專利名稱：顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置、顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法、el顯示面板及el顯 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置、顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法、EL顯示面板及EL顯示裝置，尤其涉及有源矩陣方式的顯示裝置所使用的薄膜半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置等有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的顯示 裝置中，作為選擇像素的開關(guān)元件或驅(qū)動(dòng)顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件，使用薄膜晶體管(TFT Thin FilmTransistor)。薄膜晶體管用于顯示裝置的有源矩陣基板，現(xiàn)在，大力進(jìn)行面向高性能化的開發(fā)。尤其是，隨著顯示裝置的大型化、高精細(xì)化，要求薄膜晶體管的高驅(qū)動(dòng)能力時(shí)，作為溝道層(活性層)使用結(jié)晶化的半導(dǎo)體薄膜(多晶硅、微結(jié)晶硅)的薄膜晶體管受到注目。作為半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶化工藝，取代已經(jīng)確立的、采用1000°C以上的處理溫度的高溫工藝技術(shù)，正開發(fā)采用600°C以下的處理溫度的低溫工藝。在低溫工藝中，不需要使用耐熱性優(yōu)良的石英等高價(jià)基板，能夠謀求制造成本的降低。作為低溫工藝的一環(huán)，使用激光束進(jìn)行加熱的激光退火受到注目。該激光退火是對(duì)成膜于玻璃等低耐熱性絕緣基板上的非晶硅等非結(jié)晶性的半導(dǎo)體薄膜照射激光束進(jìn)行局部加熱熔融，然后在其冷卻過程中使半導(dǎo)體薄膜結(jié)晶化。結(jié)晶化后的半導(dǎo)體薄膜的載流子的遷移率變高，因此能夠使薄膜晶體管高性能化(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。此外，作為薄膜晶體管的構(gòu)造，主流是柵電極配置于溝道層的下方的底柵型的構(gòu)造。以下，使用圖21、圖22A 圖22C及圖23說明以往的底柵型的薄膜晶體管。圖21是顯示裝置的I個(gè)像素中的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。此外，圖22A是沿著圖21的Xl - ΧΓ線切斷的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖22B是沿著圖21的X2 - X2’線切斷的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖22C是沿著圖21的Y — Y’線切斷的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖23與圖22A對(duì)應(yīng)，是表示從圖21的Xl - ΧΓ的剖面觀察時(shí)的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的主要部分的立體圖。如圖21、圖22A 圖22C及圖23所示，以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置9包括沿著像素的行方向形成的柵極布線921、沿著像素的列方向形成的源極布線922、和在柵極布線921與源極布線922交叉的部位設(shè)置的薄膜晶體管910。如圖22A所示，薄膜晶體管910是底柵型的薄膜晶體管，是由依次形成在基板900上的柵電極910G、柵極絕緣膜930、半導(dǎo)體層911 (溝道層)、以及一對(duì)源電極910S及漏電極9IOD構(gòu)成的層疊構(gòu)造體。如圖21及圖22A所示，柵電極9IOG從柵極布線921延伸設(shè)置，形成在與柵極布線921同層的第I金屬層ML1’。柵極絕緣膜930形成于基板900上以覆蓋柵極布線921及柵電極910G。半導(dǎo)體層911以與柵電極910G重疊的方式在柵極絕緣膜930上形成為島狀。一對(duì)源電極910S及漏電極910D形成為與半導(dǎo)體層911的一部分重疊，且彼此相對(duì)向地隔開配置。源電極910S及漏電極910D形成在與源極布線922同層的第2金屬層ML2’。另夕卜，層疊有層間絕緣膜940，以覆蓋薄膜晶體管910、柵極布線921及源極布線922。在此，在底柵型的薄膜晶體管910中，通過在柵電極910G上形成非晶硅、用激光退火使其結(jié)晶化，由此形成半導(dǎo)體層911的情況下，在非晶硅的熔融時(shí)激光退火的熱在柵電極910G中傳遞而放散。因此，為了抑制半導(dǎo)體層911的結(jié)晶化時(shí)的激光退火的熱放散，優(yōu)選用導(dǎo)熱率小的材料構(gòu)成柵電極910G。另一方面，關(guān)于柵極布線921，若布線電阻高，則會(huì)出現(xiàn)信號(hào)延遲、或因電壓降低而產(chǎn)生顯示不均。尤其是，若面板面積大型化，驅(qū)動(dòng)頻率增大，則布線電阻的影響變大。因此，優(yōu)選用電阻率(比電阻)低的材料構(gòu)成柵極布線921。如上所述，柵電極910G及柵極布線921形成于同一層，因此多是用同一材料構(gòu)成。因此，若從上述的半導(dǎo)體層911的結(jié)晶化的方面考慮用導(dǎo)熱率小的材料構(gòu)成柵電極910G， 則柵極布線921也由相同的導(dǎo)熱小的材料構(gòu)成。而若從柵極布線921的布線電阻的方面考慮用電阻率低的材料構(gòu)成柵極布線921，則柵電極910G也由相同的電阻率低的材料構(gòu)成。但是，導(dǎo)熱率小的金屬材料幾乎都是電阻率高的物質(zhì)，因此難以同時(shí)滿足半導(dǎo)體層911的結(jié)晶化的方面和柵極布線921的布線電阻的方面這兩方面要求。因此，以往，提出了同時(shí)滿足這兩方面要求的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置(參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)2中公開了為了兼顧柵電極的導(dǎo)熱性和柵極布線的低電阻化，做成將柵極布線分為2個(gè)部分的結(jié)構(gòu)。即，在專利文獻(xiàn)2的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置中，柵極布線由與柵電極一體形成的一體部、和通過接觸孔與該一體部連接的分體部構(gòu)成。此外，柵極布線的一體部和源極布線是夾著柵極絕緣膜而立體交叉的構(gòu)造。并且，柵電極和柵極布線的一體部使用具有低于柵極布線的分體部的導(dǎo)熱率的材料，而柵極布線的分體部使用具有低于柵電極的電阻率的材料。專利文獻(xiàn)I :日本特開平07 - 235490號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2007 - 047808號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在專利文獻(xiàn)2公開的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置中，柵電極和柵極布線的一體部依然由相同材料構(gòu)成。因此，若從半導(dǎo)體層的結(jié)晶化的方面考慮，用導(dǎo)熱率低的材料構(gòu)成柵電極，則柵極布線的一體部的電阻率變高，柵極布線的一體部高電阻化。結(jié)果，存在如下問題作為包括一體部在內(nèi)的整個(gè)柵極布線，不能使布線電阻充分降低。此外，由于柵極布線中的一體部和分體部是按各像素由2處接觸孔連接，因此還存在在一體部和分體部的接觸部分產(chǎn)生IR壓降(因布線上產(chǎn)生的電流I與電阻R之積引起的電壓降低)的問題。而且，I行柵極布線是一體部和分體部交替連接的構(gòu)造，因此還存在如下問題若在一體部和分體部的接觸部分中的一部位發(fā)生連接不良，則沿著柵極布線的I行的所有像素都不良。而且，柵極布線和與薄膜晶體管連接的電源布線隔著膜厚為200nm左右的柵極絕緣膜立體交叉。因此，還存在如下問題若為了薄膜晶體管的高性能化而欲使柵極絕緣膜薄膜化，則柵極布線與電源布線的間隔進(jìn)一步變窄，布線間的寄生電容增加。本發(fā)明是為了解決上述問題而做出的，其目的在于提供一種能夠用適合于各自的材料構(gòu)成柵電極及柵極布線，并且能夠降低柵極布線與電源布線之間的寄生電容的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置、顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法、EL顯示面板及EL顯示裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案，包括基板；柵電極，形成于基板上；柵極絕緣膜，覆蓋所述柵電極并形成于所述基板上；半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣膜上且在所述柵電極的上方;第I電極，形成于所述半導(dǎo)體層的上方;第2電極，形成于與所述第I電極同層；第I電源布線，與所述第2電極電連接，形成于與該第2電極同層；層間絕緣膜，覆蓋所述第I電極及所述第2電極并形成于所述柵極絕緣膜的上方；柵極布線，形成在作為與形成有所述柵電極的層不同的層的所述層間絕緣膜上，與所述 第I電源布線交叉地配置；和第2電源布線，形成于與所述柵極布線同層，并且與所述柵極布線并行配置，所述柵電極和所述柵極布線經(jīng)由設(shè)置成貫穿所述柵極絕緣膜及所述層間絕緣膜的第I導(dǎo)電部而電連接，所述第I電源布線和所述第2電源布線經(jīng)由設(shè)置成貫穿所述層間絕緣膜的第2導(dǎo)電部而電連接。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置，能夠用不同的層構(gòu)成柵極布線和柵電極，能夠選擇合適于各自的材料。而且，由于能夠確保柵極布線與第I電源布線的膜厚間距離，因此能夠降低柵極布線與第I電源布線之間的寄生電容。而且，由于第I電源布線和第2電源布線交叉配置，因此第2電極能夠從第I電源布線和第2電源布線雙方接受電源供給。由此，對(duì)于隨著顯示裝置的大畫面化而在顯示區(qū)域的中央?yún)^(qū)域產(chǎn)生的IR壓降，能夠減少IR壓降量。而且，第2電源布線形成在與柵極布線同層且與柵極布線并行地配置，因此能夠由第2電源布線減輕由層間絕緣膜上的柵極布線產(chǎn)生的凹凸。由此，能夠提高顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦度。


圖I是將本發(fā)明的第I實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板的一部分切去的立體圖。圖2是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的母基板的圖。圖3是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板中的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板中的一個(gè)像素的剖面的剖面圖。圖5是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的俯視圖。圖6是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置(一部分透視)的俯視圖。圖7是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖8是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置(一部分透視)的俯視圖。圖9A是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖7的Xl - ΧΓ線剖面圖)。圖9B是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖7的X2 - X2’線剖面圖)。
