專利名稱：導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置。具體地說，本發(fā)明涉及通過進(jìn)行基板上導(dǎo)電漿料的位置檢測和通過激光照射進(jìn)行導(dǎo)電漿料的烘焙以提高關(guān)于基板材料選擇自由度的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在各種電子設(shè)備中設(shè)置有具有導(dǎo)電層的導(dǎo)電基板。在這些導(dǎo)電基板中，存在一種例如通過印制在基板上形成導(dǎo)電層的導(dǎo)電基板(例如，參見日本未審查專利申請公開第2008-205144號)。在通過印制制造導(dǎo)電基板的方法中，在基板的預(yù)定位置處印制導(dǎo)電漿料，例如金屬漿料，接著進(jìn)行為了實現(xiàn)低電阻的熱處理。通過熱處理烘焙導(dǎo)電漿料以便去除包含在導(dǎo)電漿料內(nèi)的不需要的分散劑并且使金屬粒子彼此結(jié)合，從而形成導(dǎo)電層并且確保良好的導(dǎo)電性。該熱處理通過將其上印制有導(dǎo)電漿料的基板插入和置于等于或高于200°C的烤箱內(nèi)而進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容
然而，如上，為了通過熱處理形成導(dǎo)電層，需要將其上印制有導(dǎo)電漿料的基板置于等于或高于200°C的烤箱內(nèi)，因此需要使用由具有高耐熱性的材料制成的基板。因此，存在難以將具有低耐熱性的廉價材料如PET (聚對苯ニ甲酸こニ醇酯)用于基板的問題，因此制造成本増加。期望提供一種導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置，通過克服上述問題而提聞關(guān)于基板材料選擇的自由度。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種導(dǎo)電基板，該導(dǎo)電基板包括基板，由樹脂材料制成；以及導(dǎo)電層，通過烘焙涂覆在基板上的預(yù)定位置處的導(dǎo)電漿料而形成在基板上，其中，導(dǎo)電層通過將第二激光照射至基于由第一激光照射至基板的照射位置引起的反射率差異而被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料、進(jìn)行烘焙而形成。因此，僅將具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板上的導(dǎo)電漿料。在導(dǎo)電基板中，優(yōu)選通過將第三激光照射至基板檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)，由此能夠根據(jù)導(dǎo)電層的形成狀態(tài)而改變第二激光的光量。在導(dǎo)電基板中，優(yōu)選根據(jù)照射時間改變第二激光對導(dǎo)電漿料的照射強度。通過根據(jù)照射時間改變第二激光向?qū)щ姖{料的照射強度，可以根據(jù)激光的照射時間依賴于導(dǎo)電漿料的熱吸收狀態(tài)改變激光的照射強度。在導(dǎo)電基板中，優(yōu)選沿著預(yù)定方向移動基板，通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第一激光對基板的照射角度來檢測導(dǎo)電漿料的位置，并且通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第二激光對基板的照射角度來烘焙導(dǎo)電漿料。通過改變第一激光對基板的照射角度來檢測導(dǎo)電漿料的位置，并且通過改變第二激光對基板的照射角度來烘焙導(dǎo)電漿料，從而在與激光對導(dǎo)電漿料的照射角度相對應(yīng)的范圍內(nèi)執(zhí)行導(dǎo)電漿料的位置檢測和烘焙。
