專利名稱：電路基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種印制電路用的電路基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子產(chǎn)品向多功能、小型化的方向發(fā)展，使用的電路板朝著多層化、 布線高密度化以及信號傳輸高速化的方向發(fā)展，對電路基板——覆金屬箔層壓板，如覆銅板的綜合性能提出了更高的要求。例如，隨著信息通訊設(shè)備高性能化、高功能化以及網(wǎng)絡(luò)化的發(fā)展，為了高速傳輸及處理大容量信息，操作信號趨向于高頻化，電子產(chǎn)品的使用頻率持續(xù)走高，要求電路基板介電損耗越來越小，而且要求電路基板介電常數(shù)的穩(wěn)定性、均勻性要好。目前覆銅板一般使用玻璃纖維布作為增強材料。因使用編織材料做增強材料(如玻璃纖維布)，編織纖維布因編織的原因以及編織纖維交叉部分的十字節(jié)點存在，使得電路基板中絕緣介質(zhì)(如玻璃成分)并不是均勻的分布，使得電路板中的介電常數(shù)在χ、γ、ζ方向的不是各向同性(其中，Χ、Υ、Ζ方向分別為電路板的長度、寬度、厚度方向)，存在Χ、Υ、Ζ 方向的介電常數(shù)差異。這樣高頻信號在高頻電路基板中傳輸時，電磁波不僅在X、Y方向傳輸，而且也在Z方向傳輸，因在X、Y、Z方向的介電常數(shù)的不同產(chǎn)生信號的衰減，影響信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。為了使信號均勻穩(wěn)定的傳輸，必須盡量減少電路基板介質(zhì)中χ、γ、ζ方向的介質(zhì)分布的差別。另外，隨著電子產(chǎn)品電路互聯(lián)密度的提高，要求電路基板的尺寸穩(wěn)定性越來越高， 為了減少電路基板在制作的熱沖擊過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力，滿足元器件在安裝及組裝過程的孔對位精確，要求基板在Χ、Υ、Ζ方向的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)越小越好。特別是用于IC封裝的電路基板，對于X、Y方向的CTE要越接近于硅芯片的CTE (3ppm/°C)越好，因為如果電路基板的CTE和封裝在電路基板上的芯片的CTE相差太大，會使得芯片在環(huán)境冷熱沖擊過程中產(chǎn)生很大的應(yīng)力應(yīng)變而損壞。目前所用覆銅板(FR-4) —般都以玻璃纖維布作為增強材料，因受到板材中玻璃纖維布與樹脂比例的影響，其X、Y方向的CTE為16 18ppm/°C。為了降低X、Y方向的CTE，美國專利申請US20040037950A1使用薄型的玻璃膜來替代玻璃纖維布進(jìn)行覆銅板的制作。該專利申請揭示了一種多層板材的結(jié)構(gòu)由玻璃膜、樹脂層以及銅箔層構(gòu)成，但是該專利申請并沒有揭示如何在玻璃膜表面和樹脂層之間獲得良好的結(jié)合力。因玻璃膜的表面是光滑的，這樣樹脂層無法和玻璃膜形成良好的結(jié)合力，使得附著在樹脂層上的電路銅導(dǎo)線隨著樹脂層一起容易從玻璃膜上剝落下來，進(jìn)而會造成這種方式制作的覆銅板在制作及使用過程的可靠度不高，會產(chǎn)生電子產(chǎn)品的報廢。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電路基板，采用經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜為載體材料，使得樹脂粘接層與玻璃膜表面具有良好的結(jié)合力。
本發(fā)明的另一目的在于提供使用上述經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜制作的電路基板，具有介電常數(shù)在X、Y、Z方向差別小的特點。本發(fā)明的再一目的在于提供一種電路基板的制作方法，采用經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜為載體材料，具有良好的成型性，工藝操作簡便。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種電路基板，包括經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜、分別位于所述玻璃膜兩側(cè)粗糙層上的樹脂粘接層、以及位于樹脂粘接層外側(cè)的金屬箔，所述玻璃膜、樹脂粘接層及金屬箔通過壓制結(jié)合在一起。所述玻璃膜的玻璃成分優(yōu)選堿金屬氧化物含量小于0. 