專利名稱：一種三維連接器件的制備方法
一種三維連接器件的制備方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于非金屬三維選擇性金屬化技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種三維連接器件的制 備方法。
背景技術(shù)：
3D-MID (Three dimensional moulded interconnect device,三維連接器件)技 術(shù)是指在注塑成型的塑料殼體的表面上，制作有電氣功能的導(dǎo)線、圖形，制作或安裝元器 件，從而將普通的電路板具有的電氣互連功能、支承元器件功能和塑料殼體的支撐、防護等 功能以及由機械實體與導(dǎo)電圖形結(jié)合而產(chǎn)生的屏蔽、天線等功能集成于一體，形成所謂三 維連接器件。
國內(nèi)外目前3D-MID制品的生產(chǎn)方法主要有雙色注塑法和激光加工法。其中雙色 注塑法，通過將可電鍍的材料和非電鍍的材料注塑在一起，然后一起進行電鍍處理，從而實 現(xiàn)導(dǎo)電圖形金屬化；其對基材的選擇性較高，同時雙色注塑工藝復(fù)雜，模具、設(shè)備成本較高， 大大限制其應(yīng)用。
而激光加工法，則是通過采用激光選擇性激活基材或基材表面涂層中的活性物 質(zhì)，然后催化化學(xué)鍍，實現(xiàn)圖形金屬化。例如CN1294639A中公開了一種線路結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方 法，通過將非導(dǎo)電重金屬絡(luò)合物涂覆到載體材料上或施加到載體材料中，通過紫外線激光 選擇性照射要產(chǎn)生線路結(jié)構(gòu)的區(qū)域，由此釋放出重金屬晶核，然后進行化學(xué)還原金屬化。
激光加工法存在以下缺點(I)非導(dǎo)電重金屬絡(luò)合物涂覆于載體材料上或施加于 載體材料中，因此對基材選擇性高，以免影響其注塑性能。(2)基材表面的線路圖形全部通 過激光輻射加工完成，一方面加工效率較低，另一方面激光加工方向和加工面角度會影響 鍍層的厚度均一性，影響產(chǎn)品良率；3)線路圖形的最小線寬理論上等于激光光斑直徑，但由 于受到基材本身、以及化學(xué)鍍或電鍍邊緣效應(yīng)的影響，實際最小線寬必然大于激光光斑直 徑，對線路的精細化和器件的小型化產(chǎn)生了制約。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的三維連接器件的制備過程中對基材選擇性高、加 工效率和電路精度低的技術(shù)問題。
本發(fā)明提供了一種三維連接器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟A、對非導(dǎo)電基材進行金屬化，在非導(dǎo)電基材表面形成非惰性金屬層；B、根據(jù)所需電路圖案對非導(dǎo)電基材表面的非惰性金屬層進行激光雕刻，將非惰性金屬 層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域；C、將非導(dǎo)電基材表面的電路區(qū)域與電源負極接通，將電鍍陽極材料與電源正極接通， 然后將非導(dǎo)電基材與電鍍陽極材料置于酸性或堿性電鍍液中進行電鍍處理，電路區(qū)域的非 惰性金屬層表面形成電鍍加厚層，非電路區(qū)域的非惰性金屬層被酸性或堿性電鍍液腐蝕去 除，得到所述三維連接器件。
本發(fā)明提供的三維連接器件的制備方法，其通過對非導(dǎo)電基材表面進行金屬化， 在基材表面形成非惰性金屬層，對基材本身沒有特殊要求。另外，本發(fā)明提供的制備方法， 激光雕刻工藝僅需將電路區(qū)域與非電路區(qū)域分開，無需對所有非電路區(qū)域進行加工，然后 通過電鍍一步同時完成電路區(qū)域非惰性金屬層的加厚、非電路區(qū)域非惰性金屬層的腐蝕去 除，大大提高加工效率。最后，本發(fā)明中，電路區(qū)域為非激光雕刻區(qū)域，因此電路區(qū)域的線寬 不受激光光斑限制，電路的精度得到大大提高。
