專利名稱：一種旁路電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及電子電路，特別地，涉及一種旁路電路。
背景技術(shù)：
通常，當(dāng)串聯(lián)支路上的某一器件損壞或者其他故障造成部分電路開(kāi)路時(shí)，整個(gè)串聯(lián)支路就不能繼續(xù)工作。例如，在液晶電視背光的應(yīng)用中，發(fā)光二極管(LED)以多條燈串的陣列形式提供背光。這種串聯(lián)形式的LED燈串具有每個(gè)LED燈電流相同的優(yōu)點(diǎn)，因此，亮度穩(wěn)定，并且驅(qū)動(dòng)效率高。但同時(shí)LED燈串也具有缺點(diǎn)，那就是當(dāng)LED燈串中的一個(gè)LED開(kāi)路時(shí)，整條燈串都會(huì)熄滅。為了防止這個(gè)問(wèn)題的發(fā)生，通常采用旁路電路與每個(gè)LED并聯(lián)。當(dāng)其中的一個(gè)LED 開(kāi)路時(shí)，電流將從旁路電路中流過(guò)。傳統(tǒng)的旁路電路采用穩(wěn)壓二極管(例如，齊納二極管)， 如圖1所示，其中每個(gè)穩(wěn)壓二極管和一個(gè)LED并聯(lián)。當(dāng)LED燈串中的某一個(gè)LED開(kāi)路時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓(VSUP+_VSUP_)直接加載到與之并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管上，穩(wěn)壓二極管反向擊穿并將LED兩端的電壓鉗制在穩(wěn)定電壓上。這樣，整條LED燈串中除開(kāi)路的LED外其余LED又能正常工作了。為了保證電路的運(yùn)行，穩(wěn)壓二極管的反向擊穿電壓需大于LED正常工作狀態(tài)下的正向電壓。因此，當(dāng)LED正常工作時(shí)，穩(wěn)壓二極管不導(dǎo)通，不會(huì)影響LED的正常工作。當(dāng)LED 開(kāi)路而觸發(fā)穩(wěn)壓二極管導(dǎo)通時(shí)，電流從穩(wěn)壓二極管中流過(guò)。然而，該旁路電路存在兩大缺點(diǎn)。第一，穩(wěn)壓二極管的功耗較高。例如，穩(wěn)壓二極管穩(wěn)定電壓的典型值為5V，且該穩(wěn)定電壓受半導(dǎo)體工藝、運(yùn)行溫度和導(dǎo)通電流的影響較大。 其次，當(dāng)穩(wěn)壓二極管被誤觸發(fā)時(shí)，例如當(dāng)供電電壓不穩(wěn)定而產(chǎn)生“尖刺”時(shí)或LED開(kāi)通瞬間電流出現(xiàn)浪涌(surge)時(shí)，燈串中的一個(gè)或多個(gè)穩(wěn)壓二極管將反向?qū)ǘ月废鄳?yīng)的一個(gè)或多個(gè)LED，從而在背光中留下“黑點(diǎn)”。當(dāng)該誤觸發(fā)狀態(tài)消除后，穩(wěn)壓二極管不能自動(dòng)恢復(fù)， 除非燈串重新上電啟動(dòng)，然而很多場(chǎng)合不方便經(jīng)常重新啟動(dòng)。

實(shí)用新型內(nèi)容根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的旁路電路，包括檢測(cè)電路，其輸入端耦接至目標(biāo)電路的兩端以檢測(cè)所述目標(biāo)電路兩端的電壓，輸出端提供反映目標(biāo)電路是否處于開(kāi)路狀態(tài)的輸出信號(hào)；以及開(kāi)關(guān)管，并聯(lián)耦接至目標(biāo)電路，所述開(kāi)關(guān)管的控制端耦接至檢測(cè)電路的輸出端。在一個(gè)實(shí)施例中，在檢測(cè)到目標(biāo)電路處于開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，所述檢測(cè)電路將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)
ο在一個(gè)實(shí)施例中，在檢測(cè)到目標(biāo)電路處于開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，所述檢測(cè)電路將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)并在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)結(jié)束后將開(kāi)關(guān)管關(guān)斷。在一個(gè)實(shí)施例中，所述目標(biāo)電路是發(fā)光二極管(LED)，該LED與一個(gè)或多個(gè)其他 LED串聯(lián)組成LED串。在一個(gè)實(shí)施例中，所述檢測(cè)電路包括比較器，具有同相輸入端、反相輸入端和輸出端，其中同相輸入端耦接至該LED的陽(yáng)極，反相輸入端耦接至閾值電壓源的正極，所述閾值電壓源的負(fù)極耦接至該LED的陰極，輸出端耦接至所述開(kāi)關(guān)管的控制端。