專利名稱：內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)的制作方法
內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種高頻線圈，尤其是涉及一種可使電流均勻分布在拉制孔周圍且通過冷卻介質(zhì)通道合理設(shè)置確保線圈溫度較為均衡的高頻線圈，具體涉及一種內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯或其它晶體材料的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
已知的硅芯或其它晶體材料大部分以區(qū)熔方式的加工工藝進(jìn)行生產(chǎn)，現(xiàn)有的可同時生產(chǎn)多根硅芯及其它晶體材料的高頻線圈結(jié)構(gòu)，其工作原理如下工作時通過給高頻線圈通入高頻電流和冷卻介質(zhì)，其中高頻電流在高頻線圈的上下面運行，冷卻介質(zhì)在環(huán)埋在高頻線圈外圍的冷卻介質(zhì)通道“冷卻水道”內(nèi)運行，在高頻電流流經(jīng)線圈時使高頻線圈產(chǎn)生感應(yīng)磁場，并由感應(yīng)磁場對原料棒上部端頭進(jìn)行感應(yīng)加熱，同時冷卻介質(zhì)對高頻線圈相鄰的部分進(jìn)行冷卻，防止線圈因過熱而熔化；通過高頻線圈下面加熱后的原料棒上端頭達(dá)到熔化溫度后形成融化區(qū)，在提升機(jī)構(gòu)籽晶夾頭上設(shè)置有籽晶，由籽晶穿過高頻線圈內(nèi)孔后 與熔化后的原料棒上端頭相粘合，待籽晶與熔化后所述原料棒融為一體時，而后由提升機(jī)構(gòu)帶動籽晶和柱形晶體通過內(nèi)孔按照預(yù)定的速度上升，粘附在籽晶上的晶體在脫離高頻線圈內(nèi)孔后便會按照籽晶的晶體排列順序進(jìn)行結(jié)晶，并慢慢被提升起來形成具有一定形狀的晶棒“也就是柱形晶體”，這個新的柱形晶體便是硅芯或其它材料晶體的制成品；柱形晶體再經(jīng)過還原等工序形成所需產(chǎn)品。需要說明的是目前高頻線圈在電流經(jīng)過時受到趨膚效應(yīng)、電流走近路所產(chǎn)生的中部過熱等現(xiàn)象的困擾，造成線圈的使用壽命降低；其中趨膚效應(yīng)是指電流在高頻線圈上運行時會沿著上下面行走；電流走近路是指電流通常會沿著最近的回路線行走；由于冷卻水道設(shè)置在高頻線圈的外圍，使得高頻線圈的中部受到電流走近路現(xiàn)象便會產(chǎn)生過高的溫度,在長時間的高溫環(huán)境下高頻線圈的損壞便會由高頻線圈的中部開始“主要是高溫環(huán)境下材質(zhì)發(fā)生的改變”，使高頻線圈的使用壽命大幅度縮短。發(fā)明人在先專利申請雖然說較好的實現(xiàn)了同時拉制多根硅芯或其它晶體材料，但是水路設(shè)置不合理的弊端也得以顯現(xiàn)，為了進(jìn)一步實現(xiàn)高頻感應(yīng)加熱線圈的較長壽命，有必要對于水路進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容為了實現(xiàn)所述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)冷卻介質(zhì)通道設(shè)置為外部環(huán)繞一圈外突出圓形通道，內(nèi)部設(shè)置一圈內(nèi)突出圓形通道，外突出圓形通道和內(nèi)突出圓形通道通過連接通道聯(lián)通形成相互貫通的結(jié)構(gòu)形式，不僅有效克服了中部的過熱現(xiàn)象，而且使中部較熱區(qū)域得到更多的降溫機(jī)會，由于是外突出圓形通道和內(nèi)突出圓形通道交錯設(shè)置，合理的利用了空間布局，而且保證了磁力線并不會減弱；本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單，拉制硅芯數(shù)量多，使用壽命較長等優(yōu)點。
為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，包括冷卻介質(zhì)通道、高頻感應(yīng)加熱片、電流交叉片、地線連接片和連接座；所述冷卻介質(zhì)通道包含外突出圓形通道、內(nèi)突出圓形通道、連接通道，所述至少三個內(nèi)突出圓形通道呈圓形排列，在內(nèi)突出圓形通道的外側(cè)分別設(shè)有開口 ；所述至少兩個外突出圓形通道和一個雙半圓通道的內(nèi)側(cè)分別設(shè)有開口，且在至少三個內(nèi)突出圓形通道的外圍呈圓形交錯排列；三個內(nèi)突出圓形通道分別設(shè)置的兩個開口與少兩個外突出圓形通道和一個雙半圓通道的內(nèi)側(cè)開口分別通過連接通道聯(lián)通；在雙半圓通道的外側(cè)設(shè)有順直延伸的兩冷卻介質(zhì)通道，兩冷卻介質(zhì)通道的端部一個為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口、另一個為冷卻介質(zhì)出