具體實施方式
本發(fā)明提供了一種三維連接器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟A、對非導(dǎo)電基材進行金屬化，在非導(dǎo)電基材表面形成非惰性金屬層；B、根據(jù)所需電路圖案對非導(dǎo)電基材表面的非惰性金屬層進行激光雕刻，將非惰性金屬 層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域；C、將非導(dǎo)電基材表面的電路區(qū)域與電源負極接通，將電鍍陽極材料與電源正極接通， 然后將非導(dǎo)電基材與電鍍陽極材料置于酸性或堿性電鍍液中進行電鍍處理，電路區(qū)域的非 惰性金屬層表面形成電鍍加厚層，非電路區(qū)域的非惰性金屬層被酸性或堿性電鍍液腐蝕去 除，得到所述三維連接器件。
目前，三維連接器件的制備方法主要通過激光加工法完成，即所需電路區(qū)域先通 過激光活化后再化學(xué)鍍和/或電鍍實現(xiàn)基材表面金屬化；在激光活化之前，需要先對基材 進行改性，或者對基材表面通過涂層改性，從而在基材內(nèi)或基材表面形成可被激光活化的 物質(zhì)，催化或促進后續(xù)化學(xué)鍍的進行。但是在基材改性過程中，摻雜可被激光活化的物質(zhì)可 能會導(dǎo)致基材本身的某些優(yōu)異性質(zhì)受到影響，甚至對酸堿敏感，在水性酸堿溶液中易發(fā)生 改變，使得產(chǎn)品存在潛在風(fēng)險。為防止該類潛在風(fēng)險的發(fā)生，因此，激光加工法制備三維連 接器件時，需對基材進行選擇。
而本發(fā)明中，可直接采用本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的各種普通非導(dǎo)電基材，且無需對 其進行改性。具體地，所述非導(dǎo)電基材為非導(dǎo)電塑料基材、非導(dǎo)電玻璃基材、非導(dǎo)電橡膠基 材、非導(dǎo)電木制品或非導(dǎo)電陶瓷基材。其中，所述非導(dǎo)電塑料基材選自丙烯腈-苯乙烯-丁 二烯共聚物(ABS)基材、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚酰亞胺、尼龍或聚碳 酸酯(PC)基材。而所述非導(dǎo)電陶瓷基材選自氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷或鈦酸鋇陶瓷。
根據(jù)本發(fā)明的方法，先通過對非導(dǎo)電基材表面進行金屬化，在基材表面形成非惰 性金屬層，對基材本身沒有特殊要求。另外，本發(fā)明提供的制備方法，激光雕刻工藝僅需將 電路區(qū)域與非電路區(qū)域分開，無需對所有非電路區(qū)域進行加工，然后通過電鍍一步同時完 成電路區(qū)域非惰性金屬層的加厚、非電路區(qū)域非惰性金屬層的腐蝕去除，大大提高加工效 率。最后，本發(fā)明中，電路區(qū)域為非激光雕刻區(qū)域，因此電路區(qū)域的線寬不受激光光斑限制， 電路的精度得到大大提聞。
具體地，步驟A中，對非導(dǎo)電基材進行金屬化的步驟為真空鍍膜、噴鍍或化學(xué)鍍。 其中真空鍍膜可選自蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍中的任意一種。
所述蒸發(fā)鍍、濺射鍍和離子鍍的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，例如可通過LD系 多功能離子鍍膜機進行鍍膜，在非導(dǎo)電基材表面沉積一層金屬顆粒，即形成所述非惰性金屬層。
作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，所述化學(xué)鍍包括將非導(dǎo)電基材先粗化，然后膠 體鈀活化、解膠，最后置于化學(xué)鍍液中，在非導(dǎo)電基材表面形成所述非惰性金屬層。所述粗 化、膠體鈀、解膠的步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，本發(fā)明中不再贅述。