3% (重量)的鋁硅酸鹽玻璃或堿金屬氧化物含量小于0.3% (重量)的硼硅酸鹽玻璃。所述玻璃膜的厚度可以選擇在20μπι到1. Imm之間。為了獲得良好的玻璃膜和樹脂粘接層的結(jié)合力，發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，在玻璃膜上形成大于一定厚度的凹凸不平的粗糙層，可以提高玻璃膜和樹脂粘接層的結(jié)合力。具體的是，所述粗糙層的厚度大于或等于 0. 3μπι，可以獲得滿意的粘合力。本文中，粗糙層的厚度是指該粗糙層的微觀不平度十點高度(Rz)。所述玻璃膜的表面可以通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，增大接觸面積，使玻璃膜與樹脂粘接層達(dá)到更好的結(jié)合。發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，使用蒙砂法、溶膠-凝膠法很容易在玻璃膜的表面形成一層厚度大于或等于0. 3 μ m的粗糙層，制作的電路基板產(chǎn)生了良好的粘合力。為了獲得更好的玻璃膜和樹脂粘接層的結(jié)合力以及有效降低電路基板的CTE，發(fā)明人通過大量的研究發(fā)現(xiàn)，所述粗糙層的厚度優(yōu)選在5 μ m到20 μ m之間，而且所述玻璃膜兩側(cè)粗糙層的總厚度不大于玻璃膜總厚度的1/2。另外，發(fā)明人通過研究還發(fā)現(xiàn)，玻璃膜經(jīng)過高溫退火處理后 600°C )，可以獲得更好的尺寸穩(wěn)定性。所述樹脂粘接層中的樹脂選自環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂、聚苯醚樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丁二烯與苯乙烯共聚物樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚苯并惡嗪樹脂、聚酰亞胺、 含硅樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、LCP (Liquid Crystal Polymer)樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹月旨(BT樹脂)中的一種或多種。上述樹脂粘接層中還可以加入粉末填料，粉末填料起著改善尺寸穩(wěn)定性、降低CTE 等目的。所述粉末填料的含量按體積百分比計小于樹脂粘接層中樹脂和粉末填料總量的 70%。粉末填料選自結(jié)晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、鈦酸鍶、鈦酸鋇、 鈦酸鍶鋇、氮化硼、氮化鋁、碳化硅、氧化鋁、二氧化鈦、玻璃粉、玻璃短切纖維、滑石粉、云母粉、碳黑、碳納米管、金屬粉、聚苯硫醚粉和PTFE粉中的一種或多種。其中，優(yōu)選的粉末填料是熔融型的二氧化硅或二氧化鈦。粉末填料的粒徑中度值為0.01 35 μ m，優(yōu)選粉末填料的粒徑中度值為0. 1 10 μ m。為達(dá)到更好的性能，粉末填料的表面可以經(jīng)過處理，如使用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理。所述樹脂粘接層還包括助劑，助劑包括有乳化劑及分散劑等。所述金屬箔的材料為銅、鋁、鎳、或這些金屬的合金。本發(fā)明還提供上述電路基板的一種制作方法，包括如下步驟步驟1 提供玻璃膜，對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理形成粗糙層；步驟2 在已形成粗糙層的玻璃膜的兩面分別疊合一張或數(shù)張預(yù)浸料；
步驟3 在預(yù)浸料未與玻璃膜接觸的一面分別疊合一張金屬箔；步驟4:將疊合好的疊層放進(jìn)壓機進(jìn)行熱壓制得所述電路基板，固化溫度為 100°C 400°C，固化壓力為 10Kg/cm2 65Kg/cm2。該制作方法的步驟1中，所述玻璃膜的表面通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，所形成的粗糙層的厚度大于或等于 0. 3 μ m0該制作方法的步驟1中，還包括在玻璃膜的粗糙層上用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，所述偶聯(lián)劑選自硅烷類或鈦酸酯類偶聯(lián)劑。該制作方法的步驟1中，在對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理前，還包括對所述玻璃膜在400°C 600°C的溫度下進(jìn)行高溫退火處理。