專(zhuān)利名稱(chēng)：移印布線方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種移印布線方法，屬于觸控面板感應(yīng)線跡和電極走線制程技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
移印機(jī)能夠在不規(guī)則對(duì)象表面印刷文字、圖形圖案，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，操作靈活簡(jiǎn)單。自動(dòng)化的發(fā)展使移印技術(shù)已經(jīng)成為技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，可以滿(mǎn)足觸控面板布線的精密加工的需要，提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。伴隨新材料的出現(xiàn)并結(jié)合移印工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控面板布線更為高效。本發(fā)明創(chuàng)造根據(jù)觸控面板布線工藝精密要求，特別選取光學(xué)級(jí)PET (PolyethyleneTer印hthalate，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)基膜、玻璃基膜作為布線基材，讓觸控面板產(chǎn)品輕薄、透光性好。高分子導(dǎo)電材料(如納米銀、碳納米管)的引入，用于移印觸控面板感應(yīng)線跡和電極走線，不用采用電鍍、蝕刻等化學(xué)工藝方法來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控面板的布線，所以移印自動(dòng)化生產(chǎn)對(duì)環(huán)境友好、污染少。移印線跡的牢靠程度會(huì)直接影響觸感電信號(hào)的傳輸。為了防止移印線跡的脫落斷裂， 采用紫外光高效環(huán)保地固化移印線跡。本發(fā)明創(chuàng)造使用新材料基膜作為移印印刷膜結(jié)合高分子導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)高效移印布線生產(chǎn)觸控面板。環(huán)保的紫外光固化線跡保證了移印線跡可靠品質(zhì)。本發(fā)明創(chuàng)造方法安全簡(jiǎn)單生產(chǎn)成本低，減少面板的厚度和重量，便于采用新的工藝標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)，并且提高觸控面板的透光率。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明針對(duì)移印布線觸控面板，利用PET基膜或者玻璃基膜作為印刷膜，將高分子導(dǎo)電材料與固化劑結(jié)合增加印刷線跡的牢固品質(zhì)，提出一種產(chǎn)品良率和觸控精準(zhǔn)度高，能提高生產(chǎn)效率的移印布線方法。技術(shù)方案本發(fā)明公開(kāi)了一種移印布線方法，包括步驟在千級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；印刷膜為光學(xué)級(jí)PET基膜；將金屬材質(zhì)的第一過(guò)渡棍、第二過(guò)渡棍和滾印壓頭圓柱面相切設(shè)置；其中，滾印壓頭圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；高分子導(dǎo)電材料由第一過(guò)渡輥和第二過(guò)渡輥圓柱面相切處加注，過(guò)渡輥與滾印壓頭的轉(zhuǎn)動(dòng)使高分子導(dǎo)電材料均勻的涂布在滾印壓頭圓柱表面；印刷膜的一面與滾印壓頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；滾印頭和承印體合成牽引壓力將高分子導(dǎo)電材料印制在印刷膜表面，形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；用130攝氏度的溫度對(duì)完成印制的印刷膜烘烤15分鐘。上述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。光學(xué)級(jí)PET基膜的厚度為50微米 200微米；串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1000A 1500A;串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為1微米 10微米。另種移印布線方法，包括步驟在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；印刷膜為玻璃基膜；在印刷膜的單面涂覆可固化高分子導(dǎo)電材料；熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；印刷膜涂覆含可固化高分子導(dǎo)電材料的一面與熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面相切， 印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；熱硅膠滾壓印頭和承印體合成牽引壓力在印刷膜表面形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；用120攝氏度 137攝氏度的溫度對(duì)完成燙印的印刷膜烘烤14分鐘 16分鐘；紫外光固化串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；其中，紫外光的波長(zhǎng)為365納米，紫外光的強(qiáng)度為60J/cm2 · s lOOJ/cm2 · s，紫外激光的光照時(shí)間3分鐘 6分鐘。上述玻璃基膜的厚度為0. 1毫米 3毫米；金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1000A 1500A;金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為1微米 10微米。可固化高分子導(dǎo)電材料的固化劑為自由基光引發(fā)劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。熱硅膠滾壓印頭的溫度為130攝氏度 145攝氏度，壓力為0.4Pa 0.7Pa，燙印時(shí)間6秒 9秒。有益效果本發(fā)明公開(kāi)了一種移印布線方法，通過(guò)使用新材料基膜作為移印印刷膜結(jié)合高分子導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)高效移印布線生產(chǎn)觸控面板。環(huán)保的紫外光固化線跡保證了移印線跡可靠品質(zhì)。本發(fā)明創(chuàng)造方法安全簡(jiǎn)單生產(chǎn)成本低，減少面板的厚度和重量，便于采用新的工藝標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)，并且提高觸控面板的透光率。


