專利名稱：等離子體生成設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例主要涉及等離子體槍，并且更具體地涉及燒蝕性等離子體槍。
背景技術(shù)：
電力線路和開關(guān)裝置通常涉及由絕緣體隔離的導(dǎo)體。在一些區(qū)域中，空氣空間通常用作此種絕緣體的一部分或全部。如果導(dǎo)體彼此過于接近，或電壓差超過絕緣性能，則在導(dǎo)體之間可能會出現(xiàn)電弧。導(dǎo)體之間的空氣或任何絕緣體(氣體或固體電介質(zhì))可變成電離的，使得絕緣體導(dǎo)通，且從而產(chǎn)生電弧。電弧溫度可高達20，000°C，使導(dǎo)體和相鄰的材料氣化，以及釋放出能破壞電路的爆炸性能量。電弧閃光是由相-相、相-中性點或相-地之間的電弧故障造成的快速能量釋放的結(jié)果。電弧閃光可產(chǎn)生類似于爆炸那樣的高熱、強光、壓力波和聲波/沖擊波。然而，電弧故障電流在大小方面通常比短路電流要小得多，且因此預(yù)計電路斷路器會延遲或不會跳閘，但該斷路器選擇為用以處理電弧故障狀態(tài)除外。通常，電弧閃光減輕技術(shù)使用標準的熔斷器和電路斷路器。然而，這些技術(shù)的響應(yīng)時間緩慢并不會快到足以減輕電弧閃光。已經(jīng)用于減輕電弧故障的一種其它技術(shù)是采用短接(機械短路器(crowbar))開關(guān)，該開關(guān)定位在電力母線與地面之間，或在相與相之間。在發(fā)生電弧故障時，短路器開關(guān)使電力母線上的線電壓短路，且使能量轉(zhuǎn)移遠離電弧閃光，因此保護器材免受電弧爆炸造成的破壞。在電力母線上所產(chǎn)生的短路導(dǎo)致上游電路斷路器消除栓接故障。大且昂貴的這些開關(guān)定位在主電力母線上，導(dǎo)致觸發(fā)時的栓接故障狀態(tài)。結(jié)果，公知的是機械短路器在上游變壓器上引起極端應(yīng)力。需要一種改進的電弧閃光防止機構(gòu)，其具有改善的響應(yīng)時間且成本效益合算。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，提供了一種設(shè)備，如電弧減輕裝置。電弧減輕裝置可包括第一等離子體生成裝置和第二等離子體生成裝置，以及在一些情形中具有第三等離子體生成裝置。等離子體生成裝置可構(gòu)造成用以發(fā)射在其中生成的等離子體，以便提供在主電極之間的等離子體橋，該主電極隔開至少大約50mm。例如，電弧減輕裝置可包括主電極。第二等離子體生成裝置可包括一對相對且間隔開的電極。低電壓高電流的能量源可連接在相對的電極之間。通道可構(gòu)造成以便在第一等離子體生成裝置與其它等離子體生成裝置之間引導(dǎo)等離子體。例如，第二等離子體生成裝置可構(gòu)造成用以接收由第一等離子體生成裝置所產(chǎn)生的等離子體，以便減小在第二等離子體生成裝置的相對電極之間的區(qū)域的阻抗。例如，該阻抗可減小到足以容許由于低電壓高電流的能量源而在第二等離子體生成裝置的相對電極之間形成電弧。第二等離子體生成裝置可包括燒蝕性材料，其構(gòu)造成用以在該對相對電極之間存在電弧時被燒蝕。第一等離子體生成裝置可包括第一電極、與第一電極間隔開的基電極，以及高電壓低電流的能量源，該能量源構(gòu)造成用以在第一電極與基電極之間產(chǎn)生足以導(dǎo)致其間空氣擊穿的電勢差(比如說，在電流小于或等于大約IA時為至少大約8kV)。第一等離子體生成裝置還可包括第二電極，該第二電極與基電極相對且間隔開。低電壓高電流的能量源(比如說，構(gòu)造成用以產(chǎn)生小于或等于大約IkV的電壓和至少大約4kA的電流)可連接在第二電極與基電極之間，其中，第二電極和基電極都設(shè)置成以便在第一電極與基電極之間存在電弧時導(dǎo)致?lián)舸┢溟g的空氣。第一等離子體生成裝置還可包括構(gòu)造成用以在第二電極與基電極之間存在電弧時被燒蝕的燒蝕性材料。在一些實施例中，低電壓高電流的能量源可連接在第一電極與第二電極之間，與高電壓低電流的能量源并聯(lián)。高電壓低電流的能量源可構(gòu)造成用以提供跨過第一電極和基電極的高電壓低電流脈沖，而低電壓高電流的能量源可構(gòu)造成用以響應(yīng)于該高電壓低電流脈沖提供跨過第一電極和基電極的低電壓高電流脈沖。另一方面，提供了一種設(shè)備，如電弧減輕裝置。電弧減輕裝置可包括第一等離子體生成裝置和第二等離子體生成裝置。第二等離子體生成裝置可包括一對相對且間隔開的電極，以及連接在其間的低電壓高電流的能量源。通道可構(gòu)造成用以在第一等離子體生成裝置與第二等離子體生成裝置之間引導(dǎo)等離子體，使得第二等離子體生成裝置接收由第一等離子體生成裝置所產(chǎn)生的等離子體。來自于第一等離子體生成裝置的等離子體可用來將在該對相對電極之間的區(qū)域的阻抗減小到足以容許由于低電壓高電流的能量源而引起在其間形成電弧。


