專利名稱：蒸鍍裝置和蒸鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如適合大型的有機(jī)EL顯示器(Electro Luminescence display,電致發(fā)光顯示器)的蒸鍍裝置和蒸鍍方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，要求平板顯示器的大型化、高畫質(zhì)化、低消費(fèi)電力化，能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)、高畫質(zhì)的有機(jī)EL顯示器受到較高的關(guān)注。有機(jī)EL顯示器的結(jié)構(gòu)，例如為全彩的有源矩陣方式的有機(jī)EL顯示器的情況下，在設(shè)置有TFT (薄膜晶體管)的基板上設(shè)置薄膜狀的有機(jī)EL元件。有機(jī)EL元件中，在一對(duì)電極之間疊層包括紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)的發(fā)光層的有機(jī)EL層，對(duì)這些電極之間施加電壓使各發(fā)光層發(fā)光，因此利用該光進(jìn)行圖像顯示。 在這樣的有機(jī)EL顯示器的制造中，使用真空蒸鍍法、噴墨打印法、激光轉(zhuǎn)印法等方法進(jìn)行發(fā)光層、電極等薄膜的圖案形成。例如，低分子型的有機(jī)EL顯示器(OLED)中，發(fā)光層的圖案形成主要使用真空蒸鍍法。真空蒸鍍法中，通常，將圖案形成了規(guī)定的開(kāi)口的掩模密合固定在基板，在使掩模一側(cè)朝向蒸鍍?cè)吹臓顟B(tài)下設(shè)置在真空腔室中。然后，通過(guò)在基板的所期望的位置，通過(guò)掩模的開(kāi)口從蒸鍍?cè)磳?duì)成膜材料進(jìn)行蒸鍍，進(jìn)行發(fā)光層等薄膜的圖案形成。各色的發(fā)光層，以分別個(gè)別地分涂的方式蒸鍍(分涂蒸鍍)。特別是在批量生產(chǎn)工藝中，一般使用與基板同等尺寸的掩模(密合型整面掩模(蔭罩，shadow mask)),將與該掩模密合的基板相對(duì)于蒸鍍?cè)垂潭ㄔ谝?guī)定位置的狀態(tài)下進(jìn)行蒸鍍?？芍€有使基板等相對(duì)于蒸鍍?cè)聪鄬?duì)移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍的真空蒸鍍法(專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I中，使用比形成的電極的面積更小、按規(guī)定間隔形成多個(gè)小孔和細(xì)長(zhǎng)的狹縫孔的掩模。使該掩模在相對(duì)于小孔等的排列方向交叉的方向上移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，形成規(guī)定圖案的電極。關(guān)于本發(fā)明，公開(kāi)了通過(guò)對(duì)蒸發(fā)源(蒸鍍?cè)?的孔形狀進(jìn)行改進(jìn)，減小飛濺的蒸發(fā)材料的擴(kuò)散范圍的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)2中，朝向基板使蒸發(fā)材料射出的孔的形狀，形成為上面觀察時(shí)是圓形、越朝向出口口徑越大的錐形。這樣，能夠使蒸發(fā)材料的膜厚分布集中到孔的正上方，使材料不浪費(fèi)地覆蓋到基板上?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)平10-102237號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2004-169066號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題在現(xiàn)有的批量生產(chǎn)工藝下對(duì)發(fā)光層等通過(guò)真空蒸鍍法圖案形成的情況下，如果基板增大，則掩模也隨之大型化。從而，如果基板增大，則因掩模的自重?fù)锨?、延伸，基板與掩模之間易于產(chǎn)生間隙。因此，大型基板難以進(jìn)行高精度的圖案形成，會(huì)發(fā)生蒸鍍位置的錯(cuò)位、混色，難以實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化。此外，如果基板増大，掩模和保持其的框等變得大型，其重量也會(huì)増加，所以難以處理，存在引起生產(chǎn)性、安全性的障礙的可能性。由于相關(guān)裝置也同樣大型化、復(fù)雜化，裝置設(shè)計(jì)變得困難，設(shè)置成本也變得高額。因此，現(xiàn)有的真空蒸鍍法中難以對(duì)應(yīng)大型基板，例如，實(shí)際情況是還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)對(duì)于超過(guò)60英寸尺寸的大型基板能夠以批量生產(chǎn)水平進(jìn)行圖案形成的方法。對(duì)此，本發(fā)明人曾經(jīng)提出了能夠?qū)?yīng)這樣的大型基板的蒸鍍方法(也稱為新蒸鍍法)(日本特愿2009-213570)。具體而言，使用面積比基板小的掩模(蔭罩)和蒸鍍?cè)匆惑w化的掩模單元。在掩模與基板的間隙保持為固定的狀態(tài)下，使掩模單元對(duì)于基板相對(duì)地掃描的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。這樣，避免了上述伴隨基板的大型化的問(wèn)題，能夠以批量生產(chǎn)エ藝實(shí)現(xiàn)通過(guò)蒸鍍進(jìn)行的大型 基板的圖案形成。然而，該新蒸鍍法的情況下，確認(rèn)到圖案形成的薄膜的蒸鍍擴(kuò)散易于變大的傾向。圖I中表示了表示新蒸鍍法的蒸鍍過(guò)程的示意圖。圖中，101為基板，102為蒸鍍掩模，102a為開(kāi)ロ，103為蒸鍍?cè)矗?03a為放射蒸鍍顆粒的射出ロ，110是基板上形成的發(fā)光層等薄膜。使蒸鍍掩模102與蒸鍍?cè)?03単元化而使相對(duì)位置關(guān)系固定。箭頭線表示該蒸鍍掩模102等對(duì)于基板101的相對(duì)的掃描方向。新蒸鍍法中，在蒸鍍掩模102與基板101之間保持固定的間隙的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。因此,如圖2所示,傾斜地通過(guò)蒸鍍掩模102的開(kāi)ロ 102a的蒸鍍顆粒的一部分附著在蒸鍍區(qū)域rl (與蒸鍍掩模102的開(kāi)ロ 102a相対的區(qū)域)外側(cè)的部分，在相對(duì)于掃描方向垂直的方向上發(fā)生蒸鍍擴(kuò)散(暈開(kāi))。由于發(fā)光層等起到像素的發(fā)光區(qū)域的作用，所以蒸鍍擴(kuò)散到達(dá)相鄰的像素的發(fā)光區(qū)域時(shí)，會(huì)引起混色、特性的劣化。從而，優(yōu)選蒸鍍擴(kuò)散盡可能小。其中，此處所說(shuō)的“蒸鍍擴(kuò)散”，如該圖中所示，指的是在蒸鍍區(qū)域rl的外側(cè)的部分形成的薄膜 110。蒸鍍擴(kuò)散能夠通過(guò)減小蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙而減少。例如，如圖3所示，由于蒸鍍顆粒的飛行具有指向性，從掃描方向來(lái)看，設(shè)相對(duì)干與基板101、蒸鍍掩模102、蒸鍍?cè)?03正交的軸線(也稱為蒸鍍軸線LI )，蒸鍍顆粒入射到基板101的角度(入射角度)的最大值為Y，蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙的垂直間距為P時(shí)，蒸鍍擴(kuò)散的寬度(圖中的B)為PXtany。從而，如果蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙増大，則蒸鍍擴(kuò)散増大，如果間隙減小，則蒸鍍擴(kuò)散減小，所以優(yōu)選蒸鍍掩模102與基板101盡可能接近。然而該情況下，需要使蒸鍍掩模102與基板101接近至極限例如數(shù)10 μ m等，在該狀態(tài)下使二者不接觸地進(jìn)行掃描，而這樣的蒸鍍掩模102和基板101的高精密的控制難以穩(wěn)定地進(jìn)行，特別基板101為大型的情況下，難以實(shí)用化。除此以外考慮減小入射角度Y作為減少蒸鍍擴(kuò)散的方法。入射角度Y受到從射出口 103a射出的蒸鍍顆粒的射出角度Ψ或蒸鍍顆粒通過(guò)開(kāi)ロ 102a的通過(guò)角度δ (均為相對(duì)于蒸鍍軸線LI的角度)中的任一個(gè)的限制。