專利名稱：一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)及其制備和外延層生長方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型異質(zhì)外延生長襯底方法，可以直接應用于生長高質(zhì)量III族氮化物半導體等材料。
背景技術(shù)：
材料是科學技術(shù)發(fā)展的基石。通常，由于匹配襯底稀缺和難以獲得，異質(zhì)外延生長成為材料生長中廣泛采用的基本方法。目前迅速發(fā)展的III族氮化物半導體材料就主要在藍寶石等襯底上外延生長。所謂III族氮化物材料，包括GaN、A1N、InN以及由它們組成的三元和四元合金都是直接帶隙材料，具有帶隙范圍寬(0. 75eV 6. ，擊穿電場高，熱導率高，電子飽和速率高，以及耐化學腐蝕等特點，這些優(yōu)良的光、電學性質(zhì)以及優(yōu)良的材料化學性能使III族氮化物材料在藍光、綠光、紫光、紫外光及白光發(fā)光二極管(LED)、短波長激光二極管(LD)、紫外光探測器和功率電子器件等光電子器件，以及射頻晶體管等微電子器件中有廣泛的應用前景。商用的GaN基器件，多采用藍寶石襯底進行異質(zhì)外延。由于晶格的不匹配，外延層中的位錯密度極高，隨之帶來的問題是器件性能、可靠性和壽命的降低，對大功率密度器件，如射頻晶體管、藍紫光激光器的影響尤為突出。異質(zhì)外延生長GaN材料依然面臨巨大的挑戰(zhàn)，發(fā)展襯底技術(shù)，減小材料位錯密度， 提高晶體質(zhì)量始終是人們不懈努力的目標。歐洲專利EP 0942459A1公布了一種獲得高質(zhì)量GaN外延層的方法，即側(cè)向外延過生長技術(shù)(LEO)。步驟如下先在藍寶石襯底上按照兩步法外延生長GaN籽晶層0或 5 μ m)，然后在GaN籽晶層上用CVD方法沉積厚度約IOOnm的無定形SW2或SiNx掩膜。再用常規(guī)光刻的方法在掩膜條上開出條形窗口，暴露出GaN籽晶層。條形窗口以寬度為3 5 μ m為宜，掩膜條寬5 15 μ m。條形掩膜沿GaN籽晶層的<l-100>eaN方向，此方向有利于 GaN的側(cè)向生長。然后將此圖形化襯底進行清洗，去除窗口區(qū)表面氧化物，再利用MOCVD或 HVPE方法高溫1050°C進行第二次GaN選區(qū)外延生長。當窗口區(qū)生長出的GaN薄膜厚度超過掩膜層厚度時，外延層會在繼續(xù)垂直生長的同時在掩膜層上進行側(cè)向生長。隨后相鄰的生長側(cè)面相互連接，最終又融合成新的表面。為了更進一步降低位錯密度，該專利還提出了一種基于上述技術(shù)的二次處理的方法。主要思路就是利用在上述生長的GaN外延層上，利用相同的工藝方法，再次進行選區(qū)外延生長。這次條形掩膜正對第一次圖形襯底的窗口，而窗口區(qū)則正對第一次圖形襯底的條形掩膜。這樣利用提供的界面以及促使位錯再次轉(zhuǎn)向的掩膜很明顯的降低了貫穿位錯的密度。同理，也可以將上述步驟重復多次，來最大限度的降低GaN外延層的位錯密度。美國專利US 6177688B1公布了一種稱為“懸空外延技術(shù)”(PE)的方法來生長高質(zhì)量的GaN外延層。主要過程如下先在6H-SiC襯底上沉積一層AlN緩沖層，然后高溫生長 GaN籽晶層(0. 5 2 μ m)，然后在GaN籽晶層上用CVD方法沉積厚度約IOOnm的SiN掩膜， 再用常規(guī)光刻的方法在SiN掩膜條上開出條形窗口，然后選區(qū)刻蝕暴露在窗口部分的GaN籽晶層，一直深入到襯底。這樣就形成了 GaN/緩沖層/襯底的柱狀結(jié)構(gòu)和溝槽交替的形狀。 然后再進行GaN外延片層的生長，此時生長的GaN外延片層懸空于溝槽的上方，是在原GaN 外延片層側(cè)壁的橫向外延生長。GaN外延層橫向生長持續(xù)進行，垂直方向GaN的生長從不斷擴大的側(cè)向生長陣面新形成的GaN(OOOl)面開始進行。