專利名稱：配線電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配線電路基板及其制造方法，詳細來說，本發(fā)明涉及可以進行導(dǎo)通檢查的配線電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
帶電路的懸掛基板等配線電路基板具有導(dǎo)體圖案，導(dǎo)體圖案在進行導(dǎo)通檢查后與磁頭及外部基板電連接。上述的帶電路的懸掛基板包括金屬支承基板、形成在該金屬支承基板之上的基底絕緣層、形成在該基底絕緣層之上的導(dǎo)體圖案、覆蓋該導(dǎo)體圖案的覆蓋絕緣層。此外，導(dǎo)體 圖案包括端子和與該端子相連接的配線。在上述的帶電路的懸掛基板中，首先，在端子上連接用于進行導(dǎo)通檢查的檢查用探針，之后，在端子上電連接磁頭、外部基板的連接端子。具體來說，提出有形成為飛線的技木，S卩，使端子以陷入到基底絕緣層的開ロ部內(nèi)的方式用端子填充該基底絕緣層的開ロ部，使填充于開ロ部的端子的背面自支承基板暴露出，并且使端子的表面自覆蓋絕緣層暴露出(例如，參照日本特開2005-337811號公報)。在日本特開2005-337811號公報中，使檢查用探針與端子的背面相接觸，對包含端子的導(dǎo)體圖案實施導(dǎo)通檢查，之后，使控制電路基板的連接端子與端子的表面相接觸，從而謀求上述端子間的電連接。此外，在日本特開2005-337811號公報中，有時也會使檢查用探針和控制電路基板的配置上下倒置，從而謀求檢查用探針和控制電路基板與端子的電連接。然而，當欲使控制電路基板的連接端子從上側(cè)與日本特開2005-337811號公報的帶電路的懸掛基板的端子的表面相接觸時，由于端子陷入到基底絕緣層的開ロ部內(nèi)，因此，控制電路基板的連接端子難以與端子的表面相接觸，因此，有時不能夠可靠地謀求控制電路基板的連接端子與帶電路的懸掛基板的端子的電連接。于是，存在導(dǎo)體圖案與控制電路基板的連接可靠性下降的不良情況。此外，在使檢查用探針和控制電路基板的配置上下倒置的情況下，當欲使檢查用探針從上側(cè)與端子的表面相接觸時，由于端子陷入到基底絕緣層的開ロ部內(nèi)，因此，檢查用探針難以與端子的表面相接觸，因此，有時不能夠可靠地謀求檢查用探針與帶電路的懸掛基板的端子的電連接。于是，存在不能夠利用檢查用探針可靠地實施導(dǎo)通檢查的不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供能夠可靠地實施導(dǎo)通檢查且連接可靠性優(yōu)良的配線電路基板及其制造方法。本發(fā)明的配線電路基板的特征在于，其包括絕緣層，其形成有貫穿厚度方向的絕緣開ロ部；導(dǎo)體圖案，其包括形成在上述絕緣層之上的配線及與上述配線相連接的端子，上述端子包括填充部，其填充到上述絕緣層的上述絕緣開ロ部內(nèi)；第I突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向ー側(cè)突出的方式形成；第2突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向另ー側(cè)突出的方式形成。此外，在本發(fā)明的配線電路基板中，優(yōu)選上述第I突出部與上述配線相連續(xù)。此外，本發(fā)明的配線電路基板的制造方法的特征在于，其包括形成絕緣層的エ序，該絕緣層形成有貫穿厚度方向的絕緣開ロ部；形成導(dǎo)體圖案的エ序，該導(dǎo)體圖案包括形成在上述絕緣層之上的配線及與上述配線相連接的端子，在形成上述導(dǎo)體圖案的エ序中，以如下方式形成上述導(dǎo)體圖案，即，上述端子包括填充部，其填充到上述絕緣層的上述絕緣開ロ部內(nèi)；第I突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向ー側(cè)突出的方式形成；第2突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向另ー側(cè)突出的方式形成。