專利名稱：鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)一步涉及硅錠熱場裝置及材料，具體是鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場裝置及材料。
背景技術(shù)：
生產(chǎn)硅錠的方法有CZ法生產(chǎn)單晶硅錠，鑄錠法生產(chǎn)多晶硅錠，F(xiàn)Z法生產(chǎn)單晶硅錠、EFG生產(chǎn)硅帶等方法。由于成本問題，目前太陽能電池片主要使用CZ法單晶硅片和鑄造法多晶硅片。CZ法單晶硅由于制造成本是鑄錠多晶硅的4 5倍，能耗上高出5 7倍， 導(dǎo)致CZ單晶硅的市場份額越來越少。但由于鑄錠法生產(chǎn)多晶硅錠，存在大量的位錯、晶界， 使得鑄錠法多晶硅片制成的電池片，存在效率偏低的情況，一直使鑄錠法多晶硅錠無法完全取代CZ單晶硅錠。在國際上，跨國巨頭BP公司的對用鑄錠爐生產(chǎn)類似單晶(準(zhǔn)單晶)硅錠的工藝已開發(fā)多年，2010年被ALD收購，使得ALD多晶鑄錠爐已經(jīng)小規(guī)模開發(fā)出鑄錠法生產(chǎn)類似單晶硅錠的設(shè)備和工藝。目前，尚未見到針對利用在GT或四面及頂面加熱器的鑄錠爐生長類似單晶(準(zhǔn)單晶)，鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置的內(nèi)容的公開報道或?qū)＠暾?。由于鑄錠爐生長晶體需要從底部開始生長，類似單晶的生長也只能從底部開始， 這就要求在硅料熔化時，底部的晶種不能熔化或漂起。由于GT鑄錠爐或四面加頂部加熱器的鑄錠爐化料和生長溫度曲線并不平整，如果沒有好的化料及生長等溫曲線，晶種在熔化過程中會出現(xiàn)邊緣熔化而中心無法正常熔接的情況，必須需要30mm (毫米，下同)高度以上的晶種才能保持化料后，爐底依然有晶種存在。這樣勢必增加晶種成本，導(dǎo)致類似單晶成本偏高，無法批量化生產(chǎn)?；蛘邔?dǎo)致無法生產(chǎn)類似單晶。GT或四面及頂面加熱器的鑄錠爐一般現(xiàn)有技術(shù)即改進(jìn)前的結(jié)構(gòu)如圖1所示，導(dǎo)熱塊1置于坩堝底護(hù)板2下部，坩堝底護(hù)板2上放置有陶瓷坩堝5 ；陶瓷坩堝5的側(cè)部設(shè)置有坩堝側(cè)護(hù)板3 ；在陶瓷坩堝5 (坩堝一般高度為400毫米至600毫米，必要時可加高)的四周上方設(shè)置有側(cè)面加熱器4，在陶瓷坩堝5的上方設(shè)置有頂部加熱器6 ；側(cè)面加熱器4和頂部加熱器6的四周設(shè)置有隔熱籠7。未改進(jìn)前形成的模擬等溫曲線8如圖1所示，由圖1可看出，其化料及生長等溫曲線不夠平整。表明如果不對熱場溫度梯度進(jìn)行改進(jìn)，將無法用GT 或四面及頂面加熱器的鑄錠爐生產(chǎn)類似單晶(準(zhǔn)單晶)。這就是到目前為止，沒有使用GT或四面及頂面加熱器的鑄錠爐的廠家宣布能產(chǎn)準(zhǔn)單晶的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，在GT 爐或四面及頂部加熱器的鑄錠爐中采用該裝置，可顯著改善化料及生長等溫曲線；進(jìn)而可解決類似單晶晶種熔化問題，解決類似單晶生產(chǎn)的高成本問題。本發(fā)明通過改變GT爐或四面加熱器加頂部加熱器的熱場裝置及材料，從而改變熱場內(nèi)部溫度曲線，實(shí)現(xiàn)該目的。本發(fā)明的目的是通過以下方案實(shí)現(xiàn)的
鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于在GT鑄錠爐或四面及頂部加熱器的鑄錠爐內(nèi)，在坩堝護(hù)板或坩堝外，設(shè)置有4面的保溫層。用于對護(hù)板或坩堝進(jìn)行保溫。本發(fā)明的目的可通過以下方案進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)
