專利名稱：一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置
背景技術(shù)：
目前，所知的單晶爐主要用于生產(chǎn)半導(dǎo)體級、太陽能級單晶硅棒材料，單晶硅爐包括機械設(shè)備、電氣自動控制系統(tǒng)兩部分組成。在單晶硅爐內(nèi)的石英坩堝投放生產(chǎn)制備單晶娃棒的多晶娃料，然后把石墨i甘禍下降80_至熔娃位置，由電氣控制系統(tǒng)通過對石墨i甘禍體加熱至1420°C，使固體多晶硅熔化；再由電氣自動化控制系統(tǒng)，把單晶硅爐內(nèi)熔化的多晶硅料按工藝要求合成單晶硅棒。單晶硅爐的單晶棒產(chǎn)量主要受可投入石墨坩堝的多晶硅原材料重量影響。傳統(tǒng)的單晶爐石墨坩堝由水平均分的三瓣坩堝、坩堝底托組成，三瓣坩堝與坩堝底托相連接，坩堝底托與石墨托桿相連接，此連接方式造成石墨坩堝上部空間小、坩 堝下降位置小等不利因素，從而導(dǎo)致多晶硅料投料量減??；直接影響了單晶爐單晶硅棒的產(chǎn)量減少，增加了單晶硅棒生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是設(shè)計一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，能有效的提高單晶硅爐單晶硅棒的產(chǎn)量，可大幅度降低單晶硅棒的生產(chǎn)成本。為此本實用新型采用在石英坩堝外的由坩堝上和坩堝下兩部分組成的石墨坩堝替代傳統(tǒng)的三瓣坩堝，石墨坩堝直接與石墨托桿相連接；上述結(jié)構(gòu)達到了本實用新型的目的。本實用新型的優(yōu)點是通過采用全新設(shè)計的石墨坩堝，增大了石墨坩堝上部的空間、增加了坩堝下降的位置，從而增加了多晶硅料的裝爐重量，增加了單晶硅爐的單晶硅棒的產(chǎn)量；同時也減少了過渡部件坩堝底托的使用，降低了生產(chǎn)成本；實驗證明改進后的石墨坩堝結(jié)構(gòu)比原有傳統(tǒng)的三瓣坩堝結(jié)構(gòu)單晶硅爐單晶棒產(chǎn)量每爐提高了 10% ;節(jié)約單晶硅棒制造成本2.5*%。

圖I是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖具體實施方案如圖I所示，本實用新型的改進部分主要集中在石墨坩堝桿10上端的石墨坩堝，石墨坩堝由水平的三瓣坩堝改為豎直均分的石墨坩堝，以及石墨坩堝桿10與石墨坩堝下14的連接之處，減少了連接部件石墨坩堝底托；其余部位為傳統(tǒng)技術(shù)，故不在累述，即在爐體下端設(shè)電機帶動石墨托桿10，石墨托桿上端設(shè)有石墨坩堝下14，石墨坩堝下的上端設(shè)有石墨樹禍上13,由石墨樹禍下與石墨樹禍上組成石墨樹禍，在石墨樹禍內(nèi)設(shè)有石央樹禍
12,石墨；t甘禍的上端依次設(shè)有導(dǎo)流筒3、保溫蓋2,石墨；t甘禍下端依次設(shè)有石墨電極11、爐底壓片7、爐底板8，石墨坩堝外爐體內(nèi)依次為加熱器6、保溫筒5，加熱器為環(huán)形加熱器，用于包裹石墨坩堝，對石英坩堝內(nèi)的多晶硅料加熱。一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，主要由爐體I、石墨托桿10、石墨坩堝上13、石墨坩堝下14、石英坩堝12、加熱體6和上、下及側(cè)面保溫層所組成。石墨坩堝分上、下石墨坩堝上13與石墨坩堝下，在石英坩堝外側(cè)，石墨托桿10與石墨坩堝直接相連，使石墨坩堝向下降的距離增加，從而增加了石英坩堝12上方的空間，直接增加石英坩堝內(nèi)多晶料的投爐量，使單晶硅爐單晶硅棒的產(chǎn)量增加，降低了生產(chǎn)成本。所述的一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，其特征在于所述的石墨坩堝由坩堝上與坩堝下兩部分組成，其坩堝上與坩堝下的高度比為I : 1，此結(jié)構(gòu)設(shè)計能有效的增加石英坩堝上方的投料空間，從而達到單晶硅爐提高單晶硅棒的產(chǎn)量的目的。所述的石墨坩堝直接與石墨托桿相連接，不含過渡部件，可以使石墨坩堝增加了下降的距離，有效的增加了石英坩堝上方的投料空間，從而達到單晶硅爐提高單晶硅棒的產(chǎn)量的目的。 所述的一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，其特征在于所述的石墨坩堝與石墨托桿直接相連接?？傊緦嵱眯滦湍苡行У脑黾佣嗑Ч柙系耐稜t量，從而達到單晶硅爐提高單晶硅棒產(chǎn)量的目的。
權(quán)利要求1.一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，主要由爐體、石墨坩堝、石墨堝托、石墨托桿、石英坩堝、加熱體和上、下及側(cè)面保溫層所組成，其特征在于在石英坩堝外側(cè)，石墨托桿上方所設(shè)的石墨纟甘禍，石墨纟甘禍由纟甘禍上與纟甘禍下兩部分組成，石墨纟甘禍下端與石墨托桿上端直接連接成一體，石墨坩堝內(nèi)放置石英坩堝。
2.按權(quán)利要求I所述的一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，其特征在于所述的石墨坩堝由堝上與堝下兩部分組成，其堝上與堝下的高度比為I : I。
3.按權(quán)利要求2所述的一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置，其特征在于所述的石墨坩堝與石墨托桿直接相連接。
專利摘要一種提高單晶硅爐晶棒產(chǎn)量的裝置。單晶硅棒的產(chǎn)量主要受投料量的影響，本實用新型使用的石墨坩堝由堝上和堝下兩部分組成，石墨坩堝直接與石墨托桿相連接，中間不含過渡件堝底托；此結(jié)構(gòu)使石墨坩堝下降的距離增加，石墨坩堝上部增加更多的投料空間，從而增加了單晶硅棒的產(chǎn)量。
文檔編號C30B29/06GK202509155SQ201120513280
公開日2012年10月31日 申請日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者劉旭峰, 朱仁德 申請人:北京天能運通晶體技術(shù)有限公司