專利名稱：多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景多晶爐是生產(chǎn)太陽能光伏發(fā)電領(lǐng)域的重要生產(chǎn)設(shè)備。該設(shè)備將多晶硅碎塊料、頭尾料、堝底料、各種單晶廢片等材料裝入爐內(nèi)化料的石英坩堝內(nèi)，經(jīng)融化、重新定向結(jié)晶及退火等エ藝，鑄成生產(chǎn)太陽電池的前道原料一一多晶硅硅錠。在多晶硅鑄錠過程中，上法蘭可以緩解腔體內(nèi)的真空壓力，在作業(yè)過程中，避免因腔體內(nèi)壓カ過大發(fā)生爆炸現(xiàn)象，減少安全隱患。一般的多晶爐是直接將上法蘭焊接在腔體 上，不能有效的防止鑄錠過程中產(chǎn)生的壓カ大，造成腔體爆炸等現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要提供一種有效的防止鑄錠過程中因產(chǎn)生的壓カ大造成腔體爆炸現(xiàn)象發(fā)生的多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)。一種多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)，其包括法蘭及安裝在法蘭上的水冷焊接件，法蘭上自內(nèi)向外依次設(shè)置有第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道，第一環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第一分水壁、第二環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第二分水壁及第三分水壁、第三環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第四分水壁及第五分水壁。第二分水壁與第一分水壁及第五分水壁相鄰接，第三分水壁與第四分水壁相鄰接，且第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁位于同一條直線上，第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道的進(jìn)水ロ位于第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁的同一側(cè)，第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道的出水ロ位于第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁的另ー側(cè)，法蘭的周邊設(shè)置有供半螺紋螺栓穿入的定位孔。優(yōu)選的，水冷焊接件包括圓柱形插入部及與圓柱形插入部一端連接的圓形覆蓋部，圓柱形插入部的直徑與法蘭開ロ的直徑相適應(yīng)，圓形覆蓋部的直徑大于法蘭開ロ的直徑。將本實(shí)用新型提供的多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)通過半螺紋螺栓穿入定位孔及多晶爐腔體上的固定孔，并與多晶爐腔體上的固定孔旋緊的方式將多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)安裝在多晶爐腔體頂部，且法蘭上自內(nèi)向外依次設(shè)置有第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道實(shí)現(xiàn)自身的冷卻，如此可以有效的防止鑄錠過程中產(chǎn)生的壓カ大造成腔體爆炸的情況的發(fā)生。

附圖I是ー較佳實(shí)施方式的多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖2是圖I中多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)剖面結(jié)構(gòu)示意圖。[0010]圖中多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)10、法蘭11、第一環(huán)形水冷通道111、第一分水壁1111、第ニ環(huán)形水冷通道112、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第三環(huán)形水冷通道113、第四分水壁1131、第五分水壁1132、水冷焊接件12、圓柱形插入部121、圓形覆蓋部12具體實(shí)施方式
請(qǐng)同時(shí)參看圖I、圖2，多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)10包括法蘭11及安裝在法蘭11上的水冷焊接件12。法蘭11上自內(nèi)向外依次設(shè)置有第一環(huán)形水冷通道111、第二環(huán)形水冷通道112及第三環(huán)形水冷通道113。第一環(huán)形水冷通道111內(nèi)設(shè)置有第一分水壁1111、第二環(huán)形水冷通道112內(nèi)設(shè)置有第二分水壁1121及第三分水壁1122、第三環(huán)形水冷通道113內(nèi)設(shè)置有第四分水壁1131及第五分水壁1132。第二分水壁1121與第一分水壁1111及第五分水壁1132相鄰接，第三分水壁1122與第四分水壁1131相鄰接，且第一分水壁1111、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第四分水壁1131及第五分水壁1132位于同一條直線上，第一環(huán)形水冷通道111、第二環(huán)形水冷通道112及第三環(huán)形水冷通道113的進(jìn)水口 14位于第一分水壁1111、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第四分水壁1131及第五分水壁1132的同一偵牝第一環(huán)形水冷通道111、第二環(huán)形水冷通道112及第三環(huán)形水冷通道113的出水ロ 15位于第一分水壁1111、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第四分水壁1131及第五分水壁1132的另ー側(cè)，法蘭11的周邊設(shè)置有定位孔16。水冷焊接件12包括圓柱形插入部121及與圓柱形插入部121 —端連接的圓形覆蓋部122，圓柱形插入部121的直徑與法蘭11開ロ的直徑相適應(yīng)，圓形覆蓋部122的直徑大于法蘭11開ロ的直徑。將本實(shí)用新型提供的多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)10通過半螺紋螺栓穿入定位孔16及多晶爐腔體上的固定孔，并與多晶爐腔體上的固定孔旋緊的方式將多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)10安裝在多晶爐腔體頂部，且法蘭上自內(nèi)向外依次設(shè)置有第一環(huán)形水冷通道111、第二環(huán)形水冷通道112及第三環(huán)形水冷通道113實(shí)現(xiàn)自身的冷卻，如此可以有效的防止鑄錠過程中產(chǎn)生的壓カ大造成腔體爆炸的情況的發(fā)生。權(quán)利要求1.一種多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)，其特征在于多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)包括法蘭及安裝在法蘭上的水冷焊接件，法蘭上自內(nèi)向外依次設(shè)置有第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道，第一環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第一分水壁、第二環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第二分水壁及第三分水壁、第三環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第四分水壁及第五分水壁；第二分水壁與第一分水壁及第五分水壁相鄰接，第三分水壁與第四分水壁相鄰接，且第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁位于同一條直線上，第一環(huán)形水冷通道、第ニ環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道的進(jìn)水口位于第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁的同一側(cè)，第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道的出水ロ位于第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁的另ー側(cè)，法蘭的周邊設(shè)置有供半螺紋螺栓穿入的定位孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)，其特征在于水冷焊接件包括圓柱形插入部及與圓柱形插入部一端連接的圓形覆蓋部，圓柱形插入部的直徑與法蘭開ロ的直徑相適應(yīng)，圓形覆蓋部的直徑大于法蘭開ロ的直徑。
專利摘要一種多晶爐上法蘭結(jié)構(gòu)，包括法蘭及安裝在法蘭上的水冷焊接件，法蘭上自內(nèi)向外依次設(shè)置有第一環(huán)形水冷通道、第二環(huán)形水冷通道及第三環(huán)形水冷通道，第一環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第一分水壁、第二環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第二分水壁及第三分水壁、第三環(huán)形水冷通道內(nèi)設(shè)置有第四分水壁及第五分水壁；第二分水壁與第一分水壁及第五分水壁相鄰接，第三分水壁與第四分水壁相鄰接，且第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁位于同一條直線上，法蘭的周邊設(shè)置有供半螺紋螺栓穿入的定位孔。
文檔編號(hào)C30B28/06GK202390576SQ201120481690
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者吳學(xué)軍, 周凱平 申請(qǐng)人:寧夏日晶新能源裝備股份有限公司