當(dāng)參照附圖閱讀如下詳細描述時，本發(fā)明的這些及其它特征、方面和優(yōu)點將變得更容易理解，所有附圖中的相似標號表示相似的零件，在附圖中圖1為根據(jù)示例性實施例所構(gòu)造的電力系統(tǒng)的簡圖；圖2為圖1中的電弧減輕裝置的透視圖；圖3為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的透視圖；圖4為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的平面視圖；圖5為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的局部透視圖；圖6為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的局部分解透視圖；圖7為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的電路圖；圖8為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的等離子體槍的截面簡圖，繪出了在一個等離子體槍的第一電極與基電極之間電弧的形成；圖9為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的電路圖，繪出了在一個等離子體槍的第一電極與基電極之間電弧的形成； 圖10為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的等離子體槍的截面簡圖，示出了在等離子體槍的第二電極與基電極之間的電弧的形成；圖11為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的電路圖，示出了在等離子體槍的第二電極與基電極之間電弧的形成；圖12為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的透視圖，繪出了等離子體經(jīng)由其跨過的運動；圖13為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的電路圖，繪出了等離子體經(jīng)由其跨過的運
4動；圖14為圖2中的等離子體生成系統(tǒng)的電路圖，繪出了在其余等離子體槍的電極之間的電弧的形成；以及圖15為繪出圖2中的電弧減輕裝置的操作的示意性側(cè)視圖。零件清單100電力系統(tǒng)102 電源104 負載106電路斷路器108公共母線108a，108b，108c 導(dǎo)線110電弧減輕裝置112電弧容置裝置114電信號監(jiān)測系統(tǒng)116電弧閃光事件118電弧閃光判定系統(tǒng)120電參數(shù)122 參數(shù)124電弧閃光傳感器126電弧故障信號128，130，132 主電極134等離子體生成系統(tǒng)136，138，140 等離子體槍141 殼體142a 和 142b, 144a 和 144b, 146a 和 146b 電極148低電壓高電流脈沖能量源150高電壓低電流脈沖能量源152燒蝕性材料部分153 槽口154，156，158 腔室區(qū)域160 端口162 電極163整流器164電阻器166電容器168電阻-電容充電電路170 開關(guān)172高電壓脈沖變壓器174初級繞組
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176次級繞組178整流器180電阻器182電容器184電阻-電容充電電路186電阻器188電感器190 開關(guān)192電阻器194 通道196 通路198a，198b，198c 電弧200等離子體202等離子體橋204保護性電弧
