專利名稱：收集器反射鏡組件以及用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于光刻設(shè)備的收集器反射鏡組件和用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如集成電路(IC)制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛地看作制造IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通過使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術(shù)正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示CD = L(I)
NA其中λ是所用輻射的波長，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1是依賴于工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種途徑實(shí)現(xiàn)通過縮短曝光波長λ、通過增大數(shù)值孔徑NA或通過減小Ic1的值。為了縮短曝光波長并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是波長在5-20nm范圍內(nèi)的電磁輻射，例如波長在13-14nm范圍內(nèi)。還已經(jīng)提出可以使用波長小于IOnm的EUV輻射，例如波長在5-lOnm范圍內(nèi)，例如6. 7nm或6. 8nm的波長。這樣的輻射被用術(shù)語極紫外輻射或軟X-射線輻射表示?？捎玫脑窗ɡ缂す猱a(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲環(huán)提供的同步加速器輻射的源?？梢酝ㄟ^使用等離子體產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器和用于容納等離子體的源收集器模塊。等離子體可以例如通過引導(dǎo)激光束至燃料來產(chǎn)生，燃料例如是合適的材料(例如錫)的顆粒，或合適的氣體或蒸汽的流，例如氙氣或鋰蒸汽。所形成的等離子體輻射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用輻射收集器收集。輻射收集器可以是反射鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦成束。源收集器模塊可以包括包圍結(jié)構(gòu)或腔，所述包圍結(jié)構(gòu)或腔布置成提供真空環(huán)境以支持等離子體。這種輻射系統(tǒng)通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。除極紫外輻射之外，等離子體通常產(chǎn)生成顆粒形式的碎片，諸如熱能化原子、離子、中性物質(zhì)、納米簇和/或微粒。碎片可能導(dǎo)致對收集器反射鏡和其它光學(xué)裝置的損壞。在嘗試防止碎片造成損壞時(shí)，緩沖氣體可以用在等離子體的附近區(qū)域中，用于減緩碎片。然而，用于提供緩沖氣體的現(xiàn)有方法和設(shè)備不是令人滿意的。

發(fā)明內(nèi)容
期望至少提供消除或緩解不論在此處或其它地方所提及的現(xiàn)有技術(shù)的至少一個(gè)不足的收集器反射鏡組件，或提供對現(xiàn)有組件的替代。根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種收集器反射鏡組件，包括具有反射表面的收集器反射 鏡和具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面。所述組件包括管狀主體，所述管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流。所述組件還包括在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間的開口。所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。管狀主體的外表面和孔的邊緣形成布置成引導(dǎo)另外的氣流的開口，所述另外的氣流與大致橫向于反射表面的氣流分開。所述開口可以布置成大致沿著反射表面引導(dǎo)所述另外的氣流。所述管狀主體的內(nèi)表面和外表面中的一者或兩者的至少一部分可以沿著與氣流相反的方向逐漸收縮(tapered)。一個(gè)或更多的壁(例如成一個(gè)或更多的額外的管狀主體的形式)可以設(shè)置在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述一個(gè)或更多的壁被構(gòu)造和布置成將所述另外的氣流分隔成一個(gè)或更多的子流。所述收集器反射鏡可以構(gòu)造成將從第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦到第二焦點(diǎn)。所述氣流可以被引導(dǎo)遠(yuǎn)離反射表面到達(dá)第一焦點(diǎn)和第二焦點(diǎn)中的一者或兩者。根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種構(gòu)造成產(chǎn)生極紫外輻射的模塊，所述模塊包括供給裝置，配置成供給點(diǎn)燃材料的一個(gè)或更多的液滴至預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置；輻射源，配置成供給被布置成聚焦到預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置的激光束，和通過撞擊處在所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置處的液滴產(chǎn)生等離子體，以便將液滴改變成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體；和收集器反射鏡組件，所述收集器反射鏡組件包括具有反射表面的收集器反射鏡和具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面。