專利名稱：一種采用cob工藝的led燈板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED照明器具領(lǐng)域,特別是涉及ー種采用COB (Chip on Board,芯片邦定在基板上)エ藝的LED燈板。
背景技術(shù)：
COB是現(xiàn)有應(yīng)用較為廣泛的LED燈板封裝エ藝，但是，由于現(xiàn)有的燈板驅(qū)動部件零件數(shù)量較多、體積較大，大都作為獨立安裝的部件來設(shè)計，因此，通常只能將LED裸片(LEDChip)邦定在基板上，而驅(qū)動部件與燈板完全分離，無法用COBエ藝將它們邦定在一起。上述現(xiàn)有的LED COB燈板，都是工作在低壓狀態(tài)(工作電壓從幾伏至十幾伏)，雖可滿足LED發(fā)光部件的基本要求，但是其技術(shù)指標，例如功率因數(shù)、諧波及EMC(電磁兼容) 等都非常差，在實際使用吋，對電網(wǎng)會造成很大影響。因此，使用會受到很大的局限性，在要求高的環(huán)境及大面積使用還會帶來嚴重的后果。由此可見，上述現(xiàn)有的LED燈板在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一歩改進。如何能創(chuàng)設(shè)ー種適于高要求使用環(huán)境及大面積應(yīng)用的新型結(jié)構(gòu)的采用COBエ藝的LED燈板，實屬當前本領(lǐng)域的重要改進目標之一。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種采用COBエ藝的LED燈板，使其適于高要求使用環(huán)境及大面積應(yīng)用，從而克服現(xiàn)有LED燈板的不足。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型一種采用COBエ藝的LED燈板，包括基板以及以COBエ藝封裝在所述基板上的LED裸片和交流驅(qū)動芯片裸片，所述交流驅(qū)動芯片裸片與所述LED裸片通過電路連接。作為本實用新型的一種改進，所述的交流驅(qū)動芯片裸片包括電壓輸入模塊、電壓分配模塊以及多組緩沖-電壓比較模塊和半導體場效應(yīng)晶體管M0SFET，其中第一個MOSFET的源極與地電位連接，柵極直接連接于本組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于電壓輸入模塊的輸出端，漏極作為驅(qū)動芯片的輸出端連接至LED裸片的串聯(lián)線路上；其它MOSFET的源極通過能夠等效為電阻的元件組與地電位連接，柵極連接于本組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于前ー組緩沖-電壓比較模塊的輸出端，漏極作為驅(qū)動芯片的輸出端連接至LED裸片的串聯(lián)線路上；上述緩沖-電壓比較模塊的另ー輸入端與電壓分配模塊連接；電壓輸入模塊的輸出端還與LED裸片串聯(lián)線路的起始端連接，并通過電壓分配模塊連接于地電位。所述的電壓輸入模塊為半導體場效應(yīng)晶體管，其柵極與外部電壓輸入端連接，漏極經(jīng)能夠等效為電阻的元件組連接于地電位，源極即為電壓輸入模塊的輸出端。所述的交流驅(qū)動芯片裸片還包括功率因數(shù)校正電路，該功率因數(shù)校正電路為三極管，其集電極通過ー個正向連接的ニ極管與電壓輸入模塊的柵極連接、并通過電感與外部電壓輸入端連接，發(fā)射極通過反向連接的ニ極管與地電位連接。[0010]所述的半導體場效應(yīng)晶體管MOSFET為V型槽場效應(yīng)晶體管VM0S。所述的電壓輸入模塊為增強型金屬-氧化層-半導體場效應(yīng)晶體管。采用這樣的設(shè)計后，本實用新型將LED Chip (LED裸片)和Drive IC Chip (驅(qū)動集成電路芯片)一同邦定在基板 上，彌補了現(xiàn)有LED COB燈板的缺陷，功率因數(shù)達0.95以上、總諧波(THD)彡20%、電磁兼容符合EN55015、EN61547等國際標準，適于各種高要求使用環(huán)境及大面積應(yīng)用。

上述僅是本實用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術(shù)手段，
以下結(jié)合附圖與具體實施方式