所述的保溫層的材料采用非金屬保溫材料或金屬保溫材料。所述保溫層的材料采用非金屬保溫材料，非金屬保溫材料包括下述材料之一或組合石墨氈、陶瓷、石英、各種固化氈、纖維氈、碳?xì)?、采用碳纖維或陶瓷纖維為主要原料制作的保溫氈或保溫塊、氧化鋁纖維氈、采用各種結(jié)構(gòu)氧化鋁纖維為主要原料的保溫氈或保溫塊、采用各種結(jié)構(gòu)氧化鋯纖維為主要原料的保溫氈或保溫塊。所述保溫層的材料采用金屬保溫材料，金屬保溫材料包括下述材料之一或組合 鎢、鉬及與熔點(diǎn)在1600攝氏度以上的高溫合金。所述非金屬保溫材料的導(dǎo)熱系數(shù)在0. 001 5W/m. K (瓦特/米·開爾文)之間； 進(jìn)一步非金屬保溫材料的導(dǎo)熱系數(shù)在0. 05 3W/m. K之間；再進(jìn)一步非金屬保溫材料的導(dǎo)熱系數(shù)在0. 1 lW/m. K之間。所述保溫層設(shè)置于下述位置之一或之二或之三或之四固定在坩堝護(hù)板上，或固定在坩堝與護(hù)板之間，或固定在隔熱籠上，或固定在加熱器上，或固定在導(dǎo)熱塊上。所述的保溫層可分為豎向保溫層和水平保溫層，其中豎向保溫層的高度確保向上不超過坩堝護(hù)板及坩堝的上沿；向下不超過導(dǎo)熱塊下沿或不超過導(dǎo)熱塊的下沿100mm。所述保溫層設(shè)置為下列情形a、b、C、d之一或組合
a所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板外側(cè)面上，從距坩堝底部向上1 650mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；進(jìn)一步是從距坩堝底部向上5 600mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；再進(jìn)一步是從距坩堝底部向上10 550mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；從距坩堝底部向上設(shè)置保溫層的具體起始位置可選擇以下之一 1mm，5mm，10mm，50mm， 90mm,130mm,170mm,210mm,250mm,290mm,330mm,370mm,410mm,450mm,490mm,530mm,550mm, 570mm，600mm，650mm。保溫層豎向設(shè)置。b所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板外側(cè)面及導(dǎo)熱塊外側(cè)面上，從距坩堝底部向下1 200mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；進(jìn)一步是從距坩堝底部向下5 170mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；再進(jìn)一步是從距坩堝底部向下10 150mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；從距坩堝底部向下設(shè)置保溫層的具體起始位置可選擇以下之一 1mm， 5mm, 10mm, 30mm, 50mm, 80mm, 100mm, 130mm, 170mm, 200mmo 保溫層豎向設(shè)置°c所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板內(nèi)側(cè)、坩堝外側(cè)，從距坩堝底部向上1 650mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；進(jìn)一步是從距坩堝底部向上5 600mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；再進(jìn)一步是從距坩堝底部向上10 550mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；從距坩堝底部向上設(shè)置保溫層的具體起始位置可選擇以下之一 1mm，5mm，10mm， 50mm,90mm,130mm,170mm,210mm,250mm,290mm,330mm,370mm,410mm,450mm, 490mm, 530mm, 550mm，570mm，600mm，650mm。