射光在某一色溫范圍內(nèi)改變，同時(shí)仍然在所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)發(fā)光。
50.一種光引擎，包括 藍(lán)移綠(BSG)LED芯片，包括涂有綠色熒光體的藍(lán)色LED，所述綠色熒光體吸收從所述藍(lán)色LED發(fā)出的至少部分藍(lán)光并發(fā)出綠光；以及 紅色發(fā)光LED芯片，來自BSG LED芯片和紅色LED芯片的組合光生成色點(diǎn)在CIE圖的黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)的光。
51.如權(quán)利要求I所述的光引擎，其中所述BSGLED芯片發(fā)的光具有確定一個(gè)點(diǎn)的x，y顏色坐標(biāo)，所述點(diǎn)在1931CIE色度圖上位于由多條線段確定的顏色空間封閉的區(qū)域內(nèi)，所述多條線段連接x，y坐標(biāo)為0. 13，0. 26的第一點(diǎn)、x，y坐標(biāo)為0. 15，0. 20的第二點(diǎn)、x，y坐標(biāo)為0. 35，0. 48的第三點(diǎn)、X, y坐標(biāo)為0. 26，0. 50的第四點(diǎn)以及x, y坐標(biāo)為0. 26，0. 28的第五點(diǎn)。
52.如權(quán)利要求51所述的光引擎，其中所述標(biāo)準(zhǔn)偏差包括十階麥克亞當(dāng)橢圓。
53.如權(quán)利要求51所述的光引擎，其中所述標(biāo)準(zhǔn)偏差包括四階麥克亞當(dāng)橢圓。
54.如權(quán)利要求51所述的光引擎,其中所述紅色發(fā)光兀發(fā)的光處于600到660nm的波長范圍內(nèi)。
55.如權(quán)利要求51所述的光引擎,其中所述紅色發(fā)光兀發(fā)的光處于605到625nm的波長范圍內(nèi)。
56.如權(quán)利要求51所述的光引擎，具有大于或等于90的CRIRa，并且相關(guān)色溫在3500到15000K的范圍內(nèi)。
57.如權(quán)利要求51所述的光引擎，具有大于或等于75的CRIRa，并且相關(guān)色溫在2500到20000K的范圍內(nèi)。
58.如權(quán)利要求51所述的光引擎，進(jìn)一步包括可變LED芯片12，所述可變LED芯片12的發(fā)光強(qiáng)度能夠改變，從而改變所述BSY LED和紅色LED芯片的組合發(fā)射光，所述可變發(fā)光元遵循某一色溫范圍，同時(shí)仍將所述發(fā)射光保持在所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。
59.一種固態(tài)照明設(shè)備，包括 固態(tài)發(fā)光元的控制組，包括藍(lán)移綠(BSG)LED芯片和紅色LED芯片；以及 固態(tài)發(fā)光元的可變組，來自所述控制組和可變組的組合光促使發(fā)射光處于CIE圖中黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)，改變所述發(fā)光元的可變組的發(fā)光強(qiáng)度促使來自控制發(fā)光元和可變發(fā)光元的組合發(fā)射光在某一色溫范圍內(nèi)改變，同時(shí)仍然在所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)發(fā)光。
60.如權(quán)利要求59所述的固態(tài)照明設(shè)備，其中所述BSGLED芯片發(fā)的光具有確定一個(gè)點(diǎn)的x，y顏色坐標(biāo)，所述點(diǎn)在1931 CIE色度圖上位于由多條線段確定的顏色空間封閉的區(qū)域內(nèi)，所述多條線段連接x，y坐標(biāo)為0. 13，0. 26的第一點(diǎn)、x，y坐標(biāo)為0. 15，0. 20的第二點(diǎn)、X, y坐標(biāo)為0. 35，0. 48的第三點(diǎn)、x，y坐標(biāo)為0. 26，0. 50的第四點(diǎn)以及x, y坐標(biāo)為0. 26，0. 28的第五點(diǎn)。
61.如權(quán)利要求59所述的固態(tài)照明設(shè)備，其中所述紅色發(fā)光元發(fā)的光處于600到660nm的波長范圍內(nèi)。
62.一種固態(tài)照明設(shè)備，包括 固態(tài)發(fā)光元的控制組；和 包括藍(lán)移綠(BSG)LED芯片的固態(tài)發(fā)光元的可變組，來自控制組和可變組的組合光促使發(fā)射光處于CIE圖中黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)，改變所述發(fā)光元的可變組的發(fā)光強(qiáng)度促使來自控制發(fā)光元和可變發(fā)光元的組合發(fā)射光在某一色溫范圍內(nèi)改變，同時(shí)仍然在所述BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)發(fā)光。
63.如權(quán)利要求62所述的固態(tài)照明設(shè)備，其中所述BSGLED芯片發(fā)的光具有確定一個(gè)點(diǎn)的x，y顏色坐標(biāo)，所述點(diǎn)在1931 CIE色度圖上位于由多條線段確定的顏色空間封閉的區(qū)域內(nèi)，所述多條線段連接x，y坐標(biāo)為0. 13，0. 26的第一點(diǎn)、x，y坐標(biāo)為0. 15，0. 20的第二點(diǎn)、X, y坐標(biāo)為0. 35，0. 48的第三點(diǎn)、x，y坐標(biāo)為0. 26，0. 50的第四點(diǎn)以及x, y坐標(biāo)為0. 26，0. 28的第五點(diǎn)。
全文摘要
固態(tài)照明設(shè)備和光引擎包括第一組固態(tài)發(fā)光元，其中包括高于CIE圖內(nèi)的黑體軌跡(BBL)發(fā)射光的第一發(fā)光元和低于BBL發(fā)射光的第二發(fā)光元。來自第一和第二發(fā)光元的組合光生成的發(fā)射光色點(diǎn)在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)。還包括有第二組固態(tài)發(fā)光元，來自第一組和第二組發(fā)光元的組合光促使發(fā)射光處于黑體軌跡(BBL)的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)，其中改變第二組發(fā)光元的強(qiáng)度以促使來自第一組和第二組發(fā)光元的發(fā)射光在某一色溫范圍內(nèi)改變，同時(shí)仍然在BBL的標(biāo)準(zhǔn)偏差以內(nèi)發(fā)光。
文檔編號(hào)H05B33/08GK102714897SQ201080062058
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2010年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月21日
發(fā)明者A·P·萬德文, G·尼格利 申請(qǐng)人:克里公司