對本實用新型作進ー步的詳細說明。圖I是本實用新型一種采用COBエ藝的LED燈板的LED裸片電路原理圖。圖2是本實用新型一種采用COBエ藝的LED燈板的交流驅(qū)動芯片裸片與LED裸片的電路連接圖。圖3是本實用新型采用COBエ藝的LED燈板的交流驅(qū)動芯片裸片的電路圖。
具體實施方式
本實用新型一種采用COBエ藝的LED燈板，包括基板以及以COBエ藝封裝在所述基板上的LED裸片和交流驅(qū)動芯片裸片，請參閱圖I、圖2所示，所述交流驅(qū)動芯片裸片與所述LED裸片通過電路連接。請配合參閱圖3所示，本實用新型所使用的交流驅(qū)動芯片主要包括電壓輸入模塊、電壓分配模塊以及多組緩沖-電壓比較模塊21和半導體場效應(yīng)晶體管MOSFET Ql-Qn。其中，半導體場效應(yīng)晶體管MOSFET Ql-Qn可采用V型槽場效應(yīng)晶體管VM0S。MOSFET Ql的源極與地電位相連，柵極直接連接于第一組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于電壓輸入模塊的輸出端，第一組緩沖-電壓比較模塊的另ー個輸入端分別連接至串聯(lián)電阻Rl和R2之間的連接點處，第一組緩沖-電壓比較模塊輸出端與MOSFET Q2的柵極相連，MOSFET Ql的漏極作為驅(qū)動裝置的輸出端連接至外部LED裸片的串聯(lián)線路上。MOSFET Qn(n > I)的源極通過電阻或能夠等效為電阻的元件組與地電位相連，柵極連接于第n組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于前ー組緩沖-電壓比較模塊的輸出端，第n組緩沖-電壓比較模塊的另ー個輸入端連接至串聯(lián)電阻R2n-1和R2n之間的連接點處，MOSFET Qn的漏極作為驅(qū)動裝置的輸出端連接至外部LED裸片的串聯(lián)線路上。電壓分配模塊即由上述Rl和R2，R2n-1和R2n組成的n條支路并聯(lián)組成。電壓輸入模塊可采用增強型金屬-氧化層-半導體場效應(yīng)晶體管M0SFETQ0，其輸出端與LED裸片的串聯(lián)線路的起始端連接，并通過電壓分配模塊連接于地電位。此外，交流驅(qū)動芯片還包括功率因數(shù)校正電路，該功率因數(shù)校正電路為三極管Qi，其集電極通過ー個正向連接的ニ極管Dl與電壓輸入模塊QO的柵極連接、并通過電感L與外部電壓輸入端VIN連接，發(fā)射極通過反向連接的ニ極管D2與地電位連接。電壓輸入模塊QO的柵極與外部電壓輸入端VIN連接，QO的漏極經(jīng)ー電阻Rx連接于地電位，QO的源極即為電壓輸入模塊的輸出端、經(jīng)電壓分配模塊連接于地電位。[0025]圖中驅(qū)動的LED裸片為6個LED燈段，以每個燈段全亮時兩端電壓為36V為例來說。當線路電壓從VIN端輸入時，與VIN端ロ相連的QO的柵極電壓處于高電位，QO開始導通，QO的源極之輸出電壓即VDD隨之上升；則晶體管MOSFET Ql的柵極電壓上升，Ql就開始導通，第一燈段開始點亮發(fā)光；同時第一組緩沖-電壓比較模塊的輸入端IA為高電位；若電壓輸入端VIN的電壓較低,第一組緩沖-電壓比較模塊的輸入端IB為低電位,第一組緩沖-電壓比較模塊輸出低電位，Q2的柵極處于地電位，Q2處于截止狀態(tài)。以此類推，Q3-Q6也處于截止狀態(tài)。隨著VIN端輸入電壓增加，Ql開始進入飽和狀態(tài)且電阻Rl分擔的電壓增加，IB端點電壓逐漸升高達到施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓，施密特觸發(fā)器被觸發(fā)，第二組緩沖-電壓比較模塊輸出高電位，此時Q2導通，當輸入電壓 超過36V時第二燈段開始點亮發(fā)光。此時預先設(shè)定的R3和R4的電阻值的比值，仍可使端點2B處的第二組電壓低于緩沖-電壓比較模塊內(nèi)的施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓，Q3-Q6仍處于截止狀態(tài)。隨著VIN端輸入電壓的繼續(xù)增加，Q2開始進入飽和狀態(tài)且電阻R3分擔的電壓增加至第二組緩沖-電壓比較模塊內(nèi)施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓，施密特觸發(fā)器被觸發(fā)，Q3導通，當輸入電壓超過72V時第三燈段開始點亮發(fā)光，Q4-Q6截止。