由于該圖中是示意地表示，看起來(lái)沒(méi)有顯著差別，而通常，由于開(kāi)ロ 102a的寬度是微小的，一般而言通過(guò)角度δ比射出角度ψ更小，入射角度Y受到通過(guò)角度5限制。如圖4所示，該通過(guò)角度δ的最大值受到蒸鍍掩模102的開(kāi)口 102a的截面縱橫比的影響。截面縱橫比是由開(kāi)口 102a的寬度、深度、截面形狀等決定的值。此處，用從掃描方向來(lái)看，與同掩模表面正交地延伸的開(kāi)口 102a的截面的寬度尺寸h相對(duì)的深度尺寸f的比例(f/h)表示截面縱橫比。該情況下，如圖中所示，與實(shí)線表示的低截面縱橫比(fl/h)的蒸鍍掩模102相比，兩點(diǎn)劃線表示的高截面縱橫比(f2/h)的蒸鍍掩模102的通過(guò)角度δ的最大值更小。從而，在減少蒸鍍擴(kuò)散的基礎(chǔ)上，提高蒸鍍掩模102的開(kāi)口 102a的截面縱橫比可以視為有效的方法之一。但是，作為實(shí)現(xiàn)高截面縱橫比的方法，考慮高精度地形成開(kāi)口 102a的截面形狀或增大蒸鍍掩模102的厚度等，但均不容易。例如，如果使用電鑄法或利用激光切割的挖掘法等，能夠高精度地形成開(kāi)口 102a的截面形狀。但是，難以對(duì)深度相對(duì)于寬度為3倍以上這樣深度相對(duì)于寬度較大的開(kāi)口的截面形狀以μm級(jí)高精度地加工。另一方面，增大蒸鍍掩模102的厚度時(shí)，蒸鍍掩模102的重量相應(yīng)地增加，易于產(chǎn)生因自重引起的撓曲變形。產(chǎn)生撓曲變形時(shí)，蒸鍍掩模102與基板101之間的間隙會(huì)變得不穩(wěn)定。如果蒸鍍掩模102大型化，則處理、蒸鍍裝置內(nèi)的控制也會(huì)變得困難。此外，如果厚度增大，則蒸鍍顆粒易于附著在開(kāi)口 102a的內(nèi)面，所以開(kāi)口 102a容易變窄，存在發(fā)生堵塞的可能性。因此，還存在蒸鍍掩模102的更換頻率變高等不利之處。
入射角度Y能夠通過(guò)使蒸鍍顆粒的射出角度Ψ比通過(guò)角度δ小而減小。但是，如上所述，一般而言蒸鍍顆粒的最大射出角度Ψ大于通過(guò)角度δ。S卩，雖然也取決于蒸鍍?cè)吹姆N類、結(jié)構(gòu)，但通常，蒸鍍顆粒以射出口 103a的正上方、即射出角度Ψ為O的蒸鍍軸線LI方向?yàn)橹行南蚱渲車鷶U(kuò)散地放射，飛行的蒸鍍顆粒按概率分布。蒸鍍顆粒的分布在射出口 103a的正上方最大，射出角度Ψ越大則越減小，其最大的射出角度Ψ的變大，為隨著在蒸鍍掩模102的周邊設(shè)置遮蔽板的程度。這一點(diǎn)，根據(jù)之前的專利文獻(xiàn)2的蒸發(fā)源，蒸發(fā)材料的膜厚分布變化劇烈，能夠使蒸鍍顆粒集中到射出方向的中心。從而，如果使用該蒸發(fā)源，能夠增加射出角度Ψ比通過(guò)角度δ小的蒸鍍顆粒數(shù)。但是，該方法的情況下，由于只改善了蒸鍍顆粒的分布特性，射出角度Ψ比通過(guò)角度δ大的蒸鍍顆粒仍然較多地殘留，對(duì)于蒸鍍擴(kuò)散的減少并不有效。于是，本發(fā)明的目的在于提供能夠用實(shí)用的方法有效地減少蒸鍍擴(kuò)散，以批量生廣工藝實(shí)現(xiàn)聞品質(zhì)聞精細(xì)的大型的有機(jī)EL顯不器的制造的蒸鍛裝置等。用于解決課題的技術(shù)手段為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明中，在蒸鍍?cè)磁c蒸鍍掩模之間設(shè)置規(guī)定結(jié)構(gòu)的蒸鍍校正部件，能夠?qū)嵸|(zhì)性地使蒸鍍顆粒的射出角度限制為較小。具體而言，本發(fā)明的蒸鍍裝置是在基板上按規(guī)定的圖案形成薄膜的蒸鍍裝置，包括蒸鍍掩模、在上述蒸鍍掩模一側(cè)具有射出口并從該射出口放射形成上述薄膜的蒸鍍顆粒的蒸鍍?cè)础⒃谏鲜稣翦冄谀Ｅc上述蒸鍍?cè)粗g配置的2個(gè)以上蒸鍍校正部件。上述各蒸鍍校正部件分別具有與上述蒸鍍掩模大致平行地配置的多個(gè)葉片板、支承上述多個(gè)葉片板的框。上述各葉片板分別在相對(duì)于上述蒸鍍掩模傾斜的狀態(tài)下，以從與上述蒸鍍掩模正交的方向來(lái)看、與相鄰的葉片板之間隔著開(kāi)口相互平行地延伸的方式配置。
即，在蒸鍍?cè)磁c蒸鍍掩模之間，至少配置2個(gè)蒸鍍校正部件，各蒸鍍校正部件上，與蒸鍍掩模大致平行地橫向排列地配置多個(gè)葉片板。各葉片板相對(duì)于蒸鍍掩模傾斜，從與蒸鍍掩模正交的方向來(lái)看隔著一定的開(kāi)ロ(也稱為葉片板間開(kāi)ロ)相互相鄰。從而，通過(guò)調(diào)整葉片板的傾斜度和葉片板間開(kāi)ロ的寬度、配置等的各蒸鍍校正部件的設(shè)定，能夠使從蒸鍍?cè)闯蛘翦冄谀Ｒ粋?cè)的蒸鍍顆粒的一部分被各蒸鍍校正部件遮擋，僅使朝向所需的方向的蒸鍍顆粒通過(guò)。結(jié)果，能夠調(diào)整到達(dá)蒸鍍掩模的蒸鍍顆粒的射出角度將其限制在規(guī)定的范圍內(nèi)，能夠減少蒸鍍擴(kuò)散(暈開(kāi))。被各蒸鍍校正部件遮擋的蒸鍍顆粒(蒸鍍材料)附著在蒸鍍校正部件上而堆積，但通過(guò)使葉片板對(duì)于蒸鍍掩模傾斜，在相対的葉片板之間的間隙増大的同時(shí)能夠使葉片板間開(kāi)ロ減小。從而，能夠有效地抑制因蒸鍍材料的堆積而使葉片板間開(kāi)ロ變窄，連續(xù)地長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行蒸鍍處理。更具體而言，優(yōu)選蒸鍍裝置還包括包含上述蒸鍍掩模、上述蒸鍍?cè)春蜕鲜稣翦冃Ｕ考?，固定它們的相?duì)位置關(guān)系的掩模單元；支承上述基板的基板支承裝置；和在上述 基板與上述蒸鍍掩模之間設(shè)置有一定空隙的狀態(tài)下，使上述掩模單元和上述基板中至少ー個(gè)沿著規(guī)定的掃描方向相對(duì)地移動(dòng)的移動(dòng)裝置。上述蒸鍍掩模具有多個(gè)條狀的開(kāi)ロ，以這些開(kāi)ロ的延伸方向與上述掃描方向一致的方式配置上述蒸鍍掩模，上述各蒸鍍校正部件以上述葉片板的延伸方向與上述掃描方向一致的方式配置，上述蒸鍍校正部件的各自的上述葉片板從上述掃描方向來(lái)看以相同的角度傾斜。這樣，能夠與基板的大小無(wú)關(guān)地穩(wěn)定地形成減少了蒸鍍擴(kuò)散的范圍的條狀的發(fā)光層等薄膜，因此能夠以批量生產(chǎn)エ藝實(shí)現(xiàn)高精細(xì)高品質(zhì)的大型的有機(jī)EL顯示器的制造。該情況下，優(yōu)選上述蒸鍍校正部件包括各自的上述葉片板反向傾斜的2個(gè)蒸鍍校正部件。這樣，能夠有效地減少條狀的薄膜的兩側(cè)的蒸鍍擴(kuò)散。此外，通過(guò)使反向(方向相反)的葉片板的各自的傾斜程度不同，還能夠分別調(diào)整薄膜兩側(cè)的蒸鍍擴(kuò)散的寬度(范圍)。進(jìn)而，蒸鍍裝置中也能夠具備使至少任ー個(gè)上述蒸鍍校正部件翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)裝置。通過(guò)使蒸鍍校正部件翻轉(zhuǎn)，葉片板的一個(gè)面上堆積了大量的蒸鍍顆粒的情況下，能夠應(yīng)用另ー個(gè)面，使蒸鍍校正部件的更換次數(shù)減半。此外，還優(yōu)選蒸鍍裝置中，具備使至少任ー個(gè)上述蒸鍍校正部件在與上述蒸鍍掩模正交的方向上滑動(dòng)位移的滑動(dòng)裝置。這樣，能夠使用滑動(dòng)裝置自動(dòng)地進(jìn)行蒸鍍校正部件的配置調(diào)整，能夠容易并且迅速地進(jìn)行蒸鍍校正部件的高精度的定位。還能夠使蒸鍍校正部件無(wú)需從掩模單元取下地翻轉(zhuǎn)。進(jìn)而，還可以使至少任ー個(gè)上述蒸鍍校正部件，能夠從上述掃描方向來(lái)看傾斜地設(shè)置，具備對(duì)能夠傾斜的上述蒸鍍校正部件的傾斜度進(jìn)行調(diào)整的控制裝置。通過(guò)使蒸鍍校正部件自身傾斜，例如，在進(jìn)行蒸鍍處理的同吋，能夠?qū)ο鄬?duì)于蒸鍍掩模的葉片板的傾斜度進(jìn)行微調(diào)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更實(shí)用并且更高精度的蒸鍍擴(kuò)散的減少。此外，還能夠使至少任ー個(gè)上述蒸鍍校正部件上的上述葉片板被上述框以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承，還具備使能夠旋轉(zhuǎn)的上述葉片板旋轉(zhuǎn)位移的旋轉(zhuǎn)裝置、與上述旋轉(zhuǎn)裝置共同作用來(lái)調(diào)節(jié)能夠旋轉(zhuǎn)的上述葉片板的傾斜度的控制裝置。