在利用本發(fā)明的配線電路基板的制造方法獲得的本發(fā)明的配線電路基板中，端子包括填充部、第I突出部和第2突出部，因此，若檢查儀器的探針靠近第I突出部及第2突 出部的任ー側(cè)，則能夠使探針與ー側(cè)的突出部可靠地接觸，并且能夠使連接端子與另ー側(cè)的突出部可靠地接觸。因此，能夠可靠地謀求端子與探針的電連接以及端子與外部基板的連接端子的電連接這兩者。其結(jié)果，能夠可靠地實施導(dǎo)體圖案的導(dǎo)通檢查并且提高導(dǎo)體圖案的連接可靠性。


圖I表示作為本發(fā)明的配線電路基板的ー實施方式的帶電路的懸掛基板的俯視圖。圖2表不圖I所不的帶電路的懸掛基板的后端部的放大俯視圖。圖3表不圖I所不的帶電路的懸掛基板的后端部的放大仰視圖。圖4是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其表示圖2的A-A剖視圖。圖5是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其表示圖2的B-B剖視圖。圖6是用于說明制造圖I所示的帶電路的懸掛基板的方法的エ序圖，其中，(a)表不準備金屬支承基板的エ序，(b)表示形成基底絕緣層的エ序，(C)表示在金屬支承基板上形成支承開ロ部的エ序，(d)表示形成導(dǎo)體圖案的エ序，(e)表示形成覆蓋絕緣層的エ序，(f)表示層疊鍍層的エ序。圖7是用于說明形成圖6的(d)的導(dǎo)體圖案的エ序的エ序圖，其中，(a)表示形成基礎(chǔ)膜的エ序，(b)表示形成抗鍍層的エ序，(c)表示通過鍍法形成導(dǎo)體圖案的エ序，(d)表示除去抗鍍層及層疊有該抗鍍層的基礎(chǔ)膜的エ序。圖8是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其為圖2的A-A剖視圖，其中，(a)表示將探針與第I突出部連接起來的エ序，(b)表示將外部基板的連接端子與第2突出部連接起來的エ序。圖9是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其為圖2的B-B剖視圖，(a)表示將探針與第I突出部連接起來的エ序，(b)表示將外部基板的連接端子與第2突出部連接起來的エ序。圖10是用于說明制造比較例I的帶電路的懸掛基板的方法的エ序圖，其中，(a)表不準備金屬支承基板的エ序， (b)表示形成基底絕緣層的エ序，(C)表示形成導(dǎo)體圖案的エ序，(d)表示在金屬支承基板上形成支承開ロ部的エ序，(e)表示形成覆蓋絕緣層的エ序，(f)表示層疊鍍層的エ序。
具體實施例方式圖I表示作為本發(fā)明的配線電路基板的ー實施方式的帶電路的懸掛基板的俯視圖，圖2表示圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的放大俯視圖，圖3表示圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的放大仰視圖，圖4是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其表示圖2的A-A剖視圖，圖5是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其表示圖2的B-B剖視圖，圖6表示用于說明制造圖I所示的帶電路的懸掛基板的方法的エ序圖，圖7表示用于說明形成圖6的(d)的導(dǎo)體圖案的エ序的エ序圖。此外，在圖I及圖2中，為了明確表示導(dǎo)體圖案4的相對配置，省略覆蓋絕緣層5。此外，在圖I中，為了明確表示導(dǎo)體圖案4的相對配置，省略基底絕緣層3。此外，在圖2及圖3中，為了明確表示外部側(cè)端子7的相對配置，省略鍍層22。