當垂直方向的GaN外延層厚度超過SiN的厚度時，外延層會在繼續(xù)垂直生長的同時在SiN掩膜層上進行側(cè)向生長。隨后相鄰的生長陣面相互連接，最終又融合成新的表面。這兩種方法得到的SiN掩膜上的GaN外延層的位錯密度較傳統(tǒng)的直接生長在藍寶石襯底上來說，有非常顯著的降低，大幅提高了器件使用壽命。但這兩種方法均屬兩步法的LEO技術(shù)，每個窗口區(qū)仍然是高位錯密度區(qū)。兩步法的懸空外延技術(shù)，溝槽里GaN生長質(zhì)量較LEO技術(shù)有所提高，但每個溝槽的中央?yún)^(qū)域都是相鄰生長陣面相互連接而形成的缺陷區(qū)。而基于此的二次或多次選區(qū)外延生長，其工序多而且復雜，成本高，不利于規(guī)?；a(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是對上述技術(shù)的革新和改進，提供了一種一步法選區(qū)異質(zhì)外延生長襯底結(jié)構(gòu)及制備方法，特別針對GaN異質(zhì)外延生長提出了具體的實施方案，簡化了生長步驟和工藝，同時提高了無位錯GaN外延膜的有效寬度，更具有實用價值。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一襯底，所述襯底上依次設(shè)有底層掩膜層、頂層掩膜層；其中，所述底層掩膜層設(shè)有周期性分布的條形窗口，所述頂層掩膜層上設(shè)有周期性分布的“十”字形窗口，所述“十”字形窗口之間為“工”字形頂層掩膜區(qū)；所述頂層的“工”字形頂層掩膜區(qū)兩端通過分立的介質(zhì)層與所述底層掩膜層的條形掩膜區(qū)連接； 所述頂層“十”字形窗口與所述底層條形窗口相互錯開。一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其步驟為1)在所選襯底表面沉積一層底層掩膜層，然后對該掩膜層進行刻蝕得到周期性分布的條形窗口區(qū)和底層掩膜區(qū)，得到底層結(jié)構(gòu)；2)在底層結(jié)構(gòu)上沉積介質(zhì)層和頂層掩膜層；3)對頂層掩膜層進行光刻露出“十”字形頂層窗口 ；其中，頂層窗口與底層窗口相互錯開，“十”字形窗口之間為“工”字形頂層掩膜區(qū)；4)腐蝕襯底結(jié)構(gòu)，露出底層掩膜區(qū)和條形窗口 ；其中，頂層“工”字形頂層掩膜區(qū)包含兩種區(qū)域兩端由介質(zhì)層支撐的區(qū)域與中間無介質(zhì)層的懸空區(qū)域。進一步的，所述底層掩膜層為SiNx、頂層掩膜層為SiNx、介質(zhì)層為Si02。進一步的，首先對所選襯底進行清洗和干燥處理，然后采用LPCVD方法在所選襯底表面沉積底層SiNx掩膜，然后用常規(guī)光刻方法結(jié)合AOE刻蝕，開出條形窗口，露出所選襯底。進一步的，所述條形窗口寬度為1 2μπι，周期為18 μ m;所述“十”字形窗口寬度為2 4 μ m，周期為18 μ m ；所述襯底為藍寶石襯底，所述底層SiNx為lOOnm、頂層SiNx為 200nm、SiO2 高度為 200nm。進一步的，所述步驟2~)中使用PECVD在底層結(jié)構(gòu)上先后沉積SW2薄膜和頂層SiNx 薄膜；使用BOE腐蝕SiO2薄膜。
一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)的外延層生長方法，其步驟為1)在襯底結(jié)構(gòu)的底層條形窗口底部生長一緩沖層；2)在所述條形窗口內(nèi)、所述緩沖層上進行外延層垂直生長，當外延層生長陣面越過底層掩膜后同時進行側(cè)向生長，且側(cè)向生長速度大于垂直方向生長速度；3)當外延層在溝道內(nèi)的側(cè)向延伸距離接近底層掩膜區(qū)寬度時，垂直方向生長速度大于側(cè)向生長速度直至外延層生長陣面露出頂層窗口；4)控制外延層側(cè)向生長速度大于垂直方向生長速度，進行外延層生長，直至外延層陣面在相鄰頂層窗口的頂層掩膜區(qū)上接觸并融合，得到連續(xù)平整的外延層。