保溫層豎向設(shè)置。d所述保溫層設(shè)置于隔熱籠或加熱器或?qū)釅K上，從距坩堝底部士 1 400mm的位置設(shè)置保溫層；進(jìn)一步是從距坩堝底部士 10 350mm的位置設(shè)置保溫層；再進(jìn)一步是從距坩堝底部士20 300mm的位置設(shè)置保溫層；具體位置可選擇以下之一 1mm，5mm，10mm, 20mm, 50mm, 100mm, 150mm, 200mm, 250mm, 300mm, 350mm, 400mmo 保溫層水平設(shè)置,保溫層的寬度為50 500mm ；進(jìn)一步是100 450mm ；再進(jìn)一步是150 400mm。具體保溫層的寬度可選擇以下之一 :50mm, 100mm, 150mm, 200mm, 250mm, 300mm, 350mm,400mm,450mm,500mmo所述保溫層的高度為1 650mm ；進(jìn)一步是20 600mm ；再進(jìn)一步是50 550mm。具體保溫層的高度可選擇以下之一 1mm, 10mm, 20mm, 50mm, 90mm, 130mm, 170mm, 210mm,250mm,290mm,330mm,370mm,410mm,450mm,490mm,530mm,550mm,570mm,600mm, 650mmo所述的保溫層厚度為0. 01 100_ ；進(jìn)一步是0. 1 60_ ；再進(jìn)一步是1 40_具體保溫層的厚度可選擇以下之一0. 01mm，0. 1mm, 3. 0mm, 6. 0mm, 9. 0mm, 12mm, 15mm,18mm,21mm,24mm,27mm,30mm,33mm,36mm,39mm,42mm,45mm,48mm,51mm,55mm,60mm, 65mm,70mm,75mm,80mm,85mm,90mm,95mm,IOOmm0所述保溫層采用由內(nèi)向外、由上至下或由上下至中部的2 5級上薄下厚或上下薄中部厚或上薄中下部厚的階梯設(shè)置，相鄰階梯的保溫層所采用的材料相同或不同。本發(fā)明的有益效果在于在GT爐或四面及頂部加熱器的鑄錠爐中采用該裝置，可顯著改善化料及生長等溫曲線；進(jìn)而可使晶種固化在爐底，不熔化或漂浮，同時可以進(jìn)一步降低晶種高度，通過本方法，可將晶種控制在20mm以下。晶種高度的下降，可有效地降低生產(chǎn)成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)示意圖；圖2 5為本發(fā)明示意圖。圖中1、導(dǎo)熱塊，2、坩堝底護(hù)板，3、坩堝側(cè)護(hù)板，4、側(cè)面加熱器，5、坩堝，6、頂部加
熱器，7、隔熱籠，8、模擬的等溫曲線，9、保溫層。
具體實(shí)施例方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，并使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。實(shí)施例1
如圖2所示，導(dǎo)熱塊1置于坩堝底護(hù)板2 (底護(hù)板一般為石墨材料制作)下部，坩堝底護(hù)板2上放置有坩堝5 (—般為陶瓷坩堝)；坩堝5的四個側(cè)部設(shè)置有坩堝側(cè)護(hù)板3 (側(cè)護(hù)板一般為石墨材料制作)；在坩堝5 (坩堝5 —般高度為400mm至600mm，必要時可加高)的四周上方設(shè)置有側(cè)面加熱器4，在坩堝5的上方設(shè)置有頂部加熱器6 ；側(cè)面加熱器4和頂部加熱器6的四周設(shè)置有隔熱籠7，其中下面的隔熱籠7為固定，上面與四周的隔熱籠7為一體，可提升。四周環(huán)繞的保溫層9 (為圖示清晰起見，僅畫出一側(cè)保溫層9)設(shè)置于坩堝5的坩堝側(cè)護(hù)板3與導(dǎo)熱塊1外部，緊貼于坩堝側(cè)護(hù)板3與導(dǎo)熱塊1上；改進(jìn)后形成的模擬等溫曲線8如圖2所示，由圖中可以看出，其等溫曲線明顯平整，表明改進(jìn)后的熱場已經(jīng)具備生產(chǎn)類似單晶的基本條件。