本發(fā)明還提供上述電路基板的另一種制作方法，包括如下步驟步驟1 提供玻璃膜，對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理形成粗糙層；步驟2 在已形成粗糙層的玻璃膜的兩面分別疊合一張涂樹脂金屬箔；步驟3 將疊合好的疊層放進(jìn)壓機進(jìn)行熱壓制得所述電路基板，固化溫度為 100°C 400°C，固化壓力為 10Kg/cm2 65Kg/cm2。該制作方法的步驟1中，所述玻璃膜的表面通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，所形成的粗糙層的厚度大于或等于 0. 3 μ m0該制作方法的步驟1中，還包括在玻璃膜的粗糙層上用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，所述偶聯(lián)劑選自硅烷類或鈦酸酯類偶聯(lián)劑。該制作方法的步驟1中，在對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理前，還包括對所述玻璃膜在400°C 600°C的溫度下進(jìn)行高溫退火處理。本發(fā)明的有益效果首先，采用經(jīng)過表面粗糙化處理的玻璃膜為載體材料，使得樹脂粘接層與玻璃膜具有良好的結(jié)合力；其次，使用上述經(jīng)過表面粗糙化處理具有一定厚度的粗糙層的玻璃膜制作的電路基板，具有介電常數(shù)在X、Y、Z方向差別小的特點；再次，控制玻璃膜數(shù)量，使電路基板中玻璃的體積百分率(相對于玻璃與樹脂粘接層的體積總和)大于45%，從而使電路基板的X、Y、Z方向的CTE與原來使用玻璃纖維布作增強材料的覆銅板相比得到了降低；另外，本發(fā)明的電路基板制作工藝簡便，大量生產(chǎn)容易。為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為實現(xiàn)預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點，應(yīng)當(dāng)可由此得到深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式
詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。附圖中，圖1為本發(fā)明電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式如圖1所示，本發(fā)明的電路基板，包括經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層11的玻璃膜10、分別位于所述玻璃膜10兩側(cè)粗糙層11上的樹脂粘接層20、以及位于樹脂粘接層20 外側(cè)的金屬箔30，所述玻璃膜10、樹脂粘接層20及金屬箔30通過壓制結(jié)合在一起。所述玻璃膜10的玻璃成分優(yōu)選堿金屬氧化物含量小于0. 3% (重量)的鋁硅酸鹽玻璃或堿金屬氧化物含量小于0.3% (重量)的硼硅酸鹽玻璃。所述玻璃膜10的厚度可以選擇在20 μ m到1. Imm之間。為了獲得良好的玻璃膜10和樹脂粘接層20的結(jié)合力，發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，在玻璃膜10上形成大于一定厚度的凹凸不平的粗糙層11，可以提高玻璃膜10和樹脂粘接層20 的結(jié)合力。具體的是，所述粗糙層11的厚度大于或等于0.3μπι，可以獲得滿意的粘合力。 本文中，所述粗糙層11的厚度是指粗糙層11的微觀不平度十點高度(Rz)。所述玻璃膜10的表面可以通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，增大接觸面積，使玻璃膜10與樹脂粘接層20達(dá)到更好的結(jié)
I=I O發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，使用蒙砂或溶膠-凝膠法很容易在玻璃膜10的表面形成一層厚度大于或等于0. 3 μ m的粗糙層11，制作的電路基板產(chǎn)生了良好的粘合力。為了獲得更好的玻璃膜10和樹脂粘接層20的結(jié)合力以及有效降低電路基板的 CTE，發(fā)明人通過大量的研究發(fā)現(xiàn)，所述粗糙層11的厚度優(yōu)選在5 μ m到20 μ m之間，而且所述玻璃膜10兩側(cè)粗糙層11的總厚度不大于玻璃膜10總厚度的1/2。另外，發(fā)明人通過研究還發(fā)現(xiàn)，在對玻璃膜10進(jìn)行表面粗糙化處理前，所述玻璃膜10先經(jīng)過高溫退火處理后 600°C )，可以獲得更好的尺寸穩(wěn)定性。