專(zhuān)利名稱(chēng)：一種單晶爐排氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種單晶爐排
氣裝置。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池是人們利用太陽(yáng)能的一種主要形式。其中，單晶硅是制造太陽(yáng)能電池的主要材料，單晶硅通常是用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅，該工藝在單晶爐中進(jìn)行，主要包括抽真空、加熱、熔化、長(zhǎng)晶、退火和冷卻五個(gè)步驟。在進(jìn)行單晶硅生產(chǎn)時(shí)，首先要進(jìn)行抽真空處理，控制爐內(nèi)壓強(qiáng)在一個(gè)設(shè)定的低壓值，而在鑄錠時(shí)由于溫度升高及硅蒸汽的增加導(dǎo)致?tīng)t內(nèi)壓強(qiáng)升高，所以通過(guò)與真空泵連接的抽氣口排出爐內(nèi)的氣體，使?fàn)t內(nèi)氣壓穩(wěn)定在所述低壓值。需要說(shuō)明的是為了保證單晶硅的質(zhì)量，在排氣時(shí)要保證爐 內(nèi)氣流的通暢，避免爐內(nèi)氣壓出現(xiàn)較大波動(dòng)。參考圖1，圖I為現(xiàn)有的單晶爐結(jié)構(gòu)示意圖，包括爐體I ;設(shè)置在爐體I中央的坩堝托桿2，所述坩堝托桿2用于支撐坩堝；設(shè)置在爐體底部3上方保護(hù)層4 ;反射板，所述反射板包括上反射板5和下反射板6，所述反射板通過(guò)設(shè)置在所述保護(hù)層4上方的調(diào)節(jié)螺釘7及與所述調(diào)節(jié)螺釘7相匹配的調(diào)節(jié)螺母8固定；鋪設(shè)在保護(hù)層4上的爐底壓片9 ;設(shè)置在所述坩堝托桿2與保護(hù)層4及爐底壓片9之間的托桿護(hù)套10 ;在爐體上設(shè)置有抽氣口 11，抽氣口 11有兩個(gè)，對(duì)稱(chēng)分布在爐體的左右兩側(cè)；其中，所述抽氣口 11用于排氣或抽真空處理；所述反射板設(shè)置在爐體頂部的加熱器的正下方，用于反射熱輻射能量，提高能量的利用率，降低能耗。反射板的應(yīng)用雖然提高了能量的利用率，降低了能耗。但是，由于反射板對(duì)于熱輻射的反射作用，導(dǎo)致反射板下方(下反射板的下方)空間的溫度較低，導(dǎo)致硅蒸汽易在反射板下方的工件上凝結(jié)，從而造成工件之間的粘結(jié)，造成了工件拆裝困難；同時(shí)，氣流是從上至下流動(dòng)的，在氣流流動(dòng)過(guò)程中，由于受到反射板的阻擋，氣體流通不暢，造成氣體漩渦，從而使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)產(chǎn)生較大波動(dòng)，從而影響單晶硅的質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種單晶爐排氣裝置，該單晶爐排氣裝置通過(guò)特定的排氣管路，避免了硅蒸汽在反射板下方工件的凝結(jié)造成的工件拆裝困難及在排氣過(guò)程中反射板對(duì)氣流的阻擋導(dǎo)致的爐內(nèi)壓強(qiáng)產(chǎn)生較大波動(dòng)的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案—種單晶爐排氣裝置，所述單晶爐包括爐體和鋪設(shè)在所述爐體底部的保護(hù)層，該排氣裝置包括設(shè)置在所述保護(hù)層上方的反射板，所述反射板設(shè)置在所述加熱器的正下方；其中，所述反射板包括上下反射板，并且該反射板上設(shè)置有貫穿上下反射板的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管與靠近反射板的爐體抽氣口連通，并且，所述導(dǎo)氣管的形狀和大小與所述通孔的形狀相匹配。優(yōu)選的，上述排氣裝置中，所述導(dǎo)氣管通過(guò)導(dǎo)氣管護(hù)套與爐體抽氣口連通。 優(yōu)選的，上述排氣裝置中，所述導(dǎo)氣管護(hù)套包括水平排氣管和方形管，所述方形管具有豎直接口和水平接口，所述豎直接口與所述導(dǎo)氣管下端連通，所述水平接口與所述水平排氣管的一端連通，所述水平排氣管的另一端與所述抽氣口連通。優(yōu)選的，上述排氣裝置中，所述導(dǎo)氣管為“L”字形的導(dǎo)氣管，所述“L”字形的導(dǎo)氣管的豎直端連通所述通孔，所述“L”字形的導(dǎo)氣管的水平端連接所述抽氣口。優(yōu)選的，上述排氣裝置中，所述通孔包括為圓形通孔或方形通孔優(yōu)選的，上述排氣裝置中，所述導(dǎo)氣管為聚偏氟乙烯導(dǎo)氣管；或聚丙烯導(dǎo)氣管。優(yōu)選的，上述排氣裝置中，所述導(dǎo)氣管護(hù)套為聚偏氟乙烯護(hù)套；或聚丙烯護(hù)套。從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型所提供的單晶爐排氣裝置包括設(shè)置在所述保護(hù)層上方的反射板，所述反射板設(shè)置在所述加熱器的正下方；其中，所述反射板包括上下反射板，并且該反射板上設(shè)置有貫穿上下反射板的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管與靠近反射板的爐體抽氣口連通，并且，所述導(dǎo)氣管的形狀和大小與所述通孔的形狀相匹配。