本發(fā)明中，所述非導(dǎo)電基材表面的非惰性金屬層的金屬為本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的 各種非惰性金屬，其易被各種常用酸或常用堿腐蝕去除。優(yōu)選情況下，所述非惰性金屬層選 自銅層、鎳層、鋅層、錫層或鋁層中的一種或多種。
本發(fā)明中，由于非電路區(qū)域的非惰性金屬層后續(xù)會被酸性或堿性電鍍液腐蝕去 除，而電路區(qū)域的非惰性金屬層可通過電鍍加厚，因此所述非惰性金屬層的厚度對所述三 維連接器件的性能不會造成影響。優(yōu)選情況下，為降低成本，同時減少酸性或堿性電鍍液腐 蝕去除非電路區(qū)域的非惰性金屬層的時間，所述非惰性金屬層的厚度無需過大。更優(yōu)選情 況下，所述非惰性金屬層的厚度為2微米以下。
步驟B中，采用激光雕刻將非惰性金屬層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū) 域。即本發(fā)明中，僅需通過激光雕刻將電路區(qū)域與非電路區(qū)域完全分開，非電路區(qū)域在后續(xù) 的電鍍過程中會被酸性或堿性電鍍液腐蝕去除，因此激光雕刻面積大大減小，能有效提高 生產(chǎn)效率。同時，電路區(qū)域為非激光雕刻區(qū)域，電路的的理論最小線寬可以遠小于激光光 斑，從而可有效提高電路的加工精度。本發(fā)明中，所述激光所采用的激光器可直接為現(xiàn)有技 術(shù)中激光加工法常用的各種激光器，本發(fā)明沒有特殊限定；例如可以采用EP-MD20 (泰德激 光科技有限公司)。
本發(fā)明中，所述激光雕刻僅需去除非導(dǎo)電基材表面的部分非惰性金屬層，從而將 電路區(qū)域與非電路區(qū)域完全分開。具體地，本發(fā)明中，激光雕刻的波長為200-1200nm。優(yōu) 選情況下，激光雕刻的激光光斑直徑小于等于O. 05mm。更優(yōu)選情況下，激光雕刻的頻率為 15-50KHZ，雕刻速度為 500-2000 mm/s，功率密度為 105_107W/cm2。
本發(fā)明中，激光雕刻僅需將電路區(qū)域與非電路區(qū)域完全分開即可，對于電路區(qū)域 與非電路區(qū)域之間的間距沒有特殊要求。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于電鍍過程中所采用的 電鍍液為酸性或堿性體系，在電路區(qū)域通過電鍍形成鍍層加厚非惰性金屬層的同時，非電 路區(qū)域的非惰性金屬層在酸性或堿性體系中會被腐蝕去除，而由于電鍍過程中存在電鍍邊 緣效應(yīng)，使得電鍍加厚層會在電路區(qū)域的邊緣發(fā)生一定的延伸；此時，若激光雕刻面積較 小，即電路區(qū)域與非電路區(qū)域的間距較小，可能會產(chǎn)生電路區(qū)域與非電路區(qū)域通過電鍍邊 緣效應(yīng)形成的延伸鍍層將兩個區(qū)域?qū)?。針對此情況，本發(fā)明的發(fā)明人通過大量實驗發(fā)現(xiàn)， 電路區(qū)域與非電路區(qū)域的間距優(yōu)選為50-100微米。通過該間距的設(shè)置，一方面能有效避免 電鍍邊緣效應(yīng)將電路區(qū)域與非電路區(qū)域?qū)?，從而有效保證電鍍過程中電路區(qū)域的電鍍加 厚和非電路區(qū)域的溶解去除，得到所述三維連接器件；另一方面，激光雕刻的面積為間距的 面積，即激光雕刻的面積仍較小，保證本發(fā)明的加工效率。