這樣，由于通過(guò)旋轉(zhuǎn)裝置與控制裝置的共同作用，能夠自由地調(diào)整葉片板的傾斜角度，在蒸鍍處理中能夠與其狀況相應(yīng)地調(diào)整葉片板的傾斜角度，能夠與處理的基板相應(yīng)地變更葉片板的傾斜角度的設(shè)定，所以通用性優(yōu)良。通過(guò)葉片板的旋轉(zhuǎn)能夠使其傾斜方向變?yōu)榉聪颍约词共淮嬖诜D(zhuǎn)裝置也能夠使蒸鍍校正部件的更換次數(shù)減半。優(yōu)選至少任一個(gè)上述蒸鍍校正部件以能夠取下的方式設(shè)置。這樣，能夠定期地回收蒸鍍校正部件上堆積的蒸鍍材料。例如，蒸鍍材料能夠加熱回收，而由于蒸鍍掩模存在導(dǎo)致變形的可能性，蒸鍍掩模上附著的蒸鍍材料不能通過(guò)加熱回收。對(duì)此，如果是蒸鍍校正部件則能夠進(jìn)行加熱處理，所以能夠簡(jiǎn)單地回收堆積的蒸鍍材料。從而，能夠確保較高的材料的使用效率。本發(fā)明的蒸鍍方法，通過(guò)使從蒸鍍?cè)捶派涞恼翦冾w粒通過(guò)在蒸鍍掩模形成的多個(gè)開(kāi)口而進(jìn)行蒸鍍，在基板上形成規(guī)定圖案的薄膜。在上述蒸鍍?cè)磁c上述蒸鍍掩模之間，配置僅允許分別朝向不同的規(guī)定方向的上述蒸鍍顆粒通過(guò)的至少2個(gè)以上的蒸鍍校正部件，在通過(guò)這些蒸鍍校正部件限制上述蒸鍍顆粒的前進(jìn)方向的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。
根據(jù)該蒸鍍方法，從蒸鍍?cè)闯蛘翦冄谀Ｒ粋?cè)的蒸鍍顆粒中朝向規(guī)定的不同方向的蒸鍍顆粒，在到達(dá)蒸鍍掩模之前被限制前進(jìn)方向。從而，能夠僅使規(guī)定的前進(jìn)方向的蒸鍍顆粒到達(dá)蒸鍍掩模，因此能夠?qū)嵸|(zhì)性地減小放射角度，減少蒸鍍擴(kuò)散。具體而言,包括在使上述基板被上述基板支承裝置支承，上述基板與上述蒸鍍掩模之間設(shè)置有上述空隙的狀態(tài)下，使上述掩模單元與上述基板相對(duì)的位置對(duì)準(zhǔn)工序，和在通過(guò)上述移動(dòng)裝置使上述掩模單元和上述基板中的至少一個(gè)沿著規(guī)定的掃描方向相對(duì)地移動(dòng)的同時(shí)依次進(jìn)行蒸鍍，形成上述薄膜的蒸鍍工序即可。這樣，僅通過(guò)進(jìn)行規(guī)定的操作，就能夠與基板尺寸大小無(wú)關(guān)地進(jìn)行減少了蒸鍍擴(kuò)散的蒸鍍，所以適合大型的有機(jī)EL顯示器的批量生產(chǎn)工藝。特別是，優(yōu)選包括蒸鍍校正部件設(shè)置為可取下的情況下，將上述蒸鍍校正部件從上述蒸鍍裝置取下，回收該蒸鍍校正部件上附著的蒸鍍顆粒的回收工序。這樣，能夠確保較高的材料的使用效率。發(fā)明的效果如以上所說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明，能夠用實(shí)用的方法有效地減少蒸鍍擴(kuò)散，因此在批量生廣工藝中，也能夠制造聞品質(zhì)聞精細(xì)的大型的有機(jī)EL顯不器。


圖I是表示新蒸鍍法中蒸鍍過(guò)程的一例的示意圖。圖2是將圖I中兩點(diǎn)劃線表示的部分放大后的概要圖。圖3是表示蒸鍍掩模等的結(jié)構(gòu)與蒸鍍擴(kuò)散的關(guān)系的圖。圖4是表示蒸鍍掩模的開(kāi)口的截面縱橫比與通過(guò)角度的關(guān)系的圖。圖5是表不第一實(shí)施方式中的有機(jī)EL顯不器的不意截面圖。圖6是表示基板的主要部分的概要平面圖。圖7是表示圖6中的I-I線的截面的概要圖。圖8是表不有機(jī)EL顯不器的基本的制造工序的流程圖。圖9是表示蒸鍍裝置的主要部分的概要平面圖。
圖10是表示圖9中的II-II線的截面的概要圖。圖11是在圖9中除去掩模的部分表示的概要圖。圖12是表示校正板的一部分的概要立體圖。圖13是表示第一校正板中的葉片板的部分的示意圖。圖14是表示第二校正板中的葉片板的部分的示意圖。圖15是表示蒸鍍?cè)?、第一校正板和第二校正板的部分的示意圖。圖16是用于說(shuō)明蒸鍍擴(kuò)散的減少的示意圖。圖17是表示其他方式的蒸鍍裝置的主要部分的概要圖。圖18是表示發(fā)光層的蒸鍍エ序的流程圖。 圖19 (a)、(b)是用于說(shuō)明校正板的翻轉(zhuǎn)的圖。圖20是變形例中相當(dāng)于圖10的圖。圖21是變形例中相當(dāng)于圖11的圖。
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，以下的說(shuō)明本質(zhì)上只是例示，并不限制本發(fā)明、其應(yīng)用物或其用途。(有機(jī)EL顯示器)本實(shí)施方式中，以將本發(fā)明應(yīng)用于有機(jī)EL顯示器的制造的情況為例說(shuō)明。本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示器是通過(guò)控制紅色(R)、緑色(G)、藍(lán)色(B)等各顔色(統(tǒng)稱為RGB)構(gòu)成的多個(gè)像素(子像素2R、2G、2B)的發(fā)光，實(shí)現(xiàn)全彩的圖像顯示的有源矩陣型的顯示器。如圖5所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示器I由基板10、薄膜狀的有機(jī)EL元件20、密封板30等構(gòu)成?；?0和密封板30的外觀均呈矩形板狀，有機(jī)EL元件20在被夾在它們之間的狀態(tài)下將周圍用粘合劑等密封部件40堵塞而密封?；?0的表面的中央部是進(jìn)行圖像顯示的顯示區(qū)域11，在該處配置有機(jī)EL元件20。如圖6和圖7所示，在基板10的顯示區(qū)域11中，設(shè)置有TFT12 (Thin FilmTransistor,薄膜晶體管)、配線13、層間膜14等?；?0使用玻璃板等。由于本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯不器I為從基板10 —側(cè)導(dǎo)出發(fā)光的底部發(fā)射型，所以優(yōu)選透明的基板10，而為頂部發(fā)射的情況下，不一定要是透明的。配線13由在基板10上圖案形成、平行地延伸的多條柵極線和與這些柵極線交叉并平行地延伸的多條信號(hào)線構(gòu)成。在被這些柵極線等配線13格子狀地包圍的多個(gè)區(qū)域中，配置RGB的各顏色的子像素2R、2G、2B，在這些子像素2R、2G、2B中分別設(shè)置控制發(fā)光的TFT12。RGB的各色的子像素2R、2G、2B在行方向上按每種顏色配置為一列，在列方向上按RGB的順序反復(fù)配置。列方向上連續(xù)的RGB的三個(gè)子像素2R、2G、2B構(gòu)成ー個(gè)像素。詳情在之后敘述，各子像素2R、2G、2B的發(fā)光層25R、25G、25B由按顏色分別形成的條狀的薄膜3形成。層間膜14是也起到平坦化膜作用的丙烯酸樹(shù)脂等絕緣性的薄膜。層間膜14以覆蓋TFT12等的方式在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中疊層。有機(jī)EL顯示器I為底部發(fā)射型的情況下，優(yōu)選層間膜14是透明的。有機(jī)EL元件20由第一電極21 (陽(yáng)極)、有機(jī)EL層22、第二電極23 (陰極)等構(gòu)成。第一電極21例如由ITO (Indium Tin Oxide,銦錫氧化物)等構(gòu)成,在層間膜14上疊層,通過(guò)與子像素2R、2G、2B對(duì)應(yīng)地格子狀地圖案形成而形成多個(gè)。這些第一電極21通過(guò)接觸孔14a與各TFT12連接。在這些第一電極21上，疊層形成絕緣性的邊蓋15。在邊蓋15上形成按每個(gè)子像素2R、2G、2B以矩形開(kāi)ロ的發(fā)光區(qū)域16R、16G、16B,第一電極21的大部分從該發(fā)光區(qū)域16R、16G、16B露出，第一電極21的端部被邊蓋15覆蓋。其中，各像素的發(fā)光通過(guò)這些發(fā)光區(qū)域16R、16G、16B被導(dǎo)出。此外，也可以使疊層結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)，第一電極21為陰極，第ニ電極23為陽(yáng)扱。該情況下，被兩個(gè)電極夾住的各層的疊層順序也進(jìn)行翻轉(zhuǎn)。有機(jī)EL層22設(shè)置在第一電極21與第二電極23之間。本實(shí)施方式的有機(jī)EL層22中，從第一電極21 —側(cè)起依次疊層形成空穴傳輸層24、發(fā)光層25R、25G、25B、電子傳輸層26以及電子注入層27。本實(shí)施方式的空穴傳輸層24還具有作為空穴注入層的功能。其中，本實(shí)施方式所示的有機(jī)EL層22的結(jié)構(gòu)是一例，能夠不限于此而根據(jù)需要選擇各層組合。例如，也可以與空穴傳輸層24分開(kāi)設(shè)置空穴注入層，還可以進(jìn)ー步設(shè)置阻擋層。有機(jī)EL層22中至少包括發(fā)光層25R、25G、25B即可?？昭▊鬏攲?4和發(fā)光層25R、25G、25B等的材料能夠使用周知的材料。