n ；所述高頻感應(yīng)加熱片的外緣分別與外突出圓形通道、內(nèi)突出圓形通道內(nèi)側(cè)壁形狀相冋，在聞頻感應(yīng)加熱片的中部設(shè)有拉制孔； 所述電流交叉片的外緣與雙半圓通道內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在電流交叉片的中部設(shè)有拉制孔，電流交叉斜開口由拉制孔分別貫通至雙半圓通道的兩開口處；所述連接座為兩個，在兩個連接座的內(nèi)側(cè)分別設(shè)有連接冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口的孔；在外突出圓形通道、內(nèi)突出圓形通道或連接通道的任意外部面上設(shè)有地線連接片；在至少三個內(nèi)突出圓形通道和至少兩個外突出圓形通道的內(nèi)壁上分別連接具有拉制孔的高頻感應(yīng)加熱片，其中一個雙半圓通道的內(nèi)壁分別連接電流交叉片的兩側(cè)且電流交叉斜開口分別對應(yīng)雙半圓通道的內(nèi)外開口，冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口分別與兩個連接座的內(nèi)側(cè)孔連接。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述拉制孔的上部或下部孔口處設(shè)有環(huán)狀斜面。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述拉制孔設(shè)置為圓形或多角形。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根娃芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，在外突出圓形通道和內(nèi)突出圓形通道上分別設(shè)置的高頻感應(yīng)加熱片的對應(yīng)開口一側(cè)設(shè)有半環(huán)繞拉制孔的半圓槽，且所述半圓槽的圓形外側(cè)設(shè)有開口。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述兩個連接座外側(cè)分別設(shè)有連接孔。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，兩個連接座外側(cè)設(shè)置的連接孔為至少一個。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述高頻感應(yīng)加熱片與外突出圓形通道和內(nèi)突出圓形通道的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述的電流交叉片與雙半圓通道的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。由于采用如上所述的技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果 本發(fā)明所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu),本發(fā)明將冷卻介質(zhì)通道設(shè)置為外部環(huán)繞一圈外突出圓形通道，內(nèi)部設(shè)置一圈內(nèi)突出圓形通道，外突出圓形通道和內(nèi)突出圓形通道通過連接通道聯(lián)通形成相互貫通的結(jié)構(gòu)形式，不僅有效克服了中部的過熱現(xiàn)象，而且使中部較熱區(qū)域得到更多的降溫機(jī)會，由于是外突出圓形通道和內(nèi)突出圓形通道交錯設(shè)置，合理的利用了空間布局，而且保證了磁力線并不會減弱；使用時將連接座連接的冷卻介質(zhì)通道接通冷卻介質(zhì)，地線連接片同時外接防止短路，在原料硅棒的端頭靠近本發(fā)明的冷卻介質(zhì)通道下面時，并原料硅棒的端頭部位融化后，籽晶夾頭帶著籽晶下降，使籽晶通過多個拉制孔后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升籽晶，原料棒上部的熔化液體會跟隨籽晶上升，其原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升；由于原料棒的端部可能不太平整；所以需要控制原料棒的上升速度以實現(xiàn)受熱均勻的效果；原料硅棒上部的熔化區(qū)在籽晶的粘和帶動并通過拉制孔后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個新的柱型晶體;本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單，使用壽命較長等優(yōu)點。