圖1是本發(fā)明的金屬材質(zhì)滾印壓頭的工藝示意框圖。圖2是本發(fā)明的熱硅膠滾印壓頭的工藝示意框圖。
具體實(shí)施例方式下面是本發(fā)明的具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步描述圖1所示，本發(fā)明的一種移印布線方法，包括步驟在千級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；印刷膜為光學(xué)級(jí)PET基膜；將金屬材質(zhì)的第一過(guò)渡棍、第二過(guò)渡棍和滾印壓頭圓柱面相切設(shè)置；其中，滾印壓頭圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；高分子導(dǎo)電材料由第一過(guò)渡輥和第二過(guò)渡輥圓柱面相切處加注，過(guò)渡輥與滾印壓頭的轉(zhuǎn)動(dòng)使高分子導(dǎo)電材料均勻的涂布在滾印壓頭圓柱表面；印刷膜的一面與滾印壓頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；滾印頭和承印體合成牽引壓力將高分子導(dǎo)電材料印制在印刷膜表面，形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用130攝氏度的溫度對(duì)完成印制的印刷膜烘烤15分鐘。
所述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。光學(xué)級(jí)PET基膜的厚度為50微米 200微米；串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1000A 1500A;串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為1微米 10微米。
另種移印布線方法，包括如下步驟在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為玻璃基膜；
在印刷膜的單面涂覆可固化高分子導(dǎo)電材料；
熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
印刷膜涂覆含可固化高分子導(dǎo)電材料的一面與熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面相切， 印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
熱硅膠滾壓印頭和承印體合成牽引壓力在印刷膜表面形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用120攝氏度 137攝氏度的溫度對(duì)完成燙印的印刷膜烘烤14分鐘 16分鐘；
紫外光固化串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；其中，紫外光的波長(zhǎng)為365納米，紫外光的強(qiáng)度為60J/cm2 · s lOOJ/cm2 · s，紫外激光的光照時(shí)間3分鐘 6分鐘。
所述玻璃基膜的厚度為0. 1毫米 3毫米；金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1000A 1500A;金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為1微米 10微米?？晒袒叻肿訉?dǎo)電材料的固化劑為自由基光引發(fā)劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。熱硅膠滾壓印頭的溫度為130攝氏度 145攝氏度，壓力為0.4Pa 0.7Pa，燙印時(shí)間6秒 9秒。
實(shí)施例1
移印布線方法，包括步驟在千級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為光學(xué)級(jí)PET基膜；
將金屬材質(zhì)的第一過(guò)渡棍、第二過(guò)渡棍和滾印壓頭圓柱面相切設(shè)置；其中，滾印壓頭圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
高分子導(dǎo)電材料由第一過(guò)渡輥和第二過(guò)渡輥圓柱面相切處加注，過(guò)渡輥與滾印壓頭的轉(zhuǎn)動(dòng)使高分子導(dǎo)電材料均勻的涂布在滾印壓頭圓柱表面；
印刷膜的一面與滾印壓頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
滾印頭和承印體合成牽引壓力將高分子導(dǎo)電材料印制在印刷膜表面，形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用130攝氏度的溫度對(duì)完成印制的印刷膜烘烤15分鐘。
所述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。光學(xué)級(jí)PET基膜的厚度為50微米； 串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為ioooA;串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為ι微米。
實(shí)施例2
移印布線方法，包括步驟在千級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為光學(xué)級(jí)PET基膜；
將金屬材質(zhì)的第一過(guò)渡棍、第二過(guò)渡棍和滾印壓頭圓柱面相切設(shè)置；其中，滾印壓頭圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