在導(dǎo)電基板中，第一激光和第二激光的激光源優(yōu)選是公共的光源。第一激光和第二激光的激光源是公共的光源，因此從同一激光源發(fā)出的激光被輸出為第一激光和第二激光。在導(dǎo)電基板中，第一激光、第二激光和第三激光的激光源優(yōu)選是公共的光源。第一激光、第二激光和第三激光的激光源是相同光源，因此從同一激光源發(fā)出的激光被輸出為第一激光、第二激光和第三激光。根據(jù)另ー實施方式，提供了一種導(dǎo)電基板的制造方法，包括在由樹脂材料制成的基板的預(yù)定位置處涂覆導(dǎo)電漿料；基于由第一激光照射到基板的照射位置引起的反射率差異而檢測導(dǎo)電漿料在基板上的位置；并且通過將第二激光照射至被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料來烘焙導(dǎo)電漿料，從而在基板上形成導(dǎo)電層。因此，僅將具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板上的導(dǎo)電漿料。在導(dǎo)電基板的制造方法中，優(yōu)選通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)，因此可以根據(jù)導(dǎo)電層的形成狀態(tài)來改變第二激光的光量。在導(dǎo)電基板的制造方法中，優(yōu)選根據(jù)照射時間改變第二激光對導(dǎo)電漿料的照射強度。通過根據(jù)照射時間改變第二激光對導(dǎo)電漿料的照射強度，可以根據(jù)激光的照射時間依賴于導(dǎo)電漿料的熱吸收狀態(tài)改變激光的照射強度。在導(dǎo)電基板的制造方法中，優(yōu)選沿著預(yù)定方向移動基板，通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第一激光對基板的照射角度來檢測導(dǎo)電漿料的位置，并且通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第二激光對基板的照射角度來烘焙導(dǎo)電漿料。通過改變第一激光對基板的照射角度來檢測導(dǎo)電漿料的位置，并且通過改變第二激光對基板的照射角度來烘焙導(dǎo)電漿料，從而在與激光對導(dǎo)電漿料的照射角度相對應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行導(dǎo)電漿料的位置檢測和烘焙。在導(dǎo)電基板的制造方法中，第一激光和第二激光的激光源優(yōu)選是公共的光源。第一激光和第二激光的激光源是公共是光源，因此從同一激光源發(fā)出的激光被輸出為第一激光和第二激光。在導(dǎo)電基板的制造方法中，第一激光、第二激光和第三激光的激光源優(yōu)選是公共的光源。第一激光、第二激光和第三激光的激光源是公共的光源，因此從同一激光源發(fā)出的激光被輸出為第一激光、第二激光和第三激光。根據(jù)本發(fā)明的又ー實施方式，提供了ー種激光照射裝置，該激光照射裝置包括第一光學(xué)系統(tǒng)，該第一光學(xué)系統(tǒng)將第一激光照射至由樹脂材料制成并且在預(yù)定位置處涂覆有導(dǎo)電漿料的基板，并且基于由照射位置引起的反射率差異檢測導(dǎo)電漿料在基板上的位置；以及第二光學(xué)系統(tǒng)，該第二光學(xué)系統(tǒng)通過將第二激光照射至被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料來烘焙導(dǎo)電漿料，從而形成導(dǎo)電層。因此，僅將具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板上的導(dǎo)電漿料。激光照射裝置優(yōu)選還包括第三光學(xué)系統(tǒng)，該第三光學(xué)系統(tǒng)通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。通過提供通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)的第三光學(xué)系統(tǒng)，可以根據(jù)導(dǎo)電層的形成狀態(tài)來改變第二激光的光量。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種導(dǎo)電基板，該導(dǎo)電基板包括基板，由樹脂材料制成；以及導(dǎo)電層，通過烘焙涂覆在基板上的預(yù)定位置處的導(dǎo)電漿料而形成在基板上，其中，導(dǎo)電層通過將第二激光照射至基于由第一激光照射至基板的照射位置引起的反射率差異而被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料、進(jìn)行烘焙而形成。因此,可以將具有低耐熱性的材料用于基板，并且提聞關(guān)于基板材料選擇的自由度。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。