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      一種單晶爐的二次投料裝置的制作方法

      文檔序號(hào):8056916閱讀:173來源:國知局
      專利名稱:一種單晶爐的二次投料裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種單晶爐的二次投料裝置,屬于單晶爐技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      目前,通常使用單晶爐制取單晶硅,單晶爐自下而上的主要部件依次有爐底板、爐體、爐蓋、翻板箱、副爐等,各部件內(nèi)均設(shè)有夾套層,夾套中流通有冷卻水。單晶硅一般采用如下方法制造將多晶硅裝進(jìn)爐體內(nèi)的石英坩堝內(nèi),加熱熔化,然后,將熔硅略做降溫,給予一定的過冷度,把籽晶裝入硅籽晶夾持器中,將籽晶夾持器的上端通過連接件與籽晶軸連接,籽晶固定于夾持器的下端,并且使籽晶與硅熔體接觸,通過調(diào)整熔體的溫度和籽晶向上的提升速度,使籽晶體長大。由于多晶硅剛裝進(jìn)石英坩堝內(nèi)呈堆積狀態(tài),占據(jù)空間比較大,造成了石英坩堝內(nèi)的一次裝填量比較少,待多晶硅被加熱熔化后,其體積大幅度縮小,石英坩堝上部尚余較大的空間。多晶硅原料的裝填量不足,造成了一次拉出的單晶硅棒體長度較短。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于,克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種單晶爐的二次投料裝置,待初次投入的多晶硅熔化后,可以向石英坩堝內(nèi)進(jìn)行二次投料。為解決以上技術(shù)問題,本實(shí)用新型所提供的一種單晶爐的二次投料裝置,包括筒體及位于筒體中的吊桿,所述筒體上部為圓柱筒,所述圓柱筒的上端口為加料口,筒體上部外壁焊接有垂直于筒體壁的法蘭,所述圓柱筒的下部連接有上大下小的錐形筒,所述錐形筒的下端為投料口 ;所述投料口設(shè)有將其封閉的錐形活門,所述錐形活門上小下大,其下端直徑大于所述投料口的直徑;所述吊桿的下端連接在所述錐形活門的上部中心,所述吊桿的上部伸出所述筒體外,所述吊桿的上端頭連接有吊桿頭,所述吊桿頭的上部設(shè)有懸掛孔; 所述筒體的上端口及下部各設(shè)有一副吊桿支架,所述吊桿支架包括吊桿套及扁鋼,所述吊桿套的中心設(shè)有吊桿孔,所述吊桿孔與所述筒體共有一根中心線,所述吊桿依次穿過所述吊桿孔,所述吊桿套的外周通過所述扁鋼支撐在所述筒體的內(nèi)壁。相對于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型取得了以下有益效果吊桿頭被掛鉤拎起后,筒體及吊桿處于垂直狀態(tài),筒體的重量落在錐形活門上,錐形活門將筒體下端的投料口封堵住,筒體內(nèi)的多晶硅原料不會(huì)漏出;筒體被吊入爐體內(nèi),當(dāng)筒體上端的法蘭接觸到支架時(shí),筒體得到支撐,吊桿下降將使錐形活門離開投料口,多晶硅原料從投料口流出落入石英坩堝內(nèi),完成二次投料,借助于本實(shí)用新型的二次投料裝置,可以加大投料量。

      圖1為單晶爐的總體結(jié)構(gòu)圖。圖2本實(shí)用新型單晶爐的二次投料裝置的外形圖。圖3為圖2的剖視圖。[0010]圖4為圖3中沿A-A的剖視圖。圖5為本實(shí)用新型單晶爐的二次投料裝置投料時(shí)的狀態(tài)圖。圖中1爐體;2爐蓋;3翻板箱;4副爐;5石英坩堝;6籽晶;7筒體;7a圓柱筒; 7b錐形筒;8法蘭;8a加強(qiáng)板;9錐形活門;10吊桿;11吊桿頭;Ila懸掛孔;12吊桿支架; 12a吊桿套;12b扁鋼。
      具體實(shí)施方式