在圖I中，在該帶電路的懸掛基板I上安裝有用于安裝磁頭的滑橇9(假想線)和外部基板25 (參照圖4及圖5的假想線)，并將該帶電路的懸掛基板I裝設(shè)在硬盤驅(qū)動器上。帶電路的懸掛基板I形成為在長度方向上延伸的平帯狀，其包括金屬支承基板2和被該金屬支承基板2支承的導(dǎo)體圖案4。金屬支承基板2形成為與帶電路的懸掛基板I的俯視形狀相對應(yīng)的形狀。在金屬支承基板2的前端部(長度方向一端部)上，以貫穿厚度方向的方式形成狹縫21。狹縫21在前后方向上彼此隔著間隔配置。在金屬支承基板2的后端部(長度方向另一端部)上，以貫穿厚度方向的方式形成支承開ロ部12。支承開ロ部12形成為在寬度方向(與前后方向正交的方向)上較長的俯視大致矩形狀。導(dǎo)體圖案4 一體地包括形成在金屬支承基板2的前端部上的磁頭側(cè)端子6、作為形成在金屬支承基板2的后端部上的端子的外部側(cè)端子7以及用于將磁頭側(cè)端子6與外部側(cè)端子7電連接起來的配線8。磁頭側(cè)端子6以在前后方向上被狹縫21夾持的方式配置。
外部側(cè)端子7以在向厚度方向投影時被金屬支承基板2的支承開ロ部12環(huán)繞的方式配置。然后，如圖4及圖5所示，該帶電路的懸掛基板I包括金屬支承基板2、作為形成在金屬支承基板2之上的絕緣層的基底絕緣層3、形成在基底絕緣層3之上的導(dǎo)體圖案4、以覆蓋導(dǎo)體圖案4的方式形成在基底絕緣層3之上的覆蓋絕緣層5。作為形成金屬支承基板2的金屬材料，例如舉出不銹鋼、42合金、鋁、銅-鈹、磷青銅等。優(yōu)選舉出不銹鋼。金屬支承基板2的厚度例如為10 μ m 50 μ m,優(yōu)選為12 μ m 30 μ m?；捉^緣層3在金屬支承基板2的上表面上形成為與導(dǎo)體圖案4相對應(yīng)的圖案。此外，在基底絕緣層3上，在其后端部處與外部側(cè)端子7相對應(yīng)地形成有貫穿厚度方向的作 為絕緣開ロ部的基底開ロ部11。作為形成基底絕緣層3的絕緣材料，例如，舉出聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺(PAI)樹脂、丙烯酸(類)樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂(PES)樹脂、聚對苯ニ甲酸こニ醇酷(PET)樹脂、聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)樹脂、聚氯こ烯樹脂等合成樹脂等。優(yōu)選舉出聚酰亞胺樹脂?；捉^緣層3的厚度例如為I μ m 35 μ m,優(yōu)選為3 μ m 33 μ m。導(dǎo)體圖案4形成為包括上述的磁頭側(cè)端子6 (參照圖I)、外部側(cè)端子7和配線8的配線電路圖案。如圖I所示，磁頭側(cè)端子6在基底絕緣層3 (參照圖2及圖5)之上在寬度方向上隔著間隔排列配置有多個，各磁頭側(cè)端子6形成為在前后方向上較長的俯視大致矩形狀。如圖2所示，外部側(cè)端子7在基底絕緣層3 (參照圖4及圖5)之上在寬度方向上隔著間隔排列配置有多個，各外部側(cè)端子7形成為在前后方向上較長的俯視大致矩形狀。如圖I所示，配線8以將磁頭側(cè)端子6的后端部及外部側(cè)端子7的前端部連接起來的方式形成在基底絕緣層3 (參照圖2及圖5)之上。作為形成導(dǎo)體圖案4的導(dǎo)體材料，例如舉出銅、鎳、鉻、金、焊錫或者上述金屬的合金等。優(yōu)選舉出銅。各磁頭側(cè)端子6的寬度(寬度方向長度)例如為10 μ m 250 μ m,優(yōu)選為20 μ m 100 μ m,各磁頭側(cè)端子6的長度(前后方向長度)例如為10 μ m 2060 μ m,優(yōu)選為20 μ m 560 μ m。各磁頭側(cè)端子6間的間隔例如為20 μ m 1000 μ m,優(yōu)選為30 μ m 800 μ m。