專利名稱：一種多層電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷電路板領(lǐng)域，特別是涉及一種用于印刷電路板的多層電容器。
技術(shù)背景
傳統(tǒng)的三維分立式無源元件是通過插入、焊接、表面貼裝等方式與印制電路板相結(jié)合的，它們占據(jù)了印刷電路板的五分之二的表面積與大部分的造價。隨著無線電通信設(shè)備小型化和高性能射頻模組小型化的飛速發(fā)展，需要更小型的半導(dǎo)體器件和無源器件與之相適應(yīng)，而埋入式多層無源器件技術(shù)是提高系統(tǒng)集成度和小型化的一種有效途徑。同傳統(tǒng)的分立式組裝技術(shù)相比，埋入式多層無源器件技術(shù)具有十分突出的優(yōu)點(diǎn)，它使器件具有更小的表面積，更輕的質(zhì)量；由于極大的縮短了引線距離，使得附加的電容和電感非常小，信號響應(yīng)更快。同時由于焊點(diǎn)數(shù)目大大減少，使得器件的可靠性和整體性能得到了很大的提尚ο
目前，埋入式無源器件技術(shù)主要是基于低溫共燒陶瓷基板和有機(jī)復(fù)合基板來開展研究的。有機(jī)復(fù)合基板具有易于加工，介電特性優(yōu)良，化學(xué)穩(wěn)定等特點(diǎn)，但相對陶瓷基板而言，有機(jī)復(fù)合基板具有易吸潮、玻璃化溫度較低、有相對較高的溫度系數(shù)、需要能低溫?zé)Y(jié)成功的高介質(zhì)陶瓷和金屬材料與之匹配、成本高等缺點(diǎn)。因此，用于埋入式無源器件的新的基板亟待提出。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種多層電容器，能夠與傳統(tǒng)的厚膜材料和光刻工藝相兼容、能多層設(shè)計(jì)一次燒結(jié)成功。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是提供一種多層電容器，包括電容、接地板和電極層，其特征是，采用厚度為Imm的Al2O3陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料。
優(yōu)選的，所述陶瓷材料為BiNbO4或Bi2O3-ZnO-Nb2O5中的一種。
優(yōu)選的，所述介質(zhì)層材料厚度控制在35um-55um之間。
本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明與傳統(tǒng)的厚膜材料和光刻工藝相兼容、能多層設(shè)計(jì)一次燒結(jié)成功，且具有低溫度系數(shù)，高熱導(dǎo)率的優(yōu)點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
下面對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
實(shí)施例1、本發(fā)明實(shí)施例包括采用厚度為Imm的Al2O3陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料BiNbO4,介質(zhì)層的厚度控制在40 um，接地板和電極層厚度均控制在10 um, 在埋入電容上面加上一層電路板，厚度為0.5mm。采用絲網(wǎng)印刷的方法制備多層陶瓷電容器，在850°C時一次燒結(jié)成功。
實(shí)施例2、本發(fā)明實(shí)施例包括采用厚度為Imm的Al2O3陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料BiNbO4,介質(zhì)層的厚度控制在50 um，接地板和電極層厚度均控制在10 um, 在埋入電容上面加上一層電路板，厚度為0.5mm。采用絲網(wǎng)印刷的方法制備多層陶瓷電容器，在850°C時一次燒結(jié)成功。
實(shí)施例3、本發(fā)明實(shí)施例包括采用厚度為Imm的Al2O3陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料Bi2O3-ZnO-Nb2O5，介質(zhì)層的厚度控制在40 um，接地板和電極層厚度均控制在10 um，在埋入電容上面加上一層電路板，厚度為0.5mm。采用絲網(wǎng)印刷的方法制備多層陶瓷電容器，在850°C時一次燒結(jié)成功。
實(shí)施例4、本發(fā)明實(shí)施例包括采用厚度為Imm的Al2O3陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料Bi2O3-ZnO-Nb2O5，介質(zhì)層的厚度控制在50 um，接地板和電極層厚度均控制在10 um，在埋入電容上面加上一層電路板，厚度為0.5mm。采用絲網(wǎng)印刷的方法制備多層陶瓷電容器，在850°C時一次燒結(jié)成功。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域， 均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多層電容器，包括電容、接地板和電極層，其特征在于，采用厚度為Imm的Al2O3 陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其特征在于，所述陶瓷材料為BiNbO4或 Bi2O3-ZnO-Nb2O5 中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其特征在于，所述介質(zhì)層材料厚度控制在 35um_55 um 之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層電容器，包括電容、接地板和電極層，采用厚度為1mm的Al2O3陶瓷基板，電容的介質(zhì)層材料采用陶瓷材料。所用陶瓷材料為BiNbO4或Bi2O3-ZnO-Nb2O5中的一種。介質(zhì)層材料厚度控制在35um-55um之間。通過上述方式，本發(fā)明能夠與傳統(tǒng)的厚膜材料和光刻工藝相兼容、能多層設(shè)計(jì)一次燒結(jié)成功，且具有低溫度系數(shù)，高熱導(dǎo)率的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H05K1/18GK102496458SQ201110402120
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者李明 申請人:蘇州日月明微電子科技有限公司