圖IOA是從圖7的X3 — X3’剖面觀察時(shí)的本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的立體圖。圖IOB是從圖8的X3 — X3’剖面觀察時(shí)的本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的立體圖。圖IlA是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的基板準(zhǔn)備工序的剖面圖。圖IlB是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的第I金屬層(柵電極)形成工序的剖面圖。圖IlC是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的柵極絕緣膜形成工序的剖面圖。圖IlD是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜形成工序及結(jié)晶性半導(dǎo)體膜形成工序(激光照射工序)的剖面圖。圖IlE是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的半導(dǎo)體層形成工序(島化工序)的剖面圖。圖IlF是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的第4接觸孔形成工序的剖面圖。圖IlG是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的第2金屬層形成工序的剖面圖。圖IlH是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的第I層間絕緣膜形成工序的剖面圖。圖IlI是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的第2接觸孔形成工序的剖面圖。圖IlJ是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法中的第3金屬層工序的剖面圖。圖12是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置中的薄膜晶體管的TFT特性的圖。圖13是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖14是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖15是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置(一部分透視)的俯視圖。圖16是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖14的X2 - X2’線剖面圖)。圖17是用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置中的薄膜晶體管的TFT特性的圖。
圖18是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖19A是表示本發(fā)明的有機(jī)EL顯示面板的一例的剖面立體圖。圖19B是表示本發(fā)明的有機(jī)EL顯示面板的另一例的剖面立體圖。圖20是表示本發(fā)明的EL顯示裝置的一例的外觀立體圖。圖21是顯示裝置的I個(gè)像素中的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖22k是以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖21的Xl — XI’線剖面圖)。圖22B是以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖21的X2 — X2’線剖面圖)。圖22C是以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的剖面圖(圖21的Y — Y’線剖面圖)。
圖23是表示從圖21的Xl — ΧΓ的剖面觀察時(shí)的以往的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的主要部分的立體圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案，包括基板；柵電極，形成于基板上；柵極絕緣膜，覆蓋所述柵電極并形成于所述基板上；半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣膜上且在所述柵電極的上方;第I電極，形成于所述半導(dǎo)體層的上方；第2電極，形成于與所述第I電極同層；第I電源布線，與所述第2電極電連接，形成于與該第2電極同層；層間絕緣膜，覆蓋所述第I電極及所述第2電極并形成于所述柵極絕緣膜的上方；柵極布線，形成在作為與形成有所述柵電極的層不同的層的所述層間絕緣膜上，與所述第I電源布線交叉地配置；和第2電源布線，形成于與所述柵極布線同層，并且與所述柵極布線并行配置，所述柵電極和所述柵極布線經(jīng)由設(shè)置成貫穿所述柵極絕緣膜及所述層間絕緣膜的第I導(dǎo)電部而電連接，所述第I電源布線和所述第2電源布線經(jīng)由設(shè)置成貫穿所述層間絕緣膜的第2導(dǎo)電部而電連接。根據(jù)本方案，柵極布線配置在作為與形成有柵電極的層不同的層的層間絕緣膜上，因此柵極布線和柵電極能夠分別選擇合適于各自的材料。而且，由于柵極布線形成在層間絕緣膜的上層，第I電源布線形成在層間絕緣膜的下層，因此能夠增大層間絕緣膜的膜厚，從而確保柵極布線與第I電源布線的膜厚間距離。由此，能夠減少柵極布線與第I電源布線之間的寄生電容。而且，第2電極與第I電源布線電連接，并且第I電源布線與第2電源布線電連接，第I電源布線和第2電源布線交叉配置。由此，第2電極能夠從第I電源布線和第2電源布線雙方接受電源供給，因此對(duì)于隨著大畫面化在顯示區(qū)域的中央?yún)^(qū)域產(chǎn)生的IR壓降，能夠減少IR壓降量。而且，第2電源布線形成在與柵極布線同層且與柵極布線并行地配置，因此能夠用第2電源布線減輕由層間絕緣膜上的柵極布線產(chǎn)生的凹凸。由此，能夠使顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦度提高。而且，能夠?qū)τ诘?電極通過第I電源布線及第2電源布線這2個(gè)電源布線供給電力。由此，能夠抑制像素不良，因此能夠抑制顯示裝置的顯示不均。而且，在本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第2電源布線形成為與所述柵極布線相同或預(yù)定的近似值的高度，所述第2電源布線是具有與相鄰的2個(gè)所述柵極布線之間的寬度對(duì)應(yīng)的寬度的布線。根據(jù)本方案，能夠使顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦性進(jìn)一步提高。即，若柵極布線形成在層間絕緣膜上，則在該狀態(tài)下，比不形成柵極布線的區(qū)域突出柵極布線的膜厚的量。對(duì)此，根據(jù)本方案，第2電源布線是具有與相鄰于第2電源布線的2個(gè)柵極布線之間的寬度對(duì)應(yīng)的寬度的布線，因此能夠?qū)⒌?電源布線用作平坦化用的結(jié)構(gòu)，能夠用簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)確保顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦性。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第2電源布線與所述相鄰的2個(gè)柵極布線的距離是4 μ m以上。根據(jù)本方案，能夠?qū)⒌?電源布線和柵極布線互不影響地配置，能夠使顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦性提高。
而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第2電源布線形成為與所述柵極布線相同或預(yù)定的近似值的高度，所述第2電源布線與所述柵極布線接近地配置以使得將相鄰的2個(gè)該柵極布線之間填埋。根據(jù)本方案，能夠使顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦性進(jìn)一步提高。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第2電源布線形成為與所述柵極布線相同或預(yù)定的近似值的高度，所述第2電源布線是具有比所述第I電源布線的寬度寬的寬度的布線。根據(jù)本方案，能夠使顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦性進(jìn)一步提高。此外，能夠使第2電源布線比第I電源布線低電阻化，能夠大幅度減輕IR壓降。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第2電源布線具有均勻膜厚，且按照該第2電源布線的下層的表面形狀形成。根據(jù)本方案，能夠?qū)⒌?電源布線的俯視形狀形成為大致略平板形狀。由此，能夠?qū)⒌?電源布線做成具有比第I電源布線的寬度寬的寬度的平板形狀的布線，能夠使第2電源布線為低電阻布線。因此，從布線電阻低的第2電源布線經(jīng)由第I電源布線對(duì)第2電極進(jìn)行電源供給，因此對(duì)于隨著大畫面化在顯示區(qū)域的中央?yún)^(qū)域產(chǎn)生的IR壓降，能夠大幅度降低其壓降量。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述半導(dǎo)體層是η溝道型，所述第2電源布線的至少一部分配置成與所述半導(dǎo)體層不重疊。根據(jù)本方案，η溝道型的半導(dǎo)體層構(gòu)成為與第2電源布線不重疊，因此能夠抑制在背溝道感應(yīng)出載流子。由此，能夠抑制截止泄漏電流的發(fā)生，因此能夠?qū)崿F(xiàn)截止特性優(yōu)良的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述半導(dǎo)體層是P溝道型，所述第2電源布線的至少一部分配置成與所述半導(dǎo)體層重疊。根據(jù)本方案，由于P溝道型的半導(dǎo)體層構(gòu)成為與第2電源布線重疊，因此能夠使背溝道的電位穩(wěn)定。由此，能夠減少截止泄漏電流，能夠?qū)崿F(xiàn)截止特性優(yōu)良的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第I電極是源電極，所述第2電極是漏電極。此外，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中還可以是，所述第I電極是漏電極，所述第2電極是源電極。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，由形成有所述柵極布線的層和形成有所述第I電源布線的層所夾著的所述層間絕緣膜形成的單位面積的電容，比由形成有所述柵電極的層和形成有所述第I電源布線的層所夾著的所述柵極絕緣膜形成的單位面積的電容小。此時(shí)，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，由所述層間絕緣膜形成的電容小于I. 5X IO-4F / m2，由所述柵極絕緣膜形成的電容為
I.5 X KT4F / m2 以上。
根據(jù)本方案，在層間絕緣膜和柵極絕緣膜為同一材料的情況下，層間絕緣膜的膜厚比柵極絕緣膜的膜厚厚。由此，能夠使層間絕緣膜上的柵極布線和層間絕緣膜下的第I電源布線之間的間隔分隔開柵極絕緣膜的膜厚以上，因此能夠進(jìn)一步減少柵極布線與第I電源布線之間的寄生電容。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述半導(dǎo)體層包含多結(jié)晶性半導(dǎo)體層。根據(jù)本方案，由于能夠通過多結(jié)晶性半導(dǎo)體層提高載流子的遷移率，因此能夠?qū)崿F(xiàn)具有導(dǎo)通特性優(yōu)良的薄膜晶體管的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，構(gòu)成所述第2電源布線的材料包括從Al、Cu、Ag選擇的任一元素。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的一方案中優(yōu)選，所述第2電源布線是多層布線，構(gòu)成所述第2電源布線的主布線是從Al、Cu、Ag選擇的任一種。根據(jù)本方案，能夠用在布線用材料中電阻率小的金屬材料構(gòu)成，因此能夠進(jìn)一步減小第2電源布線的電阻。此外，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法的一方案，包括第I工序，準(zhǔn)備基板;第2工序，在所述基板上形成柵電極;第3工序，覆蓋所述柵電極并在所述基板上形成柵極絕緣膜；第4工序，在所述柵極絕緣膜上、在所述柵電極的上方形成半導(dǎo)體層；第5工序，在所述半導(dǎo)體層的上方形成第I電極，并且在與所述第I電極同層形成第2電極及與該第2電極電連接的第I電源布線；第6工序，覆蓋所述第I電極及所述第2電極并在所述柵極絕緣膜的上方形成層間絕緣膜；第7工序，形成貫穿所述柵極絕緣膜及所述層間絕緣膜的第I接觸孔、及貫穿所述層間絕緣膜的第2接觸孔；和第8工序，通過在所述層間絕緣膜上形成金屬膜、對(duì)該金屬膜進(jìn)行圖案形成，從而形成與所述第I電源布線交叉的、經(jīng)由所述第I接觸孔與所述柵電極電連接的柵極布線，并且形成與所述柵極布線并行的、經(jīng)由所述第2接觸孔與所述第I電源布線電連接的第2電源布線。根據(jù)本方案，能夠容易制造上述的本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。