所述收集器反射鏡組件包括管狀主體，所述管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)氣流。開口在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。收集器反射鏡可以構(gòu)造成將由第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦至第二焦點(diǎn)。主氣流可以被引導(dǎo)遠(yuǎn)離反射表面到達(dá)第一焦點(diǎn)和第二焦點(diǎn)中的一者或兩者。所述目標(biāo)點(diǎn)燃位置可以是第一焦點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻投影設(shè)備，布置成將圖案從圖案形成裝置投影到襯底上。所述設(shè)備包括收集器反射鏡組件，其包括具有反射表面的收集器反射鏡和具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面。所述收集器反射鏡組件包括管狀主體，所述管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流。開口在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間。所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。管狀主體的外表面和孔的邊緣可以形成布置成引導(dǎo)另外的氣流的開口。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻投影設(shè)備，布置成將圖案從圖案形成裝置投影到襯底上。所述設(shè)備包括一模塊，所述模塊包括供給裝置，配置成將點(diǎn)燃材料的一個(gè)或更多的液滴供給至預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置；輻射源，配置成供給激光束，所述激光束被布置成聚焦到該預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置和通過撞擊在預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置處的液滴產(chǎn)生等離子體，以便將液滴改變成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體；和收集器反射鏡組件，所述收集器反射鏡組件包括具有反射表面的收集器反射鏡和具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面。所述組件包括管狀主體，所述管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流。所述組件還包括在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間的開口。所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。管狀主體的外表面和孔的邊緣可以形成布置成引導(dǎo)所述另外的氣 流的開口。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法。所述方法包括步驟引導(dǎo)諸如激光束等輻射束到點(diǎn)燃材料的液滴上，所述液滴定位在預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置，以便將所述液滴改變成配置成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體。所述方法包括使用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的收集器反射鏡組件、模塊和/或光刻投影設(shè)備反射輻射。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種構(gòu)造成用于產(chǎn)生極紫外輻射的模塊。所述模塊包括供給裝置，配置成將點(diǎn)燃材料的一個(gè)或更多的液滴供給至預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置；輻射源，配置成供給激光束，所述激光束被布置成聚焦到所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置和通過撞擊處在該預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置處的液滴來產(chǎn)生等離子體，以便將液滴改變成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體；和收集器反射鏡組件。所述收集器反射鏡組件包括具有反射表面的收集器反射鏡和具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面。所述組件包括管狀主體，所述管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面，所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流。在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間設(shè)有開口。所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。管狀主體的外表面和孔的邊緣可以形成布置成引導(dǎo)所述另外的氣流的開口。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻投影設(shè)備，其包括收集器反射鏡組件。所述收集器反射鏡組件包括收集器反射鏡，所述收集器反射鏡具有配置成將由第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦到第二焦點(diǎn)的反射表面；以及具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面，管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流。