所述樹脂粘接層20中的樹脂選自環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂、聚苯醚樹脂、 聚丁二烯樹脂、聚丁二烯與苯乙烯共聚物樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚苯并惡嗪樹脂、聚酰亞胺、含硅樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer)樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)中的一種或多種。發(fā)明人通過研究還發(fā)現(xiàn)，在玻璃膜10的粗糙層11上用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，可以進(jìn)一步提高玻璃膜10和樹脂粘接層20的結(jié)合力。所用的偶聯(lián)劑可以選自硅烷類或鈦酸酯類偶聯(lián)劑，這些偶聯(lián)劑優(yōu)選帶有可以和樹脂進(jìn)行反應(yīng)的官能團(tuán)的偶聯(lián)劑。所述樹脂粘接層20中還可以加入粉末填料，粉末填料起著改善尺寸穩(wěn)定性、降低 CTE等目的。所述粉末填料的含量按體積百分比計小于樹脂粘接層20中樹脂和粉末填料總量的70%。粉末填料選自結(jié)晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、鈦酸鍶、 鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、氮化硼、氮化鋁、碳化硅、氧化鋁、二氧化鈦、玻璃粉、玻璃短切纖維、滑石粉、云母粉、碳黑、碳納米管、金屬粉、聚苯硫醚粉和PTFE粉中的一種或多種。其中，優(yōu)選的粉末填料是熔融型的二氧化硅或二氧化鈦。粉末填料的粒徑中度值為0.01 35 μ m，優(yōu)選粉末填料的粒徑中度值為0. 1 10 μ m。為達(dá)到更好的性能，粉末填料的表面可以經(jīng)過處理，如使用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理。所述樹脂粘接層20還包括助劑，助劑包括有乳化劑及分散劑寸。所述金屬箔30的材料為銅、鋁、鎳、或這些金屬的合金。
上述電路基板可通過多種方法制作而成，上述電路基板的一種制作方法為，包括如下步驟步驟1 提供玻璃膜，對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理形成粗糙層；步驟2 在已形成粗糙層的玻璃膜的兩面分別疊合一張或數(shù)張預(yù)浸料；步驟3 在預(yù)浸料未與玻璃膜接觸的一面分別疊合一張金屬箔；步驟4:將疊合好的疊層放進(jìn)壓機進(jìn)行熱壓制得所述電路基板，固化溫度為 100°C 400°C，固化壓力為 10Kg/cm2 65Kg/cm2。該制作方法的步驟1中，所述玻璃膜的表面通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，所形成的粗糙層的厚度大于或等于 0.3μπι,以增大接觸面積，使玻璃膜與樹脂粘接層達(dá)到更好的結(jié)合。優(yōu)選地，所述玻璃膜的表面通過蒙砂或溶膠-凝膠法進(jìn)行粗糙化。該制作方法的步驟1中，還包括在玻璃膜的粗糙層上用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，可以進(jìn)一步提高玻璃膜和樹脂粘接層的結(jié)合力。所用的偶聯(lián)劑可以選自硅烷類或鈦酸酯類偶聯(lián)齊U，這些偶聯(lián)劑優(yōu)選帶有可以和樹脂進(jìn)行反應(yīng)的官能團(tuán)的偶聯(lián)劑。該制作方法中，所述預(yù)浸料由樹脂浸漬玻璃纖維布制作而成，所述樹脂選自環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂、聚苯醚樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丁二烯與苯乙烯共聚物樹脂、 聚四氟乙烯樹脂、聚苯并惡嗪樹脂、聚酰亞胺、含硅樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer)樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)中的一種或多種。