空穴傳輸層24、電子傳輸層26、電子注入層27在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中疊層。發(fā)光層25R、25G、25B如上所述，與各顏色的子像素2對(duì)應(yīng)地圖案形成為條狀。第ニ電極23以覆蓋有機(jī)EL層22的方式，在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中疊層。(有機(jī)EL顯示器I的基本的制造方法)參照?qǐng)D8的同時(shí)，說(shuō)明上述有機(jī)EL顯示器I的基本的制造方法。該圖表示有機(jī)EL顯示器I的制造方法的各エ序中，有機(jī)EL元件20中的空穴傳輸層24等的形成エ序。首先，準(zhǔn)備形成了 TFT12和第一電極21等的基板10(也稱為TFT基板10)。例如，能夠使用厚度為大約1mm、縱橫尺寸為500 X 400mm的矩形形狀的玻璃板作為TFT基板10的基層。該情況下，能夠使層間膜14以大約2μηι的膜厚形成,第一電極21以大約IOOnm的膜厚形成，邊蓋15以大約I μ m的厚度形成。其中，由于TFT基板10能夠用周知的方法形成，省略其說(shuō)明。對(duì)于準(zhǔn)備的TFT基板10，以覆蓋TFT12等的方式形成空穴傳輸層24 (步驟SI)。具體而言，對(duì)空穴傳輸層24的材料在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中蒸鍍。例如，使具有與顯示區(qū)域11相同大小的開(kāi)ロ的整體區(qū)域用掩模與TFT基板10貼合而密合。使與整體區(qū)域用掩模密合的TFT基板10旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，對(duì)空穴傳輸層24的材料進(jìn)行蒸鍍?？昭▊鬏攲?4，例如能夠使用a-NH)作為材料，以大約30nm的膜厚形成。其中，該蒸鍍處理能夠使用現(xiàn)有的蒸鍍裝置。接著，在空穴傳輸層24上疊層形成發(fā)光層25R、25G、25B (步驟S2)。發(fā)光層25R、25G、25B以分涂的方式按RGB各顏色分別蒸鍍(分涂蒸鍍)。發(fā)光層25R、25G、25B的蒸鍍中，一般使用摻雜物源材料(host)和摻雜物材料進(jìn)行共蒸鍍。摻雜物源材料和摻雜物材料等、發(fā)光層25R、25G、25B的材料能夠從周知的材料中選擇使用。發(fā)光層25R、25G、25B的膜厚例如能夠以10 IOOnm的范圍形成。其中，本實(shí)施方式中，由于該エ序使用新蒸鍍法及其蒸鍍裝置，對(duì)于詳情在之后敘述。接著，在發(fā)光層25R、25G、25B上疊層形成電子傳輸層26 (步驟S3)。具體而言，用與空穴傳輸層24相同的方法，對(duì)電子傳輸層26的材料在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中蒸鍍。進(jìn)而，在電子傳輸層26上疊層形成電子注入層27 (步驟S4)。電子注入層27的情況下，也用與空穴傳輸層24相同的方法對(duì)電子注入層27的材料在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中蒸鍍。電子傳輸層26和電子注入層27的材料能夠從周知的材料中選擇使用。二者也可以使用相同的材料一體地形成。電子傳輸層26和電子注入層27的各膜厚例如能夠以10 IOOnm的范圍形成。例如，能夠使用Alq為材料以30nm的膜厚形成電子傳輸層26，使用LiF為材料以Inm的膜厚形成電子注入層27。然后，在電子注入層27上疊層形成第二電極23 (步驟S5)。第二電極23的情況下，也用與空穴傳輸層24相同的方法對(duì)第二電極23的材料在跨顯示區(qū)域11的整體區(qū)域的范圍中蒸鍍。第二電極23的材料也能夠從周知的材料中選擇使用。第二電極23例如能夠以Al (鋁)為材料以50nm的膜厚形成。這樣形成有機(jī)EL元件20的TFT基板10最后通過(guò)與密封板30貼合而將有機(jī)EL元件20密封，完成有機(jī)EL顯示器I的主要部分。 (分涂蒸鍍)接著，說(shuō)明通過(guò)分涂蒸鍍形成發(fā)光層25R、25G、25B的工序(步驟S2)。本工序中使用上述新蒸鍍法及其蒸鍍裝置。特別是，由于對(duì)本實(shí)施方式的蒸鍍裝置施加了能夠?qū)崿F(xiàn)蒸鍍擴(kuò)散的減少的加工，在首先說(shuō)明蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，對(duì)于能夠?qū)崿F(xiàn)蒸鍍擴(kuò)散的減少的主要部分結(jié)構(gòu)詳細(xì)說(shuō)明。(蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu))圖9和圖10中表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置50。如這些圖所示,蒸鍍裝置50具備真空腔室51、基板支承裝置52、蒸鍍?cè)?3、掩模60 (shadow mask,蔭罩,蒸鍍掩模)、掩模單元55、移動(dòng)裝置56等。其中，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置50是使蒸鍍顆粒朝向上方放射的類型。真空腔室51是可開(kāi)閉的箱形的密閉容器。通過(guò)圖外的減壓裝置，真空腔室51的內(nèi)部能夠減壓而保持為規(guī)定的低壓強(qiáng)狀態(tài)。基板支承裝置52具有對(duì)作為處理對(duì)象的基板10 (也稱為對(duì)象基板10)在其行方向(各顏色的子像素2R、2G、2B排成一列的方向)朝向圖9中箭頭線所示的方向(掃描方向)的狀態(tài)下水平地支承的功能。例如，如果在基板支承裝置52設(shè)置靜電卡盤，則通過(guò)用該靜電卡盤的吸附能夠?qū)?duì)象基板10在沒(méi)有因自重導(dǎo)致的撓曲的狀態(tài)下進(jìn)行支承?；逯С醒b置52能夠水平移動(dòng)，通過(guò)移動(dòng)裝置56對(duì)向掃描方向的水平移動(dòng)自動(dòng)控制。其中，為了方便，掃描方向也稱為X軸方向，水平面上與掃描方向正交的方向也稱為Y軸方向。各圖中，適當(dāng)表示這些軸方向。此外，也將與對(duì)象基板10等正交的蒸鍍軸線LI延伸的方向(垂直方向)稱為Z軸方向。掩模60在被基板支承裝置52支承的對(duì)象基板10的下方，在隔開(kāi)一定的空隙H的狀態(tài)下水平地配置。其中，優(yōu)選空隙H的垂直距離(最短距離)以50 μ m Imm的范圍設(shè)定。出于防止蒸鍍擴(kuò)散的觀點(diǎn)優(yōu)選較小的，而小于50 μ m時(shí)，存在對(duì)象基板10與掩模60接觸的可能性。另一方面，超過(guò)1_時(shí)蒸鍍會(huì)變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致混色或圖案形成精度的惡化。掩模(蔭罩)60呈長(zhǎng)方形板狀，其長(zhǎng)邊方向具有排成一列、沿著短邊延伸地條狀地形成的多個(gè)開(kāi)口 Κ、κ、……(僅圖示一部分開(kāi)口)。多個(gè)開(kāi)口 Κ、Κ、……例如與RGB的各顏色的子像素2R、2G、2B的列對(duì)應(yīng)地形成。各開(kāi)ロ K形成為貫通掩模60的細(xì)長(zhǎng)的縫隙狀。掩模60的長(zhǎng)邊的尺寸設(shè)定為比相對(duì)的對(duì)象基板10的顯示區(qū)域11中Y軸方向的尺寸更大，其短邊的尺寸設(shè)定為比相對(duì)的對(duì)象基板10的顯示區(qū)域11中X軸方向的尺寸更小。多個(gè)開(kāi)ロ K、K、……在Y軸方向，設(shè)置在與顯示區(qū)域11對(duì)應(yīng)的范圍中(有效區(qū)域)。