通過(guò)設(shè)置在所述通孔中的導(dǎo)氣管將硅蒸汽直接從反射板的上方(上反射板的上方)排出爐體。由于爐內(nèi)是低氣壓，排氣是在真空泵作用下的主動(dòng)排氣，所以硅蒸汽直接通過(guò)與所述抽氣口連通的導(dǎo)氣管排出爐體，即硅蒸汽是從反射板上方排出爐體的，不會(huì)在反射板下方積聚，從而避免了硅蒸汽在反射板下方工件附件的凝結(jié)；同時(shí)，由于硅蒸汽是直接從反射板的上方排至爐體外部的，避免了排氣時(shí)反射板對(duì)氣流的遮擋，從而保證了排氣時(shí)氣流的通暢，避免了爐內(nèi)氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生較大的波動(dòng)，保證單晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的一種單晶爐的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種單晶爐排氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單晶爐排氣裝置的導(dǎo)氣管的俯視圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單晶爐排氣裝置的導(dǎo)氣管的切面圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單晶爐排氣裝置的導(dǎo)氣管護(hù)套的俯視圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單晶爐排氣裝置的導(dǎo)氣管護(hù)套的切面圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的另一種排氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為一種設(shè)置有本實(shí)用新型實(shí)施例所提供一種排氣裝置的單晶爐的結(jié)構(gòu)示意、圖。
具體實(shí)施方式
正如背景技術(shù)部分所述，反射板的應(yīng)用雖然提高了能量的利用率，降低了能耗，但是，導(dǎo)致反射板下方空間的溫度較低，爐內(nèi)的硅蒸汽易在反射板下方的某些工件上凝結(jié)，從而造成工件之間的粘結(jié)，使得工件拆裝困難，特別的當(dāng)硅蒸汽在托桿護(hù)套上凝結(jié)時(shí)，會(huì)造成坩堝托桿旋轉(zhuǎn)拉晶時(shí)與護(hù)套發(fā)生摩擦而晃動(dòng)，影響單晶硅的質(zhì)量；而且，在抽氣口排氣過(guò)程中，由于反射板的阻擋，使得氣體流通不暢，造成氣體漩渦，從而使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)產(chǎn)生較大波動(dòng)，也會(huì)對(duì)單晶硅的質(zhì)量造成不良影響。即反射板的存在導(dǎo)致了硅蒸汽在其下方部件的凝結(jié)以及排氣時(shí)造成爐內(nèi)壓強(qiáng)的波動(dòng)。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，如果將硅蒸汽直接從反射板的上方排出爐體，一方面避免了硅 蒸汽在反射板下方低溫區(qū)域的凝結(jié)；另一發(fā)面，由于氣體是從反射板的上方排出爐體外部的，避免了在排氣過(guò)程中由于反射板對(duì)氣流的阻擋造成的爐內(nèi)壓強(qiáng)的波動(dòng)。基于上述研究，本實(shí)用新型提供了一種單晶爐排氣裝置，所述單晶爐包括爐體和鋪設(shè)在所述爐體底部的保護(hù)層，該單晶爐排氣裝置包括設(shè)置在所述保護(hù)層上方的反射板，所述反射板設(shè)置在所述加熱器的正下方；其中，所述反射板包括上下反射板，并且該反射板上設(shè)置有貫穿上下反射板的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管與靠近反射板的爐體抽氣口連通，并且，所述導(dǎo)氣管的形狀和大小與所述通孔的形狀相匹配。本實(shí)用新型技術(shù)方案所提供的單晶爐排氣裝置通過(guò)設(shè)置在所述反射板的通孔中的導(dǎo)氣管將硅蒸汽直接從反射板的上方排出爐體。由于爐內(nèi)是低氣壓，排氣是在真空泵作用下的主動(dòng)排氣，所以爐體上方的硅蒸汽在向下流通時(shí)將直接從反射板上方通過(guò)所述導(dǎo)氣管排出爐體，從而避免了硅蒸汽在反射板下方空間的積聚而導(dǎo)致的硅蒸汽在反射板下方工件上的的凝結(jié)；同時(shí)，由于硅蒸汽是直接從反射板的上面排出爐體外部的，避免了排氣時(shí)反射板對(duì)氣流的遮擋，從而保證了排氣氣流的通暢，避免了爐內(nèi)氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生較大的波動(dòng)，從而保證了單晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量。以上是本實(shí)用新型技術(shù)方案的核心思想，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示裝置件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及高度的三維空間尺寸。