本發(fā)明還提供上述電路基板的另一種制作方法，包括如下步驟步驟1 提供玻璃膜，對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理形成粗糙層；步驟2 在已形成粗糙層的玻璃膜的兩面分別疊合一張涂樹脂金屬箔；步驟3 將疊合好的疊層放進(jìn)壓機進(jìn)行熱壓制得所述電路基板，固化溫度為 100°C 400°C，固化壓力為 10Kg/cm2 65Kg/cm2。該制作方法的步驟1中，所述玻璃膜的表面通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，所形成的粗糙層的厚度大于或等于 0.3μπι,以增大接觸面積，使玻璃膜與樹脂粘接層達(dá)到更好的結(jié)合。優(yōu)選地，所述玻璃膜的表面通過蒙砂或溶膠-凝膠法進(jìn)行粗糙化。該制作方法的步驟1中，還包括在玻璃膜的粗糙層上用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，可以進(jìn)一步提高玻璃膜和樹脂粘接層的結(jié)合力。所用的偶聯(lián)劑可以選自硅烷類或鈦酸酯類偶聯(lián)齊U，這些偶聯(lián)劑優(yōu)選帶有可以和樹脂進(jìn)行反應(yīng)的官能團(tuán)的偶聯(lián)劑。該制作方法中，該涂樹脂金屬箔通過在金屬箔上涂覆樹脂制作而成，所述樹脂選自環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂、聚苯醚樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丁二烯與苯乙烯共聚物樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚苯并惡嗪樹脂、聚酰亞胺、含硅樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、 LCP(Liquid Crystal Polymer)樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)中的一種或多種。針對上述制成的電路基板，如下述實施例進(jìn)一步給予詳加說明與描述。實施例1 取一張厚度為30 μ m的鋁硅酸鹽玻璃膜，用乙醇將玻璃膜表面進(jìn)行清洗后，然后放入由40. 2質(zhì)量份氫氟酸、26. 8質(zhì)量份氟化氨、3. 9質(zhì)量份硫酸、29. 1質(zhì)量份去離子水所組成的溶液中，在室溫下浸泡50分鐘，取出用水沖洗，晾干后再用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，測試玻璃膜上下兩面各形成了厚度為6 μ m的粗糙層。在已形成粗糙層的玻璃膜上下兩面各放一張用厚度為0. 06mm玻璃纖維布(1080 玻璃纖維布)浸漬環(huán)氧樹脂膠系(雙氰胺固化劑)制成FR-4預(yù)浸料(即廣東生益科技的 S1141覆銅板產(chǎn)品用的半固化片)，進(jìn)行疊合；然后上下再各放上一張銅箔，再進(jìn)行疊合。將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為15Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得所述電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，銅箔與預(yù)浸料的剝離強度為1. 7N/mm，預(yù)浸料和玻璃膜的剝離強度為0. 9N/mm ；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的X、Y方向的 CTE 分別為 6. 58ppm/°C、6. 6ppm/°C。實施例2 取一張經(jīng)過500°C退火處理的厚度為100 μ m的鋁硅酸鹽玻璃膜，然后放入由22. 1 質(zhì)量份氫氟酸、23質(zhì)量份氟化氨、37. 2質(zhì)量份鹽酸、17. 7質(zhì)量份去離子水所組成的溶液中， 在室溫下浸泡120分鐘，取出用水沖洗，晾干后再用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，測試玻璃膜上下兩面各形成了厚度為15 μ m的粗糙層。在已形成粗糙層的玻璃膜上下兩面各放一張用厚度為0. 06mm玻璃纖維布(1080 玻璃纖維布)浸漬環(huán)氧樹脂膠系制成FR-4預(yù)浸料(即廣東生益科技的S1141覆銅板產(chǎn)品用的半固化片)，進(jìn)行疊合；然后上下再各放上一張銅箔，再進(jìn)行疊合。