在該有效區(qū)域的兩個(gè)外側(cè)，設(shè)置有用于進(jìn)行與對(duì)象基板10上設(shè)置的第一標(biāo)記17的位置對(duì)準(zhǔn)的第二標(biāo)記63。這些第一標(biāo)記17和第二標(biāo)記63被蒸鍍裝置50中設(shè)置的傳感器57檢測(cè)出，對(duì)象基板10和掩模60基于其檢測(cè)值在水平方向上正確地定位(也將它們稱為定位機(jī)構(gòu))。掩模60以開(kāi)ロ Κ、Κ、……的延伸方向與X軸方向一致的方式可裝卸地安裝在掩模單元55中。掩模單元55中，設(shè)置有支架55a、張カ保持裝置58、蒸鍍?cè)?3、第一校正板81 (蒸鍍校正部件)、第二校正板82 (蒸鍍校正部件)、防護(hù)板91等。掩模60通過(guò)安裝在掩模單元55，被張カ保持裝置58拉伸，在張力作用的狀態(tài)下被水平支承。這樣，掩模60通過(guò)支架55a固定與蒸鍍?cè)?3等的相對(duì)位置關(guān)系。 蒸鍍?cè)?3沿著Y軸方向延伸地設(shè)置。蒸鍍?cè)?3以?shī)A著掩模60與對(duì)象基板10相對(duì)的方式，配置在掩模60的下側(cè)。在其上表面，朝向?qū)ο蠡?0放射蒸鍍顆粒的多個(gè)射出ロ 53a、53a、……在Y軸方向上排成一列設(shè)置(射出ロ僅圖示一部分)。本實(shí)施方式中，這些射出ロ 53a、53a、……配置在與掩模60的開(kāi)ロ K分別相對(duì)的位置，各射出ロ 53a在平面視圖下位于各開(kāi)ロ K的中央(X軸和Y軸的兩個(gè)方向的中央)。蒸鍍裝置50中，設(shè)置有開(kāi)閉蒸鍍?cè)?3與掩模60之間的開(kāi)閉器(未圖示)，通過(guò)控制該開(kāi)閉器的開(kāi)閉，進(jìn)行自動(dòng)控制從而能夠在適當(dāng)?shù)臅r(shí)刻蒸鍍。(蒸鍍裝置的主要部分結(jié)構(gòu))在掩模60與蒸鍍?cè)?3之間，進(jìn)一歩配置有對(duì)蒸鍍擴(kuò)散的減少起到重要作用的第一校正板81和第二校正板82 (不區(qū)別二者的情況下也可以稱為校正板81、82)。第一校正板81位于蒸鍍?cè)?3 —側(cè)，第二校正板82位于掩模60 —側(cè)。校正板81、82在與掩模60大致平行的狀態(tài)下，與掩模60、蒸鍍?cè)?3以及另ー個(gè)校正板分別在Z軸方向上隔開(kāi)規(guī)定的間
隔配置。在圖11和圖12中也有所表示，校正板81、82呈與掩模60對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)方形板狀的外觀，均由多個(gè)葉片板83、83、……和支承這些葉片板83、83、……的框84等構(gòu)成。框84具有平行地延伸的一對(duì)側(cè)框部84a、84a (長(zhǎng)邊ー側(cè))和連接這些側(cè)框部84a、84a的各端部的一對(duì)端框部84b、84b(短邊ー側(cè))。在這些側(cè)框部84a、84a和端框部84b、84b劃分形成的矩形的開(kāi)口中配設(shè)多個(gè)葉片板83。這些葉片板83均為相同尺寸的帶板狀的部件，其長(zhǎng)度方向的兩端部被側(cè)框部84a支承。各葉片板83對(duì)于蒸鍍掩模傾斜，在該傾斜的狀態(tài)下與相鄰的葉片板83之間隔著一定的間隙(也稱為葉片板間隙85)相互平行延伸地配置。各校正板81、82以葉片板83的延伸方向與X軸方向一致的方式配置在掩模單元55。此外，第一校正板81的葉片板83與第二校正板82的葉片板83，使傾斜的方向設(shè)定為反向(方向相反)。詳細(xì)而言，各校正板81、82的葉片板83，從X軸方向來(lái)看均以相同的角度傾斜。此夕卜，各校正板81、82的葉片板83，以從Z軸方向來(lái)看，與相鄰的葉片板83之間能夠視認(rèn)到一定的開(kāi)ロ(也稱為葉片板間開(kāi)ロ 86)的方式配置(參照?qǐng)D11)。換言之，觀察相鄰的2個(gè)葉片板83、83時(shí)，面對(duì)它們之間的葉片板間隙85的一個(gè)的葉片板83的上端與另一個(gè)的葉片板83的下端在Y軸方向上隔開(kāi)一定的規(guī)定尺寸。圖10中，第一校正板81的下端對(duì)于上端相對(duì)地向左方偏移，與此相對(duì)，第二校正板82的下端對(duì)于上端相對(duì)地向右方偏移。從而，第一校正板81的葉片板間隙85向右斜上方延伸，第二校正板82的葉片板間隙85向左斜上方延伸。其中，也可以使第一校正板81與第二校正板82的傾斜的方向相反,使第一校正板81的下端對(duì)于上端相對(duì)地向右方偏移，第二校正板82的下端對(duì)于上端相對(duì)地向左方偏移。對(duì)于各校正板81、82，通過(guò)選擇葉片板83的配置等設(shè)定朝向掩模60的蒸鍍顆粒的外觀上的射出角度。圖13中示意地表示了第一校正板81中葉片板83的部分。該圖中，箭頭虛線表示飛行的蒸鍍顆粒的軌跡。能夠通過(guò)第一校正板81的葉片板間隙85的蒸鍍顆粒僅限于通過(guò)角度α所表示的范圍的蒸鍍顆粒。
S卩，該圖中，對(duì)于葉片板間隙85，與葉片板83的傾斜方向相逆朝向左斜上方的蒸鍍顆粒被葉片板83所限制，因此朝向該方向的蒸鍍顆粒，只有比通過(guò)面對(duì)該葉片板間隙85的一個(gè)的葉片板83的下端和另一個(gè)的葉片板83的上端的角度β I更小的通過(guò)角度的蒸鍍顆粒能夠通過(guò)。另一方面，與葉片板83的傾斜方向順行朝向右斜上方的蒸鍍顆?；静皇艿饺~片板83的限制地通過(guò)。從而，朝向該方向的蒸鍍顆粒，在最大的射出角度Ψ比連接葉片板83的下端與上端的線所成的角度Φ 3大的情況下受到葉片板83的限制(η = Φ)，否則能夠全部通過(guò)(η = ψ )。從而，僅允許通過(guò)將上述角度β I與角度η相加所得的角度α的范圍的蒸鍍顆粒通過(guò)第一校正板81。設(shè)第一校正板81的葉片板間開(kāi)口 86的寬度為dl，葉片板83的Z軸方向的高度尺寸為ml時(shí),tanP l=dl/ml的關(guān)系式成立。從而，通過(guò)選擇葉片板間開(kāi)口 86的寬度dl和葉片板83的高度尺寸ml，能夠任意地設(shè)定角度β I。此外，設(shè)葉片板83的Y軸方向的厚度尺寸為tl時(shí)，求出第一校正板81的開(kāi)口率時(shí)，為dl/(dl+mlXtan<ji Ι+tl)。設(shè)定了角度β I時(shí)，由于該開(kāi)口率被傾角Φ I和厚度尺寸tl所規(guī)定，通過(guò)減小傾角Φ I和厚度尺寸tl而提高開(kāi)口率。從而，優(yōu)選將傾角Φ1和厚度尺寸tl設(shè)定為盡可能小。圖14中示意地表示第二校正板82中葉片板83的部分。與上一個(gè)圖同樣地，箭頭虛線表示飛行的蒸鍍顆粒的軌跡。通過(guò)第一校正板81，朝向左斜上方通過(guò)的蒸鍍顆粒的前進(jìn)方向被限制在比角度β I更小的范圍中。從而，第二校正板82中，與第一校正板81同樣地，將朝向右斜上方的蒸鍍顆粒的前進(jìn)方向限制為角度β2。這樣，能夠通過(guò)第二校正板82的葉片板間隙85的蒸鍍顆粒，被限制在更窄的范圍中。具體而言,設(shè)第二校正板82的葉片板間開(kāi)口 86的寬度為d2，葉片板83的Z軸方向的高度尺寸為m2時(shí)，tan β 2=d2/m2的關(guān)系式。從而，能夠通過(guò)選擇葉片板間開(kāi)口 86的寬度d2和葉片板83的高度尺寸m2來(lái)設(shè)定角度β2。其中，第二校正板82的情況下，由于開(kāi)口率會(huì)提高，也優(yōu)選傾角Φ 2和厚度尺寸t2設(shè)定為盡可能小。這樣，通過(guò)用第一校正板81和第二校正板82限制蒸鍍顆粒的前進(jìn)方向，如圖15所示，能夠?qū)⒊蜓谀?0的蒸鍍顆粒的前進(jìn)方向限制為任意的角度Θ。S卩，該圖中，從射出ロ 53a放射的蒸鍍顆粒的左側(cè)的射出角度Ψ I能夠被傾斜與其相逆(逆行)的第一校正板81限制為β ，右側(cè)的射出角度Ψ2能夠被傾斜與其相逆的第二校正板82限制為β2。通常，β 和β 2設(shè)定為相同的值。從而,第一校正板81和第二校正板82能夠共用。這樣，通過(guò)在外觀上，減小入射到掩模60的蒸鍍顆粒的射出角度，如圖16所示，能夠減小最大的入射角度，從而能夠有效地減少蒸鍍擴(kuò)散。通過(guò)選擇校正板81、82的設(shè)定條件，能夠自由地調(diào)整外觀上的射出角度，蒸鍍擴(kuò)散的減少幅度也能夠與需要相應(yīng)地調(diào)整。進(jìn)而，還能夠使第一校正板81限制的角度β I與第二校正板82限制的角度β 2不同，因此能夠在薄膜3的兩側(cè)分別調(diào)整蒸鍍擴(kuò)散的寬度。