因此，能夠通過烘焙狀態(tài)的穩(wěn)定性來制造具有高操作可靠性的導(dǎo)電基板。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，根據(jù)照射時間來改變第二激光對導(dǎo)電漿料的照射強度。因此，對于根據(jù)激光的照射時間改變熱吸收狀態(tài)的導(dǎo)電漿料，可以確?？紤]熱吸收量的導(dǎo)電漿料的最佳烘焙狀態(tài)，并且形成具有良好導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，沿著預(yù)定方向移動基板，通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第一激光對基板的照射角度來檢測導(dǎo)電漿料的位置，并且通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第二激光對基板的照射角度來烘焙導(dǎo)電漿料。因此，可以簡單并可靠地基于激光對基板的照射角度和基板的移動位置來對基板執(zhí)行導(dǎo)電漿料的位置檢測和執(zhí)行激光對導(dǎo)電漿料的照射。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一激光和第二激光的激光源是公共的光源。因此，可以減少部件的數(shù)目和制造成本。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一激光、第二激光和第三激光的激光源是公共的光源。因此，可以進(jìn)ー步減少部件的數(shù)目和制造成本。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種導(dǎo)電基板的制造方法，包括在由樹脂材料制成的基板的預(yù)定位置處涂覆導(dǎo)電漿料；基于由第一激光照射到基板的照射位置引起的反射率差異而檢測導(dǎo)電漿料在基板上的位置；并且通過將第二激光照射至被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料來烘焙導(dǎo)電漿料，從而在基板上形成導(dǎo)電層。因此，可以將具有低耐熱性的材料用于基板，并且提高關(guān)于基板材料選擇的自由度。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。 因此，可以通過烘焙狀態(tài)的穩(wěn)定性來制造具有高操作可靠性的導(dǎo)電基板。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，根據(jù)照射時間改變第二激光對導(dǎo)電漿料的照射強度。
因此，對于根據(jù)激光的照射時間改變熱吸收狀態(tài)的導(dǎo)電漿料，可以確保考慮熱吸收量的導(dǎo)電漿料的最佳烘焙狀態(tài)，并且形成具有良好導(dǎo)電性的導(dǎo)電層。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，沿著預(yù)定方向移動基板，通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第一激光對基板的照射角度來檢測導(dǎo)電漿料的位置，并且通過沿著垂直于基板的移動方向的方向改變第二激光對基板的照射角度來烘焙導(dǎo)電漿料。因此，可以簡單并可靠地基于激光對基板的照 射角度和基板的移動位置對基板執(zhí)行導(dǎo)電漿料的位置檢測和執(zhí)行激光對導(dǎo)電漿料的照射。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一激光和第二激光的激光源是公共的光源。因此，可以減少部件的數(shù)目和制造成本。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一激光、第二激光和第三激光的激光源是公共的光源。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了ー種激光照射裝置，該激光照射裝置包括第一光學(xué)系統(tǒng)，該第一光學(xué)系統(tǒng)將第一激光照射至由樹脂材料制成并且在預(yù)定位置處涂覆有導(dǎo)電漿料的基板，并且基于由照射位置引起的反射率差異檢測導(dǎo)電漿料在基板上的位置；以及第二光學(xué)系統(tǒng)，該第二光學(xué)系統(tǒng)通過將第二激光照射至被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料來烘焙導(dǎo)電漿料，從而形成導(dǎo)電層。