而且，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法的一方案中優(yōu)選，在所述第4工序形成的半導(dǎo)體膜是非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜，包括如下工序在所述第4工序和所述第5工序之間，對(duì)所述非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜照射預(yù)定的激光，通過所述預(yù)定的激光的照射使所述非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜的溫度為預(yù)定的溫度范圍，使所述非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜結(jié)晶化。根據(jù)本方案，能夠形成含有多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜的半導(dǎo)體層，能夠制造含有導(dǎo)通特性優(yōu)良的薄膜晶體管的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的EL顯示面板的一方案，包括顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置，以像素為單位配置有多個(gè)上述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置；多個(gè)下部電極，以所述像素為單位配置在所述顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的上方;第3導(dǎo)電部，將多個(gè)所述顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置和所述多個(gè)下部電極電連接；發(fā)光層，形成在所述下部電極的上方；和上部電極，設(shè)于所述發(fā)光層的上方。而且，本發(fā)明的EL顯示面板的一方案中優(yōu)選，包括形成在所述顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的上方的、具有多個(gè)開口部的堤，所述發(fā)光層形成在所述開口部?jī)?nèi)。而且，本發(fā)明 的EL顯示面板的一方案中優(yōu)選，所述開口部與所述下部電極對(duì)應(yīng)地形成。而且，本發(fā)明的EL顯示面板的一方案中優(yōu)選所述發(fā)光層是有機(jī)發(fā)光層。根據(jù)本方案，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示性能優(yōu)良的EL顯示面板。此外，本發(fā)明的EL顯示裝置的一方案，具有上述的EL顯示面板。以下，參照

本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置、顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法、EL顯示面板及EL顯示裝置的實(shí)施方式及實(shí)施例。另外，各圖是用于說明的示意圖，膜厚及各部分的大小比例等并不一定嚴(yán)密地示出。(第I實(shí)施方式)首先，使用圖I說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL(Electro Luminescence,電致發(fā)光)面板。圖I是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板的一部分切掉的立體圖。如圖I所示，本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板I是有機(jī)EL顯示面板(有機(jī)EL顯示器)，包括作為自發(fā)光型顯示元件的有機(jī)EL元件10、由形成有薄膜晶體管及各種布線等的有源矩陣基板構(gòu)成的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20。有機(jī)EL元件10包括依次形成在顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20上的下部電極12、有機(jī)發(fā)光層13及上部電極14。有機(jī)發(fā)光層13是電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層等層疊而構(gòu)成。顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20包括多個(gè)像素100配置成矩陣狀(行列狀)的像素部，在各像素100設(shè)有包括薄膜晶體管(未圖示)的像素電路30。此外，顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20包括配置成矩陣狀的柵極布線21及源極布線22。柵極布線21沿行方向排列多條，源極布線22沿列方向排列多條。此外，柵極布線21及源極布線22以正交的方式構(gòu)成，分別將各像素電路30和控制電路(未圖示)連接。在各像素電路30，作為用于選擇像素100的開關(guān)元件及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件10的驅(qū)動(dòng)元件，至少設(shè)有2個(gè)薄膜晶體管。另外，在圖I中雖然未圖示，但顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20包括沿列方向排列的多個(gè)第I電源布線23A及沿行方向排列的多個(gè)第2電源布線23B。多個(gè)第I電源布線23A與源極布線22平行地配置，與各像素100的驅(qū)動(dòng)元件連接。如此，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示面板I采用按被柵極布線21和源極布線22劃分出的各像素100而進(jìn)行顯示控制的有源矩陣方式。接著，使用圖2說明制作本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的一例。圖2表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的母基板。如圖2所示，母基板包括2個(gè)顯示部200，通過將該母基板切斷為2個(gè)，從而能夠得到2個(gè)顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20。各顯示部200，如上所述，構(gòu)成為像素100被配置成矩陣狀(行列狀)。另外，在圖2中，對(duì)像素100僅圖示出顯示部200的角部的像素。此外，在圖2中，示出了母基板包括2個(gè)顯示部200、使用2個(gè)顯示面板的例子，但也可以是顯示部200為2個(gè)以上的多個(gè)，此外，也可以使顯示部200僅為I個(gè)。接著，使用圖3說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板中的像素的電路結(jié)構(gòu)。圖3是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板中的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)圖。以下，在圖3 圖13所示的本發(fā)明的第I實(shí)施方式中，以第I薄膜晶體管及第2薄膜晶體管為P溝道型的TFT進(jìn)行說明。如圖3所示，各像素100具有包括第I薄膜晶體管310、第2薄膜晶體管320及電容器300C的像素電路30、以及有機(jī)EL元件10。第I薄膜晶體管310是用于選擇像素100的選擇晶體管(開關(guān)晶體管)，第2薄膜晶體管320是用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件10的驅(qū)動(dòng)晶體管。第I薄膜晶體管310具有第I源電極310S、第I漏電極310D及第I柵電極310G。 第I源電極310S與源極布線22連接，第I柵電極310G與柵極布線21連接。此外，第I漏電極310D與電容器300C(capacitor)及第2薄膜晶體管320的第2柵電極320G連接。當(dāng)電壓施加于柵極布線21及源極布線22時(shí)，第I薄膜晶體管310將施加于源極布線22的電壓值作為顯示數(shù)據(jù)保存于電容器300C。第2薄膜晶體管320具有第2源電極320S、第2漏電極320D及第2柵電極320G。第2漏電極320D與有機(jī)EL元件10的陽極(下部電極)連接，第2源電極320S與第I電源布線23A連接。此外，第2柵電極320G與第I薄膜晶體管310的第I漏電極310D連接。第2薄膜晶體管320將與電容器300C所保持的電壓值對(duì)應(yīng)的電流從第I電源布線23A通過第2漏電極320D供給到有機(jī)EL元件10的陽極。在這樣構(gòu)成的像素100中，當(dāng)柵極信號(hào)輸入到柵極布線21，使第I薄膜晶體管310為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，經(jīng)由源極布線22供給的信號(hào)電壓被寫入電容器300C。并且，寫入電容器300C的保持電壓在I幀期間內(nèi)被保持。由于該保持電壓，第2薄膜晶體管320的電導(dǎo)以模擬方式變化，與發(fā)光色階對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流從有機(jī)EL元件10的陽極流向陰極。由此，有機(jī)EL元件10發(fā)光，作為圖像而顯示。接著，使用圖4說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板中的像素的構(gòu)成。圖4是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板中的一像素的剖面的剖面圖。如圖4所示，本發(fā)明的第I實(shí)施方式的EL顯示面板I中的各像素包括作為用于選擇像素的開關(guān)晶體管的第I薄膜晶體管310、和作為用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件10的驅(qū)動(dòng)晶體管的第2薄膜晶體管320。如上所述，第I薄膜晶體管310具有第I源電極310S、第I漏電極310D及第I柵電極310G。此外，第2薄膜晶體管320具有第2源電極320S、第2漏電極320D及第2柵電極320G。如圖4所示，在各像素，在基板300上形成有第I柵電極3IOG及第2柵電極320G。此外，形成柵極絕緣膜330以覆蓋第I柵電極310G及第2柵電極320G。在第I柵電極310G的上方且在柵極絕緣膜330上形成有第I半導(dǎo)體層311。此夕卜，在第2柵電極320G的上方且在柵極絕緣膜330上形成有第2半導(dǎo)體層321。將一對(duì)第I源電極310S及第I漏電極310D配置成彼此相對(duì)向地分離開，以覆蓋第I半導(dǎo)體層311的一部分。此外，將一對(duì)第2源電極320S及第2漏電極320D配置成彼此相對(duì)向地分離開，以覆蓋第2半導(dǎo)體層321的一部分。
第I薄膜晶體管310的第I源電極310S與源極布線22電連接。此外，第2薄膜晶體管320的第2源電極320S與第I電源布線23A電連接。而且，形成第I層間絕緣膜340 (下部層間絕緣膜)以覆蓋第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320。第I層間絕緣膜340例如作為用于保護(hù)第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320的鈍化膜發(fā)揮作用。在第I層間絕緣膜340上形成有第2電源布線23B。第2電源布線23B經(jīng)由形成于第I層間絕緣膜340的接觸孔與第I電源布線23A電連接。在第I層間絕緣膜340上形成第2層間絕緣膜350 (上部層間絕緣膜)以覆蓋第2電源布線23B。第2層間絕緣膜350例如作為用于使顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的上面平坦的平坦化膜而發(fā)揮作用。由此，能夠?qū)⑸蠈拥挠袡C(jī)EL元件10形成得平坦。