其中，保溫層9分豎向與水平向兩處，豎向保溫層分為三層，最內(nèi)層材料為石墨氈，石墨氈的厚度為10mm，石墨氈上端與護(hù)板3上沿齊，下端與導(dǎo)熱塊1下端齊；整體的高度為IOOOmm (或IOOOmm左右)(本高度可稱為保溫層的高度，即多層保溫層其中最大一單層的高度，可稱為多層保溫層的高度)。中間層材料為石英，石英的厚度為5mm，石英上端距護(hù)板3上沿150mm(或150mm左右)，下端與導(dǎo)熱塊1下端齊；整體的高度為850mm (或850mm左右)。最外層材料為氧化鋁纖維氈，氧化鋁纖維氈的厚度為20mm，氧化鋁纖維氈上端距護(hù)板3上沿450mm(或450mm左右)，下端與導(dǎo)熱塊1下端齊；整體的高度為550mm(或550mm
左右)。3層豎向保溫層9形成了由內(nèi)向外、由上至下的上薄下厚的階梯設(shè)置。在導(dǎo)熱塊下邊緣部分設(shè)置水平向保溫層9，材料選擇氧化鋁纖維氈，寬度為300mm (或300mm左右)，外端與豎向保溫層的外沿齊，保溫層厚度為20mm。實(shí)施例2
如圖3所示，導(dǎo)熱塊1置于坩堝底護(hù)板2 (底護(hù)板一般為石墨材料制作)下部，坩堝底護(hù)板2上放置有坩堝5 (—般為陶瓷坩堝);坩堝5的側(cè)部設(shè)置有坩堝側(cè)護(hù)板3 (側(cè)護(hù)板一般為石墨材料制作)；在坩堝5 (坩堝一般高度為400mm至600mm，必要時可加高)的四周上方設(shè)置有側(cè)面加熱器4，在坩堝5的上方設(shè)置有頂部加熱器6 ；側(cè)面加熱器4和頂部加熱器6的四周設(shè)置有隔熱籠7，其中下面的隔熱籠7為固定，上面與四周的隔熱籠7為一體，可提升。四周環(huán)繞的保溫層9 (為圖示清晰起見，僅畫出一側(cè)保溫層9)設(shè)置于坩堝5的坩堝側(cè)護(hù)板3外部，不貼于坩堝側(cè)護(hù)板3，緊貼于隔熱籠7 ；改進(jìn)后形成的模擬等溫曲線8如圖3所示，由圖中可以看出，其曲線明顯平整，表明改進(jìn)后的熱場已經(jīng)具備生產(chǎn)類似單晶的基本條件。其中，保溫層9為水平向一處，材料為碳纖維為主要原料制作的保溫塊，外邊緣固定于隔熱籠7上，位置處于坩堝5底部向上250mm (或250mm左右)的位置，保溫塊的寬度為300mm (或300mm左右)，厚度為100_ (或IOOmm左右)。實(shí)施例3
如圖4所示，導(dǎo)熱塊1置于坩堝底護(hù)板2 (底護(hù)板一般為石墨材料制作)下部，坩堝底護(hù)板2 (側(cè)護(hù)板一般為石墨材料制作)上放置有坩堝5 (—般為陶瓷坩堝);坩堝5的側(cè)部設(shè)置有坩堝側(cè)護(hù)板3 ；在坩堝5 (坩堝一般高度為400mm至600mm，必要時可加高)的四周上方設(shè)置有側(cè)面加熱器4，在坩堝5的上方設(shè)置有頂部加熱器6 ；側(cè)面加熱器4和頂部加熱器6的四周設(shè)置有隔熱籠7，其中下面的隔熱籠7為固定，上面與四周的隔熱籠7為一體，可提升。四周環(huán)繞的保溫層9 (為圖示清晰起見，僅畫出一側(cè)保溫層9)設(shè)置于坩堝5的坩堝側(cè)護(hù)板3外部，緊貼于坩堝側(cè)護(hù)板3上；改進(jìn)后形成的模擬等溫曲線8如圖4所示，由圖中可以看出，其曲線明顯平整，表明改進(jìn)后的熱場已經(jīng)具備生產(chǎn)類似單晶的基本條件。其中，保溫層9為豎向分為三層，最內(nèi)層材料為碳?xì)郑細(xì)值暮穸葹?mm，碳?xì)稚隙伺c護(hù)板3上沿齊，下端與導(dǎo)熱塊1下端齊；整體的高度為IOOOmm (或IOOOmm左右)(本高度可稱為保溫層的高度，即多層保溫層其中最大一單層的高度，可稱為多層保溫層的高度)。中間層材料為碳?xì)郑細(xì)值暮穸葹?0mm，碳?xì)稚隙司嘧o(hù)板3上沿150mm，下端置于坩堝底護(hù)板2導(dǎo)熱塊1下端齊；整體的高度為500mm (或500mm左右)。最外層材料為鎢高溫合金，鎢高溫合金的厚度為0. 2mm,鎢高溫合金下端與坩堝底護(hù)板2下端齊；整體的高度為250mm (或250mm左右)。3層豎向保溫 層9形成了由內(nèi)向外、由上至下的上薄下厚的階梯設(shè)置。實(shí)施例4