因此,可以將具有低耐熱性的材料用于基板，并且提聞關(guān)于基板材料選擇的自由度。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，還提供了第三光學(xué)系統(tǒng)，該第三光學(xué)系統(tǒng)通過將第三激光照射至基板來檢測基板上的導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。因此，可以通過烘焙狀態(tài)的穩(wěn)定性來制造具有高操作可靠性的導(dǎo)電基板。


圖I連同圖2至圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置，并且該圖是導(dǎo)電基板的示意性平面圖。圖2是示出了激光照射裝置等的概念圖。圖3連同圖4至圖6示出了當(dāng)照射各激光束時的具體實例，并且該圖是示出了當(dāng)照射第一激光時的具體實例的示圖。圖4是示出了當(dāng)照射第二激光時的具體實例的示圖。圖5是示出了在已調(diào)節(jié)基于第三激光的反射光量控制的第二激光的狀態(tài)下照射第三激光時的具體實例的示圖。圖6是示出了根據(jù)時間改變第二激光的光量的實例的示圖。
具體實施例方式在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置。將根據(jù)本發(fā)明的實施方式的導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置應(yīng)用于使用可印制電子技術(shù)制造的導(dǎo)電基板(該可印制電子技術(shù)可通過印制形成微細(xì)導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層)實現(xiàn)減少環(huán)境污染和低成本)、該導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置。使用該可印制電子技術(shù)所制造的導(dǎo)電基板應(yīng)用于平板顯示器，例如，液晶顯示器、等離子體顯示器或有機電致發(fā)光顯示器。然而，在下文中，描述了以沿朝向豎直方向的方向設(shè)置具有導(dǎo)電層的作為印制對象的基板的狀態(tài)下的方向，但本發(fā)明的實施方式不限于這樣的方向。導(dǎo)電基板的結(jié)構(gòu)如圖I中所示，導(dǎo)電基板I包括用作印制對象的基板2，以及在基板2上形成的導(dǎo)電層3、3、...，并且導(dǎo)電層3、3、...用作導(dǎo)電圖案?；?使用樹脂如聚對苯ニ甲酸こニ醇酯、聚酰亞胺等形成。
通過利用下文所述的激光照射裝置照射的激光烘焙涂覆在基板2上的導(dǎo)電漿料(例如金屬漿料)形成導(dǎo)電層3、3、...，并且使用例如銀納米墨。作為導(dǎo)電層3、3、...的材料，例如可使用金、銅、鎳、錫、鉛等。此外，導(dǎo)電漿料不限于金屬漿料，并且例如可將有機導(dǎo)電漿料或?qū)щ娋酆衔镉米鲗?dǎo)電漿料。激光照射裝置的結(jié)構(gòu)等和導(dǎo)電基板的制造方法激光照射裝置100包括控制器10、激光源20、第一光學(xué)系統(tǒng)30、第二光學(xué)系統(tǒng)40和第三光學(xué)系統(tǒng)50 (參見圖2)。將在預(yù)定位置涂覆有導(dǎo)電漿料的基板2設(shè)置在激光照射裝置100的下側(cè)，并且通過移動機構(gòu)(未示出)沿著預(yù)定方向，例如，從左側(cè)到右側(cè)來移動基板2。控制器10具有控制整個激光照射裝置100的功能，并且將各種命令發(fā)送給激光源20、第一光學(xué)系統(tǒng)30、第二光學(xué)系統(tǒng)40和第三光學(xué)系統(tǒng)50。控制器10具有儲存各種信息的存儲器10a。激光源20例如是半導(dǎo)體激光器，并且基于來自控制器10的輸出命令P將例如300nm到600nm的激光發(fā)射至基板2。第一光學(xué)系統(tǒng)30包括第一掃描光學(xué)單兀31、第一光量檢測兀件32和第一 A/D轉(zhuǎn)換單元33。將反射或透射激光的透反鏡(transflective mirror) 61設(shè)置在激光源20和第一掃描光學(xué)単元31之間，并且將反射或透射激光的透反鏡62設(shè)置在第一掃描光學(xué)単元31和第一光量檢測單元32之間。