在第2層間絕緣膜350上形成有依次層疊下部電極12、有機(jī)發(fā)光層13及上部電極14而成的有機(jī)EL元件10。在第2層間絕緣膜350上，在與相鄰的像素之間的邊界部分形成有堤(bank) 15。在由相鄰的堤15構(gòu)成的開口形成下部電極12及有機(jī)發(fā)光層13。另夕卜，在第2層間絕緣膜350上形成有輔助布線，該輔助布線形成為包圍有機(jī)發(fā)光層13，且與有機(jī)EL元件10的上部電極14電連接。下部電極12是以像素為單位配置的陽極，形成在第2層間絕緣膜350上。下部電極12經(jīng)由貫穿第I層間絕緣膜340及第2層間絕緣膜350的接觸孔，與第2薄膜晶體管的第2漏電極320D電連接。有機(jī)發(fā)光層13 (有機(jī)EL層)以顏色(子像素列)為單位或以子像素為單位形成，由預(yù)定的有機(jī)發(fā)光材料構(gòu)成。上部電極14是配置在有機(jī)發(fā)光層13的上方，跨及多個(gè)像素地形成的陰極，由ITO等透明電極構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，上部電極14是在所有像素共用的共用電極。另外，上部電極14在本實(shí)施方式中是接地電位。在如此構(gòu)成的有機(jī)EL顯示面板I中，將形成有最下層的薄膜晶體管的層作為TFT層(TFT部)LI，將形成有最上層的有機(jī)EL元件10的層作為有機(jī)EL層(有機(jī)EL部)L3，將TFT層LI與有機(jī)EL層L3之間的、形成有各種布線的層作為布線層(布線部)L2。如圖4所示，在布線層L2例如形成有第2電源布線23B。此外，在TFT層LI中，將形成有第I柵電極310G及第2柵電極320G的層作為第I金屬層MLl。此外,將形成有一對(duì)第I源電極3IOS及第I漏電極3IOD和一對(duì)第2源電極320S及第2漏電極320D的層作為第2金屬層ML2。因此，如圖4所示，在本實(shí)施方式中，源極布線22及第I電源布線23A形成于第2金屬層ML2。此外，在布線層L2中，將形成有第2電源布線23B的層作為第3金屬層ML3。另夕卜，在第3金屬層ML3也形成有柵極布線21，關(guān)于此將后述。在這些第I金屬層MLl 第3金屬層ML3中，形成于同一金屬層的電極及布線等金屬部件可以通過對(duì)同一金屬膜進(jìn)行圖案形成而同時(shí)形成。接著，使用圖5及圖6說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置。圖5是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的俯視圖。此外，圖6是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的俯視圖，表示透視了形成于布線層L2的布線及絕緣膜的狀態(tài)。
如圖5所示，本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20包括呈矩陣狀(行列狀)排列的像素100，多個(gè)柵極布線21及多個(gè)第2電源布線23B沿著像素100的行方向彼此平行地配置。第2電源布線23B配置在相鄰的柵極布線21之間，形成為與柵極布線21同層，并與柵極布線21并行配置。另外，第2電源布線23B和柵極布線21形成在圖4所示的布線層L2的第3金屬層ML3。此外，柵極布線21及第2電源布線23B形成在第I層間絕緣膜340 (未圖示)之上。圖6是在圖5中透視了柵極布線21及第2電源布線23B的狀態(tài)的圖。另外，在圖6中，用虛線表示形成柵極布線21及第2電源布線23B的區(qū)域。如圖6所示，本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20包括沿像素100的列方向彼此平行配置的多個(gè)源極布線22及多個(gè)第I電源布線23A。第I電源布線23A和源極布線22形成于圖4所示的TFT層LI的第2金屬層ML2，與形成于上層的布線 層L2的柵極布線21及第2電源布線23B立體交叉地配置。接著，使用圖7、圖8、圖9A、圖9B、圖IOA及圖IOB說明圖5及圖6中的各像素100的構(gòu)成。圖7與圖5的各像素100對(duì)應(yīng)，是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖8與圖6的各像素100對(duì)應(yīng)，是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。另外，在圖8中，表示透視了形成于布線層L2的布線及絕緣膜的狀態(tài)。圖9A是沿著圖7的Xl — ΧΓ線切斷的剖面圖，圖9B是沿著圖7的X2 — X2’線切斷的剖面圖。圖IOA是從圖7的X3 — X3’剖面觀察時(shí)的本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的立體圖。圖IOB是從圖8的X3 — X3’剖面觀察時(shí)的本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的立體圖。如圖7及圖8所示，本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2包括基板300、第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320、柵極布線21、源極布線22、第I電源布線23A、第2電源布線23B、和第I層間絕緣膜340。第I薄膜晶體管310是第I柵電極310G、柵極絕緣膜330、第I半導(dǎo)體層311 (溝道層)、和一對(duì)第I源電極310S及第I漏電極310D的層疊構(gòu)造體。此外，第2薄膜晶體管320是第2柵電極320G、柵極絕緣膜330、第2半導(dǎo)體層321 (溝道層)、和一對(duì)第2源電極320S及第2漏電極320D的層疊構(gòu)造體。在本實(shí)施方式中，第I薄膜晶體管310、第2薄膜晶體管320、源極布線22及第I電源布線23A形成于圖4所示的TFT層LI。此外，柵極布線21及第2電源布線23B形成于圖4所示的布線層L2。以下，自下層的構(gòu)成要素起依次詳細(xì)說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的各構(gòu)成要素。如圖8、圖9A、圖9B及圖IOB所示，第I柵電極310G及第2柵電極320G在基板300上圖案形成為島狀。第I柵電極310G及第2柵電極320G形成于圖4所示的第I金屬M(fèi)MLl0如圖9A及圖9B所示，柵極絕緣膜330形成于基板300上以覆蓋第I柵電極3IOG及第2柵電極320G。如圖8及圖9B所示，第I半導(dǎo)體層311在柵極絕緣膜330上且第I柵電極310G的上方圖案形成為島狀。此外，第2半導(dǎo)體層321在柵極絕緣膜330上且第2柵電極320G的上方圖案形成為島狀。另外，第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321可以是η溝道型或P溝道型。在本實(shí)施方式中，第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321被正電位的第2電源布線23Β覆蓋，因此第I半導(dǎo)體層311、第2半導(dǎo)體層321都是P溝道型。如圖8及圖9Β所示，第I薄膜晶體管310中的一對(duì)第I源電極3IOS及第I漏電極310D形成為在第I半導(dǎo)體層311的上方與第I半導(dǎo)體層311重疊，且彼此相對(duì)向。這些第I源電極310S及第I漏電極310D形成于圖4所示的TFT層LI中的第2金屬層ML2。另外，在本說明書中，“重疊”是指從上下方向觀察處于彼此重合的位置關(guān)系。而且，如圖8及圖9Β所示，第I漏電極310D形成為與第2薄膜晶體管320的第2柵電極320G重疊。第I漏電極310D和第2柵電極320G通過第4接觸部114 (第4導(dǎo)電 部)而電連接。第4接觸部114是通過在第I漏電極3IOD和第2柵電極320G重疊的位置沿厚度方向形成的第4接觸孔(孔)中埋入導(dǎo)電部件而構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，如圖9Β所示，第4接觸部114通過在以貫穿柵極絕緣膜330的方式形成的第4接觸孔中埋入第I漏電極310D的一部分而構(gòu)成。另外，如圖9Β所示，與第4接觸部114對(duì)應(yīng)的第4接觸孔形成于柵極絕緣膜330。在本實(shí)施方式中，如圖8所示，第4接觸部114形成3個(gè)。此外，如圖8及圖9Β所示，第2薄膜晶體管320中的一對(duì)第2源電極320S及第2源電極320S形成為在第2半導(dǎo)體層321的上方與第2半導(dǎo)體層321重疊，且彼此相對(duì)向。這些第I源電極3IOS及第I漏電極3IOD形成于TFT層LI中的第2金屬層ML2。而且，如圖8及圖IOB所示，第2漏電極320D沿列方向(縱向)呈直線狀延伸，在與第2半導(dǎo)體層321相反一側(cè)的部分形成有比延伸部分寬度寬的島狀的電極部120。電極部120經(jīng)由第3接觸部113 (第3導(dǎo)電部)及與柵極布線21同層的中繼電極而與有機(jī)EL元件10的下部電極12電連接。第3接觸部113通過在形成為將形成于電極部120的上層的第I層間絕緣膜340及第2層間絕緣膜350貫穿的第3接觸孔(孔部)埋入導(dǎo)電材料而構(gòu)成。如圖8、圖9Α、圖9Β及圖IOB所示，源極布線22沿像素100的列方向(縱向)形成為線狀。源極布線22以通過第I薄膜晶體管310的附近的方式配置，與第I源電極310S電連接。在本實(shí)施方式中，源極布線22和第I半導(dǎo)體層311重疊形成，以使得線狀的源極布線22的一部分作為第I源電極310S而發(fā)揮作用。在本實(shí)施方式中，源極布線22形成于圖4所示的TFT層LI中的第2金屬層ML2。另外，源極布線22的與第I薄膜晶體管310重疊的部分以外的部分形成于柵極絕緣膜330上。此外，源極布線22構(gòu)成為隔著第I層間絕緣膜340與后述的柵極布線21及第2電源布線23Β立體交叉。第I電源布線23Α與源極布線22同樣地沿像素100的列方向(縱向)形成為線狀。第I電源布線23Α以通過第2薄膜晶體管320的附近的方式配置，與第2源電極320S電連接。在本實(shí)施方式，第I電源布線23Α和第2半導(dǎo)體層321重疊形成，以使線狀的第I電源布線23A的一部作為第2源電極320S而發(fā)揮作用。第I電源布線23A是正電位，對(duì)第2薄膜晶體管320的第2源電極320S供給電源。在本實(shí)施方式中，第I電源布線23A形成于圖4所示的TFT層LI中的第2金屬層ML2。另外，第I電源布線23A的與第 2薄膜晶體管320重疊的部分以外的部分形成于柵極絕緣膜330上。此外，第I電源布線23A隔著第I層間絕緣膜340與后述的柵極布線21及第2電源布線23B立體交叉。如此構(gòu)成的源極布線22和第I電源布線23A配置成彼此平行。此外，如上所述，源極布線22及第I電源布線23A形成于與一對(duì)第I源電極310S及第I漏電極310D、以及一對(duì)第2源電極320S及第2漏電極320D同層的第2金屬層ML2，通過將同一金屬膜進(jìn)行圖案形成而形成。如圖9A及圖9B所示，第I層間絕緣膜340形成為覆蓋第I薄膜晶體管310、第2薄膜晶體管320、源極布線22及第I電源布線23A。第I層間絕緣膜340是TFT層LI的最上層，覆蓋形成于下部的所有電極、布線。如圖7所示，柵極布線21沿像素100的行方向(橫向)形成為線狀。而且，如圖9A所示，柵極布線21形成于第I層間絕緣膜340上，形成于圖4所示的布線層L2中的第3金屬層ML3。即，柵極布線21形成在與形成有第I柵電極310G等的層(第I金屬層MLl)及形成有第I電源布線23A、源極布線22等的層(第2金屬層ML2)不同的層。此外，柵極布線21以通過第I薄膜晶體管310的附近的方式配置，與第I柵電極3IOG電連接。在本實(shí)施方式中，如圖8及圖9A所示，柵極布線21和第I柵電極3IOG配置成立體交叉，在該立體交叉部(重疊部分)，柵極布線21和第I柵電極310G經(jīng)由第I接觸部111 (第I導(dǎo)電部)電連接。第I接觸部111通過在柵極布線21和第I柵電極310G重疊的位置沿厚度方向形成的第I接觸孔(孔)埋入導(dǎo)電部件而構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，如圖9A所示，第I接觸部111通過在形成為貫穿第I層間絕緣膜340及柵極絕緣膜330的第I接觸孔(孔)埋入柵極布線21的一部分而構(gòu)成。如圖7所示，第2電源布線23B沿著像素100的行方向(橫向)形成為線狀。此外，如圖9B所示，第2電源布線23B形成在第I層間絕緣膜340上，形成于圖4所示的布線層L2中的第3金屬層ML3。S卩，如圖IOA所示，第2電源布線23B形成為與柵極布線21同層。此外，如圖7所示，第2電源布線23B與柵極布線21并行地配置。而且，第2電源布線23B以與第I電源布線23A立體交叉的方式配置，在該立體交叉部分(重疊部分)，第2電源布線23B和第I電源布線23A經(jīng)由沿厚度方向形成的第2接觸部112 (第2導(dǎo)電部)電連接。因此，在本實(shí)施方式中，第2電源布線23B的電位為與第I電源布線23A相同的正電位。如圖9B所示，第2接觸部112通過在形成為貫穿第I層間絕緣膜340的第2接觸孔(孔)中埋入導(dǎo)電材料而構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，第2接觸部112通過在第2接觸孔埋入第2電源布線23B的一部分而構(gòu)成。此外，在本實(shí)施方式中，如圖7及圖8所示，第2接觸部112形成了 34個(gè)(17行2列)。另外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成第2電源布線23B的材料可以由從Al (招)、Cu (銅)、Ag (銀)選擇的任一種元素構(gòu)成。此外，將第2電源布線23B設(shè)為多層布線，構(gòu)成第2電源布線23B的主布線也可以由從Al、Cu、Ag選擇的任一種元素構(gòu)成。如此，柵極布線21及第2電源布線23B以與源極布線22及第I電源布線23A正交且立體交叉的方式配置。此外，柵極布線21及第2電源布線23B形成于第I層間絕緣膜340上的布線層L2中的第3金屬層ML3,形成于與在TFT層LI的第I金屬層MLl形成的第I柵電極310G及第2柵電極320G不同的層。