專利名稱：一種單晶硅棒的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種單晶硅棒。
背景技術：
單晶硅棒是硅的單晶體，是具有基本完整點陣結構的晶體，不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導體材料。單晶硅具有準金屬的物理性質，具有較弱的導電性，其導電率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。在超純單晶硅中摻入微量的IIIA族元素，如硼，可以提高其導電的程度，而形成P型硅半導體；如摻入微量的VA族元素，如磷或砷，可以提高導電程度，形成N型硅半導體。在單晶硅棒線切割時，線網(wǎng)接觸晶體棒表面的時候，由于力的作用容易擺動，這樣一來切割出來的晶片在入刀口就會產生厚薄不均的現(xiàn)象；另外剛剛入刀時，線網(wǎng)必須拉出 一定的線弓后才會具備很強的切割力，如果線網(wǎng)直接接觸晶體棒，在拉線弓的時候會導致晶片的一個角度偏厚。同時，在單晶硅棒線切割時，晶體棒兩頭無任何保護措施直接安裝在線切割機上進行切割，切割過程中鋼線帶著液體磨料以每分鐘600多米的線速度沖擊晶片，晶體棒兩頭的晶片應為沒有任何保護措施，且晶片本身厚度非常薄，材料也非常脆，這樣一來，晶體棒兩頭的晶片很容易被磨料沖碎；另外，切割過程中對端面產生的碎片會直接掉到線網(wǎng)上，斷線的幾率因此大大提升。

發(fā)明內容
發(fā)明目的為了克服現(xiàn)有技術中存在的不足，本發(fā)明提供一種結構合理，能夠有效提聞晶片質量和成品率的單晶娃棒。技術方案為解決上述技術問題，本發(fā)明采樣的技術方案為
一種單晶硅棒，包括硅棒本體，所述硅棒本體底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座上，在硅棒本體的頂部兩側設有兩條平行于娃棒本體軸向的導向條，在娃棒本體的前后兩個端部設有擋板；所述導向條和擋板都為樹脂材質，且都通過環(huán)氧樹脂沾粘在硅棒本體上。所述硅棒本體優(yōu)選為8英寸單晶硅棒。有益效果本發(fā)明提供的單晶硅棒，使晶片入刀口厚薄均勻，入刀時線網(wǎng)接觸粘在硅棒上的導向條，等線網(wǎng)穩(wěn)定后才會切割到硅棒，有效防止晶片入刀口厚薄不均問題，同時線網(wǎng)在切割導向條時線弓已經產生，也可有效避免晶片的一個角厚度偏薄現(xiàn)象，提高晶片的質量；且硅棒兩端的擋板可以在切割過程中對硅棒本體兩端的晶片起保護作用，提高了成品率，切割過程中對接端面產生的碎片不會掉下來，降低了斷線率。


圖I為本發(fā)明的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明作更進一步的說明。如附圖I所示為一種單晶硅棒，包括8英寸硅棒本體1，所述硅棒本體I底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座4上，在硅棒本體I的頂部兩側設有兩條平行于硅棒本體I軸向的導向條2，在硅棒本體I的前后兩個端部設有擋板3 ;所述導向條2和擋板3都為樹脂材質，且都通過環(huán)氧樹脂沾粘在娃棒本體I上。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應 視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種單晶硅棒，其特征在于該單晶硅棒包括硅棒本體(1)，所述硅棒本體(I)底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座(4)上，在硅棒本體(I)的頂部兩側設有兩條平行于硅棒本體(I)軸向的導向條(2),在娃棒本體(I)的前后兩個端部設有擋板(3);所述導向條(2)和擋板(3)都為樹脂材質，且都通過環(huán)氧樹脂沾粘在硅棒本體(I)上。
2.根據(jù)權利要求I所述的單晶硅棒，其特征在于所述硅棒本體(I)為8英寸單晶硅棒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單晶硅棒，包括硅棒本體，所述硅棒本體底部通過環(huán)氧樹脂沾粘在底座上，在硅棒本體的頂部兩側設有兩條平行于硅棒本體軸向的導向條，在硅棒本體的前后兩個端部設有擋板；所述導向條和擋板都為樹脂材質，且都通過環(huán)氧樹脂沾粘在硅棒本體上。本發(fā)明提供的單晶硅棒，使晶片入刀口厚薄均勻，有效防止晶片入刀口厚薄不均問題，同時線網(wǎng)在切割導向條時線弓已經產生，也可有效避免晶片的一個角厚度偏薄現(xiàn)象，提高晶片的質量；且硅棒兩端的擋板可以在切割過程中對硅棒本體兩端的晶片起保護作用，提高了成品率，切割過程中對接端面產生的碎片不會掉下來，降低了斷線率。
文檔編號C30B29/60GK102839418SQ201110173358
公開日2012年12月26日 申請日期2011年6月26日 優(yōu)先權日2011年6月26日
發(fā)明者倪云達, 葛正芳, 錢大豐 申請人:江蘇順大半導體發(fā)展有限公司