進一步的，所述緩沖層材料為不會在底層掩膜上成核的材料。進一步的，當外延層生長陣面越過底層掩膜后同時進行側(cè)向生長時；對于有介質(zhì)層覆蓋的底層掩膜區(qū)，側(cè)向外延只沿一個方向進行生長，對于無介質(zhì)層的懸空區(qū)域，側(cè)向外延沿兩相反方向同時進行生長。本發(fā)明一種選區(qū)外延生長GaN的襯底方法的主要處理步驟包含首先用配比為 3 1的硫酸和磷酸濕化學溶液清洗藍寶石襯底，然后干燥。用CVD方法沉積厚度約IOOnm 的SiNx掩膜，再用常規(guī)光刻的方法在SiNx掩膜條上開出條形窗口，然后將光刻膠去掉。繼續(xù)用CVD方法先后沉積SW2薄膜和SiNx薄膜，各約200nm，然后甩膠、烘烤、曝光。用反應離子刻蝕(RIE)技術(shù)在SiNx掩膜條上開出“十”字形窗口，這些窗口和下面的第一層窗口在空間上是錯開的，從而保證位錯的完全阻擋。將光刻膠去掉，最后用氫氟酸緩沖液(BOE)腐蝕襯底，露出底層SiNx掩膜和窗口。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的積極效果為本發(fā)明提供了一種可以實現(xiàn)一步法生長III族氮化物材料的襯底結(jié)構(gòu)及制備和外延層生長方法，大大簡化了生長步驟和工藝，同時提高了無位錯外延膜的有效寬度，更具有使用價值。


圖1所示一步選區(qū)外延襯底結(jié)構(gòu)圖；圖2所示一步選區(qū)外延襯底結(jié)構(gòu)生長高質(zhì)量GaN外延層薄膜圖；圖3所示一步選區(qū)外延襯底結(jié)構(gòu)制備工藝流程圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細描述參考圖1，襯底經(jīng)清洗和干燥后，用LPCVD方法在表面沉積一層厚約IOOnm的底層SiNx掩膜，然后用常規(guī)光刻方法經(jīng)歷甩膠、烘烤、曝光和顯影等工序后，再使用AOE (Advanced Oxide Etch)刻蝕方法對該掩膜進行刻蝕直至露出藍寶石襯底，底層窗口寬度約為1 2 μ m，周期約為18 μ m。接下來使用PECVD先后沉積厚度約為200nm的SW2薄膜和200nm的頂層SiNx薄膜，進行二次光刻并使用反應離子刻蝕，露出“十”字形頂層窗口，頂層窗口寬度約為2 4μπι，周期約為18μπι。其中，頂層窗口與底層窗口相互錯開。最后使用BOE腐蝕襯底結(jié)構(gòu)，露出底層SiNx掩膜和窗口。最后成型的襯底結(jié)構(gòu)上，頂層“工”字形 SiNx掩膜包含兩種區(qū)域兩端S^2支撐的區(qū)域與中間無S^2薄膜懸空區(qū)域。
發(fā)明的實施例1參考圖2，使用襯底結(jié)構(gòu)生長GaN外延膜。其過程為利用金屬有機物氣相沉積設(shè)備(MOCVD)，在氫氣(H2)氣氛下，以三甲基鎵(trimethylgallium =TMGa)和氨氣(NH3)為源， 在圖形襯底上生長20nm GaN緩沖層。由于GaN不會在SiNx掩膜上成核，因此成核區(qū)域?qū)⑦x擇在底層窗口中，即襯底表面。接著將生長溫度升至1040°C，生長GaN外延層。生長過程采用V/III比調(diào)制的方法，經(jīng)歷“低-高-低-高”的脈沖式V/III比變換，生長約8μπι的 GaN外延層以保證形成連續(xù)平整的薄膜。GaN在整個襯底結(jié)構(gòu)上的生長過程如下首先在底層窗口里形成20nm的緩沖層， 然后進行垂直方向的生長，當其生長陣面越過SiNx掩膜后，在垂直生長的同時進行側(cè)向生長，且側(cè)向生長速度要大于垂直方向。