專利名稱：一種單晶爐底盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶爐底盤。
背景技術(shù)：
目前使用的XA單晶爐由于爐底盤的電極孔之間的中心距為400mm，無(wú)法安裝更大直徑的加熱器，滿足75KG的投料量的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是設(shè)計(jì)一種單晶爐底盤，滿足75KG的投料量的需求。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種單晶爐底盤，爐底盤上具有電極孔，電極孔之間的中心距H為435mm。本實(shí)用新型的有益效果是通過(guò)對(duì)單晶爐底盤進(jìn)行的改進(jìn)，使得單晶爐內(nèi)可以安裝更大直徑的加熱器，放入更大的石英坩堝，達(dá)到增加投料量的目的，使得原先由于受底盤影響只能投最大60KG料的單晶爐，目前可投75KG料，大大的提高了產(chǎn)能。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明；

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1.電極孔。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，一種單晶爐底盤，爐底盤上具有電極孔1，電極孔1之間的中心距L為 435mm。爐底盤的材料為316L不銹鋼。
權(quán)利要求1. 一種單晶爐底盤，其特征是所述的爐底盤上具有電極孔(1)，電極孔(1)之間的中心距L為435mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種單晶爐底盤，該爐底盤上具有電極孔，電極孔之間的中心距H為435mm。本實(shí)用新型的有益效果是通過(guò)對(duì)單晶爐底盤進(jìn)行的改進(jìn)，使得原先由于受底盤影響只能投最大60KG料的單晶爐，目前可投75KG料，大大的提高了產(chǎn)能。
文檔編號(hào)C30B35/00GK202164390SQ20112023247
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月4日
發(fā)明者徐建峰, 賈江江 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司