專利名稱：一種加熱帶的新型設(shè)計(jì)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的沉積流程。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體和IXD器件的生產(chǎn)中，為了在工件整體上獲得良好性能和可行部件，薄膜均勻性(即整個(gè)膜厚度基本不變)是重要標(biāo)準(zhǔn)?；且粋€(gè)機(jī)械部件，其將基片固定在用于在諸如化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或物理氣象沉積(PVD)的制造步驟的處理室中?；ü潭ㄔ谛局系幕潭ò逡约坝糜谠谔幚硎覂?nèi)升高和降低基片的升降組件。加熱基片固定板以利于制造工藝。一般，加熱元件設(shè)置在固 定板內(nèi)。由CVD方法沉積的大多數(shù)膜用源材料在處理室中沉積，在該處理室中輸入幾種能量(例如等離子體、熱、微波)類型的至少一種以促進(jìn)沉積工藝。當(dāng)然，源材料取決于要沉積層的種類，例如，其可以包括諸如SiH4、H2、N2、NH3、PH3、CH4、Si2H6和02的氣態(tài)材料，和或可以包括金屬離子和像TEOS的有機(jī)硅酸鹽組分的液體源材料。膜在他們沉積時(shí)對(duì)溫度條件極其敏感，尤其是用有機(jī)硅酸液體源沉積的尤其如此，因?yàn)橛袡C(jī)硅酸液體源的蒸汽壓高度依賴于溫度。因此，當(dāng)在諸如用于平板工業(yè)中的玻璃板的大表面積基片上沉積薄膜時(shí)，溫度控制是獲得膜一致性的關(guān)鍵因素。LP TEOS的TEOS液體在進(jìn)入管路之前，需要有加熱帶保持管路之內(nèi)是高溫，確認(rèn)是TEOS氣體進(jìn)入。如圖I所示，目前常用的設(shè)計(jì)是僅采用一段加熱帶1，如果因?yàn)槟承┰蚨斐呻娫粗袛鄷r(shí)，會(huì)導(dǎo)致加熱帶停止加熱，造成TEOS氣體又會(huì)冷卻至液體而進(jìn)入管路，
導(dǎo)致厚度異常。為了解決上述問(wèn)題，很有必要提供一種改進(jìn)的加熱帶設(shè)計(jì)方法。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種防止加熱帶停止加熱的設(shè)計(jì)方法。本發(fā)明的目的通過(guò)提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種控制管路溫度的加熱帶設(shè)計(jì)方法，其特征在于將兩組加熱帶并聯(lián)使用并套在管路外圍。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明加熱帶采用并聯(lián)的方式可避免斷電情況下或者信號(hào)丟失的情況下加熱帶停止工作而導(dǎo)致溫度異常。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明圖I是目前常用的加熱帶設(shè)計(jì)方法。圖2是本發(fā)明的加熱帶設(shè)計(jì)方法。
具體實(shí)施方式
以下參照附圖用優(yōu)選實(shí)施方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)過(guò)程和本質(zhì)內(nèi)容所在。參圖2所示，本發(fā)明的控制管路溫度的加熱帶設(shè)計(jì)方法為在相同長(zhǎng)度的情況下，采取兩組加熱帶1，2，并聯(lián)使用并套在管路外圍，如果當(dāng)某一段I或2異常的時(shí)候，其余段還可以正常使用，這種方式可避免斷電情況下或者信號(hào)丟失的情況下加熱帶停止工作而導(dǎo)致管路內(nèi)溫度異常。盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的?！?br> 權(quán)利要求
1.一種控制管路溫度的加熱帶設(shè)計(jì)方法，其特征在于將兩組加熱帶并聯(lián)使用并套在管路外圍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防止加熱帶停止加熱的設(shè)計(jì)方法，將兩組加熱帶并聯(lián)使用并套在管路外圍。本發(fā)明可以避免斷電情況下或者信號(hào)丟失的情況下加熱帶停止工作而導(dǎo)致溫度異常。
文檔編號(hào)H05B3/02GK102811504SQ20111014360
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者馬小焰 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司