GaN在溝道里的延伸距離接近SiNx掩膜的寬度時，生長行為再一次發(fā)生改變，垂直方向的生長占據(jù)主導地位，此過程直至GaN露出頂層窗口后結(jié)束。接著和前述GaN露出底層窗口后的行為類似，GaN以側(cè)向生長速度占優(yōu)的條件生長， 相鄰窗口中的GaN在SiNx掩膜層上接觸并融合，最后形成連續(xù)平整的GaN外延層。這里，兩端SiA支撐的區(qū)域與中間無SiA薄膜懸空區(qū)域作為圖形襯底上頂層SiNx 掩膜的兩種區(qū)域，GaN的生長行為不同。在兩端SW2覆蓋的區(qū)域，GaN從底層窗口長出來之后，由于附近只有一邊有SiNx掩膜，側(cè)向外延將只沿一個方向；在無S^2薄膜的懸空區(qū)域， GaN從底層窗口長出來之后，由于兩側(cè)都有SiNx掩膜，側(cè)向外延將沿兩相反的方向進行。由于在小尺寸區(qū)域上，一個通道會造成GaN顆粒的過度集中，積聚的應力對GaN從頂層窗口生長出來進而融合不利，而兩個通道能有效開拓GaN從底層窗口生長出來后的伸展面積，在生長上較為容易實現(xiàn)融合的、連續(xù)平整的GaN薄膜。因此圖形襯底呈現(xiàn)出兩種區(qū)域。這兩種區(qū)域生長出來的GaN外延層又可以通過表征來對比其生長質(zhì)量。GaN從底層窗口中生長出來，同時與生長方向相同的位錯也在向上延伸，由于位錯不能無端消失，只能終止于界面或表面，頂層的SiNx掩膜便起到了這樣一個作用；兩端有 SiO2膜支撐的區(qū)域，由于通道中GaN只能向一側(cè)延伸，因此從底層相鄰窗口長出來的GaN會在頂層掩膜中央附近融合，這樣形成的融合區(qū)又會形成高缺陷區(qū)。中間無SiO2膜支撐的區(qū)域，由于從底層窗口長出來的GaN向兩側(cè)延伸，因此在相鄰的底層SiNx掩膜上發(fā)生融合，形成缺陷區(qū)。和上面類似，當GaN露出頂層窗口后，又會在頂層掩膜中央融合。于是，在GaN外延層表面就會有兩種典型的缺陷區(qū)兩端有S^2支撐的SiNx掩膜區(qū)域，缺陷區(qū)在頂層SiNx 掩膜中央?yún)^(qū)域；具有懸空S^2的SiNx掩膜區(qū)域，缺陷區(qū)除了在頂層SiNx掩膜中央?yún)^(qū)域外， 還會分布在頂層窗口中央的中間區(qū)域。但相較LEO窗口區(qū)域全是缺陷區(qū)，PE技術(shù)每個窗口中央?yún)^(qū)域都是缺陷區(qū)再加上這兩種技術(shù)都是二次外延，工序復雜，這種新型的外延生長GaN 的圖形襯底結(jié)構(gòu)不僅可以大大減低位錯并且實現(xiàn)了一步外延。SiO2薄膜的作用是作為蛤同性腐蝕的媒介，經(jīng)過腐蝕之后，形成了部分懸空的 SiNx掩膜。與傳統(tǒng)的側(cè)向外延技術(shù)相比，這種新型的襯底結(jié)構(gòu)可以充分的阻擋位錯向上延伸，而且GaN外延層可以直接可控的在藍寶石襯底上成核，實現(xiàn)了一步選區(qū)外延生長，減少了成本。上述實施例中，所涉及的掩膜、緩沖層、外延層其成分組成不局限于本例說明。掩膜層需要滿足如下條件必須可以很容易的沉積在襯底上并且對襯底無損傷；耐高溫，因為外延膜的生長溫度通常都超過1000°c ；避免在其上形成生長外延膜所必須的成核層；頂層與底層掩膜可選用不同介質(zhì)，比如可為SiNx或金屬鎢。緩沖層和外延層不但可以是GaAs、 hP、AlN、InN、GaN等二元系砷化物和氮化物，而且可以是InGaAs、AlGaAs、AlGaN或者InGaN 等三元系砷化物和氮化物，甚至是InGaAsP和AlInGaN等四元系砷化物和氮化物。本發(fā)明中，上述實施例提供了一種新型的襯底生長高質(zhì)量GaN外延層的制備方案，本發(fā)明并不僅局限于此實施例，可以根據(jù)實際需要和設(shè)計要求做出相應的修改，例如 實施例中提供了用金屬有機物氣相沉積(MOCVD)方法的實現(xiàn)，但相應的結(jié)構(gòu)也可通過分子束夕卜延(Molecular Beam Epitaxy :MBE)、氧化物氣相沉積、法(Hydride Vapor Phase Epitaxy =HVPE)等外延方法。