在一個(gè)實(shí)施例中，所述檢測(cè)電路進(jìn)一步包括保持電路，具有輸入端與輸出端，其中輸入端耦接至比較器的輸出端，輸出端耦接至開(kāi)關(guān)管的控制端。在一個(gè)實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)管是與檢測(cè)電路集成在同一個(gè)半導(dǎo)體襯底上的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，所述的旁路電路進(jìn)一步包括穩(wěn)壓二極管，其陽(yáng)極耦接至該LED 的陰極，陰極耦接至該LED的陽(yáng)極，該穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓高于該LED正常工作狀態(tài)下的正向電壓。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的旁路電路，采用開(kāi)關(guān)管來(lái)實(shí)現(xiàn)旁路，可降低旁路電路的功率損耗。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的采用穩(wěn)壓二極管的LED旁路電路；圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的LED旁路電路的框圖；圖3是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的LED旁路電路的電路圖；圖4是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的圖3所示LED旁路電路的波形圖。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型各個(gè)示范實(shí)施例。在接下來(lái)的說(shuō)明中，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，本實(shí)用新型的描述只針對(duì)幾個(gè)典型的實(shí)施例，并不僅局限于實(shí)施例描述的范圍，還可以用其他的實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，本文所稱“耦接”的含義為直接連接，或通過(guò)其他電路元件，間接連接。本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種旁路電路，包括檢測(cè)電路和開(kāi)關(guān)管。檢測(cè)電路耦接至目標(biāo)電路，檢測(cè)目標(biāo)電路兩端的電壓以判定目標(biāo)電路是否開(kāi)路，并產(chǎn)生反映該開(kāi)路狀態(tài)的輸出信號(hào)。開(kāi)關(guān)管并聯(lián)耦接至目標(biāo)電路，開(kāi)關(guān)管的控制端與檢測(cè)電路耦接以接收檢測(cè)電路的輸出信號(hào)，開(kāi)關(guān)管根據(jù)檢測(cè)電路的輸出信號(hào)選擇性地導(dǎo)通以旁路目標(biāo)電路。該開(kāi)關(guān)管可為金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、雙極型晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)或其它類型的可控半導(dǎo)體器件。在一個(gè)實(shí)施例中，目標(biāo)電路是指串聯(lián)支路中的部分電路。在另一個(gè)實(shí)施例中，目標(biāo)電路可以是一條LED燈串上的某個(gè)或某幾個(gè)LED。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路在檢測(cè)到目標(biāo)電路開(kāi)路時(shí)，將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通。和現(xiàn)有技術(shù)中的穩(wěn)壓二極管相比，開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通壓降很低，因此，采用開(kāi)關(guān)管來(lái)旁路目標(biāo)電路可降低功耗。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管根據(jù)檢測(cè)電路的輸出信號(hào)周期性地關(guān)斷。在另一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路在檢測(cè)到目標(biāo)電路開(kāi)路時(shí)，將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，并在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)結(jié)束后將開(kāi)關(guān)管關(guān)斷。