所述設(shè)備還包括開口，處在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間。所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。所述設(shè)備還包括支撐件，配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置成在輻射已經(jīng)穿過第二焦點(diǎn)之后對所述輻射進(jìn)行圖案化，用于形成圖案化的輻射束；和投影系統(tǒng)，配置成將所述圖案化的輻射束投影到襯底上。管狀主體的外表面和孔的邊緣可以形成布置成引導(dǎo)所述另外的氣流的開口。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法。所述方法包括步驟引導(dǎo)輻射束到點(diǎn)燃材料的液滴上，所述液滴定位在預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置，以便將所述液滴改變成配置成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體；和使用收集器反射鏡組件朝向該預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置反射輻射和引導(dǎo)氣流。所述收集器反射鏡組件包括具有反射表面的收集器反射鏡，以及具有邊緣的孔。所述孔延伸通過反射表面，管狀主體延伸通過孔。所述管狀主體包括內(nèi)表面和外表面。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向弓I導(dǎo)主氣流。在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間設(shè)有開口。所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。管狀主體的外表面和孔的邊緣可以形成布置成引導(dǎo)所述另外的氣流的開口。在適合的情況下，本發(fā)明的一個(gè)或更多的方面可以具有關(guān)于本發(fā)明的一個(gè)或更多的其他方面描述的一個(gè)或額外的特征。


現(xiàn)在將參考隨附的示意性附圖僅通過舉例的方式描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖I示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2是圖I的設(shè)備的更詳細(xì)的示例的視圖；圖3是圖I和2的設(shè)備中的源收集器模塊的實(shí)施例的更詳細(xì)的視圖；圖4示意性地示出可以應(yīng)用于圖3的源收集器模塊中的組件的實(shí)施例；和圖5示意性地示出圖4的組件的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式圖I示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括源收集器模塊SO的光刻設(shè)備100。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射束B (例如EUV輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?MA，并與配置用于精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如反射式投影系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底W的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案可以與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同的方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。與照射系統(tǒng)類似，投影系統(tǒng)可以包括多種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)部件、或其它類型的光學(xué)部件，或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用真空之類的其他因素所適合的。可以期望將真空環(huán)境用于EUV輻射，因?yàn)槠渌鼩怏w可能會吸收太多的輻射。因此可以借助真空壁和真空泵在 整個(gè)束路徑上提供真空環(huán)境。如此處所示，所述設(shè)備是反射型的(例如采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙平臺)或更多襯底臺(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺)的類型。在這種“多平臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從源收集器模塊SO發(fā)出的極紫外輻射束。用于產(chǎn)生EUV光的方法包括但不必限于將材料轉(zhuǎn)換為等離子體狀態(tài)，該材料具有至少一種元素(例如氙、鋰或錫)，其中在EUV范圍內(nèi)具有一個(gè)或更多個(gè)發(fā)射線。在一種這樣的方法中，通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(“LPP”)，所需的等離子體可以通過以激光束照射燃料來產(chǎn)生，燃料例如是具有所需線發(fā)射元素的材料的液滴、流或簇團(tuán)。源收集器模塊SO可以是包括用于提供激光束激發(fā)燃料的激光器(圖I中未示出)的EUV輻射系統(tǒng)的一部分。所形成的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用設(shè)置在源收集器模塊內(nèi)的輻射收集器收集。激光器和源收集器模塊可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)使用CO2激光器提供用于燃料激發(fā)的激光束時(shí))。