此外,各配線8的寬度例如為5 μ m 200 μ m,優(yōu)選為8 μ m 100 μ m。此外,各配線8間的間隔例如為5 μ m 200 μ m，優(yōu)選為8 μ m 100 μ m。此外，外部側(cè)端子7的尺寸詳見后述。配線8及磁頭側(cè)端子6的厚度例如為3 μ m 50 μ m,優(yōu)選為5 μ m 20 μ m。如圖4及圖5所示，覆蓋絕緣層5形成在從導(dǎo)體圖案4暴露出的基底絕緣層3的上表面和配線8的上表面及側(cè)表面(在圖5中未圖示)上。此外，以暴露出磁頭側(cè)端子6及外部側(cè)端子7的方式形成覆蓋絕緣層5。作為形成覆蓋絕緣層5的絕緣材料，可以舉出與形成基底絕緣層的絕緣材料相同的絕緣材料。此外，覆蓋絕緣層5的厚度例如為2 μ m 20 μ m，優(yōu)選為4 μ m 15 μ m。接下來，參照圖2 圖5，對帶電路的懸掛基板I的后端部進行詳細描述。
如圖3所示，在帶電路的懸掛基板I的后端部處，在金屬支承基板2上形成支承開ロ部12，支承開ロ部12以向厚度方向投影時包含基底開ロ部11的方式形成。基底開ロ部11在向厚度方向投影時被支承開ロ部12環(huán)繞，該基底開ロ部11形成為在前后方向上較長的俯視大致矩形狀，并且該基底開ロ部11與磁頭側(cè)端子6相對應(yīng)地形成有多個。各基底開ロ部11在寬度方向上隔著間隔排列配置?；组_ロ部11的寬度例如為10 μ m 1000 μ m,優(yōu)選為30 μ m 600 μ m,其長度例如為40μπι 2000μπι，優(yōu)選為60μπι ΙΟΟΟμ 。此外，各基底開ロ部11間的間隔例如為 20 μ m 1000 μ m,優(yōu)選為 30 μ m 800 μ m。外部側(cè)端子7以向厚度方向投影時被支承開ロ部12包含的方式形成。如圖4及圖5所示，外部側(cè)端子7包括填充部14，其填充到基底絕緣層3的各基底開ロ部11內(nèi)；第I突出部16，其以與填充部14相連續(xù)且從填充部14向上側(cè)(厚度方向ー側(cè))突出的方式 形成；第2突出部17，其以與填充部14相連續(xù)且從填充部14向下側(cè)(厚度方向另ー側(cè))突出的方式形成。填充部14形成為與基底開ロ部11相對應(yīng)的形狀。填充部14的厚度與基底絕緣層3的厚度相同。第I突出部16以從填充部14的上部向上側(cè)、寬度方向兩外側(cè)和前后方向兩外側(cè)鼓出的方式形成，具體來說，該第I突出部16形成為與外部側(cè)端子7的俯視形狀相同的形狀，詳細來說，如圖2所示，該第I突出部16形成為在前后方向上較長的俯視大致矩形狀。此外，如圖4及圖5所示，第I突出部16的鼓出部的周端部(前后方向兩端部及寬度方向兩端部)的下表面與基底開ロ部11的周圍的基底絕緣層3的上表面相接觸。此外，第I突出部16的下部的中央部與填充部14的上部相連續(xù)。由此，分別將各第I突出部16與各填充部14電連接起來。此外，第I突出部16的后側(cè)面、寬度方向兩側(cè)面和上表面的周端部被覆蓋絕緣層
5覆蓋。另ー方面，配線8的后端部與第I突出部16的前端部相連續(xù)，由此，將第I突出部16與配線8電連接起來。此外，如圖5所示，第I突出部16的上表面與配線8的上表面在前后方向上共面。此外，在外部側(cè)端子7中，將與配線8的厚度相當?shù)牟糠肿鳛榈贗突出部16。此外，第I突出部16的上表面的中央部從覆蓋絕緣層5暴露出。各第I突出部16的寬度例如為10 μ m 250 μ m,優(yōu)選為20 μ m 100 μ m,各第I突出部16的長度例如為10 μ m 2060 μ m,優(yōu)選為20 μ m 560 μ m。各第I突出部16間的間隔例如為20μπι ΙΟΟΟμ ，優(yōu)選為30μπι 800μπι。此外，第I突出部16的厚度與配線8及磁頭側(cè)端子6的厚度相同。第2突出部17以從填充部14的下部向下側(cè)、寬度方向兩外側(cè)和前后方向兩外側(cè)鼓出的方式形成，具體來說，以向厚度方向投影時與第I突出部16具有相同形狀的方式形成該第2突出部17。S卩，第2突出部17形成為與磁頭側(cè)端子6的仰視形狀相同的形狀，詳細來說，如圖3所示，該第2突出部17形成為在前后方向上較長的仰視大致矩形狀。此外，如圖4及圖5所示，第2突出部17的鼓出部的周端部(前后方向兩端部及寬度方向兩端部)的上表面與基底絕緣層3的下表面相接觸。