這樣使得在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，檢測(cè)電路可再次檢測(cè)目標(biāo)電路兩端的電壓以判斷目標(biāo)電路是否仍開(kāi)路。若目標(biāo)電路仍開(kāi)路，則檢測(cè)電路再次將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通。若目標(biāo)電路不再開(kāi)路，則檢測(cè)電路保持開(kāi)關(guān)管關(guān)斷而使目標(biāo)電路恢復(fù)正常工作。圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的LED旁路電路20的框圖。旁路電路20并聯(lián)耦接于LED A的兩端，檢測(cè)到LED A為開(kāi)路狀態(tài)時(shí)對(duì)其進(jìn)行旁路。盡管圖2中僅給出了有限的元器件裝置，但在一些實(shí)施例中，旁路電路可進(jìn)一步包括諸如開(kāi)關(guān)管，晶體管和/或其他適用的元器件。在本實(shí)施例中，LED A為目標(biāo)LED。在一些實(shí)施例中，目標(biāo)LED與一個(gè)或多個(gè)其他LED串聯(lián)組成LED串，由功率電源給 LED串供電。圖2中僅給出了單個(gè)并聯(lián)有旁路電路的目標(biāo)LED A，實(shí)際上，在其它實(shí)施例中， 目標(biāo)電路可以是某幾個(gè)LED、發(fā)光器件、和/或其它照明器件。這些器件可能是單個(gè)的，也可能是以串、排或者其它排列方式組成的多個(gè)器件。在其它實(shí)施例中，LED A也可以以其它排列方式與多個(gè)LED連接。如圖2所示，旁路電路20包括檢測(cè)電路21和開(kāi)關(guān)管M。檢測(cè)電路21的輸入端耦接至LED A的兩端，用于檢測(cè)LED A的狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路21耦接至LED A 的陽(yáng)極LED+和陰極LED-，通過(guò)檢測(cè)LED A的正向電壓νΑ(ν·+-ν·_)來(lái)判定其是否處于開(kāi)路狀態(tài)。在其他實(shí)施例中，檢測(cè)電路21也可通過(guò)檢測(cè)流過(guò)LED A的電流、電流變化率和/或 LED A兩端的電壓變化率來(lái)判定其狀態(tài)。開(kāi)關(guān)管M并聯(lián)耦接于LED A的兩端，其控制端耦接于檢測(cè)電路21的輸出端以接收檢測(cè)電路21的輸出信號(hào)，開(kāi)關(guān)管M根據(jù)檢測(cè)電路21的輸出信號(hào)選擇性地導(dǎo)通。當(dāng)檢測(cè)電路21控制開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通時(shí)，LED A被旁路，電流流過(guò)開(kāi)關(guān)管Μ。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管M 可為金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、雙極型晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)或其它類型的開(kāi)關(guān)管。該開(kāi)關(guān)管M可以是N型的，也可以為P型的。和穩(wěn)壓二極管相比，開(kāi)關(guān)管M的導(dǎo)通壓降很低，因此，采用開(kāi)關(guān)管M來(lái)旁路LED所消耗的功耗較低。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)開(kāi)關(guān)管M為MOSFET管時(shí)，其導(dǎo)通壓降Vm為50mV。當(dāng)LED A發(fā)生故障處于開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，供給整條LED燈串的電壓加載在開(kāi)路的LED A上，其正向電壓Va上升。檢測(cè)電路21檢測(cè)到開(kāi)路狀態(tài)后控制開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通以旁路開(kāi)路 LED。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路21通過(guò)比較正向電壓Va和閾值電壓的大小來(lái)判定LED A 的狀態(tài)。當(dāng)正向電壓Va大于閾值電壓時(shí)，判定為L(zhǎng)ED A開(kāi)路，開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通。開(kāi)關(guān)管M受檢測(cè)電路21的輸出信號(hào)控制，在LED A開(kāi)路時(shí)周期性關(guān)斷以便檢測(cè)電路21重復(fù)檢測(cè)開(kāi)路狀態(tài)是否仍然存在。