在這種情況下，不會將激光器考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的引導(dǎo)反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束從激光器傳到源收集器模塊。在其它情況下，所述源可以是源收集器模塊的組成部分(例如當(dāng)所述源是放電產(chǎn)生的等離子體EUV產(chǎn)生器(通常稱為DPP源)時(shí))。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如琢面場反射鏡裝置和琢面光瞳反射鏡裝置(或稱為多小平面反射鏡裝置和多小平面光瞳反射鏡裝置)?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)ΜΤ上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)被圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ反射后，所述輻射束B穿過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器PS2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器PSl用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)MA。可以使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置(例如，掩模)MA和襯底W。示出的設(shè)備可以用于下列模式中的至少一種I.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖 案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通?？梢圆捎妹}沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2更詳細(xì)地示出光刻設(shè)備100的示例，包括源收集器模塊S0、照射系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PS。源收集器模塊SO構(gòu)造并布置成使得在源收集器模塊SO的包圍結(jié)構(gòu)202內(nèi)可以保持真空環(huán)境?？梢酝ㄟ^放電產(chǎn)生的等離子體源來形成發(fā)射EUV輻射的等離子體210?？梢酝ㄟ^例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽等氣體或蒸汽來產(chǎn)生EUV輻射，其中產(chǎn)生溫度非常高的等離子體210用于發(fā)射在電磁光譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。例如通過導(dǎo)致至少部分電離的等離子體的放電來產(chǎn)生溫度非常高的等離子體210。例如分壓為IOPa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它的適合的氣體或蒸汽對于有效地產(chǎn)生輻射可能是需要的。在一實(shí)施例中，被激勵(lì)的錫(Sn)的等離子體被提供用于產(chǎn)生EUV輻射。由高溫的等離子體210發(fā)射的輻射從源腔211經(jīng)由可選的氣體阻擋件或污染物阱230 (在一些情況下也稱作為污染物阻擋件或翼片阱)到達(dá)收集器腔212中，所述氣體阻擋件或污染物阱定位在源腔211的開口中或其后面。污染物阱230可以包括通道結(jié)構(gòu)。污染物阱230還可以包括氣體阻擋件或氣體阻擋件和通道結(jié)構(gòu)的組合。在此處被進(jìn)一步顯示的污染物阱或污染物阻擋件230至少包括本領(lǐng)域中已知的通道結(jié)構(gòu)。收集器腔212可以包括輻射收集器CO，其可以是所謂的掠入射收集器。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側(cè)251和下游輻射收集器側(cè)252。橫越收集器CO的輻射可以被反射離開光柵光譜濾光片240，以被聚焦到虛源點(diǎn)IF處。虛源點(diǎn)IF通常被稱作為中間焦點(diǎn)，源收集器模塊被布置成使得中間焦點(diǎn)IF定位在包封結(jié)構(gòu)220的開口 221處或附近。虛源點(diǎn)IF是發(fā)射輻射的等離子體210的像。隨后，輻射橫越照射系統(tǒng)IL，其可以包括琢面場反射鏡裝置22和琢面光瞳反射鏡裝置24，琢面場反射鏡裝置22和琢面光瞳反射鏡裝置24布置成提供在圖案形成裝置MA處的輻射束21的期望的角度分布以及在圖案形成裝置MA處的輻射強(qiáng)度的期望的均勻性。在由支撐結(jié)構(gòu)MT保持的圖案形成裝置MA處反射輻射束21時(shí)，形成了圖案化的束26，通過投影系統(tǒng)PS將圖案化的束26經(jīng)由反射元件28、30成像到由晶片平臺或襯底臺WT保持的襯底W上。比圖示更多的元件可以通常設(shè)置在照射光學(xué)裝置單元IL和投影系統(tǒng)PS中。光柵光譜濾光片240可以依賴于光刻設(shè)備的類型被可選地設(shè)置。另外，可以設(shè)置比圖示更多的反射鏡，例如在投影系統(tǒng)PS中設(shè)置比圖2顯示的多1-6個(gè)額外的反射元件。如圖2中所顯示的收集器光學(xué)裝置CO被顯示為具有掠入射反射器253、254和255的巢狀收集器，僅作為收集器(或收集器反射鏡)的不例。掠入射反射器253、254和255圍繞光軸O軸向?qū)ΨQ設(shè)置，這一類型的收集器光學(xué)裝置CO優(yōu)選地與通常稱為DPP源的放電產(chǎn)生等離子體源組合使用?？商娲?，源收集器模塊SO可以是圖3中顯示的LPP輻射系統(tǒng)的一部分。激光 器LA布置成沉積激光能量到燃料中，諸如由供給裝置(在圖中未顯示)提供的氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)，從而產(chǎn)生具有幾十eV的電子溫度的高度電離的等離子體210。在這些離子的去激勵(lì)和再復(fù)合期間產(chǎn)生的高能輻射由等離子體發(fā)射，被近正入射收集器光學(xué)裝置CO收集且被聚焦到包封結(jié)構(gòu)220中的開口 221上。