此外，第2突出部17的上部的中央部與填充部14的下表面相連續(xù)。由此，分別將各第2突出部17與各填充部14電連接起來。從而，各第2突出部17與各第I突出部16分別通過填充部14電連接。此外，第2突出部17在金屬支承基板2的支承開ロ部12的內(nèi)側(cè)隔著間隔配置。由此，使第2突出部17與支承開ロ部12的周圍(外側(cè))的金屬支承基板2電絕緣。各第2突出部17的寬度、長度及厚度與各第I突出部16的寬度、長度及厚度相同，此外，各第2突出部17間的間隔與各第I突出部16間的間隔相同。此外，在該帶電路的懸掛基板I中，在外部側(cè)端子7的表面上層疊有鍍層22。鍍層22包括形成在外部側(cè)端子7的上表面上的第I鍍層15和形成在外部側(cè)端子7的下表面上的第2鍍層20。 第I鍍層15層疊在從覆蓋絕緣層5暴露出的第I突出部16的上表面(表面)的中央部上。作為形成第I鍍層15的金屬，例如舉出金、鎳、鉻及上述金屬的合金等導(dǎo)電材料。優(yōu)選舉出金。上述金屬能夠單獨使用或者共同使用兩種以上。第I鍍層15的厚度例如為O. 01 μ m 10 μ m,優(yōu)選為O. I μ m I μ m。此外，雖然在圖4及圖5中未圖示，但是第I鍍層15也層疊在磁頭側(cè)端子6 (參照圖I)的表面(上表面)上。第2鍍層20層疊在第2突出部17的下表面(表面)上。形成第2鍍層20的金屬與形成第I鍍層15的金屬相同。第2鍍層20的厚度與第I鍍層15的厚度相同。接下來，參照圖6及圖7，對帶電路的懸掛基板I的制造方法進行說明。首先，在該方法中，如圖6的(a)所示，準備板狀的金屬支承基板2。接下來，在該方法中，如圖6的(b)所示，以在基底絕緣層3上形成有基底開ロ部11的方式在金屬支承基板2之上形成基底絕緣層3。為了以上述的圖案形成基底絕緣層3，例如在金屬支承基板2之上涂布感光性的合成樹脂的溶液(清漆)，在形成感光性的基底保護膜后，使其曝光及顯影而形成上述的圖案，接著，根據(jù)需要使其加熱固化。接下來，在該方法中，如圖6的(C)所示，在金屬支承基板2上形成支承開ロ部12。以在仰視下包含基底絕緣層3的基底開ロ部11的方式形成支承開ロ部12。具體來說，為了形成支承開ロ部12，例如使用濕蝕刻(例如，化學(xué)蝕刻等)、干蝕刻(例如，激光加工等)等蝕刻、例如鉆孔機(drill)鉆孔等機械加工等。優(yōu)選使用蝕刻。接下來，在該方法中，如圖6的(d)所示，以與上述的磁頭側(cè)端子6 (參照圖I)、夕卜部側(cè)端子7及配線8相對應(yīng)的圖案形成導(dǎo)體圖案4。為了形成導(dǎo)體圖案4,例如,使用添加法、削減法等公知的圖案形成(patterning)法。優(yōu)選使用添加法。如圖7的(a)所示，在添加法中，首先，在基底絕緣層3的表面整面上形成基礎(chǔ)膜24。詳細來說，在基底絕緣層3的上表面整面、基底絕緣層3的基底開ロ部11的內(nèi)側(cè)面和從金屬支承基板2的支承開ロ部12暴露出的基底絕緣層3的下表面上形成基礎(chǔ)膜24。
