專利名稱：具有靜電防護(hù)功能的殼體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種容置電子組件的殼體，特別涉及一種具有靜電防護(hù)功能的殼 體。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品在生產(chǎn)、制造、加工、組裝、運(yùn)送、或使用等過程中都會(huì)受到靜電放電 (electrostatic discharge,ESD)的威脅，若無適當(dāng)防護(hù)措施，產(chǎn)品就會(huì)受到破壞而無法銷
售與使用。一般而言，靜電放電是指不同電位的兩個(gè)物體之間產(chǎn)生電荷急速流動(dòng)的現(xiàn)象，由 于靜電放電中的電荷并不會(huì)平白無故消失在環(huán)境之中，該電荷經(jīng)由放電路徑而產(chǎn)生在不同 電位之間移轉(zhuǎn)現(xiàn)象，而此現(xiàn)象在前述過程中極可能造成IC元件的損壞。為了提高產(chǎn)品的可 靠度并避免靜電破壞造成的危害，目前防靜電的方法包括以金屬鐵片、噴涂導(dǎo)電漆、電鍍、 鎂鋁合金及真空濺鍍等方式形成靜電防護(hù)層，以作為放電路徑的終點(diǎn)。承前所述，該金屬鐵片是以另外搭接物件的方式將靜電接地。而噴涂、電鍍、或?yàn)R 鍍導(dǎo)電薄膜乃是由在電子設(shè)備的內(nèi)部電子組件(例如印刷電路板)及/或電子產(chǎn)品的塑 料殼體朝向該內(nèi)部電子組件的殼面上，形成一具低阻抗的遮蔽膜(例如一金屬膜)，或摻混 低阻抗材料至塑料殼體中，來解決靜電的問題，例如，在該電子產(chǎn)品的殼體上，運(yùn)用一層遮 蔽的復(fù)合材料即是一種常見的處理方式?；蛘?，可利用真空電鍍或其他方式，在塑料殼體朝 向該電子組件的殼面上布滿一層如鎳或其他金屬材質(zhì)之類的屏蔽材質(zhì)，借此隔絕靜電的破 壞。然而，在電子產(chǎn)品內(nèi)加裝金屬鐵片需多一道工序亦增加成本。此外，一般塑料殼體 在鍍膜時(shí)會(huì)有死角，例如筆記本電腦的上蓋內(nèi)面的角緣，難以在鍍膜制程中完整鍍覆導(dǎo)電 膜于該角緣區(qū)域。因此，如何在電子產(chǎn)品上進(jìn)行靜電防護(hù)的措施，并符合現(xiàn)今微型化、大量生產(chǎn)的趨 勢(shì)，為目前業(yè)界亟待解決的課題之一。
發(fā)明內(nèi)容為解決前述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實(shí)用新型提供一種具有靜電防護(hù)功能的殼體，以 實(shí)現(xiàn)無須另外搭接金屬物件就可以防止靜電的破壞的目的。本實(shí)用新型的靜電防護(hù)功效的殼體，以供容置電子組件，包括第一殼體構(gòu)成部， 形成有第一接合部及至少一個(gè)第一屏蔽部；以及第二殼體構(gòu)成部，與該第一殼體構(gòu)成部之 間形成容置該電子組件的容置空間，且形成有對(duì)應(yīng)該第一接合部的第二接合部，以使該第 二殼體構(gòu)成部以該第二接合部與該第一殼體構(gòu)成部的第一接合部接合，且該第一殼體構(gòu)成 部的第一屏蔽部由該第一殼體構(gòu)成部延伸趨近該第二殼體構(gòu)成部。在一實(shí)施方式中，該第一殼體構(gòu)成部的該第一屏蔽部阻隔于該第一接合部與該第 二接合部的接合處與該電子組件之間。[0010]在一實(shí)施方式中，該第一屏蔽部延伸于該接合處的鄰近側(cè)邊。在一實(shí)施方式中，該第二殼體構(gòu)成部具有至少一個(gè)第二屏蔽部，該第二屏蔽部由 該第二殼體構(gòu)成部延伸趨近該第一殼體構(gòu)成部，且阻隔于該接合處與該電子組件之間。再 者，該第二屏蔽部延伸于該接合處的鄰近側(cè)邊。在一實(shí)施方式中，該第二屏蔽部與該第一屏蔽部于該第一殼體構(gòu)成部與該第二殼 體構(gòu)成部接合時(shí)相鄰設(shè)置。在一實(shí)施方式中，該至少一個(gè)第二屏蔽部在該第一殼體構(gòu)成部與該第二殼體構(gòu)成 部接合時(shí)與該至少一個(gè)第一屏蔽部嚙合。在一實(shí)施方式中，該第二殼體構(gòu)成部的第二屏蔽部的表面涂布有導(dǎo)電膜層。在一實(shí)施方式中，該第一殼體構(gòu)成部朝該容置空間的面以及該第一屏蔽部的表面 均涂布有導(dǎo)電膜層。在一實(shí)施方式中，該第二殼體構(gòu)成部朝該容置空間的面涂布有導(dǎo)電膜層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體無須加裝金屬物件，僅 需于第一殼體構(gòu)成部(例如殼體上殼蓋)形成至少一個(gè)朝第二殼體構(gòu)成部(例如殼體下殼 座)延伸的屏蔽件，或于第二殼體構(gòu)成部形成至少一個(gè)朝第一殼體構(gòu)成部延伸的屏蔽件， 借此阻擋自殼體外經(jīng)該第一接合部及第二接合部的接合處進(jìn)入殼體內(nèi)的靜電，而有效防止 靜電放電下破壞收容于該殼體內(nèi)的電子組件。