如之前討論的，除極紫外輻射之外，等離子體通常產(chǎn)生成顆粒形式的碎片，諸如熱能化的原子、離子、中性物質(zhì)、納米簇和/或微粒。碎片可能導(dǎo)致對收集器反射鏡和其它光學(xué)裝置的損壞。在嘗試防止碎片造成損壞時(shí)，可以將緩沖氣體用在等離子體的附近區(qū)域中，以便減緩碎片。在已有的布置中，緩沖氣體可以被通過收集器中的孔且朝向收集器的焦點(diǎn)引導(dǎo)，在產(chǎn)生等離子體時(shí)使用的激光束可以穿過所述孔。然而，這不足以防止污染物到達(dá)遠(yuǎn)離所述孔的收集器表面?？商娲鼗蛄硗獾?，可以從收集器的外邊緣朝向所述孔引導(dǎo)緩沖氣體，但是這可能使污染物通過孔并朝向敏感的光學(xué)部件運(yùn)動。因此，雖然這些布置可能減小或抑制污染，但是它們?nèi)匀豢梢员桓纳?。圖4公開了包括收集器光學(xué)裝置的收集器反射鏡組件302，在這一示例中收集器光學(xué)裝置是收集器反射鏡CO'。收集器反射鏡CO'具有反射表面304。收集器反射鏡CO'的反射表面304被構(gòu)造用于將從第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦到第二焦點(diǎn)。收集器反射鏡是正入射收集器。收集器反射鏡組件302可以包括在類似于圖3中示出的源收集器模塊SO中。第一焦點(diǎn)可以與產(chǎn)生發(fā)射輻射的等離子體210所在的位置重合。所述位置也被稱作為預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置。由于發(fā)射輻射的等離子體210在第一焦點(diǎn)處被產(chǎn)生的事實(shí)，虛源點(diǎn)IF與第
二焦點(diǎn)重合。典型地，但是不是必須的，收集器反射鏡可以是多層反射鏡。這樣的多層反射鏡可以包括Mo和Si的交替層?？箶U(kuò)散層可以被設(shè)置用于防止Mo層和Si層之間的擴(kuò)散。用于這樣的抗擴(kuò)散層的適合的材料是B4C。收集器反射鏡CO'還包括孔306 (圖4)，其延伸通過收集器反射鏡CO'的反射表面304。孔306定位在收集器CO'的軸對稱線AX上。孔306具有邊緣308。組件302設(shè)置有管狀主體310，管狀主體310延伸通過孔306。管狀主體310具有內(nèi)表面312和外表面314。技術(shù)人員可以將措詞“管狀”理解成廣義的術(shù)語，其可以包括各種不同的結(jié)構(gòu)或與各種不同的結(jié)構(gòu)同義。例如，管狀主體可以不具有平行的壁，但是可以替代地是圓錐形或喇叭形。管狀主體可以是形成從收集器的一側(cè)(即非收集表面)至收集器的另一相反側(cè)(例如收集表面)的管道的任何結(jié)構(gòu)。管狀主體可以具有圓形的橫截面，或橢圓形的橫截面，或任何其他的適合的橫截面。在使用中，主氣流GF被引導(dǎo)通過管狀主體310，其在這一實(shí)施例中被構(gòu)造和布置成沿著橫向于反射表面304的方向引導(dǎo)氣流GF。例如,管狀主體310的內(nèi)表面312被構(gòu)造和布置成沿著橫向于反射表面304的方向引導(dǎo)氣流GF。典型地,氣流GF被朝向第一焦點(diǎn)和第二焦點(diǎn)中的一者或兩者引導(dǎo)。開口 316可以定位在管狀主體310的外表面314和孔306的邊緣308之間。在圖4的實(shí)施例中，外表面314和邊緣308形成或限定開口 316。開口316(其包括形成所述開口 316的至少一部分的一個(gè)或更多的結(jié)構(gòu)，例如管狀主體310的外表面314和邊緣308)被布置成引導(dǎo)另外的氣流GF’，所述另外的氣流GF’與氣流GF分開。分開的氣流是有利的，因?yàn)榭梢砸种圃诟鼘挼膮^(qū)域上的污染，還可以驅(qū)使污染物遠(yuǎn)離管狀 主體310、和/或開口 316和/或收集器CO'的反射表面304。例如，開口 316 (例如形成所述開口 316的一部分的管狀主體310的外表面314)可以被設(shè)置形狀以大致沿著反射表面304并遠(yuǎn)離管狀主體310引導(dǎo)另外的氣流GF’。這可能是有利的，因?yàn)榭梢则?qū)使污染物遠(yuǎn)離管狀主體310和/或收集器CO'的開口 316和/或反射表面304。相比，在已知的布置中，緩沖氣體可以沿著大致相反的方向從收集器外邊緣并朝向收集器中的開口流動。這可能增加了污染物被驅(qū)使通過孔并朝向敏感的光學(xué)部件等運(yùn)動的風(fēng)險(xiǎn)，其可以被用于調(diào)節(jié)在形成等離子體中使用的激光束。這是不期望的。在圖4的實(shí)施例中，管狀主體310的內(nèi)表面312和外表面314的部分318沿著大致與氣流GF相逆的方向逐漸收縮，用于產(chǎn)生之前描述的分流。因?yàn)榭?06典型地用于傳送來自激光器的激光能量，所以管狀主體310的適合的布置可能限制了對收集器反射鏡CO'的反射表面304的成像能力的任何潛在的損害。例如管狀主體310可以定位在不能收集輻射的遮蔽區(qū)域中，或在不需要收集的區(qū)域中。一個(gè)或更多的壁可以設(shè)置在管狀主體310的外表面314和孔306的邊緣之間。為了示出其，圖5示意性地顯示圖4的組件302的修改。因?yàn)榻M件圍繞圖5中顯示的軸對稱線AX是對稱的，所以僅實(shí)際上顯示出該組件的一部分。如圖5所見，三個(gè)壁320a，320b和320c被設(shè)置在管狀主體310的外表面314和孔306的邊緣308之間。這些壁320A，320B和320c將所述另外的氣流分隔成一個(gè)或更多的子流GF’ a，GF’ b，GF’。和GF’ D。分隔成這樣的子流增加了流GF和子流GF’ A，GF’ B，GF’ c和GF’ D的層流性。這些流的層流性是期望的，因?yàn)閷恿魍ǔ１确菍恿?即湍流)更好控制。引入一個(gè)或更多的壁32(^，32(^和320?？梢钥商娲鼗蛄硗獾卦黾訉φ麄€(gè)氣流的控制度和/或?qū)λ鰵饬鞯奶囟ǚ至康姆较虻目刂贫取Ｒ粋€(gè)或更多的壁320a，320b和320。可以形成另外的管狀主體的至少一部分，其圍繞已經(jīng)被描述的管狀主體310。將認(rèn)識到，圖4和5中顯示的組件被示出為穿過收集器組件的截面。雖然氣流被顯示為位于圖所在的平面中，但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到氣流將是或還可以是圍繞軸對稱線分布的，或均勻分布的，例如沿著圍繞軸對稱線的圓周方向。以這種方式，整個(gè)收集器表面可以由氣流來保護(hù)。上述的一個(gè)或更多的管狀主體或開口可以包括變窄部或約束件，因此形成文氏管。變窄部或約束件可能使得氣流在文氏管的區(qū)域中被加速，其可能是有利的。包括用于形成或限定這些開口的結(jié)構(gòu)的一個(gè)開口或更多個(gè)開口，和/或管狀主體可以被定義成或形成一個(gè)或更多的噴嘴。噴嘴可以包括如之前所述的約束件。穿過收集器和/或管狀主體中的開口的氣體將通常是同一氣體，由同一源供給。氣流可以例如是每分鐘50和250(標(biāo))升之間。該氣體可以是氫(原子或分子)、氘、氦和
