專利名稱：等離子體反應(yīng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體反應(yīng)器。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件特征尺寸的顯著減少，相應(yīng)地也對(duì)芯片的制造工藝提出了更高的要求。當(dāng)前，半導(dǎo)體制程中，由于等離子體可以提供發(fā)生在晶圓表面的氣體反應(yīng)所需的大部分能量，而被廣泛應(yīng)用于集成電路制造的各個(gè)步驟。等離子體是一種中性、高能量及離子化的氣體，在一個(gè)有限的反應(yīng)腔室內(nèi)，利用強(qiáng)直流或交流電磁場(chǎng)或是用某些電子源轟擊氣體原子都會(huì)導(dǎo)致氣體原子的離子化。等離子體的應(yīng)用場(chǎng)合有很多， 例如，在高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDPCVD)中，利用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體來(lái)淀積薄膜；此外，等離子體的另一個(gè)應(yīng)用是通過(guò)等離子體來(lái)進(jìn)行刻蝕工藝，即，選擇性地去除金屬或薄膜材料的一部分。請(qǐng)參閱圖1，圖1所示是現(xiàn)有的等離子體反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖1可見(jiàn)，現(xiàn)有的等離子體反應(yīng)器，包括上部電極101、下部電極102和電源103，所述下部電極102與所述電源103連接，所述下部電極102用于承載晶圓(圖1中未示意)，所述上部電極101和下部電極102都是平面電極，且相互平行，在所述上部電極101和所述下部電極102之間的間隔空間內(nèi)可以形成使所述晶圓進(jìn)行等離子體反應(yīng)的等離子體場(chǎng)104。由于所述上部電極101和下部電極102都是平面電極，且相互平行，使得上部電極101和下部電極102之間的間隔空間內(nèi)部?jī)蓚?cè)的電場(chǎng)比中部的電場(chǎng)弱，從而使得晶圓邊緣上方的等離子體密度比晶圓中部上方的等離子體密度低，致使晶圓各個(gè)部位的等離子體反應(yīng)不均勻，影響產(chǎn)品良率。因此，如何提供一種可以提高等離子體反應(yīng)均勻性的等離子體反應(yīng)器是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供等離子體反應(yīng)器，可以等離子體反應(yīng)的均勻性。為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種等離子體反應(yīng)器，包括上部電極、下部電極和電源，所述下部電極和所述電源連接，所述上部電極與所述下部電極之間形成等離子體反應(yīng)腔室，所述上部電極是中部外凸的曲面體。優(yōu)選地，在上述的等離子體反應(yīng)器中，所述上部電極左右對(duì)稱。優(yōu)選地，在上述的等離子體反應(yīng)器中，所述上部電極是固定式電極。優(yōu)選地，在上述的等離子體反應(yīng)器中，所述上部電極是可移動(dòng)式電極。優(yōu)選地，在上述的等離子體反應(yīng)器中，所述上部電極與所述下部電極之間的最小距離大于等于所述上部電極與所述下部電極之間的最大距離的1/2。本實(shí)用新型的有益效果如下[0014]本實(shí)用新型提供的等離子體反應(yīng)器，通過(guò)將上部電極由現(xiàn)有的平面型式改成中部外凸的曲面型式，可以提高上部電極和下部電極之間的等離子體反應(yīng)腔室內(nèi)側(cè)部的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而使得晶圓邊緣上方的等離子體密度與晶圓中部上方的等離子體密度相當(dāng)，也就是說(shuō)，使得上部電極和下部電極之間各個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相當(dāng)，從而提高晶圓各個(gè)部位的等離子體反應(yīng)的均勻性，最終有效提高產(chǎn)品良率。

本實(shí)用新型的等離子體反應(yīng)器由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖1是現(xiàn)有的等離子體反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施例的等離子體反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將對(duì)本實(shí)用新型的等離子體反應(yīng)器作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。下面將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須作出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。為使本實(shí)用新型的目的、特征更明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說(shuō)明。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率， 僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。請(qǐng)參閱圖2，圖2所示是本實(shí)用新型一實(shí)施例的等離子體反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖。這種等離子體反應(yīng)器，包括上部電極201、下部電極202和電源203，所述下部電極202和所述電源203連接，所述下部電極202用于承載晶圓(圖2中未示意)，所述上部電極201是中部外凸的曲面體，所述上部電極201和所述下部電極202之間形成等離子體反應(yīng)腔室，在所述上部電極201和所述下部電極202之間的間隔空間(即等離子體反應(yīng)腔室)內(nèi)可以形成使所述晶圓進(jìn)行等離子體反應(yīng)的等離子體場(chǎng)204。通過(guò)將上部電極201由現(xiàn)有的平面型式改成中部外凸的曲面型式，可以提高上部電極201和下部電極202之間的等離子體反應(yīng)腔室內(nèi)側(cè)部的電場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而使得晶圓邊緣上方的等離子體密度與晶圓中部上方的等離子體密度相當(dāng)，也就是說(shuō)，使得上部電極201 和下部電極202之間各個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度基本相同，從而可以提高晶圓各個(gè)部位的等離子體反應(yīng)的均勻性，最終提高產(chǎn)品良率。較佳地，在上述的等離子體反應(yīng)器中，所述上部電極201左右對(duì)稱。將上部電極 201設(shè)置成左右對(duì)稱，可以進(jìn)一步提高上部電極201和下部電極202之間區(qū)域的等離子體密度的均勻性。[0025]其中，所述上部電極201可以是固定式電極，當(dāng)然，所述上部電極201是可移動(dòng)式電極。本實(shí)施例中，所述述上部電極201是可移動(dòng)式電極，從而，可以通過(guò)調(diào)整上部電極 201的位置來(lái)改變上部電極201和下部電極202之間距離，以滿足不同工藝的要求，提高該裝置的適用場(chǎng)合。較佳地，在上述的等離子體反應(yīng)器中，所述上部電極201與所述下部電極202之間的最小距離大于或等于所述上部電極201與所述下部電極202之間的最大距離的1/2。如此，可以使得上部電極201和下部電極202之間各個(gè)區(qū)域等離子體密度更加均勻，從而可以提高晶圓各個(gè)部位的等離子體反應(yīng)的均勻性，進(jìn)一步提高產(chǎn)品良率。綜上所述，本實(shí)用新型提供的等離子體反應(yīng)器，通過(guò)將上部電極201由現(xiàn)有的平面型式改成中部外凸的曲面型式，可以提高上部電極201和下部電極202之間的等離子體反應(yīng)腔室內(nèi)側(cè)部的電場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而使得晶圓邊緣上方的等離子體密度與晶圓中部上方的等離子體密度相當(dāng)，也就是說(shuō)，使得上部電極201和下部電極202之間各個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度基本相同，從而可以提高晶圓各個(gè)部位的等離子體反應(yīng)的均勻性，最終提高產(chǎn)品良率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種等離子體反應(yīng)器，包括上部電極、下部電極和電源，所述下部電極和所述電源連接，所述上部電極與所述下部電極之間形成等離子體反應(yīng)腔室，其特征在于，所述上部電極是中部外凸的曲面體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述上部電極左右對(duì)稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述上部電極是固定式電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述上部電極是可移動(dòng)式電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述上部電極與所述下部電極之間的最小距離大于或等于所述上部電極與所述下部電極之間的最大距離的 1/2。
專利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體反應(yīng)器。這種等離子體反應(yīng)器，包括上部電極、下部電極和電源，所述下部電極和所述電源連接，所述上部電極與所述下部電極之間形成等離子體反應(yīng)腔室，所述上部電極是中部外凸的曲面體。本實(shí)用新型提供的等離子體反應(yīng)器，通過(guò)將上部電極由現(xiàn)有的平面型式改成中部外凸的曲面型式，可以提高上部電極和下部電極之間的等離子體反應(yīng)腔室內(nèi)側(cè)部的電場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而使得晶圓邊緣上方的等離子體密度與晶圓中部上方的等離子體密度基本相同，也就是說(shuō)，使得上部電極和下部電極之間各個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度基本相同，從而可以提高晶圓各個(gè)部位的等離子體反應(yīng)的均勻性，最終提高產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)H05H1/03GK202231939SQ20112037291
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者張海洋, 王新鵬 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司