專利名稱：一種led電源的調(diào)光電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED電源設(shè)備，特別是涉及一種LED電源的調(diào)光電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在的LED電源的可控硅調(diào)光電路一般都是集成在IC內(nèi)部，有2個(gè)不足之處。I)這些調(diào)光電路通過檢測可控硅導(dǎo)通角的大小，進(jìn)而去控制LED電源初級電流Ip的大小，根據(jù)公式O. 5*L*Ip*Ip*F=Po/Eff式中L是變壓器電感量，F(xiàn)是開關(guān)頻率，Eff.是電源效率，這三者基本不變；Ip是變壓器初級峰值電流。如果改變Ip，是可以改變Po，又因?yàn)镻o=Vo*Io，假設(shè)Vo是恒定的，改變Po能改變流經(jīng)LED燈的電流，從而達(dá)到調(diào)光的目的。但LED有個(gè)特性，通常會因?yàn)槠渲圃旃に嚨牟煌斐伤膲航涤休^大的差異，如果Vo變化范圍較大的話，例如有IOV以上的差異，這個(gè)調(diào)光效果就很不好了 ；2)現(xiàn)在業(yè)界頂尖的IC供應(yīng)商，例如PI, TI, Iwatt, ON Semi.等，它們集成在IC內(nèi)部的可控硅調(diào)光電路通常只能做到低功率輸出，例如在25W以下，如果輸出功率上升至25W以上，通常就無能為力了。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，克服上述技術(shù)缺陷，提供一種LED電源的調(diào)光電路，利用普通的元器件實(shí)現(xiàn)完整的LED電源的可控硅PWM調(diào)光功能。本實(shí)用新型通過以下技術(shù)手段解決上述技術(shù)問題一種LED電源的調(diào)光電路，其中，所述LED電源的輸入端串接有可控硅調(diào)光器，該調(diào)光電路包括檢測所述可控硅調(diào)光器的可控硅導(dǎo)通角的導(dǎo)通角檢測電路、以及輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接的PWM控制電路，該P(yáng)WM控制電路的輸出端為LED的接入端子；其中，所述PWM控制電路的PWM信號輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號輸出端連接。優(yōu)選地，所述PWM控制電路的PWM信號輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號輸出端通過光耦合器耦接。優(yōu)選地，所述導(dǎo)通角檢測電路包括第一分壓電阻組、第二分壓電阻組以及三極管(Q2);所述第一分壓電阻組的第一端與所述可控硅調(diào)光器的輸出端連接、第二端與所述第二分壓電阻組的第一端連接，所述第二分壓電阻組的第二端接地，所述三極管(Q2)的基極連接至所述第一分壓電阻組和第二分壓電阻組的連接點(diǎn)、集電極接基準(zhǔn)電壓信號、發(fā)射極接地，所述光耦合器的輸入端串接在所述三極管的集電極或發(fā)射極。優(yōu)選地，所述第一分壓電阻組包括串聯(lián)的第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)，所述第二分壓電阻組包括第三電阻(R3 )。優(yōu)選地，所述PWM控制電路包括第五電阻(R5 )、第六電阻(R6 )、以及P溝道MOSFET(Ql);所述第五電阻(R5)的第一端與P溝道MOSFET (Ql)的源極連接后作為PWM控制電路的輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接，所述第五電阻(R5)的第二端與所述P溝道MOSFET (Ql)的柵極、第六電阻(R6)的第一端連接，所述第六電阻(R6)的第二端與所述光耦合器的輸出端連接，所述P溝道MOSFET (Ql)的漏極為LED的接入端子。[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型不是靠改變電源初級的Ip來改變輸出功率，而是把初級檢測到的可控硅導(dǎo)通角的變化通過一個(gè)光耦傳遞到LED電源的次級，通過Q I導(dǎo)通占空比的變化來改變流過LED燈的平均電流，從而達(dá)到調(diào)光目的，調(diào)光效果不受LED個(gè)體特性差異的影響；而且，由于采用普通分立元件實(shí)現(xiàn)PWM控制，克服了將可控硅調(diào)光電路集成在IC內(nèi)部無法實(shí)現(xiàn)大功率輸出的缺陷。

圖I是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的可控硅調(diào)光器的主電路圖；圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的可控硅調(diào)光器輸出電壓的波形圖；圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的調(diào)光電路圖；圖4是圖3的調(diào)光電路的可控硅導(dǎo)通角與PWM控制的占空比的關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式
下面對照附圖并結(jié)合優(yōu)選的實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。本實(shí)施例是一種應(yīng)用于輸入端串接有可控硅調(diào)光器的LED電源的調(diào)光電路，其包括檢測所述可控硅調(diào)光器的可控硅導(dǎo)通角的導(dǎo)通角檢測電路、以及輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接的PWM控制電路，該P(yáng)WM控制電路的輸出端為LED的接入端子；其中，所述PWM控制電路的PWM信號輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號輸出端連接，從而使得PWM控制電路根據(jù)可控硅導(dǎo)通角的變化調(diào)節(jié)輸出至LED的功率的占空比。