以此類推，隨著輸入電壓逐漸升高，當輸入電壓值超過180V吋，Q6導通，第四燈段點亮；當輸入電壓值超過216V時，此時Q6進入飽和狀態(tài)，整個LED裸片均被驅(qū)動，照明裝置達到最売。由以上的驅(qū)動方式可知，本實用新型所采用的交流驅(qū)動芯片裸片(Drive ICChip)更適于大面積照明及調(diào)光使用，并可以通過COBエ藝與LED裸片(Chip)邦定在同一片基板上，邦定一次完成，エ藝更加簡單，本實用新型燈板可廣泛應(yīng)用于球泡燈、射燈、PAR燈、直射型筒燈、吸頂燈等，作為LED發(fā)光部件更適于廣泛推廣。以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員利用上述掲示的技術(shù)內(nèi)容做出些許簡單修改、等同變化或修飾，均落在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種采用COB工藝的LED燈板，其特征在于包括基板以及以COB工藝封裝在所述基板上的LED裸片和交流驅(qū)動芯片裸片，所述交流驅(qū)動芯片裸片與所述LED裸片通過電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種采用COB工藝的LED燈板，其特征在于所述的交流驅(qū)動芯片裸片包括電壓輸入模塊、電壓分配模塊以及多組緩沖-電壓比較模塊和半導體場效應(yīng)晶體管M0SFET，其中 第一個MOSFET的源極與地電位連接，柵極直接連接于本組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于電壓輸入模塊的輸出端，漏極作為驅(qū)動芯片的輸出端連接至LED裸片的串聯(lián)線路上； 其它MOSFET的源極通過能夠等效為電阻的元件組與地電位連接，柵極連接于本組緩沖-電壓比較模塊的一個輸入端、同時連接于前一組緩沖-電壓比較模塊的輸出端，漏極作為驅(qū)動芯片的輸出端連接至LED裸片的串聯(lián)線路上； 上述緩沖-電壓比較模塊的另一輸入端與電壓分配模塊連接； 電壓輸入模塊的輸出端還與LED裸片串聯(lián)線路的起始端連接，并通過電壓分配模塊連接于地電位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用COB工藝的LED燈板，其特征在于所述的電壓輸入模塊為半導體場效應(yīng)晶體管，其柵極與外部電壓輸入端連接，漏極經(jīng)能夠等效為電阻的元件組連接于地電位，源極即為電壓輸入模塊的輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種采用COB工藝的LED燈板，其特征在于所述的交流驅(qū)動芯片裸片還包括功率因數(shù)校正電路，該功率因數(shù)校正電路為三極管，其集電極通過一個正向連接的二極管與電壓輸入模塊的柵極連接、并通過電感與外部電壓輸入端連接，發(fā)射極通過反向連接的二極管與地電位連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用COB工藝的LED燈板，其特征在于所述的半導體場效應(yīng)晶體管MOSFET為V型槽場效應(yīng)晶體管VMOS。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用COB工藝的LED燈板，其特征在于所述的電壓輸入模塊為增強型金屬-氧化層-半導體場效應(yīng)晶體管。
專利摘要本實用新型是有關(guān)于一種采用COB工藝的LED燈板，包括基板以及以COB工藝封裝在所述基板上的LED裸片和交流驅(qū)動芯片裸片，所述交流驅(qū)動芯片裸片與所述LED裸片通過電路連接。本實用新型將LED Chip(LED裸片)和Drive IC Chip(驅(qū)動集成電路芯片)一同邦定在基板上，彌補了現(xiàn)有LED COB燈板的缺陷，功率因數(shù)達0.95以上、總諧波(THD)≤20％、電磁兼容符合EN55015、EN61547等國際標準，適于各種高要求使用環(huán)境及大面積應(yīng)用。
文檔編號H05B37/02GK202406343SQ20112048697
公開日2012年8月29日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者張高柏, 陳衛(wèi)平 申請人:陳衛(wèi)平