專利名稱:?jiǎn)尉t熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)屬于冶煉機(jī)電技術(shù)領(lǐng)域;特別涉及單晶爐熱場(chǎng)阻擋漏液順中軸泄漏的中軸擋料罩結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景單晶爐是多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅エ藝過(guò)程中的必備設(shè)備,而單晶硅又是光伏發(fā)電和半導(dǎo)體行業(yè)中的基礎(chǔ)原料。單晶硅作為現(xiàn)代信息社會(huì)的關(guān)鍵支撐材料,是目前世界上最重要的單晶材料之一,它不僅是發(fā)展計(jì)算機(jī)與集成電路的主要功能材料,也是光伏發(fā)電利用太陽(yáng)能的主要功能材料。單晶爐熱場(chǎng)在硅單晶拉制過(guò)程中,泄漏出來(lái)的硅液沿著中軸流到設(shè)備上,損壞設(shè)備,現(xiàn)有單晶爐熱場(chǎng),不采用中軸擋料罩,容易造成安全系數(shù)低、設(shè)備損壞等現(xiàn)象。發(fā)明的內(nèi)容本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)發(fā)明目的在于設(shè)計(jì)制造一種與現(xiàn)有技術(shù)不同的,即阻擋漏液順中軸泄漏又拆卸使用方便,便于更換的中軸擋料罩結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)是這樣實(shí)現(xiàn)的含硅液,由中軸、中軸擋料罩和爐底護(hù)盤組成;中軸擋料罩旋裝在中軸上;中軸的下端與設(shè)備連接,爐底護(hù)盤是石墨件,它安裝在設(shè)備上。硅單晶作業(yè)過(guò)程中,泄漏出來(lái)的硅液在中軸擋料罩的作用下,流到爐底護(hù)盤上,硅液不會(huì)沿著中軸流到設(shè)備上,損壞設(shè)備。本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)的有益效果是利用熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)可防止作業(yè)時(shí)硅液順中軸漏出損壞設(shè)備,減少單晶爐損壞,降低生產(chǎn)成本,提高作業(yè)效率。
附圖是單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)示意圖。圖中硅液I、中軸2、中軸擋料罩3、爐底護(hù)盤4。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)含硅液1,由中軸2、中軸擋料罩3和爐底護(hù)盤4 ;中軸擋料罩3旋裝在中軸2上;中軸2的下端與設(shè)備連接,爐底護(hù)盤4是石墨件,它安裝在設(shè)備上。權(quán)利要求1.單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu),其特征在于含硅液(1),由中軸(2)、中軸擋料罩(3)和爐底護(hù)盤(4)組成;中軸擋料罩(3)旋在中軸(2)上;中軸(2)的下端與設(shè)備連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu),其特征在于爐底護(hù)盤(4)是石墨件,它安裝在設(shè)備上。
專利摘要單晶爐熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)屬于冶煉機(jī)電技術(shù)領(lǐng)域;特別涉及單晶爐熱場(chǎng)阻擋漏液順中軸泄漏的中軸擋料罩結(jié)構(gòu);含硅液,由中軸、中軸擋料罩和爐底護(hù)盤組成;中軸擋料罩旋裝在中軸上;中軸的下端與設(shè)備連接,爐底護(hù)盤是石墨件,安裝在設(shè)備上;有益效果是利用熱場(chǎng)中軸擋料罩結(jié)構(gòu)可防止作業(yè)時(shí)硅液順中軸漏出損壞設(shè)備,減少單晶爐損壞,降低生產(chǎn)成本,提高作業(yè)效率。
文檔編號(hào)C30B35/00GK202390584SQ201120450510
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者吳學(xué)軍, 周凱平 申請(qǐng)人:寧夏日晶新能源裝備股份有限公司