第一掃描光學(xué)単元31例如具有多棱鏡，并且基于來自控制器10的掃描命令A(yù)，使用從激光源20發(fā)出、被透反鏡61反射、并且透射通過透反鏡62的第一激光照射基板2，以在預(yù)定角度范圍內(nèi)掃描。使用從第一掃描光學(xué)単元31照射的第一激光沿向前和向后方向掃描基板2，并且在基板2的掃描過程中被反射的第一激光的反射光被透反鏡62所反射接著入射至第一光量檢測元件32。在此時，由于由第一激光的照射位置引起(依賴于第一激光的照射位置)的反射率差異，從涂覆在基板2上的導(dǎo)電漿料反射的具有大光量的反射光和從基板2上沒有導(dǎo)電漿料存在的部分反射的具有小光量的反射光入射至第一光量檢測元件32。通過第一光量檢測元件32檢測入射反射光的光量，并且將光量的檢測值發(fā)送至第一 A/D轉(zhuǎn)換單元33。發(fā)送至第一 A/D轉(zhuǎn)換單元33的反射光的光量檢測值通過第一 A/D轉(zhuǎn)換單元33轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，接著將經(jīng)轉(zhuǎn)換的檢測信號發(fā)送至控制器10?？刂破?0基于激光對基板2的照射角度(掃描角度)和從第一 A/D轉(zhuǎn)換單元33發(fā)送的檢測信號檢測(計算)導(dǎo)電漿料在基板2上的位置，并且將檢測到的導(dǎo)電漿料的位置信息儲存在存儲器IOa中。第二光學(xué)系統(tǒng)40包括第二掃描光學(xué)單元41、第二光量檢測元件42和第二 A/D轉(zhuǎn)換單元43。 反射或透射激光的透反鏡63和64從透反鏡61側(cè)開始順序設(shè)置在透反鏡61和第ニ掃描光學(xué)單元41之間。第二掃描光學(xué)單兀41例如具有多棱鏡，并且基于來自控制器10的掃描調(diào)制命令B，使用從激光源20發(fā)出、順序透射通過透反鏡61、63和64、并且被調(diào)制的第二激光照射基板2，以在預(yù)定角度范圍內(nèi)掃描。相對于第一激光對基板2的照射位置，第二激光對基板2的照射位置位于基板2的移動方向上。在此時，控制器10從存儲器IOa讀取通過第一激光照射檢測到的導(dǎo)電漿料的位置信息，并且基于位置信息僅將具有烘焙所需的光量的第二激光照射至導(dǎo)電漿料。因此，不利用第二激光照射、或者利用具有小于烘焙所需的光量的光量的第二激光照射基板2上不存在導(dǎo)電漿料的部分。將第二激光照射至導(dǎo)電漿料，導(dǎo)電漿料被烘焙以形成導(dǎo)電層3、3、...。當(dāng)將第二激光照射至導(dǎo)電漿料時，第二激光的反射光透射通過透反鏡64、被透反鏡63反射、并且入射至第二光量檢測元件42。通過第二光量檢測元件42檢測入射反射光的光量，并且將光量的檢測值發(fā)送至第二 A/D轉(zhuǎn)換單元43。發(fā)送至第二 A/D轉(zhuǎn)換單元43的反射光的光量檢測值通過第二 A/D轉(zhuǎn)換單元43轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，接著將經(jīng)轉(zhuǎn)換的檢測信號發(fā)送至控制器10?？刂破?0基于從第二 A/D轉(zhuǎn)換單元43發(fā)送的檢測信號檢測從激光源20發(fā)出的激光的輸出，并且基于檢測到的值，調(diào)節(jié)從激光源20發(fā)出的、導(dǎo)電漿料的烘焙所需的激光的輸出。第三光學(xué)系統(tǒng)50包括第三掃描光學(xué)單兀51、第三光量檢測兀件52和第三A/D轉(zhuǎn)換單元53。將反射或透射激光的透反鏡65設(shè)置在第三掃描光學(xué)単元51和第三光量檢測單元52之間。第三掃描光學(xué)単元51例如具有多棱鏡，并且基于來自控制器10的掃描命令C，使用從激光源20發(fā)出、順序透射通過透反鏡61和63、被透反鏡64反射、并且透射通過透反鏡65的第三激光在預(yù)定角度范圍內(nèi)照射基板2。相對于第二激光對基板2的照射位置，第三激光對基板2的照射位置定位于基板2的移動方向上。利用從第三掃描光學(xué)単元51照射的第三激光沿向前和向后方向掃描基板2，并且在基板2的掃描過程中被反射的第三激光的反射光被透反鏡65反射接著入射至第三光量檢測元件52。在此時，根據(jù)形成導(dǎo)電漿料的狀態(tài)改變光量的反射光入射至第三光量檢測元件52。