具體實施例方式下文參照附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例，其中，相同的參考標號在所有圖中表示相同的部分。這些實施例中的一些可滿足以上及其它需要。參看圖1，示出了電力系統(tǒng)，且其大體上由參考標號100表示。電力系統(tǒng)100包括構(gòu)造成用以經(jīng)由電路斷路器106傳送電力至負載104的電源102。例如，電源102可使用如圖所示的三相構(gòu)造或例如通過單相構(gòu)造，將交流(AC)電力傳送至公共母線108。電源102 和負載104還可經(jīng)由公共母線108聯(lián)接到電弧減輕裝置110上。電弧減輕裝置110可裝容在電弧容置裝置112內(nèi)。電信號監(jiān)測系統(tǒng)114可構(gòu)造成用以監(jiān)測電力系統(tǒng)100中的電流變化，該電流變化可能由于電弧閃光事件116而引起。在一個實例中，電信號監(jiān)測系統(tǒng)114包括電流變壓器。 電弧閃光判定系統(tǒng)118可構(gòu)造成用以接收來自電信號監(jiān)測系統(tǒng)114的電參數(shù)120以及來自電弧閃光傳感器1 的參數(shù)122。如本文所用，用語“參數(shù)”是指可用作標記電弧閃光事件的量，舉例來說，例如光照、熱輻射、聲音、壓力和/或源于電弧閃光事件116的射頻信號。因此，傳感器IM例如可包括光學(xué)傳感器、熱輻射傳感器、聲音傳感器、壓力變換器和/或射頻傳感器。基于參數(shù)120和122，電弧閃光判定系統(tǒng)118可產(chǎn)生表示出現(xiàn)電弧閃光事件116的電弧故障信號126。如下文所述，電弧故障信號1 可用于啟動電弧減輕裝置110。參看圖1和圖2，電弧減輕裝置110可包括分別連接到公共母線108的導(dǎo)線108a， 108b，108c上的主電極128，130，132 (例如，對應(yīng)于不同的相、中性點或地面的不同導(dǎo)體)。 盡管該實施例示出了三個主電極，但其它實施例可根據(jù)電力系統(tǒng)的需要而包括更多或更少的電極。主電極128，130，132之間的間隙可能是電力系統(tǒng)100正常操作所需的，而必要的間隙量取決于系統(tǒng)電壓。例如，以大約600V操作的低電壓系統(tǒng)可能在主電極128，130，132 之間需要大約25mm的間隙，而以大約15kV操作的中壓系統(tǒng)可能需要主電極間隔開至少大約50mm，以及在一些情形中大于IOOmm或甚至150mm。
參看圖1至圖6，電弧減輕裝置110可包括等離子體生成系統(tǒng)134。等離子體生成系統(tǒng)134可包括一個或多個等離子體生成裝置，如等離子體槍136，138，140，其由殼體141 支承并設(shè)置在主電極128，130，132之間。各等離子體槍136，138，140均可包括一對相對且間隔開的電極 14 和 142b, 144a和 144b, 146a和 146b。電極 142a, 142b, 144a, 144b, 146a, 146b例如可由銅和/或不銹鋼制成，且可包括端子以便使電極連接到相應(yīng)的能量源148， 150(下文所述)上。各等離子體槍136，138，140還可包括燒蝕性材料。例如，各等離子體槍136，138， 140均可包括電介質(zhì)燒蝕性材料部分152，其分別設(shè)置成鄰近成對的相對電極14 和142b， 144a和144b，146a和146b (例如，與這些成對的相對電極層合)。如下文進一步所述，燒蝕性材料部分152可構(gòu)造成使得至少一種燒蝕性材料部分152在對應(yīng)的一對相對電極14 和142b，144a和144b，和/或146a和146b之間存在足夠的電流電弧時將被燒蝕?？蛇x的燒蝕性材料例如包括聚四氟乙烯、聚甲醛聚酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或其它燒蝕性聚合物。電極142a，142b，144a，144b，146a，146b中的一些和燒蝕性材料部分152可限定槽口 153，使得當(dāng)組裝在一起時，該電極和燒蝕性材料部分一起用來在各等離子體槍136， 138，140內(nèi)限定相應(yīng)的腔室區(qū)域154，156，158。如下文將進一步描述的那樣，在等離子體槍 136，138，140操作期間，在腔室154，156，158中可發(fā)生燒蝕和對應(yīng)的等離子體生成，這些腔室限定朝向主電極128，130，132附近的區(qū)域敞開的端口 160。參看圖2至圖7，相應(yīng)的低電壓高電流的脈沖能量源148可跨過各對相對的電極 142a和142b，144a和144b，146a和146b連接。