如圖5所示，導(dǎo)熱塊1置于坩堝底護(hù)板2 (底護(hù)板一般為石墨材料制作)下部，坩堝底護(hù)板2上放置有坩堝5 (—般為陶瓷坩堝);坩堝5的側(cè)部設(shè)置有坩堝側(cè)護(hù)板3 (側(cè)護(hù)板一般為石墨材料制作)；在坩堝5 (坩堝一般高度為400mm至600mm，必要時可加高)的四周上方設(shè)置有側(cè)面加熱器4，在坩堝5的上方設(shè)置有頂部加熱器6 ；側(cè)面加熱器4和頂部加熱器6的四周設(shè)置有隔熱籠7，其中下面的隔熱籠7為固定，上面與四周的隔熱籠7為一體，可提升。四周環(huán)繞的保溫層9 (為圖示清晰起見，僅畫出一側(cè)保溫層9)設(shè)置于坩堝護(hù)板3 內(nèi)側(cè)、坩堝5外側(cè)。改進(jìn)后形成的模擬等溫曲線8如圖5所示，由圖中可以看出，其曲線明顯平整，表明改進(jìn)后的熱場已經(jīng)具備生產(chǎn)類似單晶的基本條件。其中，材料選擇碳纖維為主要原料的保溫氈，高度與坩堝5同高，保溫層厚度為 20mmo以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于在GT鑄錠爐或四面及頂部加熱器的鑄錠爐內(nèi)，在坩堝護(hù)板或坩堝外，設(shè)置有4面的保溫層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述保溫層的材料采用非金屬保溫材料，非金屬保溫材料包括下述材料之一或組合石墨氈、陶瓷、石英、各種固化氈、纖維氈、碳?xì)?、采用碳纖維或陶瓷纖維為主要原料制作的保溫氈或保溫塊、氧化鋁纖維氈、采用各種結(jié)構(gòu)氧化鋁纖維為主要原料的保溫氈或保溫塊、采用各種結(jié)構(gòu)氧化鋯纖維為主要原料的保溫氈或保溫塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述保溫層的材料采用金屬保溫材料，金屬保溫材料包括下述材料之一或組合鎢、鉬及熔點(diǎn)在1600攝氏度以上的高溫合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述非金屬保溫材料的導(dǎo)熱系數(shù)在0. 001 5W/m. K之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置， 其特征在于所述保溫層設(shè)置于下述位置之一或之二或之三或之四固定在坩堝護(hù)板上， 或固定在坩堝與護(hù)板之間，或固定在隔熱籠上，或固定在加熱器上，或固定在導(dǎo)熱塊上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置， 其特征在于所述保溫層設(shè)置為下列情形之一或組合a保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板外側(cè)面上，從距坩堝底部向上1 650mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層豎向設(shè)置，保溫層的高度為1 650mm ；保溫層的厚度為0. 01 IOOmm ；b所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板外側(cè)面及導(dǎo)熱塊外側(cè)面上，從距坩堝底部向下1 200mm 的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層豎向設(shè)置，保溫層的高度為1 650mm ；保溫層的厚度為0. 01 IOOmm ；c所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板內(nèi)側(cè)、坩堝外側(cè)，從距坩堝底部向上1 650mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層豎向設(shè)置，保溫層的高度為1 650mm ；保溫層的厚度為 0. 