由于被放射的蒸鍍顆粒(蒸鍍材料)的一部分附著在校正板81、82上，所以隨著使用時(shí)間增加，校正板81、82上堆積的蒸鍍材料有所増加。 對(duì)此，通過(guò)使葉片板83對(duì)于掩模60傾斜，即使蒸鍍顆粒附著并堆積在校正板81、82上，也能夠穩(wěn)定地維持葉片板間開(kāi)ロ 86的寬度。例如，如果使葉片板83不傾斜而是與掩模60平行配置(Φ I、Φ2=90° )，或與掩模60垂直地配置(Φ I、Φ 2=0° )，則葉片板間隙85變得與葉片板間開(kāi)ロ 86 —致，葉片板間開(kāi)ロ 86會(huì)立刻堵塞。與此相対，通過(guò)使葉片板83傾斜能夠使葉片板間隙85對(duì)于葉片板間開(kāi)ロ 86更大，能夠相應(yīng)地較長(zhǎng)使用。此外，通過(guò)設(shè)置校正板81、82，能夠減少附著在掩模60上的蒸鍍材料，所以能夠減少掩模60的更換次數(shù)。減少了蒸鍍擴(kuò)散，減少對(duì)象基板10上附著的不需要的蒸鍍材料，也相應(yīng)地使材料的使用效率提高。掩模單元55中，為了支承第一校正板81和第二校正板82，分別對(duì)應(yīng)地具備滑動(dòng)裝置92、支承部件93、控制它們的校正板控制裝置94。這些部件也與校正板81、82 —同起到蒸鍍擴(kuò)散的減少和材料使用效率提高的作用。滑動(dòng)裝置92具有ー對(duì)滑動(dòng)機(jī)構(gòu)92a、92a，這些滑動(dòng)機(jī)構(gòu)92a、92a在支架55a的Y軸方向上的兩側(cè)部分相對(duì)狀地配設(shè)。支承部件93對(duì)各滑動(dòng)機(jī)構(gòu)92a的相對(duì)面ー側(cè)分別可旋轉(zhuǎn)地支承。進(jìn)而，這些支承部件93能夠在彼此相対的狀態(tài)下在Z軸方向和X軸方向上滑動(dòng)位移，通過(guò)滑動(dòng)裝置92與校正板控制裝置94的共同作用控制它們的動(dòng)作。校正板控制裝置94是將這些滑動(dòng)裝置92和支承部件93電連接的控制裝置。通過(guò)規(guī)定的輸入單元對(duì)校正板控制裝置94輸入規(guī)定的數(shù)據(jù)，能夠高精度地控制支承部件93的旋轉(zhuǎn)和滑動(dòng)位移的動(dòng)作。第一校正板81和第二校正板82上，在其各端框部84b的寬度方向的中央部分設(shè)置支承部84c，通過(guò)將這些支承部84c、84c安裝在各支承部件93上，第一校正板81等被固定在支架55a上。這些支承部84c、84c能夠從支承部件93取下，第一校正板81等能夠根據(jù)需要從掩模單元55裝卸。由于各校正板81、82能夠裝卸，能夠定期地回收堆積的蒸鍍材料。例如，如果蒸鍍材料加熱則會(huì)熔化或蒸發(fā)，所以通過(guò)加熱處理能夠容易地回收。然而，掩模(蔭罩)60的情況下，其開(kāi)ロ幅度、平面度等要求的尺寸精度較高，存在引起變形的可能性，不進(jìn)行加熱處理。與此相對(duì)，如果是校正板81、82，則由于不要求掩模60這樣較高的尺寸精度，能夠進(jìn)行加熱處理，能夠簡(jiǎn)單地回收。從而，能夠確保較高的材料的使用效率。通過(guò)操作校正板控制裝置94，能夠使各校正板81、82旋轉(zhuǎn)180°而翻轉(zhuǎn)。換言之，能夠使面對(duì)蒸鍍?cè)?3 —側(cè)的葉片板83的面翻過(guò)來(lái)。即，校正板控制裝置94、滑動(dòng)裝置92、支承部件93起到翻轉(zhuǎn)裝置的功能。通過(guò)使校正板81、82翻轉(zhuǎn)，一個(gè)面上堆積了大量蒸鍍顆粒的情況下，能夠應(yīng)用另一個(gè)面，能夠減少校正板81、82的更換次數(shù)。其中，此時(shí)使傾斜相反的第一校正板81和第二校正板82雙方一同翻轉(zhuǎn)。本實(shí)施方式的情況下，通過(guò)操作校正板控制裝置94能夠?qū)Ω餍Ｕ?1、82的Z軸方向的配置進(jìn)行定位。此時(shí)，優(yōu)選以從第一校正板81的I個(gè)葉片板間隙85出射的蒸鍍顆粒，入射到第二校正板82的多個(gè)葉片板間隙85的方式定位。具體而言，優(yōu)選設(shè)定為從第一校正板81的I個(gè)葉片板間隙85出射的蒸鍍顆粒，入射到第二校正板82的5個(gè)以上的葉片板間開(kāi)口 86。該情況下，設(shè)Z方向上第一校正板81與第二校正板82之間的距離為Gl (參照?qǐng)D10)，第二校正板82的葉片板間開(kāi)口 86的間距為Pl (參照?qǐng)D14，pl=dl+m2Xtancj5 2+t2)時(shí)，設(shè)定為以下第一關(guān)系式成立即可。 第一關(guān)系式G1X tan β 1/pl > 5這樣，能夠通過(guò)第一校正板81和第二校正板82防止葉片板間開(kāi)口 86的間距產(chǎn)生干涉，使蒸鍍顆粒的分布穩(wěn)定，抑制預(yù)料之外的不均和偏向。同樣地，優(yōu)選以從第二校正板82的I個(gè)葉片板間隙85出射的蒸鍍顆粒入射到掩模60的多個(gè)開(kāi)口 K的方式定位。具體而言，優(yōu)選設(shè)定為從第二校正板82的I個(gè)葉片板間隙85出射的蒸鍍顆粒，入射到掩模60的5個(gè)以上的開(kāi)口 K。該情況下，設(shè)Z方向上的第二校正板82和掩模60之間的距離為G2 (參照?qǐng)D10)，掩模60的開(kāi)口 K的間距為p2時(shí)(參照?qǐng)D9)，設(shè)定為以下第二關(guān)系式成立即可。第二關(guān)系式G2Xtan@2/p2 彡 5這樣，能夠通過(guò)第二校正板82的葉片板間開(kāi)口 86和掩模60的開(kāi)口 K，防止間距產(chǎn)生干涉，能夠使蒸鍍顆粒的分布更加穩(wěn)定，進(jìn)一步抑制預(yù)料之外的不均和偏向。此外，通過(guò)操作校正板控制裝置94，能夠在使各校正板81、82自身傾斜的狀態(tài)下支承。通過(guò)使校正板81、82自身傾斜，例如，在進(jìn)行蒸鍍處理的同時(shí)，能夠?qū)ο鄬?duì)于掩模60的葉片板83的傾斜度進(jìn)行微調(diào)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更實(shí)用的更高精度的蒸鍍擴(kuò)散的減少。為了防止從蒸鍍?cè)?3放射的蒸鍍顆粒附著在多余的部分，在各滑動(dòng)機(jī)構(gòu)92a的相對(duì)面一側(cè)的前方，以劃分葉片板83面對(duì)的空間兩側(cè)的方式，設(shè)置有防護(hù)板91。通過(guò)防護(hù)板91的存在，確保只有通過(guò)校正板81、82的蒸鍍顆粒到達(dá)掩模60。其中，蒸鍍裝置50除了上述蒸鍍裝置50以外還能夠考慮各種方式。例如，能夠構(gòu)成為不是基板10 —側(cè)移動(dòng)，而是掩模單元55 —側(cè)移動(dòng)。該情況下，優(yōu)選葉片板83與掩模單元55—同移動(dòng)。也能夠適當(dāng)調(diào)整射出口 53a的數(shù)量和配置。進(jìn)而，還能夠使I個(gè)或多個(gè)射出口 53a為在Y軸方向上延伸的縫隙形狀的射出口。此外，射出口 53a也可以在X軸方向上配置多個(gè)。如圖17所示，也能夠使掩模單元55和基板支承裝置52上下相反地配置，使蒸鍍顆粒朝向下方放射。由于各部件等的結(jié)構(gòu)和功能與本實(shí)施方式的蒸鍍裝置50相同，所以附加相同符號(hào)并省略說(shuō)明。該情況下，對(duì)象基板10的支承變得容易，這一點(diǎn)是有利的。(蒸鍍方法)
圖18中表示蒸鍍方法的主要エ序。例如，將用于紅色(R)的發(fā)光層25R的掩模60安裝在掩模單元55中，用張カ保持裝置58對(duì)掩模60水平地支承(步驟SI I)。這樣，使掩模60與蒸鍍?cè)?3固定為規(guī)定的位置關(guān)系。第一校正板81和第二校正板82預(yù)先配置在規(guī)定位置。蒸鍍?cè)?3中，設(shè)置有用于紅色(R)的發(fā)光層25R的蒸鍍材料。接著，以使對(duì)象基板10的行方向與掃描方向平行的方式將對(duì)象基板10安裝在基板支承裝置52上被支承(步驟S12)。然后，使對(duì)象基板10與掩模60相對(duì)并進(jìn)行垂直方向(Z軸方向)的位置對(duì)準(zhǔn)，在對(duì)象基板10與掩模60之間設(shè)定規(guī)定的空隙H (位置對(duì)準(zhǔn)エ序，步驟S13)。這樣將對(duì)象基板10等設(shè)置在蒸鍍裝置50后使蒸鍍裝置50運(yùn)轉(zhuǎn)，跨對(duì)象基板10的顯示區(qū)域11的整體區(qū)域?qū)?duì)象基板10掃描的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍(蒸鍍エ序，步驟S14)。該蒸鍍エ序中，對(duì)象基板10以一定的掃描速度在掃描方向上移動(dòng)。通過(guò)定位機(jī)構(gòu)，對(duì)象基板10對(duì)于掩模60在水平方向上正確地定位。
