專利名稱：一種高頻微波電路板基材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高頻微波電路板基材的制作方法。
背景技術(shù)：
目前聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的介質(zhì)層的介電常數(shù)范圍小，表面電阻、體積電阻值小，使用過(guò)程易出現(xiàn)接地現(xiàn)象，孔空金屬化難度大，大大降低了板材的使用性能，國(guó)外采用一種微纖維來(lái)增強(qiáng)，但它的價(jià)格高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種高頻微波電路板基材的制作方法，它的制備方法不但簡(jiǎn)單，而且可降低介質(zhì)的損耗，擴(kuò)大介電常數(shù)范圍，同時(shí)可以增大表面電阻和體積電阻，孔金屬化難度減小，從而增強(qiáng)板材的使用性能。本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案一種高頻微波電路板基材的制作方法，它包括以下步驟步驟一，首先制作介質(zhì)層，介質(zhì)層是通過(guò)介質(zhì)層為云母合成玻璃布浸漬在聚四氟乙烯浸漬中制的；步驟二，然后在介質(zhì)層的兩面在高溫高壓的條件下分別敷有銅箔層I和銅箔層II制的高頻微波電路板基材。本發(fā)明步驟二中銅箔層I至少敷有一層。本發(fā)明步驟二中銅箔層II至少敷有一層。本發(fā)明步驟二中銅箔層I和銅箔層II與介質(zhì)層的質(zhì)量比2:8。本發(fā)明步驟一中將云母玻璃布浸漬聚四氟乙烯分散液或聚四氟乙烯分散液與陶瓷粉的混合體，經(jīng)過(guò)數(shù)次浸漬烘干，制成介質(zhì)層。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明不但制作方法簡(jiǎn)單、可靠，而且采用介質(zhì)層、銅箔層I和銅箔層II，介質(zhì)層為覆蓋有聚四氟乙烯浸漬的云母合成玻璃布，所述的銅箔層I 和銅箔層II至少一層，銅箔層I和銅箔層II與介質(zhì)層比2 8這樣不但可降低介質(zhì)的損耗， 擴(kuò)大介電常數(shù)范圍，介電常數(shù)范圍為2. 2,2. 7,3. 0,3. 5,4. 0，而且增大表面電阻、體積電阻、孔金屬化難度減小，增強(qiáng)板材的使用性能。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了一種高頻微波電路板基材的制作方法，它包括以下步驟步驟一，首先制作介質(zhì)層，介質(zhì)層是通過(guò)介質(zhì)層為云母合成玻璃布浸漬在聚四氟乙烯浸漬中制的，在制備過(guò)程中將云母玻璃布浸漬聚四氟乙烯分散液或聚四氟乙烯分散液與陶瓷粉的混合體， 經(jīng)過(guò)數(shù)次浸漬烘干，制成介質(zhì)層；步驟二，然后在介質(zhì)層的兩面在高溫高壓的條件下分別敷有銅箔層I和銅箔層II制的高頻微波電路板基材，銅箔層I至少敷有一層，本實(shí)施例為一層，步驟二中銅箔層II至少敷有一層，本實(shí)施例為一層，銅箔層I和銅箔層II與介質(zhì)層的質(zhì)量比2 :8。
權(quán)利要求
1.一種高頻微波電路板基材的制作方法，它包括以下步驟步驟一，首先制作介質(zhì)層，介質(zhì)層是通過(guò)介質(zhì)層為云母合成玻璃布浸漬在聚四氟乙烯浸漬中制的；步驟二，然后在介質(zhì)層的兩面在高溫高壓的條件下分別敷有銅箔層I和銅箔層II制的高頻微波電路板基材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微波電路板基材的制作方法，其特征是步驟二中銅箔層I至少敷有一層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微波電路板基材的制作方法，其特征是步驟二中銅箔層II至少敷有一層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微波電路板基材的制作方法，其特征是步驟二中銅箔層 I和銅箔層II與介質(zhì)層的質(zhì)量比2 :8。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微波電路板基材的制作方法，其特征是步驟一中將云母玻璃布浸漬聚四氟乙烯分散液或聚四氟乙烯分散液與陶瓷粉的混合體，經(jīng)過(guò)數(shù)次浸漬烘干，制成介質(zhì)層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高頻微波電路板基材的制作方法，它包括以下步驟步驟一，首先制作介質(zhì)層，介質(zhì)層是通過(guò)介質(zhì)層為云母合成玻璃布浸漬在聚四氟乙烯浸漬中制的；步驟二，然后在介質(zhì)層的兩面在高溫高壓的條件下分別敷有銅箔層Ⅰ和銅箔層Ⅱ制的高頻微波電路板基材。本發(fā)明不但制備方法不但簡(jiǎn)單，而且可降低介質(zhì)的損耗，擴(kuò)大介電常數(shù)范圍，同時(shí)可以增大表面電阻和體積電阻，孔金屬化難度減小，從而增強(qiáng)板材的使用性能。
文檔編號(hào)H05K3/00GK102427666SQ20111028626
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月25日
發(fā)明者顧根山 申請(qǐng)人:顧根山