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種單晶爐排氣裝置，參考圖2，圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種單晶爐排氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括設(shè)置在所述保護(hù)層上方的反射板，所述反射板設(shè)置在所述加熱器的正下方，所述反射板包括上反射板12、下反 射板13，并且該反射板上設(shè)置有貫穿上下反射板的通孔，所述通孔可以為圓形通孔、方形通孔等；設(shè)置在所述通孔內(nèi)的導(dǎo)氣管14，所述導(dǎo)氣管14的形狀與所述通孔的形狀相匹配；與所述所述導(dǎo)氣管14下端連通的導(dǎo)氣管護(hù)套，所述導(dǎo)氣管護(hù)套包括水平排氣管16和方形管15，所述方形管15具有豎直接口和水平接口，所述豎直接口與所述導(dǎo)氣管14下端連通，所述水平接口與所述水平排氣管16的一端連通，所述水平排氣管16的另一端與靠近反射板的爐體抽氣口連通。優(yōu)選的，本實(shí)施例中所述通孔為圓形通孔，所以所述導(dǎo)氣管14為圓形導(dǎo)氣管，SP導(dǎo)氣管的橫截面為圓形。參考圖3和圖4，圖3為所述導(dǎo)氣管的俯視圖，所述導(dǎo)氣管的外徑與所述通孔的直徑相等，以保證所述通孔與所述導(dǎo)氣管緊密接觸。正如前面所述，本實(shí)施例所述導(dǎo)氣孔及導(dǎo)氣管的形狀不止一種，本實(shí)施例所述結(jié)構(gòu)只是一種優(yōu)選的實(shí)施方式，并不是唯一方式。參考圖5和圖6，圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單晶爐排氣裝置的導(dǎo)氣管護(hù)套的俯視圖，圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單晶爐排氣裝置的導(dǎo)氣管護(hù)套的切面圖。所述導(dǎo)氣管護(hù)套包括水平排氣管16和方形管15，所述方形管15具有豎直接口 18和水平接口，所述豎直接口 18與所述導(dǎo)氣管14下端連通，所述水平接口與所述水平排氣管16的一端連通，所述水平排氣管16的另一端與靠近反射板的爐體抽氣口連通。其中，所述豎直接口 18為與所述導(dǎo)氣管形狀相匹配的卡槽，參考圖6，所述卡槽用于承載所述導(dǎo)氣管，所述卡槽的高度為所述卡槽的寬度和導(dǎo)氣管管壁的厚度相同，以保證所述豎直接口 18為與所述導(dǎo)氣管14緊密接觸。同時(shí)，在所述導(dǎo)氣管護(hù)套的前后側(cè)壁上還分別設(shè)置有一個(gè)8mm-12mm左右的輔助抽氣口 17。所述單晶爐排氣裝置在進(jìn)行排氣時(shí)，反射板上方流至反射板的絕大部分硅蒸汽在反射板上方經(jīng)過(guò)設(shè)置在反射板通孔內(nèi)的導(dǎo)氣管排到爐外，對(duì)于少量存在于反射板下方硅蒸汽可通過(guò)所述輔助抽氣口排到爐外。需要說(shuō)明的是圖5和圖6中所示導(dǎo)流管護(hù)套為一體成型結(jié)構(gòu)，所述方形管的水平接口與水平管的一端連通是為了便于說(shuō)明所述導(dǎo)流管護(hù)套結(jié)構(gòu)，即所述方形管15和水平管16可以通過(guò)接口連通，但是為了保證氣密性，優(yōu)選的，所述導(dǎo)流管護(hù)套為一體成型結(jié)構(gòu)，參考圖2、圖5及圖6，由于所述方形管的穩(wěn)定好，不易滾動(dòng)，所以可以直接通過(guò)所述方形管15對(duì)所述反射板進(jìn)行支撐、固定。所述方形管15的高度為90mm-100mm,此時(shí),反射板的作用效果最好。通過(guò)所述導(dǎo)氣管護(hù)套實(shí)現(xiàn)所述反射板通孔中的導(dǎo)氣管與所述抽氣口的連接方式是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種優(yōu)選實(shí)施方式，同時(shí)還可以通過(guò)一個(gè)“L”形的導(dǎo)氣管，如圖7所示，“L”形的導(dǎo)氣管19上端貫穿反射板的通孔，其下端橫向部分連接抽氣口。此時(shí)，需要相應(yīng)的支撐部件支撐反射板，如可采用與現(xiàn)有技術(shù)相同的螺釘、螺母支撐，圖7中未示出，僅示出了管道的連接關(guān)系。由于單晶爐內(nèi)為高溫腐蝕性環(huán)境，導(dǎo)氣通路中的各部件需要耐高溫、耐腐蝕器件。聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯為高分子合成材料，具有強(qiáng)度大、耐高溫、耐腐蝕，所以優(yōu)選的，所述導(dǎo)氣管為聚偏氟乙烯導(dǎo)氣管或聚丙烯導(dǎo)氣管；所述導(dǎo)氣管護(hù)套為聚偏氟乙烯護(hù)套或聚丙烯護(hù)套。參考圖8，圖8為一種設(shè)置有本實(shí)用新型實(shí)施例所提供一種排氣裝置的單晶爐的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8中各部件除所述排氣裝置外與現(xiàn)有技術(shù)標(biāo)注相同。