為了在基底絕緣層3的整個表面上形成基礎(chǔ)膜24，例如，使用濺射等物理蒸鍍法等薄膜形成法。具體來說，利用鉻濺射及銅濺射，在基底絕緣層3及金屬支承基板2的整個表面上依次層疊鉻薄膜和銅薄膜。此外，在利用上述的薄膜形成法形成基礎(chǔ)膜24的情況下，在金屬支承基板2的整個表面(具體來說，金屬支承基板2的下表面、金屬支承基板2的支承開ロ部12的內(nèi)側(cè)面和從基底絕緣層3暴露出的金屬支承基板2的上表面)上也形成基礎(chǔ)膜24?；A(chǔ)膜24的厚度例如為IOnm 200nm,優(yōu)選為20nm lOOnm。接下來，利用添加法，如圖7的(b)所示，在基礎(chǔ)膜24的表面上以與導(dǎo)體圖案4相反的圖案形成抗鍍層13。 S卩，在形成在基底絕緣層3之上的基礎(chǔ)膜24的上表面和形成在金屬支承基板2及基底絕緣層3之下的基礎(chǔ)膜24的下表面上，由干膜阻鍍劑以上述的圖案形成抗鍍層13。接下來，如圖7的(C)所示，利用添加法，在從抗鍍層13暴露出的基礎(chǔ)膜24的表面上，例如利用電解鍍、無電解鍍等的鍍法，形成導(dǎo)體圖案4。在該鍍法中，從形成在基底開ロ部11的內(nèi)側(cè)面上的基礎(chǔ)膜24的表面(內(nèi)側(cè)面)，朝向內(nèi)側(cè)析出導(dǎo)體材料，該析出部分填充到基底開ロ部11內(nèi)，由此，形成填充部14。與此同時，從形成在基底絕緣層3的上表面上的基礎(chǔ)膜24的上表面(表面)，朝向上側(cè)析出導(dǎo)體材料，該析出部分形成磁頭側(cè)端子6 (參照圖I)、配線8及第I突出部16。并且，在金屬支承基板2的支承開ロ部12內(nèi)，從形成在基底絕緣層3的下表面上的基礎(chǔ)膜24的下表面(表面)，朝向下側(cè)析出導(dǎo)體材料，該析出部分形成第2突出部17。由此，形成導(dǎo)體圖案4。之后，在添加法中，如圖7的(d)所示，例如通過蝕刻、剝離等依次除去抗鍍層13及層疊有該抗鍍層13的部分的基礎(chǔ)膜24。此外，在圖6的(d)中，省略在利用添加法形成導(dǎo)體圖案4的情況下形成的基礎(chǔ)膜24。接下來，在該方法中，如圖6的(e)所示，在基底絕緣層3之上以覆蓋配線8且暴露出磁頭側(cè)端子6及外部側(cè)端子7的圖案形成覆蓋絕緣層5。此外，以覆蓋外部側(cè)端子7的第I突出部16的上表面的周端部且暴露出第I突出部16的上表面的中央部的圖案形成覆蓋絕緣層5。為了形成覆蓋絕緣層5，例如，在金屬支承基板2、基底絕緣層3及導(dǎo)體圖案4之上涂布感光性的合成樹脂的溶液(清漆)，在形成感光性的覆蓋保護膜后，使其曝光及顯影而形成上述的圖案，接著，根據(jù)需要使其加熱固化。接下來，在該方法中，如圖6的(f)所示，在磁頭側(cè)端子6(參照圖I)及外部側(cè)端子7的表面上層疊鍍層22。具體來說，在磁頭側(cè)端子6 (參照圖I)及外部側(cè)端子7的上表面上層疊第I鍍層15，并且在外部側(cè)端子7的下表面上層疊第2鍍層20。詳細來說，在外部側(cè)端子7處，在從覆蓋絕緣層5暴露出第I突出部16的上表面的中央部上層疊第I鍍層15，并且在第2突出部17的下表面上層疊第2鍍層20。例如利用無電解鍍、電解鍍等鍍法，同時形成第I鍍層15及第2鍍層20。
之后，如圖I所示，在金屬支承基板2上形成狹縫21，并且對金屬支承基板2進行外形加工。在狹縫21的形成及金屬支承基板2的外形加工中，例如使用蝕刻等方法。由此，犾得帶電路的懸掛基板I。之后，如圖I的假想線所示，在獲得的帶電路的懸掛基板I上裝設(shè)安裝有磁頭的滑橇9。此外,將磁頭與磁頭側(cè)端子6電連接起來。之后，如圖I的假想線所示，利用檢查儀器10，實施導(dǎo)體圖案4的導(dǎo)通檢查及磁頭的動作檢查。具體來說，如圖4及圖5的假想線所示，首先，以使探針18的前端朝向上側(cè)的方式將檢查儀器10配置在帶電路的懸掛基板I之下。接下來，使檢查儀器10的探針18從下側(cè)靠近第2突出部17，與第2鍍層20的下 表面相接觸。此外，探針18的前端面(上表面)小于第2突出部17的下表面。檢查儀器10的探針18通過第2鍍層20與第2突出部17電連接。S卩，探針18與導(dǎo)體圖案4電連接。然后，從探針18發(fā)出的檢查信號(檢查電流)經(jīng)由第2鍍層20及外部側(cè)端子7，傳導(dǎo)至配線8及磁頭側(cè)端子6，進ー步傳導(dǎo)至磁頭。