而且，柵極布線21及第2電源布線23B形成于與在TFT層LI的第2金屬層ML2形成的源極布線22及第I電源布線23A也不同的層。接著，使用圖IlA 圖IlJ說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的制造方法。圖IlA 圖IlJ是示意表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。另外，圖IlA 圖IlJ與圖7的X2 — X2’線剖面對(duì)應(yīng)。首先，如圖IlA所示，準(zhǔn)備基板300。作為基板300，可以使用由石英玻璃等玻璃材 料構(gòu)成的絕緣性的基板。另外，為了防止雜質(zhì)從基板300擴(kuò)散，可以在基板300的上面形成由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的底涂層。底涂層的膜厚為IOOnm左右。接著，用純水等清洗后，通過濺射等在基板300上的整個(gè)面成膜具有耐熱性的第I金屬膜，其后，通過光刻及濕式蝕刻等將第I金屬膜圖案形成為預(yù)定形狀，從而如圖IlB所示，形成第I柵電極310G及第2柵電極320G。作為第I金屬膜的材料，可以使用具有耐熱性的Mo、W、Ta、Ti、Ni中的任一種金屬或它們的合金。在本實(shí)施方式中，使用Mo，以IOOnm左右的膜厚形成第I金屬膜。接著，如圖IlC所示，在基板300上的整個(gè)面形成柵極絕緣膜330以覆蓋第I柵電極310G及第2柵電極320G。作為柵極絕緣膜330的材料，可以使用氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiN)或它們的復(fù)合膜。此外，在本實(shí)施方式中，作為柵極絕緣膜330的膜厚，以200nm左右的I吳厚成月吳。接著，如圖IlD所示，在柵極絕緣膜330上成膜非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜301。在本實(shí)施方式中，作為非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜301使用非晶硅膜(無定形硅膜)，通過等離子CVD以50nm左右成膜。另外，柵極絕緣膜330及非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜301能夠不破壞真空地通過連續(xù)等離子CVD等成膜。此后，如圖IlD的箭頭所示，通過對(duì)非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜301實(shí)施準(zhǔn)分子激光等的激光照射，從而使非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜301結(jié)晶化而改性為多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜。具體而言，例如，對(duì)非晶硅膜照射準(zhǔn)分子激光等，使非晶硅膜的溫度上升到預(yù)定的溫度范圍，從而使非晶硅膜結(jié)晶化而使結(jié)晶粒徑擴(kuò)大，成為多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜。在此，預(yù)定的溫度范圍例如是1100°C 1414°C。此外，多結(jié)晶性半導(dǎo)體內(nèi)的平均結(jié)晶粒徑是20nm 60nm。在此，第I柵電極310G及第2柵電極320G在該激光照射工序中暴露于高溫下，因此優(yōu)選是由熔點(diǎn)比上述溫度范圍的上限值(1414°C)高的金屬構(gòu)成。另一方面，在以后的工序中形成于第2金屬層ML2及第3金屬層ML3的布線及電極可以由熔點(diǎn)比上述溫度范圍的下限值(1100°C )低的金屬形成。另外，在激光的照射前，作為前處理，優(yōu)選在400°C 500°C進(jìn)行30分鐘的退火處理。此外，在激光的照射后，優(yōu)選在真空中進(jìn)行幾秒 幾十秒的氫等離子處理。接著，如圖IlE所示，通過光刻及濕式蝕刻等，將結(jié)晶化的非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜301圖案形成為島狀，形成第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321。
接著，如圖IlF所示，為了將第I漏電極3IOD和第2柵電極320G電連接，通過光刻及濕式蝕刻等，形成貫穿柵極絕緣膜330的第4接觸孔CH4。接著，如圖IIG所示，通過濺射等，形成第2金屬膜(未圖示)以覆蓋柵極絕緣膜330和第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321，通過光刻及濕式蝕刻等對(duì)第2金屬膜進(jìn)行圖案形成，從而將源極布線22，第I電源布線23A、第I源電極310S及第I漏電極310D、以及第2源電極320S及第2漏電極320D形成為預(yù)定形狀。此時(shí)，構(gòu)成第2金屬膜的材料也填充到第4接觸孔CH4，形成第4接觸部114。另外，作為構(gòu)成源極布線22、第I電源布線23A、第I源電極310S及第I漏電極310D、以及第2源電極320S及第2漏電極320D的第2金屬膜的材料，優(yōu)選是低電阻金屬，可以使用Al、Cu、Ag中的任一種金屬或它們的合金。在在本實(shí)施方式中，使用Al以300nm左右的膜厚形成第2金屬膜。而且，優(yōu)選在Al的上部或下部、或Al的上部和下部形成Mo等高耐熱性的金屬作為勢(shì)魚金屬(barrier metal)。勢(shì)魚金屬的厚度是50nm左右。此外， 在進(jìn)一步要求布線的低電阻化的情況下，優(yōu)選不使用Al而使用Cu。另外，不更換材料而增 加第2金屬膜的厚度，也能實(shí)現(xiàn)低電阻化。此外，優(yōu)選在第I源電極3IOS與第I半導(dǎo)體層311之間及第I漏電極310D與第I半導(dǎo)體層311之間形成低電阻半導(dǎo)體膜。該低電阻半導(dǎo)體膜通常使用作為雜質(zhì)而摻雜了磷等η型摻雜劑的非晶硅膜、或作為雜質(zhì)而摻雜了硼等P型摻雜劑的非晶硅膜。作為低電阻半導(dǎo)體膜的膜厚，可以是20nm左右。而且，也可以在結(jié)晶化的第I半導(dǎo)體層311與低電阻半導(dǎo)體膜(摻雜了雜質(zhì)的非晶硅膜)之間形成由非晶硅構(gòu)成的無摻雜(未有意地?fù)诫s雜質(zhì))的半導(dǎo)體膜。通過形成這些膜，從而提高TFT特性等等，能夠得到所希望的TFT特性。另外，關(guān)于第2薄膜晶體管320也是同樣。接著，如圖IlH所示，通過等離子CVD，在基板300上的整個(gè)面形成第I層間絕緣膜340，以覆蓋第I源電極310S、第I漏電極310D、第2源電極320S及第2漏電極320D等露出的電極及布線。第I層間絕緣膜340可以由氧化硅膜、氮化硅膜或這些膜的層疊膜構(gòu)成。接著，如圖IlI所示，為了連接第I電源布線23A和第2電源布線23B，通過光刻及蝕刻等，形成貫穿第I層間絕緣膜340的第2接觸孔CH2。此時(shí)，雖然未圖示，為了連接第I柵電極310G和柵極布線21，還形成將第I層間絕緣膜340及柵極絕緣膜330連續(xù)貫通的第I接觸孔。接著，如圖11J所示，通過濺射等在第I層間絕緣膜340上形成第3金屬膜，通過光刻及蝕刻等將第3金屬膜圖案形成為預(yù)定形狀，從而形成柵極布線21及第2電源布線23B。此時(shí)，構(gòu)成第3金屬膜的材料也填充在第2接觸孔CH2及第I接觸孔(未圖示)，形成第2接觸部112及第I接觸部111。另外，構(gòu)成柵極布線21及第2電源布線23B的第3金屬膜的材料優(yōu)選是低電阻，可以由與第2金屬層相同的金屬材料構(gòu)成。例如,可以在作為勢(shì)魚金屬形成了 50nm的Mo后,形成300nm的Al,從而構(gòu)成第3金屬膜。另外，雖然未圖示，其后，通過等離子CVD等形成第2層間絕緣膜350。第2層間絕緣膜350可以由與第I層間絕緣膜340同樣的材料構(gòu)成，例如可以由氧化硅膜、氮化硅膜或它們的膜的層疊膜構(gòu)成。通過以上所述，能夠制造本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2。另外，對(duì)于顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20，也可以同樣制造。以上，根據(jù)本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2，柵極布線21形成在第I層間絕緣膜340上的TFT層L2，配置在與第I柵電極310G (及第2柵電極320G)另外的層(不同的層)。由此，柵極布線21和第I柵電極310G (及第2柵電極320G)可以選擇合適于各自的材料。而且，根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2，柵極布線21配置在第I層間絕緣膜340的上層，而第I電源布線23A (或源極布線22)配置在第I層間絕緣膜340之下的、與第I漏電極310D及第2源電極320S同層的第2金屬層ML2 (TFT層LI)。由此，柵極布線21與第I電源布線23A (或源極布線22)之間的間隔，不依賴于第I柵電極310G(或第2柵電極320G)與第I漏電極310D (或第2源電極320S)之間的間隔，與在第I漏電極3IOD (或第2源電極320S)上形成的第I層間絕緣膜340的膜厚對(duì)應(yīng)。在此，形成在第I漏電極310D (或第2源電極320S)上的第I層間絕緣膜340用 于保護(hù)顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的表面，因此即使增厚其膜厚，對(duì)作為顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的性能也沒有影響。因此，通過增大第I層間絕緣膜340的膜厚，能夠增大柵極布線21與第I漏電極310D (或第2源電極320S)之間的間隔。由此，能夠確保柵極布線21與第I電源布線23A (或源極布線22)之間的膜厚間距離，因此能夠降低柵極布線21與第I電源布線23A (及源極布線22)之間的寄生電容。而且，根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2，與第2源電極320S電連接的第I電源布線23A和第2電源布線23B以立體交叉的方式配置，這些第I電源布線23A和第2電源布線23B通過第2接觸部112電連接。由此，第2薄膜晶體管320的第2源電極320S能夠從縱向的第I電源布線23A和橫向的第2電源布線23B雙方接受電源供給。因此，對(duì)于隨著顯示裝置的大畫面化而在顯示區(qū)域的中央?yún)^(qū)域產(chǎn)生的IR壓降，能夠降低IR壓降量。結(jié)果，能夠降低顯示裝置的亮度(brightness)不均。尤其是，由于有機(jī)EL顯示面板是電流驅(qū)動(dòng)型的顯示面板，因此要抑制亮度不均，優(yōu)選降低布線電阻來減小IR壓降。而且，根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2，第2電源布線23B在第I層間絕緣膜340上與柵極布線21同層形成，并且與柵極布線21并行地配置。由此，能夠用第2電源布線23B將由于在第I層間絕緣膜340上配置柵極布線21而形成的凹凸的凹部填埋。S卩，能夠用第2電源布線23B減輕第I層間絕緣膜340上的凹凸，提高顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的平坦度。結(jié)果，能夠減輕第I層間絕緣膜340上的凹凸對(duì)上層的影響。尤其是，在顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2上形成有機(jī)EL元件10的情況下，能夠抑制在平坦性不充分時(shí)產(chǎn)生的發(fā)光亮度不均等。而且，該情況下，不需要將形成于有機(jī)EL元件10的下層的第2層間絕緣膜等平坦化膜變厚，因此能夠?qū)崿F(xiàn)更薄型的有機(jī)EL顯示面板。而且，根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2，能夠?qū)μ囟ǖ腎個(gè)像素的第2薄膜晶體管320，從列方向的第I電源布線23A及行方向的第2電源布線23B雙方供給電力。由此，例如即使在與某像素的第2薄膜晶體管320連接的第I電源布線23A存在斷線不良等，也能夠由作為另一方的電源布線的第2電源布線23B對(duì)該像素的第2薄膜晶體管320供給電力。即，能夠?qū)個(gè)像素由2個(gè)電源布線供給電力。因此，能夠抑制像素不良，因此能夠抑制顯示裝置中的顯示不均。