將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為15Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得所述電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，銅箔與預(yù)浸料的剝離強度為1. 7N/mm，預(yù)浸料和玻璃膜的剝離強度為1. lN/mm ；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的X、Y方向的 CTE 分別為 5. 8ppm/°C、6. lppm/°C。實施例3 在容器中放入由45. 1質(zhì)量份水玻璃(硅酸鈉)、37. 2質(zhì)量份鹽酸、17. 7質(zhì)量份去離子水所組成的溶液中，將溶液加熱到40°C左右，并攪拌約30分鐘，形成反應(yīng)液，再將反應(yīng)液緩慢攪拌M 48小時，得到浸鍍液。取一張厚度為100 μ m硼硅酸鹽玻璃膜，進(jìn)行充分清洗然后放入浸鍍液中30 40秒，即可得到一凝膠層。再以5 25cm/min的勻速度將玻璃膜提升。然后在110 150°C下干燥20 30分鐘。最后在400 590°C下進(jìn)行熱處理 30分鐘，隨后自然冷卻到室溫。用水沖洗，晾干后再用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，測試玻璃膜上下兩面各形成了厚度為18 μ m的粗糙層。在已形成粗糙層的玻璃膜上下兩面各放一張用厚度為0. 06mm玻璃纖維布(1080 玻璃纖維布)浸漬環(huán)氧樹脂膠系制成FR-4預(yù)浸料(即廣東生益科技的S1141覆銅板產(chǎn)品用的半固化片)，進(jìn)行疊合；然后上下再各放上一張銅箔，再進(jìn)行疊合。將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為15Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得所述電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，銅箔與預(yù)浸料的剝離強度為1. 7N/mm，預(yù)浸料和玻璃膜的剝離強度為1. lN/mm ；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的X、Y方向的 CTE 分別為 5. 8ppm/°C、6. lppm/°C。比較例1 用五張厚度為0. Imm的玻璃纖維布(2116玻璃纖維布)浸漬環(huán)氧樹脂膠系(雙氰胺固化劑)制成FR-4預(yù)浸料(即廣東生益科技的S1141覆銅板產(chǎn)品用的半固化片)，進(jìn)行疊合，然后上下再各放上一張銅箔，再進(jìn)行疊合。
將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為25Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，銅箔的剝離強度為
1.75N/mm ；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的X、Y方向的CTE分別為17. 6ppm/°C、17. 3ppm/°C。比較例2 取一張厚度為60 μ m的玻璃膜，在玻璃膜上下兩面各放一張用厚度為0. 06mm玻璃纖維布(1080玻璃纖維布)浸漬環(huán)氧樹脂膠系(雙氰胺固化劑)制成FR-4預(yù)浸料(即廣東生益科技的S1141覆銅板產(chǎn)品用的半固化片)，進(jìn)行疊合；然后上下再各放上一張銅箔，
再進(jìn)行疊合。將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為15Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，銅箔粘附在預(yù)浸料上，直接從玻璃膜上剝落下來，顯示預(yù)浸料和玻璃膜的剝離強度為0. lN/mm ；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的 X、Y 方向的 CTE 分別為 6. 3ppm/°C、6. 3ppm/°C。從以上實施例1、2、3可以看出，以經(jīng)表面進(jìn)行粗糙化處理的玻璃膜制作的電路基板材料不僅降低了電路基板的X、Y方向的CTE，而且具有良好的剝離強度。同時實施例1、