在此上下文中，“低電壓高電流〃脈沖能量源是指構(gòu)造成用以產(chǎn)生小于或等于大約IkV的電壓和至少大約4kA的脈沖電流的能量源。低電壓高電流脈沖能量源148可構(gòu)造成使得在對應(yīng)的一對相對電極14 和142b，144a 和144b，146a和146b之間存在電弧時，與電弧相關(guān)聯(lián)的電流足以燒蝕至少一個燒蝕性材料部分152。低電壓高電流脈沖能量源148的實例在下文中提供。一個等離子體槍(比如說，等離子體槍136)可包括另一電極162。與等離子體槍136相關(guān)聯(lián)的電極14h，142b，162在下文分別稱為〃第二〃電極(142a)、“基〃電極 (142b)和"第一"電極(162)。高電壓低電流脈沖能量源150可跨過第一電極162和基電極142b連接，且可構(gòu)造成用以產(chǎn)生足以導(dǎo)致其間空氣擊穿的至少瞬時的電勢差。在該上下文中，“高電壓低電流"脈沖能量源是指構(gòu)造成用以產(chǎn)生至少大約8kV的電壓和小于或等于大約IA的脈沖電流的能量源。高電壓低電流脈沖能量源150的實例在下文中提供。高電壓低電流脈沖能量源150例如可為電容器放電電路或為基于脈沖變壓器的。 高電壓脈沖能量源150可包括與電源(未示出)成電力連接的整流器163、形成電阻-電容充電電路168的電阻器164和電容器166，以及設(shè)置成與電容器166串聯(lián)的開關(guān)170。例如， 高電壓低電流的脈沖能量源150可接收大約120至480V的AC(120-480VAC)電壓，且電容器166可充電至大約MOV的預(yù)定電壓。高電壓低電流的脈沖能量源150還可包括具有初級繞組174和次級繞組176的高電壓脈沖變壓器172。初級繞組174可通過開關(guān)170與電源(未示出)成電力連接，而次級繞組176可與第一電極162和基電極142b成電力連接。例如，低電壓高電流的脈沖能量源148可為使用微法級電容器的電容放電電路， 該微法級電容器產(chǎn)生相對較高的電流和相對較低的電壓(例如，在低于大約IkV的電壓下為大約5kA)。低電壓高電流脈沖能量源148可包括與電源(未示出)成電力連接的整流器178，以及構(gòu)造為電阻-電容充電電路184的電阻器180和電容器182。例如，低電壓高電流的脈沖能量源148可從電源(未示出)接收大約480VAC的電壓，且電容器182可充電直至大約600V。電容器182可與該對電極14 和14 并聯(lián)，且與電阻器180串聯(lián)。低電壓高電流脈沖能量源148還可包括電阻器186、在整流器178和第二電極14 之間串聯(lián)連接的電感器188。此外，開關(guān)190和電阻器192可跨過整流器178串聯(lián)連接，以便在低電壓高電流脈沖能量源148的測試期間提供放電路徑。等離子體生成系統(tǒng)134可包括構(gòu)造成用以容許在等離子體槍136，138，140之間流體連通的通道(或管道，conduit) 194。例如，電極 142a, 142b, 144a, 144b, 146a, 146b, 162 和各槍136，138，140的燒蝕性材料部分152可構(gòu)造成以便限定與由殼體141所限定的通路 196結(jié)合成一體的腔室154，156，158。參看圖1和圖7至圖11，在操作中，電弧閃光判定系統(tǒng)118可確定電弧閃光事件 116(基于參數(shù)120和12 的發(fā)生和產(chǎn)生電弧故障信號126。高電壓低電流脈沖能量源150 可構(gòu)造成用以接收電弧故障信號126，且予以響應(yīng)而產(chǎn)生脈沖，該脈沖引起第一電極162與基電極142b之間的空氣(或更通常而言，無論存在何種氣體)擊穿。例如，電弧故障信號 126可促使開關(guān)170關(guān)閉，而脈沖經(jīng)由脈沖變壓器172的初級繞組174發(fā)送。作為響應(yīng)，第二電壓電勢可經(jīng)由變壓器172的次級繞組176跨過第一電極162和基電極142b形成。因此，可產(chǎn)生高電壓(例如，在電容器166充電至大約MOV時為大約8kV)低電流脈沖，該脈沖可高到足以克服第一電極162與基電極142b之間的空氣擊穿電壓。結(jié)果，能量相對較低的電弧198a可跨過第一電極162與基電極142b之間的距離。第二電極14 可設(shè)置成使得第一電極162與基電極142b之間的電弧198a導(dǎo)致由第二電極與基電極之間的空間所提供的阻抗減小。