如此，在本實(shí)施方式中，第2電源布線23B具有作為電源供給用的備用布線的作用，還具有作為平坦化膜的作用。以上，在本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2中，將由柵極布線21、第I電源布線23A、和由柵極布線21以及第I電源布線23A夾著的第I層間絕緣膜340形成的單位面積的電容設(shè)為Cpas，將由第I柵電極310G、第I電源布線23A、和由第I柵電極310G以及第I電源布線23A夾著的柵極絕緣膜330形成的單位面積的電容設(shè)為Cei，則優(yōu)選Cpas < Cei。S卩，優(yōu)選由作為形成有柵極布線21的層的第3金屬層ML3與作為形成有第I電源布線23A的層的第2層ML2所夾著的第I層間絕緣膜340形成的單位面積的電容CPAS，小于由作為形成有第I柵電極310G的層的第I金屬層MLl與作為形成有第I電源布線23A的層的第2金屬層ML2所夾著的柵極絕緣膜330形成的單位面積的電容Cei。由此，若設(shè)第I層間絕緣膜340的膜厚為dPAS，設(shè)柵極絕緣膜330的膜厚為dH，則在第I層間絕緣膜340和柵極絕緣膜330為同一材料時(shí)，可以使dPAS > dei。由此，能夠使第I層間絕緣膜340上的柵極布線21與第I層間絕緣膜340之下的第I電源布線23A之 間的間隔分離開柵極絕緣膜330的膜厚以上，因此能夠進(jìn)一步降低柵極布線21與第I電源布線23A之間的寄生電容。此外，同樣，對(duì)于柵極布線21與源極布線22之間的間隔，也能夠使其分離開柵極絕緣膜330的膜厚以上，因此也能夠進(jìn)一步降低柵極布線21和源極布線22之間的寄生電容。更具體而言，由第I層間絕緣膜340形成的電容Cpas優(yōu)選小于I. 5X10 C4F /m2)。此外，由柵極絕緣膜330形成的電容Cei優(yōu)選為I. 5X10 ( — 4F / m2)以上。此外，在本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2中，由于第2電源布線23B如圖7所示構(gòu)成為覆蓋第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321，因此優(yōu)選第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321都構(gòu)成為P溝道型。在薄膜晶體管的半導(dǎo)體層(溝道區(qū)域)中，有時(shí)在半導(dǎo)體層的表面和覆蓋薄膜晶體管的層間絕緣膜的表面在制造時(shí)產(chǎn)生晶格缺陷。若產(chǎn)生該晶格缺陷，則產(chǎn)生不穩(wěn)定的界面能級(jí)，半導(dǎo)體層的背溝道(back channel)的電位變得不穩(wěn)定。在本實(shí)施方式中，P溝道型的第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321構(gòu)成為與正電位的第2電源布線23B重復(fù)，能夠構(gòu)成有背柵極的P溝道TFT，因此能夠使背溝道的電位穩(wěn)定。結(jié)果，如圖12所示，對(duì)于作為有背柵極的P溝道TFT的第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320，能夠?qū)崿F(xiàn)既將泄漏電流抑制為與無背柵極的P溝道TFT同等、又減少來自外部噪聲的影響的效果。這是因?yàn)樗霰硸艠O覆蓋溝道區(qū)域的上方，因此作為對(duì)于外部噪聲的電磁波屏蔽而發(fā)揮作用。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有截止特性優(yōu)良、且對(duì)于外部噪聲的耐受性強(qiáng)的薄膜晶體管的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。另外，只要構(gòu)成為第2電源布線23B的至少一部分與第I半導(dǎo)體層311或第2半導(dǎo)體層321重疊就有效果，但優(yōu)選構(gòu)成為第2電源布線23B與第I半導(dǎo)體層311或第2半導(dǎo)體層321完全重疊。此外，在本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2中，優(yōu)選第2電源布線23B形成為與柵極布線21大致相同的膜厚、即與柵極布線21相同的高度或近似的高度，并且具有與相鄰的2個(gè)柵極布線21之間的寬度對(duì)應(yīng)的寬度。而且，第2電源布線23B與相鄰的2個(gè)柵極布線21之間的距離優(yōu)選是4 μ m以上。
在本實(shí)施方式中，由于柵極布線21形成于第I層間絕緣膜340上，因此若這樣狀態(tài)下，從沒有形成柵極布線21的區(qū)域突出了柵極布線21的膜厚的量，在相鄰的柵極布線21之間形成凹部。對(duì)此，如上所述，將第2電源布線23B形成為與柵極布線21大致相同的高度，并且為與相鄰的2個(gè)柵極布線21之間的寬度對(duì)應(yīng)的寬度，從而能夠用第2電源布線23B確保平坦性。由此，在形成有機(jī)EL元件10的情況下，有機(jī)EL元件10難以受到作為其下層的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的上面的凹凸的影響，能夠容易防止因平坦性不充分而引起的發(fā)光不均等。此外，在本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2中，優(yōu)選第2電源布線23B形成為與柵極布線21大致相同的高度，并且與相鄰的2個(gè)柵極布線21接近地配置以使得填埋相鄰的2個(gè)柵極布線21之間。由此，能夠用第2電源布線23B填埋相鄰的柵極布線21之間的凹部，因此能夠確保平坦性。
此外，在本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2中，優(yōu)選第2電源布線23B做成形成為與柵極布線21大致相同的高度，并且具有比第I電源布線23A的寬度寬的寬度的布線。由此，能夠提高顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的平坦性。而且，能夠使第2電源布線23B比第I電源布線23A低電阻化，因此對(duì)于隨著大畫面化而在顯示區(qū)域的中央?yún)^(qū)域產(chǎn)生的IR壓降，能夠大幅度降低該壓降量。此外，在本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2中，優(yōu)選第2電源布線23B由均勻膜厚構(gòu)成，而且按照形成于第2電源布線23B下層的結(jié)構(gòu)的表面形狀形成。由此，能夠使第2電源布線23B為具有比第I電源布線23A的寬度寬的寬度的平板形狀的布線，因此能夠使第2電源布線23B為低電阻布線。因此，能夠從布線電阻更低的第2電源布線23B經(jīng)由第I電源布線23A向第2源電極320S供給電源，因此能夠大幅度降低上述的IR壓降量。(第I實(shí)施方式的變形例)接著，使用圖13說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’。圖13是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’的剖面圖。另外，圖13與圖9B的本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的剖面圖對(duì)應(yīng)。本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’與本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的基本結(jié)構(gòu)相同。因此，在圖13中，對(duì)于與圖9B所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略或簡(jiǎn)化詳細(xì)說明。此外，圖9B所示的構(gòu)成以外的構(gòu)成與第I實(shí)施方式相同。本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’與本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的不同點(diǎn)在于，第I薄膜晶體管310的第I半導(dǎo)體層及第2薄膜晶體管320的第2半導(dǎo)體層的構(gòu)成。如圖13所示，本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’中，第I薄膜晶體管310的第I半導(dǎo)體層通過由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A和由非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第2溝道層31IB構(gòu)成。此外，第2薄膜晶體管320的第2半導(dǎo)體層也通過由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層321A和由非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第2溝道層321B構(gòu)成。第I溝道層311A及第I溝道層321A可以由通過使非晶硅膜(無定形硅膜)結(jié)晶化而形成的多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成。第2溝道層31IB及第2溝道層321B，與圖9B所示的第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321同樣，可以由非晶硅膜(無定形硅膜)構(gòu)成。由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A及第I溝道層321A可以通過用激光照射使非晶硅膜(無定形硅膜)結(jié)晶化而形成。此外，第I溝道層311A(或第I溝道層321A)和第2溝道層311B (或第2溝道層321B)俯視下為相同的形狀，都是在柵極絕緣膜330上形成為島狀。 本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’起到與上述的本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2同樣的作用效果。而且，本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2’中，薄膜晶體管中的第I半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層在由非晶硅膜構(gòu)成的第2溝道層311B (或第2溝道層321B)之下形成由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A (或第I溝道層321A)。由此，在第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320中，通過由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A及第I溝道層321A，能夠提高載流子遷移率，因此能夠使導(dǎo)通特性提高。此外，由于在半導(dǎo)體層的上層形成由非晶硅膜構(gòu)成的第2溝道層311B及第2溝道層321B,因此能夠維持截止特性。(第2實(shí)施方式)接著，使用圖14 圖16說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3。圖14是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖15是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的俯視圖，表示透視了形成于布線層L2的布線及絕緣膜的狀態(tài)。圖16是沿著圖14的X2 — X2’線切斷的剖面圖。另外，沿著圖14的Xl — ΧΓ線切斷的剖面與圖9A相同。本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3與本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的基本結(jié)構(gòu)相同。因此，在圖14 圖16中，對(duì)于與圖7 圖9B所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略或簡(jiǎn)化詳細(xì)說明。本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3與本發(fā)明的第I實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置2的不同點(diǎn)在于第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層的溝道型都是η溝道型；結(jié)果，第I實(shí)施方式中的源電極及漏電極分別在第2實(shí)施方式中相反成為漏電極及源電極；以及第2電源布線23Β的構(gòu)成。另外，除此之外的構(gòu)成與第I實(shí)施方式相同。如圖14 圖16所示，在本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3中，第2電源布線23Β被構(gòu)成為不與第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321重疊，包括形成于第I半導(dǎo)體層311上的第I開口部131和形成于第2半導(dǎo)體層321上的第2開口部132。此外，在本實(shí)施方式中，第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321都構(gòu)成為η溝道型。