由此，檢查導(dǎo)體圖案4是否導(dǎo)通及磁頭的動作的正常/異常。之后，在使檢查儀器10的探針18從第2鍍層20離開后，如圖4及圖5的假想線所示，例如，使撓性配線電路基板等外部基板25的連接端子19與外部側(cè)端子7電連接。具體來說，首先，以使外部基板25的連接端子19朝向下側(cè)的方式使外部基板25與外部側(cè)端子7的上側(cè)相對配置，接下來，使連接端子19從上側(cè)靠近第I突出部16，使連接端子19與外部側(cè)端子7的上表面相接觸。由此，連接端子19通過第I鍍層15與第I突出部16電連接。即，連接端子19與導(dǎo)體圖案4電連接。于是，由于在上述帶電路的懸掛基板I中，外部側(cè)端子7包括填充部14、第I突出部16和第2突出部17，因此，若檢查儀器10的探針18靠近第2突出部17，則能夠使探針18與第2突出部17可靠地接觸，并且能夠使外部基板25的連接端子19與第I突出部16可靠地接觸。因此，能夠可靠地謀求外部側(cè)端子7與探針18的電連接以及外部側(cè)端子7與外部基板25的連接端子19的電連接這兩者。其結(jié)果，能夠可靠地實施導(dǎo)體圖案4的導(dǎo)通檢查及磁頭的動作的檢查，并且提高導(dǎo)體圖案4的連接可靠性。圖8是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其表示圖2的A-A剖視圖，圖9是圖I所示的帶電路的懸掛基板的后端部的剖視圖，其表示圖2的B-B剖視圖。此外，對于與上述的各部分相對應(yīng)構(gòu)件，在以下的各附圖中標注相同的附圖標記，省略其詳細說明。雖然在圖4及圖5的假想線的實施方式中，將檢查儀器10配置在外部側(cè)端子7的下側(cè)而使探針18與第2突出部17相連接，之后將外部基板25配置在外部側(cè)端子7的上側(cè)而使連接端子19與第I突出部17相連接，但是，例如如圖8及圖9所示，也能夠使探針18及外部基板25的配置上下倒置。
S卩，如圖8的(a)及圖9的(a)所示，通過將檢查儀器10配置在外部側(cè)端子7的上側(cè)，接下來，使探針18從上側(cè)靠近第I突出部16而使探針18與第I鍍層15相接觸，從而使探針18通過第I鍍層15與第I突出部16電接觸。之后，如圖8的(b)及圖9的(b)所示，通過將外部基板25配置在外部側(cè)端子7的下側(cè)，接下來，使連接端子19從下側(cè)靠近第2突出部17而與第2鍍層20相接觸，從而使連接端子19通過第2鍍層20與第2突出部17電接觸。若采用圖8及圖9所示的帶電路的懸掛基板1，如圖8的(a)及圖9的(a)所示，若使檢查儀器10的探針18靠近第I突出部16，則能夠使探針18與第I突出部16可靠地接觸，并且能夠如圖8的(b)及圖9的(b)所示，使外部基板25的連接端子19與第2突出部17可靠地接觸。此外，雖然在上述的實施方式中，作為本發(fā)明的配線電路基板，舉例說明了基底絕緣層3被金屬支承基板2支承的帶電路的懸掛基板1，但是本發(fā)明也能夠廣泛地應(yīng)用于例如 未圖示的設(shè)有作為加強層的金屬支承基板2的撓性配線電路基板或者不設(shè)有金屬支承基板2的撓性配線電路基板、CO F基板(包含TAB載帶等)等各種配線電路基板。實施例以下表示實施例及比較例，進ー步具體說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于該實施例及比較例。實施例I準備由不銹鋼(SUS304)構(gòu)成的厚度25 μ m的金屬支承基板(參照圖6的(a))。接下來，在金屬支承基板之上以形成有俯視矩形狀的基底開ロ部的圖案形成基底絕緣層(參照圖6的(b))。具體來說，在金屬支承基板之上涂布感光性的聚酰胺酸樹脂的清漆，在形成感光性的基底保護膜后，使其曝光及顯影而形成上述的圖案，使其加熱固化。