如圖I所示，為典型的可控硅調(diào)光器的電路原理圖，其輸入端L/N輸入的是一定頻率的正弦波，經(jīng)過可控硅調(diào)光器后，在其輸出端L1/N1經(jīng)整流后輸出至LED電源的次級輸入端，其中，輸出端L1/N1經(jīng)整流后輸出的波形示例如圖2所示。如圖3所示，在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，導(dǎo)通角檢測電路包括由第一電阻Rl和第二電阻R2串接組成的第一分壓電阻組、第二分壓電阻組(本實(shí)施例為第三電阻R3)、第四電阻R4以及三極管Q2 ;所述第一分壓電阻組的第一端與可控硅調(diào)光器的輸出端連接接收可控硅調(diào)光器輸出的整流后的信號、第二端與所述第三電阻R3的第一端連接，第三電阻R3的第二端接地，三極管Q2的基極連接至第一分壓電阻組和第二分壓電阻組的連接點(diǎn)、集電極接基準(zhǔn)電壓信號VCC+、發(fā)射極接地，所述光耦合器的輸入端UlA (即光發(fā)射部分)串接在所述三極管的集電極或發(fā)射極。其中，VCC+優(yōu)選取用LED電源初級端控制用的低壓電源。PWM控制電路包括第五電阻R5、第六電阻R6、以及P溝道M0SFETQ1 ;所述第五電阻R5的第一端與P溝道M0SFETQ1的源極連接后作為PWM控制電路的輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接，所述第五電阻R5的第二端與所述P溝道M0SFETQ1的柵極、第六電阻R6的第一端連接，所述第六電阻R6的第二端與所述光耦合器的輸出端(光接收部分)連接，所述P溝道M0SFETQ1的漏極為LED的接入端子。如圖4，當(dāng)可控硅的導(dǎo)通角在O度到10度左右時(shí)，經(jīng)過可控硅調(diào)光器后輸入到LED電源的電能已經(jīng)非常有限，此時(shí)LED電源不工作，LED燈完全關(guān)閉；當(dāng)可控硅的導(dǎo)通角在10度到170度左右時(shí)，LED電源能夠正常工作，隨著可控硅導(dǎo)通角的改變，則輸出控制開關(guān)Q I的導(dǎo)通時(shí)間也不同，且Q I的導(dǎo)通時(shí)間和導(dǎo)通角近似成正比，這實(shí)現(xiàn)了可控硅的PWM調(diào)光功倉泛。[0021]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人 員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干等同替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種LED電源的調(diào)光電路，其中，所述LED電源的輸入端串接有可控硅調(diào)光器，其特征在于包括檢測所述可控硅調(diào)光器的可控硅導(dǎo)通角的導(dǎo)通角檢測電路、以及輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接的PWM控制電路，該P(yáng)WM控制電路的輸出端為LED的接入端子；所述PWM控制電路的PWM信號輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號輸出端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED電源的調(diào)光電路，其特征在于所述PWM控制電路的PWM信號輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號輸出端通過光耦合器耦接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED電源的調(diào)光電路，其特征在于所述導(dǎo)通角檢測電路包括第一分壓電阻組、第二分壓電阻組以及三極管(Q2);所述第一分壓電阻組的第一端與所述可控硅調(diào)光器的輸出端連接、第二端與所述第二分壓電阻組的第一端連接，所述第二分壓電阻組的第二端接地，所述三極管(Q2)的基極連接至所述第一分壓電阻組和第二分壓電阻組的連接點(diǎn)、集電極接基準(zhǔn)電壓信號、發(fā)射極接地，所述光耦合器的輸入端串接在所述三極管的集電極或發(fā)射扱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED電源的調(diào)光電路，其特征在于所述第一分壓電阻組包括串聯(lián)的第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)，所述第二分壓電阻組包括第三電阻(R3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的LED電源的調(diào)光電路，其特征在于所述PWM控制電路包括第五電阻(R5)、第六電阻(R6)、以及P溝道MOSFET (Ql);所述第五電阻(R5)的第一端與P溝道MOSFET (Ql)的源極連接后作為PWM控制電路的輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接，所述第五電阻(R5)的第二端與所述P溝道MOSFET (Ql)的柵極、第六電阻(R6)的第一端連接，所述第六電阻(R6)的第二端與所述光耦合器的輸出端連接，所述P溝道MOSFET (Ql)的漏極為LED的接入端子。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種LED電源的調(diào)光電路，其中，所述LED電源的輸入端串接有可控硅調(diào)光器，包括檢測所述可控硅調(diào)光器的可控硅導(dǎo)通角的導(dǎo)通角檢測電路、以及輸入端與所述LED電源的次級輸出端連接的PWM控制電路，該P(yáng)WM控制電路的輸出端為LED的接入端子；所述PWM控制電路的PWM信號輸入端與所述導(dǎo)通角檢測電路的信號輸出端連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的調(diào)光電路的使用范圍不受LED燈輸出功率的限制。
文檔編號H05B37/02GK202425108SQ201120481369
公開日2012年9月5日 申請日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者周明亮, 李方秋, 肖鏗 申請人:信豐可立克科技有限公司, 惠州市可立克科技有限公司, 深圳可立克科技股份有限公司