高分子導(dǎo)電材料由第一過(guò)渡輥和第二過(guò)渡輥圓柱面相切處加注，過(guò)渡輥與滾印壓頭的轉(zhuǎn)動(dòng)使高分子導(dǎo)電材料均勻的涂布在滾印壓頭圓柱表面；
印刷膜的一面與滾印壓頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
滾印頭和承印體合成牽引壓力將高分子導(dǎo)電材料印制在印刷膜表面，形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用130攝氏度的溫度對(duì)完成印制的印刷膜烘烤15分鐘。
所述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。光學(xué)級(jí)PET基膜的厚度為200微米； 串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1500A;串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為10微米。
實(shí)施例3
移印布線方法，包括步驟在千級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為光學(xué)級(jí)PET基膜；
將金屬材質(zhì)的第一過(guò)渡棍、第二過(guò)渡棍和滾印壓頭圓柱面相切設(shè)置；其中，滾印壓頭圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
高分子導(dǎo)電材料由第一過(guò)渡輥和第二過(guò)渡輥圓柱面相切處加注，過(guò)渡輥與滾印壓頭的轉(zhuǎn)動(dòng)使高分子導(dǎo)電材料均勻的涂布在滾印壓頭圓柱表面；
印刷膜的一面與滾印壓頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
滾印頭和承印體合成牽引壓力將高分子導(dǎo)電材料印制在印刷膜表面，形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用130攝氏度的溫度對(duì)完成印制的印刷膜烘烤15分鐘。
所述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。光學(xué)級(jí)PET基膜的厚度為150微米； 串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1200A;串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為5微米。
實(shí)施例4:
移印布線方法，包括如下步驟在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為玻璃基膜；
在印刷膜的單面涂覆可固化高分子導(dǎo)電材料；
熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
印刷膜涂覆含可固化高分子導(dǎo)電材料的一面與熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面相切， 印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
熱硅膠滾壓印頭和承印體合成牽引壓力在印刷膜表面形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用120攝氏度的溫度對(duì)完成燙印的印刷膜烘烤16分鐘；
紫外光固化串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；其中，紫外光的波長(zhǎng)為365納米，紫外光的強(qiáng)度為60J/cm2 · s，紫外激光的光照時(shí)間6分鐘。
所述玻璃基膜的厚度為0. 1毫米；金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為 ioooA;金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為ι微米。可固化高分子導(dǎo)電材料的固化劑為自由基光引發(fā)劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。熱硅膠滾壓印頭的溫度為130攝氏度，壓力為0. 7Pa，燙印時(shí)間9秒。
實(shí)施例5:
移印布線方法，包括如下步驟在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為玻璃基膜；
在印刷膜的單面涂覆可固化高分子導(dǎo)電材料；
熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
印刷膜涂覆含可固化高分子導(dǎo)電材料的一面與熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面相切， 印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
熱硅膠滾壓印頭和承印體合成牽引壓力在印刷膜表面形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用137攝氏度的溫度對(duì)完成燙印的印刷膜烘烤14分鐘；
紫外光固化串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；其中，紫外光的波長(zhǎng)為365納米，紫外光的強(qiáng)度為lOOJ/cm2 · s，紫外激光的光照時(shí)間3分鐘。
所述玻璃基膜的厚度為3毫米；金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1500A; 金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為10微米。可固化高分子導(dǎo)電材料的固化劑為自由基光引發(fā)劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。熱硅膠滾壓印頭的溫度為145攝氏度，壓力為0. 4Pa，燙印時(shí)間6秒。
實(shí)施例6:
移印布線方法，包括如下步驟在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行；
印刷膜為玻璃基膜；
在印刷膜的單面涂覆可固化高分子導(dǎo)電材料；
熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；