圖1為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的一實(shí)施方式的局部剖面圖。 圖2為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的另一實(shí)施方式的局部剖面圖。 圖3為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的再一實(shí)施方式的局部剖面圖。 圖4為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的又一實(shí)施方式的局部剖面圖。 圖5為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的又再一實(shí)施方式的局部剖面圖。 圖6為沿圖5中A-A切線的局部殼體剖面圖。 其中，附圖標(biāo)記說明如下
1、5第一殼體構(gòu)成部
11、51第一接合部
12、52第一屏蔽部 13,53容置空間 14面
2、2’、6第二殼體構(gòu)成部 21、21，、61第二接合部 22，、62第二屏蔽部
24面
3電子組件 4導(dǎo)電膜層。
具體實(shí)施方式
以下通過特定的具體實(shí)施方式
說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，熟悉此技術(shù)的人員可 由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效，也可以利用其他不同 的具體實(shí)施方式
加以施行或應(yīng)用。請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體包括第一殼體構(gòu)成部1和第 二殼體構(gòu)成部2。第一殼體構(gòu)成部1具有第一接合部11和至少一個(gè)第一屏蔽部12。須說 明的是，第一殼體構(gòu)成部1、第一接合部11和第一屏蔽部12可為同一種材料，例如塑料，且 三者在制作時(shí)可利用射出成型的技術(shù)一體成型。第二殼體構(gòu)成部2具有第二接合部21。第二殼體構(gòu)成部2和第二接合部21也可 以為塑料且為一體成型。如圖1所示，第一接合部11和第二接合部21可為相反結(jié)構(gòu)，以在第一殼體構(gòu)成部 1和第二殼體構(gòu)成部2接合時(shí)能通過第一接合部11和第二接合部21而相互接合固定。再 者，該第一接合部11和第二接合部21也可以通過卡合、扣合、嚙合、榫接等或其他陰陽接合 等方式(僅為例示性舉例而未圖示，接合部的接合方式乃為現(xiàn)有技術(shù)，在此不予以贅述)， 使第一殼體構(gòu)成部1和第二殼體構(gòu)成部2得以接合固定。另外，第一殼體構(gòu)成部1和第二殼體構(gòu)成部2于接合時(shí)形成有容置空間13，其可容 置電子組件3，例如電路板、顯卡或其他電子板材。因此，本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的 殼體以供容置電子組件3，而成為電子產(chǎn)品的外殼。在本實(shí)施方式中，該第一殼體構(gòu)成部1 為上殼蓋，而第二殼體構(gòu)成部2為下殼座。再者，第一殼體構(gòu)成部1的至少一個(gè)第一屏蔽部12由第一殼體構(gòu)成部1延伸趨近 于第二殼體構(gòu)成部2，且阻隔于第一接合部11與第二接合部21的接合處與電子組件3之 間，此外，第一屏蔽部12更可延伸于該接合處的鄰近側(cè)邊，以阻擋自殼體外經(jīng)第一接合部 11與第二接合部21的接合處的間隙進(jìn)入殼體內(nèi)的靜電。比較詳細(xì)地，結(jié)合該第一殼體構(gòu)成部1和第二殼體構(gòu)成部2時(shí)，該第一接合部11 與第二接合部21之間仍形成有間隙，而靜電則可通過該間隙進(jìn)入殼體內(nèi)破壞電子組件3， 因此，本實(shí)用新型在該殼體內(nèi)且在第一、第二接合部11、21與電子組件3之間形成有自第一 殼體構(gòu)成部1延伸趨近第二殼體構(gòu)成部2的第一屏蔽部12，以增加靜電傳遞路徑，使得阻抗 增加，得以提高靜電進(jìn)入到容置空間13破壞電子組件3的困難度。再者，為有效防止靜電 對(duì)該電子組件3的破壞，該第一屏蔽部12更可由第一殼體構(gòu)成部1朝該第二殼體構(gòu)成部2 延伸趨近以至于該接合處的鄰近側(cè)邊，使收容于殼體內(nèi)的該電子組件3通過該第一殼體構(gòu) 成部1及第二殼體構(gòu)成部2間的接合結(jié)構(gòu)以及該第一屏蔽部12所形成的阻擋結(jié)構(gòu)而獲得 雙重保護(hù)。