根據(jù)本發(fā)明的方法，步驟C即為將經(jīng)過激光雕刻的非導(dǎo)電基材表面進行電鍍處 理。所述電鍍所采用的電鍍液為酸性或堿性電鍍液體系。本發(fā)明中，所述酸性電鍍液一方 面用于腐蝕去除非電路區(qū)域的非惰性金屬層，另一方面用于在電路區(qū)域形成電鍍加厚層。 因此，所述酸性或堿性電鍍液需含有用于腐蝕去除非惰性金屬層的酸性或堿性組分，同時 還含有所沉積的電鍍加厚層對應(yīng)電極金屬離子。而所沉積的電鍍加厚層可通過發(fā)明人對三 維連接器件的實際應(yīng)用領(lǐng)域進行適當(dāng)選擇，所述酸性或堿性組分可根據(jù)步驟A中的非惰性金屬層進行適當(dāng)選擇。具體地，所述非惰性金屬層為兩性金屬時，則電鍍液即可采用酸性體 系，也可采用堿性體系；例如，當(dāng)非惰性金屬層為錫層、鋅層或鋁層。而當(dāng)所述非惰性金屬層 為銅層、鎳層，此時僅能選擇酸性酸性體系鍍液。
優(yōu)選情況下，所述酸性或堿性電鍍液選自酸性電鍍銅液、酸性電鍍鎳液、酸性電鍍 錫液、堿性電鍍錫液、酸性電鍍鋅液、堿性電鍍鋅液中的一種。所述酸性電鍍銅液、酸性電鍍 鎳液、酸性電鍍錫液、堿性電鍍錫液、酸性電鍍鋅液、堿性電鍍鋅液的組分為本領(lǐng)域技術(shù)人 員所公知，本發(fā)明中沒有特殊限定。例如，所述酸性電鍍銅液、酸性電鍍鎳液、堿性電鍍錫液 的具體組分可參加實施例。
在電鍍過程中，與外接電源負極相連的電路區(qū)域會發(fā)生還原反應(yīng)，在所述電路區(qū) 域的非惰性金屬層表面沉積電鍍層，從而對非惰性金屬層進行加厚；而非電路區(qū)域，由于沒 有導(dǎo)電，不會發(fā)生電鍍加厚過程，同時非惰性金屬層還會被電鍍液中所含有的酸或堿腐蝕 去除，在非電路區(qū)域發(fā)生退鍍處理，因此本發(fā)明中通過電鍍一步完成電路區(qū)域非惰性金屬 層加厚、非電路區(qū)域非惰性金屬層溶解去除，大大提高加工效率。
本發(fā)明中，需先將電路區(qū)域與電源負極連接后，再將非導(dǎo)電基材整體置于酸性或 堿性電鍍液中，即電鍍過程中為帶電入槽，即電路區(qū)域的非惰性金屬層與電鍍液一接觸即 發(fā)生電鍍沉積過程，防止先入槽后通電瞬間電路區(qū)域的非惰性金屬層被酸性或堿性電鍍液 腐蝕去除。
本發(fā)明中，所述電路區(qū)域與電源負極相連，作為電鍍陰極，發(fā)生還原反應(yīng)，沉積電 鍍層，從而對非惰性金屬層加厚。而與電源正極相連的電鍍陽極材料可采用現(xiàn)有技術(shù)中常 見的各種惰性材料，本發(fā)明中，所述電鍍陽極材料根據(jù)電鍍液體系進行具體選擇。例如，酸 性電鍍銅液對應(yīng)的電鍍陽極材料可采用磷銅(含磷量O. 030-0. 075%)。酸性電鍍鎳液對應(yīng) 的電鍍陽極材料可采用含硫鎳陽極(含硫量O. 01-0. 15%)、含碳鎳陽極(含碳、硅量分別為O.25-0. 35%)、或含氧鎳電極(加入O. 25-1. 0%氧化鎳)。酸性、堿性電鍍錫液對應(yīng)的電鍍陽 極材料可采用高純錫(錫含量99. 9%)。酸性、堿性電鍍鋅液對應(yīng)的陽極材料可采用鋅錠。
本發(fā)明中，對于電鍍時間沒有特殊限定，一方面能全部溶解去除非電路區(qū)域的非 惰性金屬層、另一方面電路區(qū)域的線路厚度(即非惰性金屬層厚度與電鍍加厚層的厚度之 和)能達到電路實際所需要求即可。
本發(fā)明中，在非導(dǎo)電基材表面形成三維導(dǎo)線后，還可根據(jù)實際的膜厚要求、鍍層需 求，繼續(xù)進行電鍍或化學(xué)鍍，也可為了保護線路進行噴涂覆蓋導(dǎo)線層。
為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合 實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋 本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。實施例及對比例中，所用原料均通過商購得到。