通過第三光量檢測元件52檢測入射反射光的光量，并且將光量的檢測值發(fā)送至第三A/D轉(zhuǎn)換單元53。發(fā)送至第三A/D轉(zhuǎn)換單元53的反射光的光量檢測值通過第三A/D轉(zhuǎn)換單元53轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，接著將經(jīng)轉(zhuǎn)換的檢測信號發(fā)送至控制器10?？刂破?0基于第三激光的照射角度(掃描角度)和從第三A/D轉(zhuǎn)換單元53發(fā)送的檢測信號控制激光源20的輸出，使得當(dāng)照射第三激光時反射的光量變成烘焙導(dǎo)電漿料所需的光量，從而調(diào)節(jié)照射至導(dǎo)電漿料的第二激光的光量。此外，盡管在上文中已經(jīng)描述了設(shè)置有第一光學(xué)系統(tǒng)30、第二光學(xué)系統(tǒng)40和第三光學(xué)系統(tǒng)50的激光照射裝置100的實例，但激光照射裝置例如可以是具有多個組的所謂的多頭(multi-head),其中姆個組都具有第一光學(xué)系統(tǒng)30、第二光學(xué)系統(tǒng)40和第三光學(xué)系統(tǒng)50。如果設(shè)置了多頭，則由于可用激光一起照射多個基板2、2、...，所以可以提高導(dǎo)電基板I的生產(chǎn)率。當(dāng)照射各激光束時的具體實例在下文中，將參照各個示圖(參照圖3至圖6)描述當(dāng)照射各激光束時的具體實例。首先，將描述當(dāng)照射第一激光時的具體實例(參見圖3)。在圖3中，橫軸表不第一激光的照射時間，并且縱軸表不第一激光對基板2的掃描角度(實線)、第一激光的輸出(單點劃線)和第一激光的反射光量(雙點劃線)。圖3中所示的實例表示第一激光從時間O到時間T3以0°到Θ的照射角度掃描、并且在時間Tl和時間T2之間檢測導(dǎo)電漿料P的狀態(tài)。第一激光的輸出(光量)是常數(shù)值α，并且反射光量在導(dǎo)電漿料P不存在的位置處是小光量Fl，而在導(dǎo)電漿料P存在的位置處是大光量F2。這樣，第一激光用作通過基板2的掃描基于由照射位置引起的反射率差異，來檢測導(dǎo)電漿料P在基板2上的位置的激光。接著，將描述當(dāng)照射第二激光時的具體實例(參見圖4)。在圖4中，橫軸表不第二激光的照射時間，并且縱軸表不第二激光向基板2的掃描角度(實線)，以及第ニ激光的輸出(單點劃線)。圖4中所示的實例表示利用第二激光從時間Tl到時間Τ2掃描導(dǎo)電漿料P，并且在時間Tl和時間Τ2之間將第二激光照射至導(dǎo)電漿料P的狀態(tài)。第二激光的輸出(光量)在導(dǎo)電漿料P不存在的位置處是O光量，并且在導(dǎo)電漿料P存在的位置處是大光量F。這樣，第二激光用作被照射至通過照射第一激光而檢測到位置的導(dǎo)電漿料P并且檢測高溫的導(dǎo)電層3、3、…的激光。通過用于由照射第三激光而保持導(dǎo)電漿料P的最佳烘焙狀態(tài)的控制以及用于穩(wěn)定來自激光源20的激光發(fā)射造成的溫度變化所導(dǎo)致的輸出的反饋控制，實時調(diào)節(jié)第二激光的光量。此外，盡管在上文中已經(jīng)描述了在時間O和時間Tl、時間Τ2和時間Τ3之間光量是O的實例，但可以存在光量小于不會在這些時程損傷基板2的光量F的光量的第二激光的照射。接著，將描述當(dāng)照射第三激光時的具體實例(參見圖5的上部)。在圖5的上部中，橫軸表示第三激光的照射時間，并且縱軸表示第三激光對基板2的掃描角度(實線)、第三激光的輸出(單點劃線)和第三激光的反射光量(雙點劃線)。圖5的上部所示的實例表示第三激光從時間O到時間Τ3以0°到Θ的照射角度掃描，并且在時間Tl和時間Τ2之間將第三激光照射至導(dǎo)電層3的狀態(tài)。第三激光的輸出(光量)是常數(shù)值β，并且反射光量在導(dǎo)電層3不存在的位置處是小光量F3，而在導(dǎo)電層3、存在的位置處是大光量F4。此時，當(dāng)以最佳狀態(tài)形成導(dǎo)電層3吋，預(yù)先將反射光的光量視為光量F5。當(dāng)將第三激光照射至通過烘焙導(dǎo)電漿料P形成的導(dǎo)電層3、3、…時的反射光量低于當(dāng)通過包含在導(dǎo)電漿料P中的分散劑的不充分分解而確保最佳烘焙狀態(tài)時所得到的反射光量。因此，圖5的上部中所示的實例相當(dāng)于沒有以最佳狀態(tài)形成的導(dǎo)電層3的情況。