若LED A仍然處于開(kāi)路狀態(tài)，開(kāi)關(guān)管M關(guān)斷后正向電壓Va會(huì)再次上升并超過(guò)閾值電壓，從而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管M并周期性檢測(cè)LED A的狀態(tài)。若LED A恢復(fù)到正常工作狀態(tài)，例如，故障觸發(fā)情況消除或者故障LED用新的LED更換，開(kāi)關(guān)管M關(guān)斷后正向電壓\會(huì)低于閾值電壓，開(kāi)關(guān)管M將保持關(guān)斷，旁路電路20不影響LED A的正常工作。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的LED旁路電路30的框圖。旁路電路30包括 檢測(cè)電路31、開(kāi)關(guān)管M及穩(wěn)壓二極管ZD。檢測(cè)電路31包括比較器Ul和保持電路32。比較器Ul的同相輸入端耦接至LED A的陽(yáng)極，其反相輸入端耦接至閾值電壓源VKEF。閾值電壓源Vkef的正極與比較器Ul的反相輸入端連接，負(fù)極耦接至目標(biāo)LED A的陰極。這樣，比較器Ul耦接至目標(biāo)LED A的Vmi+與Vmi-兩端，用于比較正向電壓Va和閾值電壓Vkef的大小。 在一個(gè)實(shí)施例中，閾值電壓Vkef由旁路電路30產(chǎn)生。在另一個(gè)實(shí)施例中，Vkef由外部信號(hào)提供。在一個(gè)實(shí)施例中，閾值電壓Vkef的值是可調(diào)的。保持電路32耦接于比較器Ul與開(kāi)關(guān)管M之間，具有輸入端和輸出端。保持電路 32的輸入端耦接至比較器Ul的輸出端以接收比較器Ul的輸出信號(hào)VCMP。保持電路32的輸出端作為檢測(cè)電路31的輸出端耦接至開(kāi)關(guān)管M的控制端，并提供檢測(cè)電路31的輸出信號(hào)Ve。當(dāng)目標(biāo)LED的正向電壓Va大于閾值電壓Vkef時(shí)，比較器Ul的輸出信號(hào)Vw為邏輯高電平，檢測(cè)電路31的輸出信號(hào)Ve也為高電平，此時(shí)開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通。在一個(gè)實(shí)施例中，保持電路32保持開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，當(dāng)預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)結(jié)束時(shí)，保持電路32將開(kāi)關(guān)管M關(guān)斷。在另一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路31可保持開(kāi)關(guān)管M —直導(dǎo)通，直到旁路電路30被重啟。開(kāi)關(guān)管M與目標(biāo)LED A并聯(lián)耦接。如圖3所示，在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管M為NMOS。 開(kāi)關(guān)管M的漏極耦接至LED A的陽(yáng)極，源極耦接至LED A的陰極，柵極連接至檢測(cè)電路31 的輸出端。當(dāng)\為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通，電流流過(guò)開(kāi)關(guān)管M，LED A被旁路，燈串中的其他LED(未畫(huà)出)可正常發(fā)光。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管MOSFET是與檢測(cè)電路集成在同一個(gè)半導(dǎo)體襯底上的橫向擴(kuò)散M0SFET。穩(wěn)壓二極管ZD與LED A并聯(lián)耦接，穩(wěn)壓二極管ZD的陰極耦接至LED A的陽(yáng)極，陽(yáng)極耦接至LED A的陰極。穩(wěn)壓二極管ZD的反向擊穿電壓和穩(wěn)定電壓Vcp均高于LED A正常工作狀態(tài)下的正向電壓VA。因此在LED A正常工作期間，穩(wěn)壓二極管ZD不會(huì)影響LED A的工作。只有當(dāng)LED A發(fā)生開(kāi)路時(shí)，正向電壓Va上升直至穩(wěn)壓二極管ZD快速導(dǎo)通并鉗制Va 至穩(wěn)定電壓VeP。閾值電壓Vkef的值設(shè)定在LED A正常工作狀態(tài)下的正向電壓Va和穩(wěn)壓二極管ZD的穩(wěn)定電壓Vcp之間。在一個(gè)實(shí)施例中，穩(wěn)壓二極管ZD的穩(wěn)定電壓Vcp大約為7V， LED A在正常工作狀態(tài)下的正向電壓4V，而閾值電壓Vkef設(shè)定為5V。在一些實(shí)施例中， 穩(wěn)壓二極管ZD可以省略。圖4是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的圖3所示的LED旁路電路的波形圖。