如此構(gòu)成的本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3能夠與第I實(shí)施方式同樣地制造。但是，在本實(shí)施方式中，需要在第2電源布線23Β形成第I開口部131及第2開口部132。該開口部可以如下這樣形成在對(duì)第3金屬膜進(jìn)行圖案形成時(shí)，在第2電源布線23B與第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321重復(fù)的部分形成開口，由此形成上述的第I開口部131及第2開口部132。以上，根據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3，與第I實(shí)施方式同樣，能夠?qū)艠O布線21和第I柵電極310G在不同的層形成，因此能夠選擇合適于各自的材料。此外，能夠確保柵極布線21與第I電源布線23A之間的膜厚間距離，因此能夠降低柵極布線21與第I電源布線23A之間的寄生電容。此外，由于第I電源布線23A和第2電源布線23B交叉地配置，因此第2源電極320S能夠從縱向的第I電源布線23A和橫向的第2電源布線23B雙方接受電源供給。因此，能夠降低隨著大畫面化而在顯示區(qū)域的中央?yún)^(qū)域產(chǎn)生的IR壓降。而且，由于第2電源布線23B形成于與柵極布線21同層，且與柵極布線21并行配置，因此能夠減輕因形成在第I層間絕緣膜340上的柵極布線21而產(chǎn)生的凹凸，能夠使平坦度提高。 而且，能夠?qū)個(gè)像素用第I電源布線23A及第2電源布線23B的2個(gè)電源布線供給電力。由此，能夠抑制像素不良，因此能夠抑制顯示裝置的顯示不均。而且，根據(jù)本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3，起到以下的作用效果。在η溝道型的第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321的上方，正電位的第2電源布線23Β覆蓋第I層間絕緣膜340之上的情況下，在第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321的背溝道感應(yīng)出負(fù)的載流子，由此產(chǎn)生截止泄漏電流。因此，即使不施加?xùn)艠O電壓也會(huì)產(chǎn)生電流，因此使第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320的截止特性降低。對(duì)此，本實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3中，η溝道型的第I半導(dǎo)體層311及第2半導(dǎo)體層321構(gòu)成為不與正電位的第2電源布線23Β重復(fù)，構(gòu)成為無背柵極的η溝道TFT。結(jié)果，如圖17所示，用正電位的第2電源布線23B，對(duì)于作為無背柵極的η溝道型TFT的第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320，與有背柵極的η溝道型TFT相比，能夠抑制在背溝道感應(yīng)出載流子。結(jié)果，能夠減少第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320的截止泄漏電流。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有截止特性優(yōu)良的薄膜晶體管的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置。另外，只要構(gòu)成為第2電源布線23Β的至少一部分不與第I半導(dǎo)體層311或第2半導(dǎo)體層321重疊就有效果，但優(yōu)選構(gòu)成為第2電源布線23Β與第I半導(dǎo)體層311或第2半導(dǎo)體層321 —點(diǎn)也不重疊。(第2實(shí)施方式的變形例)接著，使用圖18說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’。圖18是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’的剖面圖。另外，圖18與圖16的本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3的剖面圖對(duì)應(yīng)。本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’與本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3的基本結(jié)構(gòu)相同。因此，在圖18中，對(duì)于與圖16所示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略或簡(jiǎn)化詳細(xì)說明。此外，除了圖18所示的構(gòu)成以外的構(gòu)成與第2實(shí)施方式相同。
本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’與本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3的不同點(diǎn)在于，第I薄膜晶體管310的第I半導(dǎo)體層及第2薄膜晶體管320的第2半導(dǎo)體層的構(gòu)成。如圖18所示，本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’中，第I薄膜晶體管310的第I半導(dǎo)體層通過由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A和由非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第2溝道層311B構(gòu)成。此外，第2薄膜晶體管320的第2半導(dǎo)體層也通過由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層321A和由非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第2溝道層321B構(gòu)成。第I溝道層311A及第I溝道層321A可以由通過使非晶硅膜(無定形硅膜)結(jié)晶化而形成的多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成。第2溝道層311B及第2溝道層321B可以由非晶硅膜(無定形硅膜)構(gòu)成。由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A及第I溝道層321A可以通過用激光 照射使非晶硅膜(無定形硅膜)結(jié)晶化而形成。此外，第I溝道層311A(或第I溝道層321A)和第2溝道層311B (或第2溝道層321B)俯視下為相同的形狀，都是在柵極絕緣膜330上形成為島狀。本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’起到與上述的本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3同樣的作用效果。而且，本變形例的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置3’中，薄膜晶體管中的第I半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層在由非晶硅膜構(gòu)成的第2溝道層311B (或第2溝道層321B)之下形成由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A (或第I溝道層321A)。由此，在第I薄膜晶體管310及第2薄膜晶體管320中，能夠通過由多結(jié)晶性半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第I溝道層311A及第I溝道層321A提高載流子遷移率，因此能夠使導(dǎo)通特性提高。此外，在半導(dǎo)體層的上層形成由非晶硅膜構(gòu)成的第2溝道層311B及第2溝道層321B，因此能夠維持截止特性。(實(shí)施例I)接著，使用圖19A及圖19B說明應(yīng)用了本發(fā)明的各實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的有機(jī)EL顯不面板的一例。圖19A是表不本發(fā)明的有機(jī)EL顯不面板的一例的剖面立體圖。圖19B是表示本發(fā)明的有機(jī)EL顯示面板的另一例的剖面立體圖。如圖19A及圖19B所示，有機(jī)EL顯示面板的多個(gè)像素100由3色(紅色、綠色、藍(lán)色)的子像素100R、100G、100B構(gòu)成。子像素100R、100G、100B分別在圖19A及圖19B的進(jìn)深方向排列多個(gè)(將其記作“子像素列”)。圖19A是表示線狀堤的例子的圖，各子像素列通過堤15而相互分離開。圖19A所示的堤15由沿著與源極布線22平行的方向在彼此相鄰的子像素列之間延伸的凸部構(gòu)成，形成在顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20上。換言之，各子像素列分別形成在彼此相鄰的凸部之間(即，堤15的開口部)。下部電極12在顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20上(更具體而言是第2層間絕緣膜350上)、且堤15的開口部?jī)?nèi)按子像素100R、100G、100B而形成。有機(jī)發(fā)光層13在下部電極12上且堤15的開口部?jī)?nèi)按子像素列(即，覆蓋各列的多個(gè)下部電極12)形成。上部電極14在多個(gè)有機(jī)發(fā)光層13及堤15上連續(xù)形成，以覆蓋所有子像素100R、100G、100B。另一方面，圖19B是表示像素堤的例子的圖，各子像素100R、100G、100B通過堤15而彼此分離開。圖19B所示的堤15形成為與柵極布線21平行地延伸的突部和與源極布線22平行地延伸的突部彼此交叉。并且，在該突部所包圍的部分(即，堤15的開口部)形成子像素 100R、100G、100B。下部電極12在顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20上(更具體而言是第2層間絕緣膜350上)且堤15的開口部?jī)?nèi)按子像素100R、100G、100B形成。同樣，有機(jī)發(fā)光層13在下部電極12上且堤15的開口部?jī)?nèi)按子像素100R、100G、100B形成。上部電極14在多個(gè)有機(jī)發(fā)光層13及堤15 (多個(gè)突條)上連續(xù)形成，以覆蓋所有子像素100R、100G、100B。另外，雖然在圖19A及圖19B省略，在顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置20按各子像素100R、100G、100B形成有像素電路30。此外，子像素100R、100G、100B，除了有機(jī)發(fā)光層13的特性(發(fā)光色)不同之外，是相同結(jié)構(gòu)。如上所述，本發(fā)明的各實(shí)施方式的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置，既能夠應(yīng)用圖19A所示的線狀堤，也能應(yīng)用圖19B所示的像素堤。 (實(shí)施例2)接著，使用圖20說明應(yīng)用了本發(fā)明的EL顯示面板的EL顯示裝置的一例。圖20是表示本發(fā)明的EL顯示裝置的一例的外觀立體圖。如圖20所示，本發(fā)明的EL顯示裝置是電視機(jī)400，內(nèi)置本發(fā)明的EL顯示面板。如此，本發(fā)明的EL顯示面板能夠作為平板式顯示器等而加以利用。另外，本發(fā)明的EL顯示面板除了電視機(jī)以外，也能夠應(yīng)用于移動(dòng)電話機(jī)或個(gè)人計(jì)算機(jī)等所有的顯示裝置。以上，基于實(shí)施方式及實(shí)施例說明了本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置、顯示裝置用薄膜晶體管的制造方法、EL顯示面板及EL顯示裝置，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式及實(shí)施例。例如，在本實(shí)施方式中，也可以構(gòu)成為將第I源電極310S和第I漏電極310D對(duì)調(diào)。具體而目，是圖3及圖4所不的第I源電極310S是第I漏電極、圖3及圖4所不的第I漏電極310D是第I源電極的結(jié)構(gòu)。同樣，也可以構(gòu)成為將第2源電極320S和第2漏電極320D對(duì)調(diào)。具體而言，是圖3及圖4所示的第2源電極320S是第2漏電極、圖3及圖4所示的第2漏電極320D是第2源電極的構(gòu)成。此外，在本實(shí)施方式中，第I源電極310S是線狀的源極布線22的一部分，但不限于此。例如可以構(gòu)成為，在源極布線22的圖案形成時(shí)，圖案形成從源極布線22的一部分沿行方向延伸設(shè)置的延伸部，將該延伸部與另外形成的第I源電極310S電連接。