本發(fā)明并不局限于僅生長GaN外延層，可以生長GaN基光電器件結(jié)構(gòu)(如發(fā)光二極管和激光二極管等)和電子器件結(jié)構(gòu)(如高電子遷移率晶體管等)。另外，生長所用的襯底除了藍寶石以外，還可以是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、鋁酸鋰(LiAlO2)、砷化鎵(GaAs)、銦磷(InP)、硅(Si)等。此外，頂層窗口寬度是2μπι 4μπι，窗口間距在8μπι 20μπι的范圍，可以是周期性的，也可以是非周期性等。底層窗口寬度是1 μ m 2 μ m，窗口間距在8 μ m 20 μ m的范圍以上通過詳細實施例描述了本發(fā)明所提供的一步法選區(qū)外延生長的襯底結(jié)構(gòu)及制備和外延層生長方法，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當理解，在不脫離本發(fā)明實質(zhì)的范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明做一定的變形或修改；其制備方法也不限于實施例中所公開的內(nèi)容。
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權(quán)利要求
1.一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一襯底，所述襯底上依次設(shè)有底層掩膜層、頂層掩膜層；其中，所述底層掩膜層設(shè)有周期性分布的條形窗口，所述頂層掩膜層上設(shè)有周期性分布的“十”字形窗口，所述“十”字形窗口之間為“工”字形頂層掩膜區(qū)；所述頂層的“工”字形頂層掩膜區(qū)兩端通過分立的介質(zhì)層與所述底層掩膜層的條形掩膜區(qū)連接； 所述頂層“十”字形窗口與所述底層條形窗口相互錯開。
2.如權(quán)利要求1所述的選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底層掩膜層為SiNx、 頂層掩膜層為SiNx、介質(zhì)層為Si02。
3.如權(quán)利要求1或2所述的選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于所述條形窗口寬度為 1 2 μ m，周期為18 μ m ；所述“十”字形窗口寬度為2 4 μ m，周期為18 μ m ；所述襯底為藍寶石襯底，所述底層SiNx為lOOnm、頂層SiNx為200nm、SiO2高度為200nm。
4.一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其步驟為1)在所選襯底表面沉積一層底層掩膜層，然后對該掩膜層進行刻蝕得到周期性分布的條形窗口區(qū)和底層掩膜區(qū)，得到底層結(jié)構(gòu)；2)在底層結(jié)構(gòu)上沉積介質(zhì)層和頂層掩膜層；3)對頂層掩膜層進行光刻露出“十”字形頂層窗口；其中，頂層窗口與底層窗口相互錯開，“十”字形窗口之間為“工”字形頂層掩膜區(qū)；4)腐蝕襯底結(jié)構(gòu)，露出底層掩膜區(qū)和條形窗口；其中，頂層“工”字形頂層掩膜區(qū)包含兩種區(qū)域兩端由介質(zhì)層支撐的區(qū)域與中間無介質(zhì)層的懸空區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述底層掩膜層為SiNx、頂層掩膜層為SiNx、 介質(zhì)層為Si02。