下面根據(jù)圖4中給出的四個(gè)波形進(jìn)一步描述旁路電路30的工作方式。如圖4所示，信號(hào)ST用來(lái)表示LED A的狀態(tài)ST為低表示LED A正常工作；ST為高表示LED A處于開(kāi)路或者誤觸發(fā)狀態(tài)。第二個(gè)波形為L(zhǎng)ED A正向電壓波形。第三個(gè)波形為比較器Ul的輸出信號(hào)V,。最后一個(gè)波形為檢測(cè)電路31的輸出信號(hào)Ve，用于控制開(kāi)關(guān)管M的導(dǎo)通與關(guān)斷。t0時(shí)刻之前，ST為低，LED A正常工作，且正向電SVa為正常值￥_電壓信號(hào)Vcmp 和Ve均保持低電平狀態(tài)，此期間開(kāi)關(guān)管M處于關(guān)斷狀態(tài)。在t0時(shí)刻時(shí)，LED A發(fā)生開(kāi)路(ST 為高)。LED燈串的供電電壓加在開(kāi)路LED A的兩端使穩(wěn)壓二極管ZD反向擊穿，正向電壓 Va上升至穩(wěn)壓二極管ZD的穩(wěn)定電壓VCP。經(jīng)過(guò)短暫的內(nèi)部延時(shí)，比較器Ul的輸出信號(hào)Vcmp 在tl時(shí)刻變高，保持電路32被觸發(fā)并產(chǎn)生高電平信號(hào)Ve以控制開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通。t0到tl 的這段延時(shí)由電路的內(nèi)部參數(shù)決定，例如，寄生電容引起的延時(shí)。在其它實(shí)施例中，浪涌電壓也可能誤觸發(fā)開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通。一旦開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)通，正向電壓Va下降至開(kāi)關(guān)管M的導(dǎo)通電壓VQN。保持電路32將信號(hào)\的高電平保持預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)T。經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)T后，保持電路32在時(shí)刻t2輸出低電平信號(hào)Ve以關(guān)斷開(kāi)關(guān)管M。此時(shí)，由于LED A仍處于開(kāi)路狀態(tài)，ST仍然為高，Va再次上升進(jìn)入下一個(gè)周期，并導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管M。在每一個(gè)周期內(nèi)，開(kāi)關(guān)管M在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)T后被關(guān)斷，分別如圖 4所示的t2，t3，t4和t6時(shí)刻。這樣，開(kāi)關(guān)管M由保持電路32周期性地關(guān)斷，以使得開(kāi)路故障消除時(shí)，LED A能自動(dòng)恢復(fù)到正常工作狀態(tài)。若LED A仍然保持開(kāi)路狀態(tài)，上述情況重復(fù)進(jìn)行。LED A處于開(kāi)路時(shí)，Ve的占空比D由兩部分時(shí)長(zhǎng)來(lái)決定低電平的內(nèi)部延時(shí)時(shí)長(zhǎng) (例如to與tl之間的時(shí)間間隔)和高電平的預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)T。其中內(nèi)部延時(shí)時(shí)長(zhǎng)相比于預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)T可能很短，因此Ve的占空比在LED A開(kāi)路狀態(tài)下是非常高的，這使得LED A的正向電壓Va的平均電壓很低，約為D*VQN+(I-D) *VCP。若LED A的開(kāi)路故障消除，ST變?yōu)榈碗娖剑_(kāi)關(guān)管M將保持關(guān)斷使得排除開(kāi)路故障的LED A進(jìn)入正常工作。如圖4所示，在t5時(shí)刻，LED A恢復(fù)到正常狀態(tài)或者誤觸發(fā)消除。一旦開(kāi)關(guān)管M在t6時(shí)刻關(guān)斷，即信號(hào)Ve的下降沿，正向電壓Va上升至正常工作狀態(tài)下的正向電壓VA(1。由于Vaci小于閾值電壓Vkef，開(kāi)關(guān)管M將保持關(guān)斷狀態(tài)，這時(shí)LED A恢復(fù)正常工作。應(yīng)當(dāng)指出的是，邏輯信號(hào)的“高”或“低”用相反的邏輯電平替換也可能產(chǎn)生同樣的效果。例如，當(dāng)Va高于閾值電壓Vkef時(shí)，在Vqip和Ve信號(hào)為“低”時(shí)也可以使得開(kāi)關(guān)管M導(dǎo)