需要說(shuō)明的是本實(shí)施例所提供的附圖中為便于圖示清楚、有條理，圖中某些部件未進(jìn)行標(biāo)注，各裝置的結(jié)構(gòu)可參考多個(gè)與之相關(guān)的附圖。從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例中所述單晶爐排氣裝置在進(jìn)行單晶硅鑄錠時(shí)通過(guò)設(shè)置在反射板通孔內(nèi)的導(dǎo)氣管將硅蒸汽直接從反射板的上方排出爐體，由于爐內(nèi)是低氣壓，排氣是在真空泵作用下的主動(dòng)排氣，所以爐體上方的硅蒸汽在向下流通時(shí)將經(jīng)過(guò)導(dǎo)氣管直接從反射板上方通過(guò)設(shè)置在反射板通孔內(nèi)與所述抽氣口連通的導(dǎo)氣管排出爐體，從而避免了硅蒸汽在反射板下方空間的積聚而導(dǎo)致的硅蒸汽在反射板下方工件上的的凝結(jié)；同時(shí)，由于硅蒸汽是直接從反射板的上方排出爐體的，避免了排氣時(shí)反射板對(duì)氣流的遮擋，從而保證了排氣氣流的通暢，避免了爐內(nèi)氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生較大的波動(dòng)，從而保證了單晶娃的廣品質(zhì)量。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種單晶爐排氣裝置，所述單晶爐包括爐體和鋪設(shè)在所述爐體底部的保護(hù)層，其特征在于，該排氣裝置包括 設(shè)置在所述保護(hù)層上方的反射板，所述反射板設(shè)置在所述加熱器的正下方； 其中，所述反射板包括上下反射板，并且該反射板上設(shè)置有貫穿上下反射板的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管與靠近反射板的爐體抽氣ロ連通，并且，所述導(dǎo)氣管的形狀和大小與所述通孔的形狀相匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的排氣裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管通過(guò)導(dǎo)氣管護(hù)套與爐體抽氣ロ連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的排氣裝置，其特征在干，所述導(dǎo)氣管護(hù)套包括水平排氣管和 方形管，所述方形管具有豎直接口和水平接ロ，所述豎直接ロ與所述導(dǎo)氣管下端連通，所述水平接ロ與所述水平排氣管的一端連通，所述水平排氣管的另一端與所述抽氣ロ連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的排氣裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管為“L”字形的導(dǎo)氣管，所述“L”字形的導(dǎo)氣管的豎直端連通所述通孔，所述“L”字形的導(dǎo)氣管的水平端連接所述抽氣ロ。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的排氣裝置，其特征在于，所述通孔包括為圓形通孔或方形通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的排氣裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管為 聚偏氟こ烯導(dǎo)氣管； 或聚丙烯導(dǎo)氣管。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的排氣裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管護(hù)套為 聚偏氟こ烯護(hù)套； 或聚丙烯護(hù)套。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種單晶爐排氣裝置，該排氣裝置包括設(shè)置在保護(hù)層上方的反射板，所述反射板設(shè)置在所述加熱器的正下方；其中，所述反射板包括上下反射板，并且該反射板上設(shè)置有貫穿上下反射板的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管與靠近反射板的爐體抽氣口連通，并且，所述導(dǎo)氣管的形狀和大小與所述通孔的形狀相匹配。在進(jìn)行排氣時(shí)，硅蒸汽直接通過(guò)與所述抽氣口連通的導(dǎo)氣管排出爐體，即硅蒸汽從反射板上方排出爐體的，從而避免了硅蒸汽在反射板下方工件附件的凝結(jié)；同時(shí)，避免了排氣時(shí)反射板對(duì)氣流的遮擋，從而保證了排氣時(shí)氣流的通暢，避免了爐內(nèi)氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生較大的波動(dòng)，保證單晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號(hào)C30B15/00GK202415734SQ20112057491
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者周浩 申請(qǐng)人:英利能源(中國(guó))有限公司