/或U。包括用于限定所述開口(或另外的開口)的壁的開口和/或中心管狀主體可以布置成確保實(shí)現(xiàn)氣流的特定的分割(split)，該分割位于穿過中心管狀主體的氣體與周圍的一個(gè)開口或更多個(gè)開口之間。例如，分割可能導(dǎo)致80%的氣體流過中心管狀主體，20%的氣 體通過周圍的一個(gè)開口或通過周圍的更多個(gè)開口。在另一示例中，分割可能導(dǎo)致20 %的氣體流過中心管狀主體和80 %的氣體通過周圍的一個(gè)開口或通過周圍的更多個(gè)開口。在另一示例中，分割可以在之前的兩個(gè)示例之間的任何位置，例如分割可能導(dǎo)致50%的氣體流過中心管狀主體和50 %的氣體通過周圍的一個(gè)開口或通過周圍的更多個(gè)開口。所述分割可以配置成確保沿著收集器表面的氣流不被朝向橫向于所述表面的氣流拖拉，和/或所述分割可以配置成確保橫向于收集器表面的氣流不被朝向沿著收集器表面的氣流拖拉。這樣的分割或這樣的分割之間的平衡可以確保氣體被朝向收集器的焦點(diǎn)并沿著收集器的表面適當(dāng)?shù)匾龑?dǎo)。分割的確切數(shù)值將依賴于氣體流量和收集器組件等的尺寸變化，和可以例如由反復(fù)試驗(yàn)或常規(guī)模型化來確定。分割的數(shù)值可以可替代地或另外地依賴于操作條件，例如源在哪一占空比下工作。例如，在高的占空比(例如全功率)下，通過中心管狀主體的流量可以是80 %，通過周圍的一個(gè)開口或通過周圍的更多個(gè)開口的是20 %。在源處在低的占空比下或停止的，分割可以是顛倒的，-20%的氣體通過中心管狀主體而80%的氣體通過周圍的一個(gè)開口或通過周圍的更多個(gè)開口。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用于制造IC(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情況中使用本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用中，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。
在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的和靜電的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實(shí)現(xiàn)。上 文描述意圖是說明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解在不背離所附的權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對所述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種收集器反射鏡組件，包括 具有反射表面的收集器反射鏡和具有邊緣的孔，所述孔延伸通過反射表面； 管狀主體，所述管狀主體延伸通過所述孔，所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面，所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流；和 開口，在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的組件，其中所述開口布置成大致沿著反射表面引導(dǎo)所述另外的氣流。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的組件，其中所述管狀主體的內(nèi)表面和外表面中的一者或兩者的至少一部分沿著與主氣流相逆的方向逐漸收縮。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組件，其中一個(gè)或更多的壁設(shè)置在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述一個(gè)或更多的壁被構(gòu)造和布置成將所述另外的氣流分成一個(gè)或更多的子流。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組件，其中所述收集器反射鏡構(gòu)造成將從第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦到第二焦點(diǎn)，其中所述主氣流被引導(dǎo)遠(yuǎn)離反射表面到達(dá)第一焦點(diǎn)和第二焦點(diǎn)中的一者或兩者。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組件，其中所述開口由管狀主體的外表面和孔的邊緣形成。
7.—種構(gòu)造用于產(chǎn)生極紫外輻射的模塊，所述模塊包括 供給裝置，配置成將點(diǎn)燃材料的一個(gè)或更多的液滴供給至預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置； 輻射源，配置成供給激光束，所述激光束被布置成聚焦到所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置和通過撞擊處在所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置處的液滴來產(chǎn)生等離子體，以便將液滴改變成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體；和 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的模塊，所述組件是根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的組件，所述目標(biāo)點(diǎn)燃位置是第一焦點(diǎn)。