圖I是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的冷卻介質(zhì)通道結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明的高頻感應(yīng)加熱片立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的電流交叉片立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的連接座立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1、外突出圓形通道；2、連接通道；3、內(nèi)突出圓形通道；4、環(huán)狀斜面；5、高頻感應(yīng)加熱片；6、拉制孔；7、半圓槽；8、電流交叉片；9、雙半圓通道；10、電流交叉斜開口 ；
11、冷卻介質(zhì)通道；12、連接座；13、地線連接片；14、連接孔。
具體實施方式通過下面的實施例可以更詳細(xì)的解釋本發(fā)明，公開本發(fā)明的目的旨在保護(hù)本發(fā)明范圍內(nèi)的一切變化和改進(jìn)，本發(fā)明并不局限于下面的實施例；結(jié)合附圖I 5中所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，包括冷卻介質(zhì)通道11、高頻感應(yīng)加熱片5、電流交叉片8、地線連接片13和連接座12 ;所述冷卻介質(zhì)通道11包含外突出圓形通道I、內(nèi)突出圓形通道3、連接通道2，所述至少三個內(nèi)突出圓形通道3呈圓形排列，在內(nèi)突出圓形通道3的外側(cè)分別設(shè)有開口 ；所述至少兩個外突出圓形通道I和一個雙半圓通道9的內(nèi)側(cè)分別設(shè)有開口，且在至少三個內(nèi)突出圓形通道3的外圍呈圓形交錯排列；三個內(nèi)突出圓形通道3分別設(shè)置的兩個開口與少兩個外突出圓形通道I和一個雙半圓通道9的內(nèi)側(cè)開口分別通過連接通道2聯(lián)通；在雙半圓通道9的外側(cè)設(shè)有順直延伸的兩冷卻介質(zhì)通道11，兩冷卻介質(zhì)通道11的端部一個為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口、另一個為冷卻介質(zhì)出口；所述高頻感應(yīng)加熱片5的外緣分別與外突出圓形通道I、內(nèi)突出圓形通道3內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在高頻感應(yīng)加熱片5的中部設(shè)有拉制孔6 ;所述電流交叉片8的外緣與雙半圓通道9內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在電流交叉片8的中部設(shè)有拉制孔6，電流交叉斜開口 10由拉制孔6分別貫通至雙半圓通道9的兩開口處；所述連接座12為兩個，在兩個連接座12的內(nèi)側(cè)分別設(shè)有連接冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口的孔；、
在外突出圓形通道I、內(nèi)突出圓形通道3或連接通道2的任意外部面上設(shè)有地線連接片13 ;在至少三個內(nèi)突出圓形通道3和至少兩個外突出圓形通道I的內(nèi)壁上分別連接具有拉制孔6的高頻感應(yīng)加熱片5，其中一個雙半圓通道9的內(nèi)壁分別連接電流交叉片8的兩側(cè)且電流交叉斜開口 10分別對應(yīng)雙半圓通道9的內(nèi)外開口，冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口分別與兩個連接座12的內(nèi)側(cè)孔連接。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述拉制孔6的上部或下部孔口處設(shè)有環(huán)狀斜面4 ;所述拉制孔6設(shè)置為圓形或多角形；在外突出圓形通道I和內(nèi)突出圓形通道3上分別設(shè)置的高頻感應(yīng)加熱片5的對應(yīng)開口一側(cè)設(shè)有半環(huán)繞拉制孔的半圓槽7，且所述半圓槽7的圓形外側(cè)設(shè)有開口 ；所述兩個連接座12外側(cè)分別設(shè)有連接孔14 ;兩個連接座12外側(cè)設(shè)置的連接孔14為至少一個。所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述高頻感應(yīng)加熱片5與外突出圓形通道I和內(nèi)突出圓形通道3的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè) 壁連接；所述的電流交叉片8與雙半圓通道9的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)