2、3中，由于使用玻璃膜，使電路基板中玻璃的體積百分率(相對于玻璃與樹脂粘接層的體積總和)大于45%，這樣電路基板可以同時獲得良好的剝離強度和X、Y向的CTE。比較例1中所示的傳統(tǒng)FR-4覆銅板，因使用玻璃纖維布作為增強材料，沒有使用可以提高覆銅板中玻璃成分比例的玻璃膜，其X、Y向的CTE明顯高于實施例1、2、3中使用了經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜的X、Y方向的CTE。比較例2中所示的覆銅板，因使用沒有經(jīng)過表面粗糙化處理的玻璃膜，制作的覆銅板很容易分層剝落，實用性不強。實施例4 取一張實施例2所示的經(jīng)過表面粗糙化處理的玻璃膜，在玻璃膜上下兩面各放一張涂覆了厚度為50 μ m環(huán)氧樹脂的涂樹脂銅箔(Resin Coated Copper Foil，RCC)，進(jìn)行疊
口 O將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為15Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得所述電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，樹脂粘接層和玻璃膜的剝離強度為1. 8N/mm ；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的X、Y方向的CTE均為6. 3ppm/°C，測試X、 Y方向介電常數(shù)均為5. 32 (10GHZ)，Z方向介電常數(shù)為5. 37 (10GHZ)，介質(zhì)損耗角正切為 0. 008 (10GHZ)。比較例3 用五張厚度為0. Imm的玻璃纖維布(2116玻璃纖維布)浸漬環(huán)氧樹脂膠系(雙氰胺固化劑)制成FR-4預(yù)浸料(即廣東生益科技的S1141覆銅板產(chǎn)品用的半固化片)，進(jìn)行疊合，然后上下再各放上一張銅箔，再進(jìn)行疊合。將上述疊合好的疊層放進(jìn)壓機，在真空下，固化溫度為180°C，固化壓力為25Kg/ cm2。進(jìn)行熱壓制得電路基板——覆銅板，測試該制得的電路基板，銅箔的剝離強度為 1.75N/mm;玻璃化轉(zhuǎn)變溫度前的X、Y方向的CTE分別為17. 6ppm/°C、17. 3ppm/°C。測試 X、Y方向介電常數(shù)均為4. 11 (10GHZ)，Z方向介電常數(shù)為4. 42 (10GHZ)，介質(zhì)損耗角正切為 0. 025 (10GHZ)。
以上實施例和比較例皆參照IPC4101標(biāo)準(zhǔn)對覆銅板進(jìn)行檢測，介電性能的X、Y方向檢測方法采用IPC-TM650-2. 5. 5. 13法進(jìn)行測試，測試條件為A態(tài)，IOGHz ；介電性能的Z 方向檢測方法采用IPC-TM650-2. 5. 5. 6法進(jìn)行測試，測試條件為A態(tài)，IOGHz0以上實施例4中，采用了涂樹脂銅箔與玻璃膜配合制作電路基板，因為其中玻璃的含量大于45%體積百分率，獲得了良好的剝離強度和低X、Y向CTE，同時X、Y、Z方向的介電常數(shù)只相差了 0. 04，差別很小。而比較例3中采用玻璃纖維布進(jìn)行電路基板的制作，玻璃含量小，因此X、Y、Z方向的CTE大，同時X、Y、Z方向的介電常數(shù)相差了 0. 31，相差較大。以上實施方式制作的電路基板，不僅可以用做電路板基材，還可以用做光波導(dǎo)通路使用。以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電路基板，其特征在于，包括經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜、分別位于所述玻璃膜兩側(cè)粗糙層上的樹脂粘接層、以及位于樹脂粘接層外側(cè)的金屬箔，所述玻璃膜、樹脂粘接層及金屬箔通過壓制結(jié)合在一起。
2.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述玻璃膜的玻璃成分為堿金屬氧化物含量小于0.3% (重量)的鋁硅酸鹽玻璃或堿金屬氧化物含量小于0.3% (重量)的硼硅酸鹽玻璃。
3.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述玻璃膜的厚度選擇在20μ m到 1. Imm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述粗糙層的厚度大于或等于0.3 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述粗糙層的厚度選擇在5μπι到 20 μ m之間，所述玻璃膜兩側(cè)粗糙層的總厚度不大于玻璃膜總厚度的1/2。