01 IOOmm ；d所述保溫層設(shè)置于隔熱籠或加熱器上，從距坩堝底部向上士 1 400mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層水平設(shè)置，保溫層的寬度為1 650mm;保溫層的厚度為 0. 01 100mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述保溫層設(shè)置為下列情形之一或組合a保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板外側(cè)面上，從距坩堝底部向上1 650mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層豎向設(shè)置，保溫層的高度為1 650mm ；保溫層的厚度為0. 01 IOOmm ；b所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板外側(cè)面及導(dǎo)熱塊外側(cè)面上，從距坩堝底部向下1 200mm 的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層豎向設(shè)置，保溫層的高度為1 650mm ；保溫層的厚度為0. 01 IOOmm ；c所述保溫層設(shè)置于坩堝護(hù)板內(nèi)側(cè)、坩堝外側(cè)，從距坩堝底部向上1 650mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層豎向設(shè)置，保溫層的高度為1 650mm ；保溫層的厚度為~0. 01 IOOmm ；d所述保溫層設(shè)置于隔熱籠或加熱器上，從距坩堝底部向上士 1 400mm的位置為起始位置開始設(shè)置保溫層；保溫層水平設(shè)置，保溫層的寬度為1 650mm ；保溫層的厚度為 0. 01 100mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述保溫層采用由內(nèi)向外、由上至下或由上下至中部的2 5級上薄下厚或上下薄中部厚或上薄中下部厚的階梯設(shè)置，相鄰階梯的保溫層所采用的材料相同或不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述保溫層采用由內(nèi)向外、由上至下或由上下至中部的2 5級上薄下厚或上下薄中部厚或上薄中下部厚的階梯設(shè)置，相鄰階梯的保溫層所采用的材料相同或不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，其特征在于 所述保溫層采用由內(nèi)向外、由上至下或由上下至中部的2 5級上薄下厚或上下薄中部厚或上薄中下部厚的階梯設(shè)置，相鄰階梯的保溫層所采用的材料相同或不同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鑄造法生產(chǎn)類似單晶硅錠熱場梯度改進(jìn)裝置，涉及硅錠熱場裝置及材料，在GT鑄錠爐或四面及頂部加熱器的鑄錠爐內(nèi)，在坩堝護(hù)板或坩堝外，設(shè)置有4面的保溫層。所述保溫層設(shè)置于下述位置或位置組合所述保溫層設(shè)置于下述位置或位置組合固定在坩堝護(hù)板上，或固定在坩堝與護(hù)板之間，或固定在隔熱籠上，或固定在加熱器上，或固定在導(dǎo)熱塊上。保溫層的設(shè)置高度為1～650mm。保溫層厚度為0.01～100mm。本發(fā)明的有益效果在于通過本方法的控制，可顯著改善化料及生長等溫曲線；進(jìn)而可使晶種固化在爐底，不熔化或漂浮，同時可以進(jìn)一步降低晶種高度，降低成本。通過本方法，可將晶種控制在20mm以下。
文檔編號C30B11/00GK102286774SQ201110160809
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者熊濤濤, 石堅 申請人:安陽市鳳凰光伏科技有限公司, 石堅