其間，從蒸鍍?cè)?3放射蒸鍍顆粒，通過(guò)第一校正板81和第二校正板82調(diào)整為規(guī)定的外觀上的放射角度的蒸鍍顆粒通過(guò)掩模60的開(kāi)ロ K在對(duì)象基板10上依次蒸鍍，形成薄膜3。薄膜3的膜厚例如能夠通過(guò)調(diào)整掃描速度和掃描次數(shù)而控制。蒸鍍エ序之后，在對(duì)象基板10中紅色(R)的子像素2R、2R、……的區(qū)域形成條狀的薄膜3 (紅色的發(fā)光層25R)。如圖19 (a)所示，連續(xù)進(jìn)行蒸鍍處理時(shí)，校正板81、82上堆積的蒸鍍材料(該圖中用符號(hào)j表示)増加。于是，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置50的情況下，如該圖(b)所示，蒸鍍材料j大量堆積時(shí)使第一校正板81和第二校正板82旋轉(zhuǎn)180°而翻轉(zhuǎn)。這樣,能夠使第一校正板81等的更換次數(shù)減半。其中，由于第一校正板81等的翻轉(zhuǎn)，上述β I、β 2的角度也變得相反。蒸鍍材料j在第一校正板81等的兩面上大量堆積的情況下，將這些校正板81、82從蒸鍍裝置50取下，回收堆積的蒸鍍材料j (回收エ序、步驟S15)。例如，通過(guò)對(duì)取下的校正板81、82在規(guī)定條件下加熱使堆積的蒸鍍材料j熔化或升華能夠簡(jiǎn)單地回收蒸鍍材料。回收后，將校正板81、82再次安裝到蒸鍍裝置50，將蒸鍍材料j再次設(shè)置在蒸鍍?cè)?3即可。形成紅色(R)的發(fā)光層25R后，用與其相同的蒸鍍方法，更換掩模60和蒸鍍?cè)?3的材料的同時(shí)，形成緑色(G)和藍(lán)色(B)的發(fā)光層25G、25B即可。其中，RGB的各顔色的子像素2R、2G、2B的排列均為相同間距時(shí)，例如，如果使掩模60在Y軸方向上偏移(移動(dòng))規(guī)定間距，則掩模60能夠共用。(變形例)圖20和圖21中，表示了上述實(shí)施方式的蒸鍍裝置50等的變形例。本例的蒸鍍裝置50中，特別的不同點(diǎn)在于不具備滑動(dòng)裝置92和支承部件93等，葉片板83被框84可旋轉(zhuǎn)地支承。以下，對(duì)于同樣的結(jié)構(gòu)，使用相同的符號(hào)并省略其說(shuō)明，對(duì)于不同點(diǎn)詳細(xì)說(shuō)明。本變形例中，支承部件93A被固定在支架55a上。第一校正板81和第二校正板82通過(guò)支承部件93A被支架55a可裝卸地支承。在各葉片板83的較長(zhǎng)方向的各端部，在橫截面方向的中央設(shè)置有旋轉(zhuǎn)軸96。各葉片板83通過(guò)該旋轉(zhuǎn)軸96被框84可旋轉(zhuǎn)地支承。在框84上，設(shè)置有使這些葉片板83旋轉(zhuǎn)位移的旋轉(zhuǎn)裝置97。旋轉(zhuǎn)裝置97與控制葉片板83的旋轉(zhuǎn)角度和旋轉(zhuǎn)時(shí)刻等的葉片板控制裝置98電連接。葉片板控制裝置98能夠同步控制各葉片板83的位移量。然而，優(yōu)選能夠?qū)Ω魅~片板83分別獨(dú)立地控制位移量。從而，根據(jù)該蒸鍍裝置50，能夠?qū)Φ谝恍Ｕ?1和第二校正板82的各葉片板83的傾斜度根據(jù)需要調(diào)整，所以能夠自由地調(diào)整外觀上的射出角度。即使對(duì)于蒸鍍擴(kuò)散的允許級(jí)別不同的對(duì)象基板，僅改變?cè)O(shè)定就能夠?qū)?yīng)，因此通用性優(yōu)良。對(duì)葉片板83分別獨(dú)立控制位移量的情況下，例如，即使因葉片板83的成型精度的不均或蒸鍍顆粒的堆積產(chǎn)生的影響，外觀上的射出角度產(chǎn)生不均，也能夠通過(guò)對(duì)葉片板83分別調(diào)整位移量而抑制該不均。此外，該蒸鍍裝置50的情況下，由于能夠使葉片板83旋轉(zhuǎn)位移而使其傾斜方向變?yōu)榉聪?，所以旋轉(zhuǎn)裝置97等實(shí)際上起到翻轉(zhuǎn)裝置的作用。進(jìn)而，在任意一個(gè)校正板81、82，如果設(shè)定為葉片板83的橫截面長(zhǎng)度比葉片板間開(kāi)口 86的間距大，則也能夠起到開(kāi)閉器的功能。 S卩，該情況下，如果使葉片板83旋轉(zhuǎn)位移成為與掩模60大致平行，則能夠除去葉片板間開(kāi)口 86，完全切斷蒸鍍顆粒的通過(guò)。這樣，不再需要另外設(shè)置開(kāi)閉器，因此能夠使結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單。此外，也能夠在對(duì)象基板10的掃描中，與不形成薄膜3的區(qū)域相應(yīng)地部分地切斷，所以還具有能夠同時(shí)用作高性能開(kāi)閉器的優(yōu)點(diǎn)。(實(shí)施例)使用上述蒸鍍裝置50、新蒸鍍方法，形成發(fā)光層25R、25G、25B。使用總厚為50μπκ尺寸為200mm (X軸方向)X600mm (Y軸方向)的掩模60。掩模60的材料是低膨脹鋼材料(Fe中含有36%Ni的合金)。開(kāi)口 K的寬度(Y軸方向)為90 μ m，長(zhǎng)度(X軸方向)為150mm。開(kāi)口 K的Y軸方向的間距為450 μ m。開(kāi)口 K的數(shù)量為751個(gè)。設(shè)置了開(kāi)口 K的區(qū)域的外周，用低膨脹鋼材料制造的框84等遮蔽。使第一校正板81和第二校正板82的尺寸均為190mm (X軸方向)X 590mm (Y軸方向)。各葉片板83的Z方向的高度尺寸(ml、m2)為10mm，Y軸方向的厚度尺寸(tl、t2)為0.2mm。使傾斜角度(Φ1、Φ 2)相對(duì)于蒸鍍軸線LI分別反向地為10°。葉片板間開(kāi)口86分別形成129個(gè)，使各葉片板間開(kāi)口 86的寬度尺寸(dl、d2)為1mm。這樣，將這些校正板81、82的β I和β 2設(shè)定為大約5. V。使相對(duì)基板10與掩模60之間的空隙H為500 μ m。使蒸鍍?cè)?3與第一校正板81之間的距離為30mm，掩模60與第二校正板82之間的距離(G2)為50mm，第二校正板82與第一校正板81之間的距離(Gl)為90mm。使各發(fā)光區(qū)域16R、16G、16B的尺寸為300μπι (X軸方向)Χ70μπι (Y軸方向)，其X軸方向的間距為450 μ m，Y軸方向的間距為150 μ m。各顏色的發(fā)光層25R、25G、25B的材料使用摻雜物源材料和摻雜物材料，使它們的蒸鍍速度為，紅色(R)為5. Onm/s和O. 53nm/s,綠色(G)為5. Onm/s和O. 67nm/s,藍(lán)色(B)為5. Onm/s和O. 67nm/s。在蒸鍍工序中，進(jìn)行一次一個(gè)往復(fù)的掃描。從射出口放射的蒸鍍顆粒的最大射出角度(Ψ 、Ψ2)為大約60°。結(jié)果，能夠形成蒸鍍擴(kuò)散的寬度分別為大約52 μ m的發(fā)光層25R、25G、25B。S卩，如圖15所示，從蒸鍍?cè)?3放射的蒸鍍顆粒，在第一校正板81被限制前進(jìn)方向，相對(duì)于蒸鍍軸線LI，只有通過(guò)β I的角度5. 7°和Φ I (葉片板83的傾角)的角度10°的范圍內(nèi)的蒸鍍顆粒通過(guò)第一校正板81。然后，在第二校正板82進(jìn)ー步被限制前進(jìn)方向，相對(duì)于蒸鍍軸線，只有通過(guò)β I的角度5. V和β 2的角度5. V的范圍內(nèi)的蒸鍍顆粒通過(guò)第二校正板82。這樣，本實(shí)施例的情況下，從射出口擴(kuò)散到射出角度60°的范圍內(nèi)放射的蒸鍍顆粒，在外觀上到達(dá)掩模60時(shí)射出角度被限制為5. V。結(jié)果，能夠?qū)?duì)象基板10上蒸鍍的蒸鍍顆粒的入射角度限制為5. V以下，能夠形成減少了蒸鍍擴(kuò)散、高品質(zhì)的發(fā)光層25R、25G、25B。如以上說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明，能夠通過(guò)實(shí)用的方法有效地減少蒸鍍擴(kuò)散，所以即使是大型尺寸也能夠用批量生產(chǎn)エ藝實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的有機(jī)EL顯示器的制造。此外，由于能夠減少蒸鍍擴(kuò)散，還能夠?qū)⑾袼氐陌l(fā)光區(qū)域設(shè)計(jì)得更大。這樣，能夠使電流密度降低而抑制有機(jī)EL元件的劣化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光壽命特性優(yōu)良、可靠性較高的有機(jī)EL顯示器。