此外，前述第一屏蔽部12除用以防止靜電破壞該電子組件3外，也可以通過該第 一屏蔽部12增加第一殼體構(gòu)成部1的殼體強(qiáng)度。再者，如圖2所示，第一殼體構(gòu)成部1朝容置空間13的面14和第一屏蔽部12的 表面可涂布有導(dǎo)電膜層4，例如類金屬披膜層，使得靜電自殼體外從第一、第二接合部11、 21之間的間隙進(jìn)入容置空間13后，能沿著導(dǎo)電膜層4行走，而不會(huì)直接破壞電子組件3，具 有靜電放電(electrostatic discharge, ESD)的防護(hù)功能。另一方面，通過導(dǎo)電膜層4，該 殼體能提升自身抵抗自殼體外傳送到殼體內(nèi)的電磁能量的相對(duì)能力，以增強(qiáng)殼體的輻射耐受性(radiated susceptibility, RS)。另一方面，請(qǐng)參閱圖3，其為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的另一實(shí)施方 式的局部剖面圖。圖3與圖1所示的殼體差異處在于，圖3的第二殼體構(gòu)成部2’也可以具 有至少一個(gè)第二屏蔽部22’。第二屏蔽部22’由第二殼體構(gòu)成部2’朝該第一殼體構(gòu)成部1延 伸趨近該第一殼體構(gòu)成部1，并阻隔于第一接合部U與第二接合部21’的接合處與電子組件 3之間，以阻擋自殼體外由該第一接合部11與第二接合部21’的接合處進(jìn)入殼體內(nèi)的靜電。另外，第二屏蔽部22’可延伸于該接合處的鄰近側(cè)邊。第一屏蔽部12和第二屏蔽 部22’于第一殼體構(gòu)成部1和第二殼體構(gòu)成部2’結(jié)合時(shí)相鄰設(shè)置，以在第一、第二接合部 11、21’接合時(shí)能加強(qiáng)第一殼體構(gòu)成部1和第二殼體構(gòu)成部2，的殼體強(qiáng)度，且越多的屏蔽部 能增加更多的阻抗，對(duì)于防治靜電的破壞也有加強(qiáng)效果。接著，請(qǐng)參閱圖4，其為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的又一實(shí)施方式的 局部剖面圖。圖4與圖3所示的殼體差異處在于，第一殼體構(gòu)成部1朝容置空間13的面14、 第一屏蔽部12的表面、第二殼體構(gòu)成部2’朝容置空間13的面M、及第二屏蔽部22’的表 面均可涂布有導(dǎo)電膜層4，除了防治靜電破壞之外，更可提升殼體的輻射耐受性。其次，請(qǐng)參閱圖5及圖6，圖5為本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體的又再一 實(shí)施方式的局部剖面圖，圖6為沿圖5中A-A切線的局部殼體剖面圖。第一殼體構(gòu)成部5 形成有第一接合部51和至少一個(gè)第一屏蔽部52，第二殼體構(gòu)成部6形成有第二接合部61 和至少一個(gè)第二屏蔽部62。與圖1至圖4所示的實(shí)施方式的差異在于，當(dāng)?shù)谝粴んw構(gòu)成部5與第二殼體構(gòu)成 部6通過第一接合部51和第二接合部61接合時(shí)，第一屏蔽部52與第二屏蔽部62嚙合。如 圖5所示，相互嚙合的第一屏蔽部52和第二屏蔽部62阻隔于電子組件3與第一接合部51 與第二接合部61的接合處之間。另外，如圖6所示，其為沿圖5中所示的A-A切線的局部 殼體的剖面圖，電子組件3及第一接合部51與第二接合部61的接合處之間設(shè)有第一屏蔽 部52和第二屏蔽部62，因而靜電自殼體外經(jīng)該接合處進(jìn)入殼體內(nèi)時(shí)，由于第一屏蔽部52和 第二屏蔽部62的阻擋，靜電不會(huì)直接破壞到電子組件3，如此達(dá)到殼體的靜電防護(hù)的功能。另外，在圖5及圖6所示的實(shí)施方式中，也可以于第一殼體構(gòu)成部5的朝容置空間 53的面、第一屏蔽部52的表面、第二殼體構(gòu)成部6的朝容置空間53的面、或第二屏蔽部62 的表面涂布導(dǎo)電膜層(未圖示)，以提升殼體抵抗自殼體外傳送至殼體內(nèi)的電磁能量的相 對(duì)能力。綜上所述，本實(shí)用新型的具有靜電防護(hù)功能的殼體以供容置電子組件，通過至少 一個(gè)形成于電子組件與第一、第二接合部之間的屏蔽部，來防止靜電對(duì)電子組件的破壞，且 該屏蔽部可形成于殼體的上殼蓋或下殼座其中一者的內(nèi)面，或者上殼蓋和下殼座的內(nèi)面都 形成有至少一屏蔽部，以阻止自殼體外進(jìn)入殼體內(nèi)而破壞殼體內(nèi)的電子組件的靜電。此外， 若上殼蓋和下殼座都有屏蔽部則兩者的屏蔽部相鄰設(shè)置或相互嚙合，除可屏蔽靜電的破 壞，還能增強(qiáng)殼體強(qiáng)度。再者，另可于上殼蓋、下殼座的內(nèi)面、屏蔽部的表面涂布導(dǎo)電膜層， 以一并提升殼體的輻射耐受性。