6.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述樹脂粘接層中的樹脂選自環(huán)氧樹月旨、氰酸酯樹脂、酚醛樹脂、聚苯醚樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丁二烯與苯乙烯共聚物樹脂、聚四氟乙烯樹脂、聚苯并惡嗪樹脂、聚酰亞胺、含硅樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、LCP樹脂和雙馬來酰亞胺三嗪樹脂中的一種或多種。
7.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述樹脂粘接層中包括有粉末填料， 所述粉末填料的含量按體積百分比計小于樹脂粘接層中樹脂和粉末填料總量的70%，所述粉末填料選自結(jié)晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、鈦酸鍶、鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、氮化硼、氮化鋁、碳化硅、氧化鋁、二氧化鈦、玻璃粉、玻璃短切纖維、滑石粉、云母粉、碳黑、碳納米管、金屬粉、聚苯硫醚粉和PTFE粉中的一種或多種，所述粉末填料的粒徑中度值為 0. 01 35 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述金屬箔的材料為銅、鋁、鎳、或這些金屬的合金。
9.一種制作如權(quán)利要求1所述的電路基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟步驟1 提供玻璃膜，對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理形成粗糙層；步驟2 在已形成粗糙層的玻璃膜的兩面分別疊合一張或數(shù)張預(yù)浸料；步驟3 在預(yù)浸料未與玻璃膜接觸的一面分別疊合一張金屬箔；步驟4:將疊合好的疊層放進(jìn)壓機進(jìn)行熱壓制得所述電路基板，固化溫度為100°C 400°C，固化壓力為 10Kg/cm2 65Kg/cm2。
10.一種制作如權(quán)利要求1所述的電路基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟步驟1 提供玻璃膜，對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理形成粗糙層；步驟2 在已形成粗糙層的玻璃膜的兩面分別疊合一張涂樹脂金屬箔；步驟3 將疊合好的疊層放進(jìn)壓機進(jìn)行熱壓制得所述電路基板，固化溫度為100°C 400°C，固化壓力為 10Kg/cm2 65Kg/cm2。
11.如權(quán)利要求9或10所述的電路基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述玻璃膜的表面通過拉毛、蒙砂、化學(xué)蝕刻、溶膠-凝膠法和機械打磨中的一種或多種方法進(jìn)行粗糙化，所形成的粗糙層的厚度大于或等于0. 3 μ m。
12.如權(quán)利要求9或10所述的電路基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，還包括在玻璃膜的粗糙層上用偶聯(lián)劑進(jìn)行處理，所述偶聯(lián)劑選自硅烷類或鈦酸酯類偶聯(lián)劑。
13.如權(quán)利要求9或10所述的電路基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，在對玻璃膜進(jìn)行表面粗糙化處理前，還包括對所述玻璃膜在40(TC 60(TC的溫度下進(jìn)行高溫退火處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路基板，包括經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜、分別位于所述玻璃膜兩側(cè)粗糙層上的樹脂粘接層、以及位于樹脂粘接層外側(cè)的金屬箔，所述玻璃膜、樹脂粘接層及金屬箔通過壓制結(jié)合在一起。本發(fā)明的電路基板，采用經(jīng)過表面粗糙化處理形成粗糙層的玻璃膜為載體材料，使得樹脂粘接層與玻璃膜表面具有良好的結(jié)合力，電路基板具有介電常數(shù)在X、Y、Z方向差別小的特點。本發(fā)明還涉及一種制作所述電路基板的制作方法。
文檔編號H05K1/03GK102548200SQ20111045652
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者劉潛發(fā), 蘇民社 申請人:廣東生益科技股份有限公司