9.一種光刻投影設(shè)備，布置成將圖案從圖案形成裝置投影到襯底上，所述設(shè)備包括根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的組件，或根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的模塊。
10.一種用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法，包括步驟 將諸如激光束等輻射束引導(dǎo)到點(diǎn)燃材料的液滴上，所述液滴定位在預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置，以便將所述液滴改變成配置成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體； 使用根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的組件、根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的模塊或根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻投影設(shè)備朝向所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置反射輻射和引導(dǎo)氣流。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述收集器反射鏡構(gòu)造成將由第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦到第二焦點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述方法包括步驟 提供通過管狀主體的主氣流和/或通過開口的所述另外的氣流，所述主氣流被朝向第一和第二焦點(diǎn)中的一者或兩者引導(dǎo)。
13.—種構(gòu)造成用于產(chǎn)生極紫外輻射的模塊，所述模塊包括供給裝置，配置成將點(diǎn)燃材料的一個(gè)或更多的液滴供給至預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置；輻射源，配置成供給激光束，所述激光束被布置成聚焦到預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置和通過撞擊在所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置處的液滴產(chǎn)生等離子體，以便將液滴改變成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體；和 收集器反射鏡組件，包括 具有反射表面的收集器反射鏡和具有邊緣的孔，所述孔延伸通過反射表面； 管狀主體，所述管狀主體延伸通過孔，所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面，所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流；和 開口，在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。
14.一種光刻投影設(shè)備，包括 收集器反射鏡組件，包括 收集器反射鏡以及具有邊緣的孔，收集器反射鏡具有配置成將由第一焦點(diǎn)發(fā)射的輻射聚焦到第二焦點(diǎn)的反射表面，所述孔延伸通過反射表面， 管狀主體，所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面，所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流；和 開口，在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開， 支撐件，配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置成在輻射已經(jīng)穿過第二焦點(diǎn)之后圖案化所述輻射，用于形成圖案化的輻射束；和 投影系統(tǒng)，配置成將所述圖案化的輻射束投影到襯底上。
15.一種用于產(chǎn)生極紫外輻射的方法，包括 將諸如激光束等輻射束引導(dǎo)到點(diǎn)燃材料的液滴上，所述液滴定位在預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置，以便將所述液滴改變成配置成產(chǎn)生極紫外輻射的等離子體； 使用收集器反射鏡組件朝向所述預(yù)定的目標(biāo)點(diǎn)燃位置反射輻射和引導(dǎo)氣流，所述收集器反射鏡組件包括 具有反射表面的收集器反射鏡以及具有邊緣的孔，所述孔延伸通過反射表面， 管狀主體，所述管狀主體具有內(nèi)表面和外表面，所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)主氣流；和 開口，在管狀主體的外表面和孔的邊緣之間，所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流，所述另外的氣流與所述主氣流分開。
全文摘要
一種收集器反射鏡組件(302)包括包括反射表面(304)的收集器反射鏡(co’)和具有邊緣(308)的孔(306)。所述孔延伸通過反射表面。所述組件還包括管狀主體(310)，所述管狀主體(310)具有內(nèi)表面(312)和外表面(314)。所述管狀主體構(gòu)造和布置成沿著大致橫向于反射表面的方向引導(dǎo)氣流(GF)。所述管狀主體的外表面和孔的邊緣形成開口(316)，所述開口布置成引導(dǎo)另外的氣流(GF’)，所述另外的氣流與大致橫向于反射表面的氣流分開。
文檔編號H05G2/00GK102859442SQ201180019319
公開日2013年1月2日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月22日
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