ο上述本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方式僅僅以示例性的方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了說(shuō)明，并不用于限定本實(shí)用新型的范圍。對(duì)于公開(kāi)的實(shí)施例進(jìn)行變化和修改都是可能的，其他可行的選擇性實(shí)施例和對(duì)實(shí)施例中元件的等同變化可以被本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所了解。本實(shí)用新型所公開(kāi)的實(shí)施例的其他變化和修改并不超出本實(shí)用新型的精神和保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種旁路電路，其特征在于，包括檢測(cè)電路，其輸入端耦接至目標(biāo)電路的兩端以檢測(cè)所述目標(biāo)電路兩端的電壓，輸出端提供反映目標(biāo)電路是否處于開(kāi)路狀態(tài)的輸出信號(hào)；以及開(kāi)關(guān)管，并聯(lián)耦接至目標(biāo)電路，所述開(kāi)關(guān)管的控制端耦接至檢測(cè)電路的輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的旁路電路，其特征在于，在檢測(cè)到目標(biāo)電路處于開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)電路將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通。
3.如權(quán)利要求1所述的旁路電路，其特征在于，在檢測(cè)到目標(biāo)電路處于開(kāi)路狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)電路將開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)并在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)結(jié)束后將開(kāi)關(guān)管關(guān)斷。
4.如權(quán)利要求1所述的旁路電路，其特征在于，所述目標(biāo)電路是發(fā)光二極管(LED)，該 LED與一個(gè)或多個(gè)其他LED串聯(lián)組成LED串。
5.如權(quán)利要求4所述的旁路電路，其特征在于，所述檢測(cè)電路包括比較器，具有同相輸入端、反相輸入端和輸出端，其中同相輸入端耦接至該LED的陽(yáng)極，反相輸入端耦接至閾值電壓源的正極，所述閾值電壓源的負(fù)極耦接至該LED的陰極，輸出端耦接至所述開(kāi)關(guān)管的控制端。
6.如權(quán)利要求5所述的旁路電路，其特征在于，檢測(cè)電路進(jìn)一步包括保持電路，具有輸入端與輸出端，其中輸入端耦接至比較器的輸出端，輸出端耦接至開(kāi)關(guān)管的控制端。
7.如權(quán)利要求1所述的旁路電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管是與檢測(cè)電路集成在同一個(gè)半導(dǎo)體襯底上的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
8.如權(quán)利要求4所述的旁路電路，其特征在于，進(jìn)一步包括穩(wěn)壓二極管，其陽(yáng)極耦接至該LED的陰極，陰極耦接至該LED的陽(yáng)極，該穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓高于該LED正常工作狀態(tài)下的正向電壓。
專利摘要公開(kāi)了一種旁路電路。該旁路電路包括檢測(cè)電路，其輸入端耦接至目標(biāo)電路的兩端以檢測(cè)所述目標(biāo)電路兩端的電壓，輸出端提供反映目標(biāo)電路是否處于開(kāi)路狀態(tài)的輸出信號(hào)；以及開(kāi)關(guān)管，并聯(lián)耦接至目標(biāo)電路，所述開(kāi)關(guān)管的控制端耦接至檢測(cè)電路的輸出端，根據(jù)檢測(cè)電路的輸出信號(hào)選擇性地導(dǎo)通開(kāi)關(guān)管以旁路目標(biāo)電路。根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的旁路電路，采用開(kāi)關(guān)管來(lái)實(shí)現(xiàn)旁路，可降低旁路電路的功率損耗。
文檔編號(hào)H05B37/02GK202269055SQ20112032762
公開(kāi)日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2011年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月7日
發(fā)明者姚凱衛(wèi), 楊先慶 申請(qǐng)人:成都芯源系統(tǒng)有限公司