這種阻抗減小可足以在低電壓高電流的脈沖能量源148的作用下引起第二電極14 與基電極142b之間的空氣擊穿，從而容許電弧198a移動且保持在第二電極與基電極之間。阻抗的減小還容許高電流脈沖在第二電極14 與基電極142b之間流動而與低電壓無關(guān)。電弧198a的能量因此隨著低電壓高電流脈沖能量源148的電容器182放電而顯著地增大。參看圖12至圖14，一旦電弧198a已經(jīng)傳遞至第二電極14 和基電極142b，則低電壓高電流的脈沖能量源148便構(gòu)造成用以保持足夠的電弧電流，以便引起相關(guān)聯(lián)的燒蝕性材料部分152的燒蝕，這導(dǎo)致在腔室巧4中產(chǎn)生等離子體200。在腔室巧4中產(chǎn)生的一些等離子體200然后可由與等離子體槍136相關(guān)聯(lián)的端口 160發(fā)射。然而，至少一些等離子體200可由通道194引導(dǎo)到其它等離子體槍138，140的腔室156，158中。當(dāng)?shù)入x子體200進入等離子體槍138，140的腔室156，158中時，與對應(yīng)的電極對 144a和144b，146a和146b之間的空間相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)阻抗便減小。分別跨過電極14 和 144b，146a和146b連接的低電壓高電流的脈沖能量源148然后可啟動各對電極之間的電弧 198b，198c。低電壓高電流的脈沖能量源148再次構(gòu)造成用以保持足夠的電弧電流，以便引起相關(guān)聯(lián)的燒蝕性材料部分152的燒蝕，這導(dǎo)致在腔室156，158中產(chǎn)生等離子體200。參看圖2、圖12和圖15，一旦等離子體槍136，138，140產(chǎn)生等離子體200，則等離子體可從相應(yīng)的端口 160發(fā)射以便占據(jù)主電極128，130，132之間的空間。等離子體200可在主電極128，130，132之間產(chǎn)生導(dǎo)通的等離子體橋202，從而使主電極短接并容許保護性
8電弧204形成于其間。等離子體橋202因此可用來減輕電弧閃光事件116，啟動上游的保護裝置(如，電路斷路器106)，且從而切斷供給至故障電力系統(tǒng)的電力。這種有意產(chǎn)生的故障可以受控的方式執(zhí)行，其中，與電弧閃光事件116相關(guān)聯(lián)的能量可轉(zhuǎn)移遠離故障位置。保護性電弧204可發(fā)出呈強光、聲音、壓力波和沖擊波形式的大量能量。保護性電弧204還引起主電極128，130，132的氣化，導(dǎo)致高壓?？勺⒁獾氖牵娀p輕裝置110可包括封殼或電弧容置裝置112，其構(gòu)造成用以包含由保護性電弧204引起的沖擊波和高壓。在2009年5月 26日提交的美國專利申請No. 12/471,662中提供了電弧容置裝置的實例，該申請通過引用整體并入到本文中。離開端口 160的等離子體200射流的特性，如速度、離子濃度和傳播，以及還有等離子體橋202的特性，尤其可由等離子體槍136，138，140的尺寸和間距、燒蝕性材料的類型以及能量源148供送能量的方式來控制。因此，主電極128，130，132之間的間隙的阻抗在啟動電弧減輕裝置110時可設(shè)計成用以產(chǎn)生相對較快和穩(wěn)健的保護性電弧204。根據(jù)以上實例構(gòu)造的實施例可允許利用連接到多個等離子體槍中的單個上的單個高電壓低電流能量源來啟動該多個等離子體槍。該構(gòu)造可具有許多優(yōu)點。例如，高電壓低電流的能量源趨于是昂貴的，且因此有用的是最大限度地減少所需的這些裝置的數(shù)目。 此外，對于包括單個高電壓低電流能量源用于觸發(fā)串聯(lián)連接的多個等離子體槍的實施例而言，可能需要一個或多個阻塞二極管，以免使高電壓脈沖通過流經(jīng)由觸發(fā)電極、上游槍的陽極和高電流電容器所形成的路徑而繞過下游槍中的一個或多個。該二極管將使得觸發(fā)系統(tǒng)更為復(fù)雜和昂貴，且進一步而言，高于某一電流電平(5kA)可趨于限制在傳導(dǎo)時由于其高電阻造成的高電流脈沖。盡管本文僅示出和描述了本發(fā)明的某些實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可想到許多修改和變化。