印刷膜涂覆含可固化高分子導(dǎo)電材料的一面與熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面相切， 印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；
熱硅膠滾壓印頭和承印體合成牽引壓力在印刷膜表面形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；
用130攝氏度的溫度對(duì)完成燙印的印刷膜烘烤15分鐘；
紫外光固化串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；其中，紫外光的波長(zhǎng)為365納米，紫外光的強(qiáng)度為80J/cm2 · s，紫外激光的光照時(shí)間5分鐘。
所述玻璃基膜的厚度為2毫米；金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1300A; 金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為7微米?？晒袒叻肿訉?dǎo)電材料的固化劑為自由基光引發(fā)劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。熱硅膠滾壓印頭的溫度為140攝氏度，壓力為0. 6Pa，燙印時(shí)間8秒。
權(quán)利要求
1.一種移印布線方法，包括如下步驟，其特征在于所述步驟在千級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行； 印刷膜為光學(xué)級(jí)PET基膜；將金屬材質(zhì)的第一過(guò)渡棍、第二過(guò)渡棍和滾印壓頭圓柱面相切設(shè)置；其中，滾印壓頭圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案；高分子導(dǎo)電材料由第一過(guò)渡輥和第二過(guò)渡輥圓柱面相切處加注，過(guò)渡輥與滾印壓頭的轉(zhuǎn)動(dòng)使高分子導(dǎo)電材料均勻的涂布在滾印壓頭圓柱表面；印刷膜的一面與滾印壓頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；滾印頭和承印體合成牽引壓力將高分子導(dǎo)電材料印制在印刷膜表面，形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；用130攝氏度的溫度對(duì)完成印制的印刷膜烘烤15分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述移印布線方法，其特征在于所述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。
3.如權(quán)利要求1所述移印布線方法，其特征在于所述光學(xué)級(jí)PET基膜的厚度為50微米 200微米；串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1000A 1500A;串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為1微米 10微米。
4.一種移印布線方法，包括如下步驟，其特征在于所述步驟在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵室中進(jìn)行； 印刷膜為玻璃基膜；在印刷膜的單面涂覆可固化高分子導(dǎo)電材料； 熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面設(shè)置串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線圖案； 印刷膜涂覆含可固化高分子導(dǎo)電材料的一面與熱硅膠滾壓印頭的圓柱表面相切，印刷膜的另一面與承印體的圓柱表面相切；熱硅膠滾壓印頭和承印體合成牽引壓力在印刷膜表面形成串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線.一入 ，用120攝氏度 137攝氏度的溫度對(duì)完成燙印的印刷膜烘烤14分鐘 16分鐘； 紫外光固化串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線；其中，紫外光的波長(zhǎng)為365納米，紫外光的強(qiáng)度為60J/cm2 · s lOOJ/cm2 · s，紫外激光的光照時(shí)間3分鐘 6分鐘。
5.如權(quán)利要求4所述移印布線方法，其特征在于所述玻璃基膜的厚度為0.1毫米 3毫米；金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組和電極走線的厚度為1000A 1500A;金屬串聯(lián)感應(yīng)單元組的線跡寬度為1微米 10微米。
6.如權(quán)利要求4所述移印布線方法，其特征在于所述可固化高分子導(dǎo)電材料的固化劑為自由基光引發(fā)劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。
7.如權(quán)利要求4所述移印布線方法，其特征在于所述高分子導(dǎo)電材料為納米銀或者碳納米管。
8.如權(quán)利要求4所述移印布線方法，其特征在于所述熱硅膠滾壓印頭的溫度為130 攝氏度 145攝氏度，壓力為0. 4Pa 0. 7Pa，燙印時(shí)間6秒 9秒。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種移印布線方法，屬于觸控面板感應(yīng)線跡和電極走線制程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)使用新材料基膜作為移印印刷膜結(jié)合高分子導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)高效移印布線生產(chǎn)觸控面板。環(huán)保的紫外光固化線跡保證了移印線跡可靠品質(zhì)。本發(fā)明創(chuàng)造方法安全簡(jiǎn)單生產(chǎn)成本低，減少面板的厚度和重量，便于采用新的工藝標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)，并且提高觸控面板的透光率。
文檔編號(hào)H05K3/12GK102510673SQ20111034428
公開(kāi)日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者陳棟南 申請(qǐng)人:牧東光電(蘇州)有限公司