同樣，在本實(shí)施方式中，第2源電極320S是線狀的第I電源布線23A的一部分，但不限于此。例如可以構(gòu)成為，在第I電源布線23A的圖案形成時(shí)，圖案形成從第I電源布線23A的一部分沿行方向延伸設(shè)置的延伸部，將該延伸部和另外形成的第2源電極320S電連接。此外，在本實(shí)施方式中，第2電源布線23B在相鄰的柵極布線21之間配置I條，但不限于此。例如，在相鄰的柵極布線21之間可以配置多條第2電源布線23B。此外，在本實(shí)施方式中，在I個(gè)像素形成2個(gè)薄膜晶體管，但不限于此。例如，可以在I個(gè)像素形成3個(gè)以上的薄膜晶體管。此時(shí)，可以按照薄膜晶體管的個(gè)數(shù)排列多條第2電源布線23B。由此，能夠通過多個(gè)第2電源布線23B，對(duì)需要電力供給的薄膜晶體管供給所希望的電力。此外，在本實(shí)施方式中，示出了本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置應(yīng)用于有機(jī)EL面板的例子，但不限于此。例如，本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置也可以應(yīng)用于具有無機(jī)EL面板或液晶顯示元件等、使用有源矩陣基板的其他的顯示元件的顯示器。另外，對(duì)于各實(shí)施方式及實(shí)施例實(shí)施本領(lǐng)域技術(shù)人員可想到的各種變形而得到的方式、在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)將各實(shí)施方式及實(shí)施例的構(gòu)成要素及功能任意組合而實(shí)現(xiàn)的方式也包含于本發(fā)明中。本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置及EL顯示面板能夠在電視機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話等的顯示裝置等中廣泛利用。附圖標(biāo)記說明IEL顯示面板 2、2’、3、3’、9顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置10有機(jī)EL元件12下部電極13有機(jī)發(fā)光層14上部電極15 堤20顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置21、921柵極布線22、922源極布線23A第I電源布線23B第2電源布線30像素電路100 像素100R、100G、100B 子像素111第I接觸部112第2接觸部113第3接觸部114第4接觸部120電極部131、132 開口部200顯示部300、900 基板300C 電容器301非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜310第I薄膜晶體管3IOD第I漏電極3IOG第I柵電極3IOS第I源電極
311、321、911 半導(dǎo)體層311A、321A 第 I 溝道層311B、321B 第 2 溝道層320第2薄膜晶體管320D第2漏電極 320G第2柵電極320S第2源電極330、930柵極絕緣膜340第I層間絕緣膜350第2層間絕緣膜400電視機(jī)910薄膜晶體管9IOD 漏電極9IOG 柵電極9IOS 源電極940層間絕緣膜
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置，包括 基板； 柵電極，形成于基板上； 柵極絕緣膜，覆蓋所述柵電極并形成于所述基板上； 半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣膜上且在所述柵電極的上方； 第I電極，形成于所述半導(dǎo)體層的上方； 第2電極，形成于與所述第I電極同層； 第I電源布線，與所述第2電極電連接，形成于與所述第2電極同層； 層間絕緣膜，覆蓋所述第I電極及所述第2電極并形成于所述柵極絕緣膜的上方； 柵極布線，形成在作為與形成有所述柵電極的層不同的層的所述層間絕緣膜上，與所述第I電源布線交叉地配置；和 第2電源布線，形成于與所述柵極布線同層，并且與所述柵極布線并行配置， 所述柵電極和所述柵極布線經(jīng)由設(shè)置成貫穿所述柵極絕緣膜及所述層間絕緣膜的第I導(dǎo)電部而電連接， 所述第I電源布線和所述第2電源布線經(jīng)由設(shè)置成貫穿所述層間絕緣膜的第2導(dǎo)電部而電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第2電源布線形成為與所述柵極布線相同或預(yù)定的近似值的高度， 所述第2電源布線是具有與相鄰的2個(gè)所述柵極布線之間的寬度對(duì)應(yīng)的寬度的布線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第2電源布線與所述相鄰的2個(gè)柵極布線之間的距離是4μπι以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第2電源布線形成為與所述柵極布線相同或預(yù)定的近似值的高度， 所述第2電源布線接近所述柵極布線而配置以使得將相鄰的2個(gè)所述柵極布線之間填埋。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第2電源布線形成為與所述柵極布線相同或預(yù)定的近似值的高度， 所述第2電源布線是具有比所述第I電源布線的寬度寬的寬度的布線。
6.根據(jù)權(quán)利要求2 5中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第2電源布線具有均勻膜厚，且按照所述第2電源布線的下層的表面形狀形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1飛中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述半導(dǎo)體層是η溝道型， 所述第2電源布線的至少一部分配置成與所述半導(dǎo)體層不重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1飛中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述半導(dǎo)體層是P溝道型， 所述第2電源布線的至少一部分配置成與所述半導(dǎo)體層重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求廣8中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第I電極是源電極，所述第2電極是漏電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求廣8中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置，所述第I電極是漏電極，所述第2電極是源電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求廣10中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 由形成有所述柵極布線的層和形成有所述第I電源布線的層所夾著的所述層間絕緣膜形成的單位面積的電容，比由形成有所述柵電極的層和形成有所述第I電源布線的層所夾著的所述柵極絕緣膜形成的單位面積的電容小。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 由所述層間絕緣膜形成的電容小于I. 5X IO-4F / m2, 由所述柵極絕緣膜形成的電容為I. 5X IO-4F / m2以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求f12中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述半導(dǎo)體層含有多結(jié)晶性半導(dǎo)體層。
14.根據(jù)權(quán)利要求f13中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 構(gòu)成所述第2電源布線的材料包括從Al、Cu、Ag選擇的任一元素。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置， 所述第2電源布線是多層布線， 構(gòu)成所述第2電源布線的主布線是從Al、Cu、Ag選擇的任一種。
16.一種顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 第I工序，準(zhǔn)備基板； 第2工序，在所述基板上形成柵電極； 第3工序，覆蓋所述柵電極并在所述基板上形成柵極絕緣膜； 第4工序，在所述柵極絕緣膜上、在所述柵電極的上方形成半導(dǎo)體層； 第5工序，在所述半導(dǎo)體層的上方形成第I電極，并且在與所述第I電極同層形成第2電極及與所述第2電極電連接的第I電源布線； 第6工序，覆蓋所述第I電極及所述第2電極并在所述柵極絕緣膜的上方形成層間絕緣膜； 第7工序，形成貫穿所述柵極絕緣膜及所述層間絕緣膜的第I接觸孔、及貫穿所述層間絕緣膜的第2接觸孔；和 第8工序，通過在所述層間絕緣膜上形成金屬膜之后對(duì)所述金屬膜進(jìn)行圖案形成，從而形成與所述第I電源布線交叉的、經(jīng)由所述第I接觸孔與所述柵電極電連接的柵極布線，并且形成與所述柵極布線并行的、經(jīng)由所述第2接觸孔與所述第I電源布線電連接的第2電源布線。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在所述第4工序形成的半導(dǎo)體膜是非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜， 包括如下工序在所述第4工序和所述第5工序之間，對(duì)所述非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜照射預(yù)定的激光，通過所述預(yù)定的激光的照射使所述非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜的溫度為預(yù)定的溫度范圍，使所述非結(jié)晶性半導(dǎo)體膜結(jié)晶化。
18.—種EL顯示面板,包括 顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置，以像素為單位配置有多個(gè)權(quán)利要求廣15中任一項(xiàng)所述的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置； 多個(gè)下部電極，以所述像素為單位配置在所述顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的上方， 第3導(dǎo)電部，將多個(gè)所述顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置和所述多個(gè)下部電極電連接； 發(fā)光層，形成在所述下部電極的上方；和 上部電極，設(shè)于所述發(fā)光層的上方。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的EL顯示面板， 還包括形成在所述顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體陣列裝置的上方的、具有多個(gè)開口部的堤， 所述發(fā)光層形成在所述開口部?jī)?nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的EL顯示面板， 所述開口部與所述下部電極對(duì)應(yīng)地形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求If20中任一項(xiàng)所述的EL顯示面板， 所述發(fā)光層是有機(jī)發(fā)光層。
22.—種EL顯示裝置，包括權(quán)利要求If 21中任一項(xiàng)所述的EL顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明的顯示裝置用薄膜半導(dǎo)體裝置(2)包括形成于基板上的第1柵電極(310G)、形成于第1柵電極上的柵極絕緣膜(330)、形成于第1柵電極的上方的第1半導(dǎo)體層(311)、形成于第1半導(dǎo)體層的上方的第1源電極(310S)、形成在與第1源電極同層的第2漏電極(320D)、形成為覆蓋第1源電極及第2漏電極的第1層間絕緣膜(340)、配置在第1層間絕緣膜上的柵極布線(21)、與第2漏電極同層且與第2漏電極電連接的第1電源布線(23A)、和形成在與柵極布線同層的第2電源布線(23B)。而且，第1柵電極和柵極布線經(jīng)由第1接觸部(111)而電連接區(qū))第1電源布線和第2電源布線經(jīng)由第2接觸部(112)而電連接。
文檔編號(hào)H05B33/14GK102934153SQ20108006721
公開日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
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