壁連接。實施本發(fā)明所述的內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu),本發(fā)明的設(shè)計初衷是通過這兩年對于在先專利申請的使用，發(fā)現(xiàn)了在所述專利內(nèi)孔周圍的電流運行較好，但是由于冷卻介質(zhì)通道11設(shè)置在外部，中部相應(yīng)的較熱，金屬在高溫環(huán)境下出現(xiàn)疲勞,材質(zhì)發(fā)生改變,最終出現(xiàn)了由中心部位損壞現(xiàn)象的發(fā)生；本發(fā)明通過改進(jìn)冷卻介質(zhì)通道11結(jié)構(gòu)，使得上述問題得到了有效克服。本發(fā)明通過在中部設(shè)置的內(nèi)突出圓形通道3對于相對中部較高的溫度得到緩解，而且磁力線并不會減弱，使用時將連接座12連接的冷卻介質(zhì)通道11的冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口接通冷卻介質(zhì)，地線連接片I同時外接防止短路，冷卻介質(zhì)通道11的內(nèi)突出圓形通道3和外突出圓形通道I以及連接通道2處能形成電流相互借用或交叉使原料棒均勻受熱，并且可以實現(xiàn)輔助化料的作用；在原料硅棒的端頭靠近本發(fā)明下面時，在原料硅棒的端頭部位融化后，籽晶夾頭帶著籽晶下降，使籽晶通過多個拉制孔6后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升籽晶，原料棒上部的熔化液體會跟隨籽晶上升，其原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升，但是其原料棒不得與本發(fā)明下面接觸；因為原料棒的端部可能不太平整；所以需要控制原料棒的上升速度，但要盡可能的使原料硅棒靠近本發(fā)明下面；以實現(xiàn)受熱均勻的效果；原料硅棒上部的熔化區(qū)在籽晶的粘和帶動并通過拉制孔6后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個新的柱型晶體，其籽晶夾頭夾帶籽晶緩慢上升，便可形成所需長度的成品硅芯。本發(fā)明為了克服趨膚效應(yīng)和受熱不勻問題，通過將高頻感應(yīng)加熱片5、電流交叉片8設(shè)置為較薄的板體，并在拉制孔6的上部或下部孔口處設(shè)有環(huán)狀斜面4，由環(huán)狀斜面4來引導(dǎo)電流靠近拉制孔6，克服了趨膚效應(yīng)時電流會在高頻感應(yīng)加熱片5、電流交叉片8的上下表面運行，克服了硅芯在拉制過程中到達(dá)拉制孔6中部時出現(xiàn)的結(jié)晶現(xiàn)象，避免了當(dāng)硅芯在拉制時的融化-結(jié)晶-融化必然導(dǎo)致硅芯結(jié)晶斷裂的后果，所以拉制孔6的環(huán)狀斜面4就是為了克服趨膚效應(yīng)。以上內(nèi)容中未細(xì)述部份為現(xiàn)有技術(shù)，故未做細(xì)述。
權(quán)利要求
1.ー種內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，包括冷卻介質(zhì)通道(11)、高頻感應(yīng)加熱片(5)、電流交叉片(8)、地線連接片(13)和連接座(12)，其特征是所述冷卻介質(zhì)通道(11)包含外突出圓形通道(I)、內(nèi)突出圓形通道(3)、連接通道(2)，所述至少三個內(nèi)突出圓形通道(3)呈圓形排列，在內(nèi)突出圓形通道(3)的外側(cè)分別設(shè)有開ロ ；所述至少兩個外突出圓形通道(I)和一個雙半圓通道(9)的內(nèi)側(cè)分別設(shè)有開ロ，且在至少三個內(nèi)突出圓形通道(3)的外圍呈圓形交錯排列；三個內(nèi)突出圓形通道(3)分別設(shè)置的兩個開ロ與少兩個外突出圓形通道(I)和一個雙半圓通道(9)的內(nèi)側(cè)開ロ分別通過連接通道(2)聯(lián)通；在雙半圓通道(9)的外側(cè)設(shè)有順直延伸的兩冷卻介質(zhì)通道(11)，兩冷卻介質(zhì)通道(11)的端部ー個為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口、另ー個為冷卻介質(zhì)出口 ； 所述高頻感應(yīng)加熱片(5)的外緣分別與外突出圓形通道(I)、內(nèi)突出圓形通道(3)內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在高頻感應(yīng)加熱片(5)的中部設(shè)有拉制孔(6)； 所述電流交叉片⑶的外緣與雙半圓通道(9)內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在電流交叉片⑶的中部設(shè)有拉制孔(6)，電流交叉斜開ロ(10)由拉制孔(6)分別貫通至雙半圓通道(9)的兩開ロ處； 所述連接座(12)為兩個，在兩個連接座(12)的內(nèi)側(cè)分別設(shè)有連接冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口的孔； 在外突出圓形通道(I)、內(nèi)突出圓形通道(3)或連接通道(2)的任意外部面上設(shè)有地線連接片(13);在至少三個內(nèi)突出圓形通道(3)和至少兩個外突出圓形通道(I)的內(nèi)壁上分別連接具有拉制孔(6)的高頻感應(yīng)加熱片(5)，其中一個雙半圓通道(9)的內(nèi)壁分別連接電流交叉片⑶的兩側(cè)且電流交叉斜開ロ(10)分別對應(yīng)雙半圓通道(9)的內(nèi)外開ロ，冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口分別與兩個連接座(12)的內(nèi)側(cè)孔連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述拉制孔出)的上部或下部孔ロ處設(shè)有環(huán)狀斜面(4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述拉制孔(6)設(shè)置為圓形或多角形。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是在外突出圓形通道(I)和內(nèi)突出圓形通道(3)上分別設(shè)置的高頻感應(yīng)加熱片(5)的對應(yīng)開ロー側(cè)設(shè)有半環(huán)繞拉制孔的半圓槽(7)，且所述半圓槽(7)的圓形外側(cè)設(shè)有開ロ。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述兩個連接座(12)外側(cè)分別設(shè)有連接孔(14)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是兩個連接座(12)外側(cè)設(shè)置的連接孔(14)為至少ー個。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述高頻感應(yīng)加熱片(5)與外突出圓形通道(I)和內(nèi)突出圓形通道(3)的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的內(nèi)外開ロ同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述的電流交叉片⑶與雙半圓通道(9)的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。
全文摘要
本發(fā)明屬于一種高頻線圈，尤其是涉及一種內(nèi)外開口同時拉制多根硅芯的高頻感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，在至少三個內(nèi)突出圓形通道和至少兩個外突出圓形通道的內(nèi)壁上分別連接具有拉制孔(6)的高頻感應(yīng)加熱片(5)，其中一個雙半圓通道(9)的內(nèi)壁分別連接電流交叉片(8)的兩側(cè)且電流交叉斜開口(10)分別對應(yīng)雙半圓通道的內(nèi)外開口，冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口分別與兩個連接座(12)的內(nèi)側(cè)孔連接；本發(fā)明通過將冷卻介質(zhì)通道設(shè)置為外部環(huán)繞一圈外突出圓形通道，內(nèi)部設(shè)置一圈內(nèi)突出圓形通道，不僅有效克服了中部的過熱現(xiàn)象，而且合理的利用了空間布局，而且保證了磁力線并不會減弱。
文檔編號C30B15/00GK102691096SQ201110068518
公開日2012年9月26日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者劉朝軒 申請人:洛陽金諾機(jī)械工程有限公司