因此，預(yù)先將當(dāng)確保最佳烘焙狀態(tài)時得到的反射光量設(shè)定成參照光量，并且將當(dāng)照射第三激光時得到的反射光量和參照光量之間的差與當(dāng)進(jìn)行后續(xù)烘焙時的第二激光相加作為校正值，從而調(diào)節(jié)第二激光的光量。對整個基板2實時執(zhí)行這種控制，從而形成在整個基板2上的導(dǎo)電漿料P、P、…的烘焙狀態(tài)具有小的不平衡并且具有良好導(dǎo)電性的導(dǎo)電層3、3、…。圖5的下部分示出了表示當(dāng)進(jìn)行上述控制時已經(jīng)調(diào)節(jié)了第二激光的狀態(tài)的實例。第二激光具有F6到F7的光量以在被調(diào)節(jié)后增大輸出。此外，如圖6中所示，在被照射至導(dǎo)電漿料P的狀態(tài)下，第二激光可根據(jù)照射時間改變照射強度(光量)。例如，在根據(jù)時間改變光量的狀態(tài)下，可將與被照射至導(dǎo)電漿料P并且在時間Tl和T2之間確保最佳烘焙狀態(tài)的光量類似的光量照射至導(dǎo)電漿料P。當(dāng)激光被照射至導(dǎo)電漿料P時，由于基板2的金屬微粒或材料，熱吸收狀態(tài)可根據(jù)經(jīng)過的時間而改變，因此，在照射激光后，熱吸收率馬上變低。因此，通過進(jìn)行如上所述的用于根據(jù)時間改變第二激光的光量的控制，可以考慮到根據(jù)經(jīng)過的時間改變的熱吸收量而確保導(dǎo)電漿料P的最佳烘焙狀態(tài)，并且形成具有良好導(dǎo)電性的導(dǎo)電層3、3、…。結(jié)論如上所述，在導(dǎo)電基板I中，通過將第二激光照射至基于由第一激光照射的照射位置引起的反射率差異而被檢測到在基板2上的位置的導(dǎo)電漿料、進(jìn)行烘焙而形成導(dǎo)電層3、3、…0因此，由于僅將具有烘焙所需的光量的第二激光照射至基板2上的導(dǎo)電漿料，可以將具有低耐熱性的材料用于基板2，以提高關(guān)于基板2材料選擇的自由度，并且降低制造成本。此外，由于將第三激光照射至基板2并且由此檢測在基板2上形成的導(dǎo)電層3、3、…的狀態(tài)，所以可以通過烘焙狀態(tài)的穩(wěn)定性來制造具有高操作可靠性的導(dǎo)電基板I。 此外，沿預(yù)定方向移動基板2，并且沿著垂直于基板2的移動方向的方向改變和掃描第一激光和第二激光的照射角度。因此，可以簡單并可靠地基于激光對基板2的照射角度和基板2的移動位置對基板2執(zhí)行導(dǎo)電漿料的位置檢測以及執(zhí)行激光對導(dǎo)電漿料的照射。此外，第一激光和第二激光使用激光源20作為公共的光源，因此能夠減少部件的數(shù)目和制造成本。此外，第三激光使用激光源20作為與第一激光和第二激光公共的光源，因此能夠 進(jìn)ー步減少部件的數(shù)目和制造成本。其他如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造的導(dǎo)電基板I應(yīng)用于平板顯示器，例如液晶顯示器、等離子體顯示器或有機電致發(fā)光顯示器。本發(fā)明可應(yīng)用于其他領(lǐng)域，例如，具有通過印制形成的半導(dǎo)體電路的電子紙、具有通過印制形成的電容器結(jié)構(gòu)的存儲器裝置、通過印制形成的天線裝置以及具有通過印制形成配線的染料敏化太陽能電池的領(lǐng)域。此外，本發(fā)明可應(yīng)用于柔性顯示器領(lǐng)域，其中，使用銀納米墨在塑料基板上形成配線，或使用并五苯形成柵絕緣層或聚合物絕緣層。本發(fā)明包含于2011年2月3日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2011-021634中所披露的主題，將其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以 進(jìn)行各種修改、組合、子組合和變形，只要它們在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電基板，包括 基板，由樹脂材料制成；以及 導(dǎo)電層，通過烘焙涂覆在所述基板上的預(yù)定位置處的導(dǎo)電漿料而形成在所述基板上， 其中，所述導(dǎo)電層通過將第二激光照射至基于由第一激光照射至所述基板的照射位置引起的反射率差異而被檢測到在所述基板上的位置的所述導(dǎo)電漿料、進(jìn)行烘焙而形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電基板，其中，通過將第三激光照射至所述基板來檢測所述基板上的所述導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電基板，其中，根據(jù)照射時間改變所述第二激光對所述導(dǎo)電漿料的照射強度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電基板，其中，沿著預(yù)定方向移動所述基板， 其中，通過沿著垂直于所述基板的移動方向的方向改變所述第一激光對所述基板的照射角度來檢測所述導(dǎo)電漿料的位置，以及 其中，通過沿著垂直于所述基板的移動方向的方向改變所述第二激光對所述基板的照射角度來烘焙所述導(dǎo)電漿料。