實施例1將鈦酸鋇陶瓷基材置于TEMD-600電子束蒸發(fā)鍍膜機(北京泰諾科技有限公司)中，在 其表面蒸發(fā)鍍鋁，形成厚度為200nm的鋁層。然后將該樣品裝夾定位后，置于EP-MD20 (泰 德激光科技有限公司)下進行激光蝕刻，激光蝕刻條件包括波長為1064nm，光斑直徑為50 微米，頻率25KHz，雕刻速度為1000mm/S，功率為14W，將鈦酸鋇基材表面的銅層分割為完全 分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域，兩區(qū)域之間的間距為100微米。將電路區(qū)域與電源負極相 連，將磷銅與電源正極相連，然后將鈦酸鋇樣品整體與磷銅帶電浸入25°C的酸性電鍍銅液槽中，酸性電鍍銅液為五水硫酸銅210g/L，硫酸35ml/L，氯離子115mg/L，開缸劑7. 5ml/L, 填平劑O. 5 ml/L，光亮劑O. 5ml/L ;電鍍時間為20min。電鍍完成后取出樣品，清洗后吹干， 得到表面具有電路圖案的三維連接器件SI。
實施例2將ABS基材表面采用高錳酸鉀粗化，然后采用膠體鈀活化后解膠，在ABS表面形成可催化化學(xué)鍍鎳的鈀核，然后將其置于堿性化學(xué)鍍鎳液中l(wèi)Omin，在ABS表面形成厚度為O. 5微米的鎳層。然后將該樣品裝夾定位后，置于EP-MD20(泰德激光科技有限公司)下進行激光雕刻，激光雕刻條件包括波長為808nm，光斑直徑為35微米，頻率20KHz，雕刻速度為800mm/ s，功率為ISWJfABS基 材表面的銅層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域，兩區(qū)域之間的間距為50微米。將電路區(qū)域與電源負極相連，將含碳鎳陽極與電源正極相連，然后將 ABS塑料樣品整體與含碳鎳陽極帶電浸入56°C的酸性電鍍鎳槽中，酸性電鍍鎳液為七水硫酸鎳265g/L，六水合氯化鎳40 g/L，硼酸40 g/L，開缸劑4. 5ml/L,填平劑1. 2ml/L,半光亮劑lml/L，潤濕劑2ml/L ;電鍍時間為20min。電鍍完成后取出樣品，清洗后吹干，得到表面具有電路圖案的三維連接器件S2。
實施例3將玻璃基材置于TEMD-600電子束蒸發(fā)鍍膜機(北京泰諾科技有限公司)中，在其表面蒸發(fā)鍍鋅，形成厚度為IOOnm的鋁層。然后將該樣品裝夾定位后，置于EP-MD20 (泰德激光科技有限公司)下進行激光雕刻，激光雕刻條件包括波長為1064nm，光斑直徑為40微米， 頻率20KHz，雕刻速度為1500mm/s，功率為14W，將玻璃基材表面的銅層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域，兩區(qū)域之間的間距為80微米。將電路區(qū)域與電源負極相連，將高純錫與電源正極相連，然后將玻璃基材整體與高純錫帶電浸入75V的堿性電鍍錫液槽中， 堿性電鍍錫液為錫酸鈉82. 5g/L,氫氧化鈉10g/L ;電鍍時間為20min。電鍍完成后取出樣品，清洗后吹干，得到表面具有電路圖案的三維連接器件S3。
對比例I采用CN1294639A的實施例中公開的方法配制非導(dǎo)電重金屬絡(luò)合物，然后將ABS塑料與所述非導(dǎo)電重金屬絡(luò)合物共混、造粒擠出，得到本對比例的塑料基材。然后采用一掩膜覆蓋于基材表面，采用KrF-激元激光器，以波長為248. 5nm的紫外光對基材表面進行照射，照射區(qū)域與實施例1中三維連接器件的電路區(qū)域相同，照射完成后浸入化學(xué)鍍銅液中，得到本對比例的表面具有電路圖案的三維連接器件。
性能測試1、記錄實施例1-3和對比例I中的工藝耗時；2、測試實施例1-3和對比例I得到的三維連接器件的電路最小線寬。
結(jié)果如表I所示。表I
權(quán)利要求
1.一種三維連接器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟A、對非導(dǎo)電基材進行金屬化，在非導(dǎo)電基材表面形成非惰性金屬層；B、根據(jù)所需電路圖案對非導(dǎo)電基材表面的非惰性金屬層進行激光雕刻，將非惰性金屬層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域；C、將非導(dǎo)電基材表面的電路區(qū)域與電源負極接通，將電鍍陽極材料與電源正極接通， 