上述實(shí)施方式僅例示性說明本實(shí)用新型的原理、特點(diǎn)及其功效，并非用以限制本 實(shí)用新型的可實(shí)施范疇，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員均可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下， 對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行修飾與改變。任何運(yùn)用本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容而完成的等效改變及修飾，均仍應(yīng)為所附的權(quán)利要求所涵蓋。因此，本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求所 列。
權(quán)利要求1.一種具有靜電防護(hù)功能的殼體，以供容置電子組件，其特征在于，包括第一殼體構(gòu)成部，形成有第一接合部及至少一個(gè)第一屏蔽部；以及第二殼體構(gòu)成部，與該第一殼體構(gòu)成部之間形成容置該電子組件的容置空間，且形成 有對(duì)應(yīng)該第一接合部的第二接合部，以使該第二殼體構(gòu)成部以該第二接合部與該第一殼體 構(gòu)成部的該第一接合部接合，且該第一殼體構(gòu)成部的該第一屏蔽部由該第一殼體構(gòu)成部延 伸趨近該第二殼體構(gòu)成部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第一殼體構(gòu)成部 的該第一屏蔽部阻隔于該第一接合部與該第二接合部的接合處與該電子組件之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第一屏蔽部延伸 于該接合處的鄰近側(cè)邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第二殼體構(gòu)成部 形成有至少一個(gè)第二屏蔽部，該第二屏蔽部由該第二殼體構(gòu)成部延伸趨近該第一殼體構(gòu)成 部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第二殼體構(gòu)成部 的該第二屏蔽部阻隔于該第一接合部與該第二接合部的接合處與該電子組件之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第二屏蔽部延伸 于該接合處的鄰近側(cè)邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該至少一個(gè)第 二屏蔽部與該至少一個(gè)第一屏蔽部在該第一殼體構(gòu)成部與該第二殼體構(gòu)成部接合時(shí)相鄰 設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該至少一個(gè)第 二屏蔽部在該第一殼體構(gòu)成部與該第二殼體構(gòu)成部接合時(shí)與該至少一個(gè)第一屏蔽部嚙合。
9.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第二殼體構(gòu) 成部的第二屏蔽部的表面涂布有導(dǎo)電膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第一殼體構(gòu)成部 朝該容置空間的面以及該第一屏蔽部的表面均涂布有導(dǎo)電膜層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有靜電防護(hù)功能的殼體，其特征在于，該第二殼體構(gòu)成部 朝該容置空間的面涂布有導(dǎo)電膜層。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種具有靜電防護(hù)功能的殼體，以供容置電子組件，包括第一殼體構(gòu)成部，形成有第一接合部及至少一個(gè)第一屏蔽部；以及第二殼體構(gòu)成部，與該第一殼體構(gòu)成部之間形成容置該電子組件的容置空間，且形成有對(duì)應(yīng)該第一接合部的第二接合部，以使該第二殼體構(gòu)成部以該第二接合部與該第一殼體構(gòu)成部的第一接合部接合，且該第一屏蔽部由該第一殼體構(gòu)成部延伸趨近該第二殼體構(gòu)成部，并阻隔于該第一接合部與第二接合部的接合處與該電子組件之間。據(jù)此，通過本實(shí)用新型的應(yīng)用，得以防止靜電對(duì)于殼體內(nèi)的電子組件的破壞，進(jìn)而加強(qiáng)該殼體的輻射耐受性及結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H05K5/00GK201937998SQ201120040030
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月24日
發(fā)明者陳韋安 申請(qǐng)人:精英電腦股份有限公司