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電基板，其中，所述第一激光和所述第二激光的激光源是公共的光源。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電基板，其中，所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光的激光源是公共的光源。
7.—種導(dǎo)電基板的制造方法,包括 在由樹脂材料制成的基板的預(yù)定位置處涂覆導(dǎo)電漿料； 基于由第一激光照射到所述基板的照射位置引起的反射率差異來檢測所述導(dǎo)電漿料在所述基板上的位置；以及 通過將第二激光照射至被檢測到在所述基板上的位置的所述導(dǎo)電漿料來烘焙所述導(dǎo)電漿料，從而在所述基板上形成導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電基板的制造方法，其中，通過將第三激光照射至所述基板來檢測所述基板上的所述導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電基板的制造方法，其中，根據(jù)照射時間改變所述第二激光對所述導(dǎo)電漿料的照射強度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電基板的制造方法，其中，沿著預(yù)定方向移動所述基板， 其中，通過沿著垂直于所述基板的移動方向的方向改變所述第一激光對所述基板的照射角度來檢測所述導(dǎo)電漿料的位置，以及 其中，通過沿著垂直于所述基板的移動方向的方向改變所述第二激光對所述基板的照射角度來烘焙所述導(dǎo)電漿料。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電基板的制造方法，其中，所述第一激光和所述第二激光的激光源是公共的光源。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電基板的制造方法，其中，所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光的激光源是公共的光源。
13.—種激光照射裝置，包括 第一光學(xué)系統(tǒng)，將第一激光照射至由樹脂材料制成并且在預(yù)定位置處涂覆有導(dǎo)電漿料的基板，并且基于由照射位置引起的反射率差異來檢測所述導(dǎo)電漿料在所述基板上的位置；以及 第二光學(xué)系統(tǒng)，通過將第二激光照射至被檢測到在所述基板上的位置的所述導(dǎo)電漿料來烘焙所述導(dǎo)電漿料，從而形成導(dǎo)電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的激光照射裝置，還包括第三光學(xué)系統(tǒng)，所述第三光學(xué)系統(tǒng)通過將第三激光照射至所述基板來檢測所述基板上的所述導(dǎo)電層的形成狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供了導(dǎo)電基板、導(dǎo)電基板的制造方法和激光照射裝置，其中，該導(dǎo)電基板包括基板，由樹脂材料制成；以及導(dǎo)電層，通過烘焙涂覆在基板上的預(yù)定位置處的導(dǎo)電漿料而形成在基板上，其中，導(dǎo)電層通過將第二激光照射至基于由第一激光照射至基板的照射位置引起的反射率差異而被檢測到在基板上的位置的導(dǎo)電漿料、進(jìn)行烘焙而形成。
文檔編號H05K3/22GK102630121SQ20121002352
公開日2012年8月8日 申請日期2012年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月3日
發(fā)明者安蕓祐一, 高木勝治 申請人:索尼公司