然后將非導(dǎo)電基材與電鍍陽極材料置于酸性或堿性電鍍液中進行電鍍處理，電路區(qū)域的非惰性金屬層表面形成電鍍加厚層，非電路區(qū)域的非惰性金屬層被酸性或堿性電鍍液腐蝕去除，得到所述三維連接器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟A中，對非導(dǎo)電基材進行金屬化的步驟為真空鍍膜、噴鍍或化學(xué)鍍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍包括將非導(dǎo)電基材先粗化，然后膠體鈀活化、解膠，最后置于化學(xué)鍍液中，在非導(dǎo)電基材表面形成所述非惰性金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述非惰性金屬層選自銅層、鎳層、錫層、鋅層或鋁層中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述非惰性金屬層的厚度為2微米以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟B中，激光雕刻的波長為 200_1200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，激光雕刻的激光光斑直徑小于等于O.05mmo
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，激光雕刻的頻率為15-50KHZ，雕刻速度為 500-2000 mm/s，功率密度為 105_107W/cm2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，電路區(qū)域與非電路區(qū)域的間距為 50 -100 微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟C中，所述酸性或堿性電鍍液選自酸性電鍍銅液、酸性電鍍鎳液、酸性電鍍錫液、堿性電鍍錫液、酸性電鍍鋅液、堿性電鍍鋅液中的一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述非導(dǎo)電基材為非導(dǎo)電塑料基材、非導(dǎo)電玻璃基材、非導(dǎo)電橡膠基材、非導(dǎo)電木制品或非導(dǎo)電陶瓷基材。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述非導(dǎo)電塑料基材選自丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物基材、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚酰亞胺、尼龍液晶高分子聚合物、聚丙烯或聚碳酸酯基材；所述非導(dǎo)電陶瓷基材選自氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷或鈦酸鋇陶瓷。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種三維連接器件的制備方法，包括以下步驟A、對非導(dǎo)電基材進行金屬化，在非導(dǎo)電基材表面形成非惰性金屬層；B、對非導(dǎo)電基材表面的非惰性金屬層進行激光雕刻，將非惰性金屬層分割為完全分開的電路區(qū)域和非電路區(qū)域；C、將非導(dǎo)電基材表面的電路區(qū)域與電源負極接通，將電鍍陽極材料與電源正極接通，然后將非導(dǎo)電基材與電鍍陽極材料置于酸性或堿性電鍍液中進行電鍍處理，電路區(qū)域的非惰性金屬層表面形成電鍍加厚層，非電路區(qū)域的非惰性金屬層被電鍍液被酸性或堿性電鍍液腐蝕去除。本發(fā)明提供三維連接器件的制備方法，對基材沒有特殊要求，具有較高的加工效率，同時電路精度得到大大提高。
文檔編號H05K3/18GK103025060SQ20111028865
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者連俊蘭 申請人:比亞迪股份有限公司