6.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于首先對所選襯底進行清洗和干燥處理， 然后采用LPCVD方法在所選襯底表面沉積底層SiNx掩膜，然后用常規(guī)光刻方法結(jié)合AOE刻蝕，開出條形窗口，露出所選襯底。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述條形窗口寬度為1 2μπι，周期為 18 μ m ；所述“十”字形窗口寬度為2 4 μ m，周期為18 μ m ；所述襯底為藍寶石襯底，所述底層 SiNx 為 lOOnm、頂層 SiNx 為 200nm、SiO2 高度為 200nm。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述步驟2)中使用PECVD在底層結(jié)構(gòu)上先后沉積SW2薄膜和頂層SiNx薄膜；使用BOE腐蝕SW2薄膜。
9.一種基于權(quán)利要求1所述選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)的外延層生長方法，其步驟為1)在襯底結(jié)構(gòu)的底層條形窗口底部生長一緩沖層；2)在所述條形窗口內(nèi)、所述緩沖層上進行外延層垂直生長，當外延層生長陣面越過底層掩膜后同時進行側(cè)向生長，且側(cè)向生長速度大于垂直方向生長速度；3)當外延層在溝道內(nèi)的側(cè)向延伸距離接近底層掩膜區(qū)寬度時，垂直方向生長速度大于側(cè)向生長速度直至外延層生長陣面露出頂層窗口；4)控制外延層側(cè)向生長速度大于垂直方向生長速度，進行外延層生長，直至外延層陣面在相鄰頂層窗口的頂層掩膜區(qū)上接觸并融合，得到連續(xù)平整的外延層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述緩沖層材料為不會在底層掩膜上成核的材料。
11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于當外延層生長陣面越過底層掩膜后同時進行側(cè)向生長時；對于有介質(zhì)層覆蓋的底層掩膜區(qū)，側(cè)向外延只沿一個方向進行生長，對于無介質(zhì)層的懸空區(qū)域，側(cè)向外延沿兩相反方向同時進行生長。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述底層掩膜層為SiNx、頂層掩膜層為 SiNx、介質(zhì)層為Si02。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種選區(qū)異質(zhì)外延襯底結(jié)構(gòu)及其制備和外延層生長方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。本襯底結(jié)構(gòu)包括一襯底，襯底上依次設(shè)有底層掩膜層、頂層掩膜層；其中，底層掩膜層設(shè)有周期性分布的條形窗口，頂層掩膜層上設(shè)有周期性分布的“十”字形窗口，“十”字形窗口之間為“工”字形頂層掩膜區(qū)；頂層的“工”字形頂層掩膜區(qū)兩端通過分立的介質(zhì)層與底層掩膜層的條形掩膜區(qū)連接；頂層“十”字形窗口與底層條形窗口相互錯開。本發(fā)明同時提供了該襯底結(jié)構(gòu)的制備方法以及基于該結(jié)構(gòu)的外延層生長方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種一步法異質(zhì)外延的襯底結(jié)構(gòu)，簡化了生長工序，同時提高了無位錯外延膜的有效寬度，更具有使用價值。
文檔編號C30B25/18GK102492986SQ201110397590
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者劉培基, 張國義, 李丁, 李磊, 楊志堅, 胡曉東, 謝亞宏, 賀永發(fā) 申請人:北京大學