專(zhuān)利名稱(chēng)：一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)過(guò)程中，由于受傳統(tǒng)工藝的影響，長(zhǎng)期以來(lái)一直采用氬氣作為單晶生長(zhǎng)過(guò)程中的保護(hù)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體一直處于主導(dǎo)地位，因單晶生長(zhǎng)工藝的要求下，冷卻階段要求加大氬氣的用量，以便縮短冷卻周期，但氬氣較為昂貴，使得生產(chǎn)成本較高。實(shí)用新型的內(nèi)容本實(shí)用新型的所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種滿(mǎn)足單晶硅棒生產(chǎn)又能降低成本的太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)。本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，包括單晶爐、氬氣罐以及連通單晶爐和氬氣罐的氣體管路，還包括氮?dú)夤?；在所述氣體管路上設(shè)有氣體分流器，氣體分流器的氣體輸出端通過(guò)出氣管接單晶爐內(nèi)腔，氣體分流器的兩個(gè)氣體輸入端分別通過(guò)進(jìn)氣管連接氬氣罐和氮?dú)夤蕖Ｆ渲?，在所述的氣體分流器與氬氣罐、氮?dú)夤拗g的進(jìn)氣管上分別設(shè)置有閥門(mén)開(kāi)關(guān)。其中，所述的出氣管為金屬軟管，所述的進(jìn)氣管為不銹鋼管道。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比所取得的有益效果為1、本實(shí)用新型主要是實(shí)現(xiàn)冷卻階段時(shí)保護(hù)氣體改為氮?dú)猓瑔尉L(zhǎng)過(guò)程中用氬氣作為保護(hù)氣體，從而實(shí)現(xiàn)雙路供氣，在使用過(guò)程中易于操作。2、本實(shí)用新型在保證單晶品質(zhì)的情況，能夠有效的降低成本。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，包括單晶爐1、氬氣罐以及連通單晶爐和氬氣罐的氣體管路，還包括氮?dú)夤?；在所述氣體管路上設(shè)有氣體分流器2，氣體分流器的氣體輸出端通過(guò)出氣管3接單晶爐1內(nèi)腔，氣體分流器2的兩個(gè)氣體輸入端分別通過(guò)進(jìn)氣管4連接氬氣罐和氮?dú)夤蕖Ｆ渲校谒龅臍怏w分流器2與氬氣罐、氮?dú)夤拗g的進(jìn)氣管4上分別設(shè)置有閥門(mén)開(kāi)關(guān)5。實(shí)施例中，出氣管3采用金屬軟管，進(jìn)氣管 4采用不銹鋼管道。工作時(shí)，非冷卻階段使用氬氣作為保護(hù)氣體，待進(jìn)入拉晶冷卻階段時(shí)，將氬氣閥門(mén)關(guān)閉，同時(shí)切換至氮?dú)夤?，保持爐內(nèi)的壓力不變，待拆爐后調(diào)整至正常供氣狀態(tài)。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，包括單晶爐、氬氣罐以及連通單晶爐和氬氣罐的氣體管路，其特征在于還包括氮?dú)夤蓿辉谒鰵怏w管路上設(shè)有氣體分流器，氣體分流器的氣體輸出端通過(guò)出氣管接單晶爐內(nèi)腔，氣體分流器的兩個(gè)氣體輸入端分別通過(guò)進(jìn)氣管連接氬氣罐和氮?dú)夤蕖?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于在所述的氣體分流器與氬氣罐、氮?dú)夤拗g的進(jìn)氣管上分別設(shè)置有閥門(mén)開(kāi)關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于所述的出氣管為金屬軟管，所述的進(jìn)氣管為不銹鋼管道。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能硅棒的生產(chǎn)系統(tǒng)，包括單晶爐、氬氣罐以及連通單晶爐和氬氣罐的氣體管路，還包括氮?dú)夤蓿辉谒鰵怏w管路上設(shè)有氣體分流器，氣體分流器的氣體輸出端通過(guò)出氣管接單晶爐內(nèi)腔，氣體分流器的兩個(gè)氣體輸入端分別通過(guò)進(jìn)氣管連接氬氣罐和氮?dú)夤?。本?shí)用新型主要是實(shí)現(xiàn)冷卻階段時(shí)保護(hù)氣體改為氮?dú)?，單晶生長(zhǎng)過(guò)程中用氬氣作為保護(hù)氣體，從而實(shí)現(xiàn)雙路供氣，在使用過(guò)程中易于操作。本實(shí)用新型在保證單晶品質(zhì)的情況，能夠有效的降低成本。
文檔編號(hào)C30B29/06GK202323110SQ20112045806
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者張浩強(qiáng), 張鵬, 李建濤, 李紅友, 王會(huì)敏, 王怡然, 董朝海, 閆廣寧, 閆建輝, 閆江波, 韓曉亮, 魯立寧 申請(qǐng)人:寧晉松宮電子材料有限公司