因此，應(yīng)當(dāng)理解到，所附權(quán)利要求意圖涵蓋落入本發(fā)明的真正精神內(nèi)的所有這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括第一等離子體生成裝置(136)；第二等離子體生成裝置(138)；以及通道(194)，其構(gòu)造成用以在所述第一等離子體生成裝置與所述第二等離子體生成裝置之間引導(dǎo)等離子體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二等離子體生成裝置包括一對相對且間隔開的電極(144a，144b)；以及連接在所述一對相對的電極之間的低電壓高電流能量源(148)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二等離子體生成裝置構(gòu)造成用以接收由所述第一等離子體生成裝置產(chǎn)生的等離子體，以便將所述一對相對的電極之間的區(qū)域的阻抗減小到足以容許在所述一對相對電極之間由于所述低電壓高電流能量源而引起形成電弧。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二等離子體生成裝置包括構(gòu)造成用以在所述一對相對的電極之間存在電弧時被燒蝕的燒蝕性材料(152)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一等離子體生成裝置包括第一電極(162)；與所述第一電極間隔開的基電極(142b)；以及高電壓低電流能量源(150)，其構(gòu)造成用以在所述第一電極與所述基電極之間生成足以導(dǎo)致其間空氣擊穿的電勢差。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一等離子體生成裝置包括與所述基電極相對且間隔開的第二電極(142a)以及連接在所述第二電極與所述基電極之間的低電壓高電流能量源(148)，所述第二電極和所述基電極設(shè)置成以便在電弧存在于所述第一電極與所述基電極之間時導(dǎo)致其間的空氣擊穿。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一等離子體生成裝置包括構(gòu)造成用以在所述第二電極與所述基電極之間存在電弧時被燒蝕的燒蝕性材料(152)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述高電壓低電流能量源構(gòu)造成用以產(chǎn)生至少大約8kV的電壓和小于或等于大約IA的電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一等離子體生成裝置包括連接在所述第一電極與所述基電極之間的與所述高電壓低電流能量源并聯(lián)的低電壓高電流能量源(148)，其中，所述高電壓低電流能量源構(gòu)造成用以提供跨過所述第一電極和所述基電極的高電壓低電流脈沖，以及所述低電壓高電流能量源構(gòu)造成用以響應(yīng)于所述高電壓低電流脈沖來提供跨過所述第一電極和所述基電極的低電壓高電流脈沖。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述低電壓高電流能量源構(gòu)造成用以產(chǎn)生小于或等于大約IkV的電壓和至少大約4kA的電流。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子體生成設(shè)備。具體而言，提供了一種設(shè)備，如電弧減輕裝置(110)，其可包括第一等離子體生成裝置(136)和第二等離子體生成裝置(138)。第二等離子體生成裝置可包括一對相對且間隔開的電極(144a，144b)以及連接在其間的低電壓高電流能量源(148)。通道(194)可構(gòu)造成用以在第一等離子體生成裝置與第二等離子體生成裝置之間引導(dǎo)等離子體，使得第二等離子體生成裝置接收由第一等離子體生成裝置產(chǎn)生的等離子體。來自于第一等離子體生成裝置的等離子體可用來將該一對相對的電極之間的區(qū)域的阻抗減少到足以容許由于低電壓高電流的能量源而引起在其間形成電弧。
文檔編號H05H1/48GK102202455SQ20111008474
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月25日
發(fā)明者A·K·博霍里, G·加尼雷迪, T·阿索肯 申請人:通用電氣公司