      如圖1所示,單晶爐包括爐體1、爐蓋2、翻板箱3及副爐4等,石英坩堝5位于爐體1內(nèi),多晶硅原料在石英坩堝內(nèi)被加熱熔化,籽晶6與硅熔體接觸,通過調(diào)整熔體的溫度和籽晶6向上的提升速度,使籽晶體長大。如圖2、圖3及圖4所示,本實(shí)用新型單晶爐的二次投料裝置包括筒體7及位于筒體7中的吊桿10,筒體7上部為圓柱筒7a,圓柱筒7a的上端口為加料口,筒體7上部外壁焊接有垂直于筒體壁的法蘭8,法蘭8上焊接有多個(gè)加強(qiáng)板8a,圓柱筒7a的下部連接有上大下小的錐形筒7b,錐形筒7b的下端為投料口;投料口設(shè)有將其封閉的錐形活門9,錐形活門9上小下大,其下端直徑大于投料口的直徑;吊桿10的下端連接在錐形活門9的上部中心,吊桿10的上部伸出筒體7外,吊桿10的上端頭連接有吊桿頭11,吊桿頭11的上部設(shè)有懸掛孔Ila ;筒體7的上端口及下部各設(shè)有一副吊桿支架12,吊桿支架12包括吊桿套12a 及扁鋼12b,吊桿套12a的中心設(shè)有吊桿孔,吊桿孔與筒體7共有一根中心線,吊桿依次穿過吊桿孔,吊桿套12a的外周通過扁鋼12b支撐在筒體7的內(nèi)壁。如圖5所示,當(dāng)筒體7上端的法蘭8接觸到支架時(shí),筒體7得到支撐,吊桿下降將使錐形活門9離開投料口,多晶硅原料從投料口流出落入石英坩堝內(nèi),完成二次投料。除上述實(shí)施例外,本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案,均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求1. 一種單晶爐的二次投料裝置,其特征在于包括筒體及位于筒體中的吊桿,所述筒體上部為圓柱筒,所述圓柱筒的上端口為加料口,筒體上部外壁焊接有垂直于筒體壁的法蘭,所述圓柱筒的下部連接有上大下小的錐形筒,所述錐形筒的下端為投料口 ;所述投料口設(shè)有將其封閉的錐形活門,所述錐形活門上小下大,其下端直徑大于所述投料口的直徑;所述吊桿的下端連接在所述錐形活門的上部中心,所述吊桿的上部伸出所述筒體外,所述吊桿的上端頭連接有吊桿頭,所述吊桿頭的上部設(shè)有懸掛孔;所述筒體的上端口及下部各設(shè)有一副吊桿支架,所述吊桿支架包括吊桿套及扁鋼,所述吊桿套的中心設(shè)有吊桿孔,所述吊桿孔與所述筒體共有一根中心線,所述吊桿依次穿過所述吊桿孔,所述吊桿套的外周通過所述扁鋼支撐在所述筒體的內(nèi)壁。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及一種單晶爐的二次投料裝置,屬于單晶爐技術(shù)領(lǐng)域。該單晶爐的二次投料裝置包括筒體及吊桿,筒體上部為圓柱筒,圓柱筒的上端口為加料口,筒體上部外壁焊接有垂直于筒體壁的法蘭,圓柱筒的下部連接有上大下小的錐形筒,錐形筒的下端為投料口;投料口設(shè)有將其封閉的錐形活門;吊桿的下端連接在錐形活門的上部中心,吊桿的上部伸出筒體外,吊桿的上端頭連接有吊桿頭,吊桿頭的上部設(shè)有懸掛孔;筒體的上端口及下部各設(shè)有一副吊桿支架,吊桿支架包括吊桿套及扁鋼,吊桿套的中心設(shè)有吊桿孔,吊桿孔與筒體共有一根中心線,吊桿依次穿過吊桿孔,吊桿套的外周通過扁鋼支撐在筒體的內(nèi)壁。借助于該裝置,可以向坩堝內(nèi)進(jìn)行二次投料。
      文檔編號(hào)C30B15/00GK202064031SQ20112010238
      公開日2011年12月7日 申請日期2011年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月11日
      發(fā)明者夏偉, 朱仲寶 申請人:江蘇寶佳太陽能發(fā)展有限公司
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