其中，本發(fā)明的蒸鍍裝置50等不限于上述實(shí)施方式，也包含除此以外的各種結(jié)構(gòu)。上述實(shí)施方式中，蒸鍍裝置50的蒸鍍校正部件為2個(gè)，但也可以為3個(gè)。例如，能夠使實(shí)施方式的第一校正板81和第二校正板82由2層構(gòu)成。這樣，通過(guò)蒸鍍?cè)?3 —側(cè)的下層的第一校正板81等，在一定程度上限制外觀上(看起來(lái))的射出角度，通過(guò)上層的第一校正板81等進(jìn)行微調(diào)。也可以使蒸鍍校正部件的全部或一部分固定在掩模單元55上。還可以使葉片板83被框84可搖動(dòng)地支承?；瑒?dòng)裝置不是必需的。蒸鍍校正部件的翻轉(zhuǎn)也可以手動(dòng)進(jìn)行。符號(hào)說(shuō)明3 薄膜10 基板50 蒸鍍裝置52 基板支承裝置53 蒸鍍?cè)?3a 射出 ロ55 掩模單元56 移動(dòng)裝置60 掩模(蔭罩，蒸鍍掩模)81 第一校正板(蒸鍍校正部件)82 第二校正板(蒸鍍校正部件)83 葉片板84 框85 葉片板間隙86 葉片板間開(kāi)ロ(開(kāi)ロ)92 滑動(dòng)裝置93 支承部件94 校正板控制裝置(控制裝置)
97 旋轉(zhuǎn)裝置98 葉片板控制裝置(控制裝置) K 蒸鍍掩模的開(kāi)口
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置，其特征在于 該蒸鍍裝置在基板上按規(guī)定的圖案形成薄膜， 所述蒸鍍裝置包括 蒸鍍掩模； 在所述蒸鍍掩模一側(cè)具有射出口，從該射出口放射形成所述薄膜的蒸鍍顆粒的蒸鍍?cè)?；? 在所述蒸鍍掩模與所述蒸鍍?cè)粗g配置的2個(gè)以上的蒸鍍校正部件， 所述蒸鍍校正部件分別具有 與所述蒸鍍掩模大致平行地配置的多個(gè)葉片板；和 支承所述多個(gè)葉片板的框， 各所述葉片板分別在相對(duì)于所述蒸鍍掩模傾斜的狀態(tài)下，以從與所述蒸鍍掩模正交的方向來(lái)看、與相鄰的葉片板之間隔著開(kāi)口相互平行地延伸的方式配置。
2.如權(quán)利要求I所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還包括 包含所述蒸鍍掩模、所述蒸鍍?cè)春退稣翦冃Ｕ考?，且固定它們的相?duì)位置關(guān)系的掩模單元； 支承所述基板的基板支承裝置；和 在所述基板與所述蒸鍍掩模之間設(shè)置有一定空隙的狀態(tài)下，使所述掩模單元和所述基板中的至少一個(gè)沿著規(guī)定的掃描方向相對(duì)地移動(dòng)的移動(dòng)裝置， 所述蒸鍍掩模具有多個(gè)條狀的開(kāi)口，以這些開(kāi)口的延伸方向與所述掃描方向一致的方式配置所述蒸鍍掩模， 各所述蒸鍍校正部件以所述葉片板的延伸方向與所述掃描方向一致的方式配置， 所述蒸鍍校正部件各自的所述葉片板，從所述掃描方向來(lái)看以相同的角度傾斜。
3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于 所述蒸鍍校正部件包括各自的所述葉片板反向傾斜的2個(gè)蒸鍍校正部件。
4.如權(quán)利要求2至3中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于 還包括使至少任一個(gè)所述蒸鍍校正部件翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)裝置。
5.如權(quán)利要求2至4中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于 還包括使至少任一個(gè)所述蒸鍍校正部件在與所述蒸鍍掩模正交的方向上滑動(dòng)位移的滑動(dòng)裝置。
6.如權(quán)利要求2至5中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于 至少任一個(gè)所述蒸鍍校正部件，能夠從所述掃描方向來(lái)看傾斜地設(shè)置， 具備對(duì)能夠傾斜的所述蒸鍍校正部件的傾斜度進(jìn)行調(diào)整的控制裝置。
7.如權(quán)利要求2至5中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于 至少任一個(gè)所述蒸鍍校正部件上的所述葉片板被所述框以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承， 所述蒸鍍裝置還包括 使能夠旋轉(zhuǎn)的所述葉片板旋轉(zhuǎn)位移的旋轉(zhuǎn)裝置；和 控制裝置，其與所述旋轉(zhuǎn)裝置共同作用來(lái)調(diào)節(jié)能夠旋轉(zhuǎn)的所述葉片板的傾斜度。
8.如權(quán)利要求2至7中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置， 至少任一個(gè)所述蒸鍍校正部件以能夠取下的方式設(shè)置。
9.一種蒸鍍方法，其特征在于 通過(guò)使從蒸鍍?cè)捶派涞恼翦冾w粒通過(guò)在蒸鍍掩模形成的多個(gè)開(kāi)口而進(jìn)行蒸鍍，在基板上形成規(guī)定的圖案的薄膜， 在所述蒸鍍?cè)磁c所述蒸鍍掩模之間，配置僅允許分別朝向不同的規(guī)定方向的所述蒸鍍顆粒通過(guò)的至少2個(gè)以上的蒸鍍校正部件，在通過(guò)這些蒸鍍校正部件限制所述蒸鍍顆粒的前進(jìn)方向的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。
10.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍方法，其特征在于 使用權(quán)利要求2至7中任意一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置， 所述蒸鍍方法包括 在使所述基板被所述基板支承裝置支承，所述基板與所述蒸鍍掩模之間設(shè)置有所述空隙的狀態(tài)下，使所述掩模單元與所述基板相對(duì)的位置對(duì)準(zhǔn)工序；和 在通過(guò)所述移動(dòng)裝置使所述掩模單元和所述基板中的至少一個(gè)沿著規(guī)定的掃描方向相對(duì)地移動(dòng)的同時(shí)依次進(jìn)行蒸鍍，形成所述薄膜的蒸鍍工序。
11.如權(quán)利要求9所述的蒸鍍方法，其特征在于 使用權(quán)利要求8所述的蒸鍍裝置， 所述蒸鍍方法包括 在使所述基板被所述基板支承裝置支承，所述基板與所述蒸鍍掩模之間設(shè)置有所述空隙的狀態(tài)下，使所述掩模單元與所述基板相對(duì)的位置對(duì)準(zhǔn)工序； 在通過(guò)所述移動(dòng)裝置使所述掩模單元和所述基板中的至少一個(gè)沿著規(guī)定的掃描方向相對(duì)地移動(dòng)的同時(shí)依次進(jìn)行蒸鍍，形成所述薄膜的蒸鍍工序；和 將所述蒸鍍校正部件從所述蒸鍍裝置取下，回收該蒸鍍校正部件上附著的蒸鍍顆粒的回收工序。
全文摘要
本發(fā)明提供在有機(jī)EL顯示器用的基板(10)上按規(guī)定的圖案形成薄膜(3)的蒸鍍裝置(50)。在掩模(60)與放射蒸鍍顆粒的蒸鍍?cè)?53)之間配置有第一校正板(81)和第二校正板(82)。各校正板(81、82)分別具有多個(gè)葉片板(83)和支承它們的框(84)。各葉片板(83)在相對(duì)于掩模(60)傾斜的狀態(tài)下，以從與掩模(60)正交的方向來(lái)看，在與相鄰的葉片板(83)之間隔著開(kāi)口(86)相互平行地延伸的方式配置。
文檔編號(hào)H05B33/10GK102834541SQ20118001526
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2011年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月12日
發(fā)明者園田通, 林信廣, 川戶伸一, 井上智 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社