各基底開ロ部的長度為150μπι，寬度為30μπι，各基底開ロ部間的間隔為30 μ m。此外，基底絕緣層的厚度為20 μ m。接下來，在金屬支承基板上以包含基底絕緣層的基底開ロ部的方式，利用濕蝕刻以仰視矩形狀形成支承開ロ部(參照圖6的(C))。接下來，利用添加法形成導(dǎo)體圖案，該導(dǎo)體圖案由銅構(gòu)成且包括磁頭側(cè)端子(參照圖I)、外部側(cè)端子及配線(參照圖6的(d))。具體來說，首先，利用鉻濺射及銅濺射，在基底絕緣層及金屬支承基板的整個表面上依次層疊由厚度30nm的鉻薄膜及厚度70nm的銅薄膜構(gòu)成的基礎(chǔ)膜(參照圖7的(a))。接下來，在基礎(chǔ)膜的表面上，由干膜阻鍍劑以與上述的導(dǎo)體圖案相反的圖案形成抗鍍層(參照圖7的(b))。接下來，在從抗鍍層暴露出的基礎(chǔ)膜的表面上利用電解鍍銅形成導(dǎo)體圖案(參照圖7的(C))。詳細來說，在電解鍍銅的過程中，從形成在基底開ロ部的內(nèi)側(cè)面上的基礎(chǔ)膜的內(nèi)側(cè)面，朝向內(nèi)側(cè)析出銅，析出的銅填充到基底開ロ部內(nèi)，由此，形成填充部。與此同時，從形成在基底絕緣層的上表面上的基礎(chǔ)膜的上表面，朝向上側(cè)析出銅，析出的銅形成磁頭側(cè)端子(參照圖I)、配線及第I突出部。
并且，從形成在基底絕緣層的下表面上的基礎(chǔ)膜的下表面，朝向下側(cè)析出銅，析出的銅形成第2突出部。由此，形成一體地包括配線、磁頭側(cè)端子及外部側(cè)端子(填充部、第I突出部及第2突出部)的導(dǎo)體圖案。此外，第I突出部及第2突出部在向厚度方向投影時具有相同形狀，也就是說，第I突出部及第2突出部分別形成為在前后方向上較長的矩形狀。第I突出部及第2突出部的長度為200 μ m,寬度為40 μ m，各第I突出部間的間隔為40 μ m，各第2突出部間的間隔為40 μ m。之后，利用蝕刻除去抗鍍層，接下來，通過剝離除去層疊有抗鍍層的部分的基礎(chǔ)膜(參照圖7的(d))。 之后，在基底絕緣層之上以覆蓋配線且暴露出磁頭側(cè)端子及外部側(cè)端子的圖案形成覆蓋絕緣層(參照圖6的(e))。具體來說，在金屬支承基板、基底絕緣層及導(dǎo)體圖案之上涂布感光性的聚酰胺酸樹脂的清漆，在形成感光性的覆蓋保護膜后，使其曝光及顯影而形成上述的圖案，接下來，使其加熱固化。覆蓋絕緣層的厚度為5μπι。接下來，通過無電解鍍金，在外部側(cè)端子的表面上層疊鍍層(參照圖6的(f))。詳細來說，在磁頭側(cè)端子及外部側(cè)端子的上表面上層疊由金構(gòu)成的第I鍍層，并且在外部側(cè)端子的下表面上層疊由金構(gòu)成的第2鍍層。第I鍍層及第2鍍層的厚度為0.5 μ m。之后，通過利用蝕刻在金屬支承基板上形成狹縫(參照圖I)，并且對金屬支承基板進行外形加工，從而獲得帶電路的懸掛基板(參照圖I)。比較例I基于日本特開2005-337811號公報的記載內(nèi)容，在使外部側(cè)端子以陷入到基底絕緣層的開ロ部內(nèi)的方式填充該開ロ部以外，與實施例I相同地獲得帶電路的懸掛基板(參照圖10的⑴)。S卩，在形成導(dǎo)體圖案的エ序之后實施形成支承開ロ部的エ序。金屬支承基板、基底絕緣層、導(dǎo)體圖案(除去外部側(cè)端子)及覆蓋絕緣層的各層的材料、厚度及形成方法等與上述的實施例I的各エ序?qū)嵸|(zhì)相同。具體來說，首先，如圖10的(a)所示，準備金屬支承基板(2)，接下來，如圖10的(b)所示，在金屬支承基板(2)之上以形成有基底開ロ部(11)的圖案形成基底絕緣層(3)。接下來，如圖10的(C)所示，以使外部側(cè)端子(7)陷入到基底開ロ部(11)內(nèi)地填充該基底開ロ部(11)的方式形成導(dǎo)體圖案(4)，接下來，如圖10的(d)所示，在金屬支承基板(2)上以使填充于基底開ロ部(11)內(nèi)的外部側(cè)端子(7)的下表面暴露出的方式形成支承開ロ部(12)。接下來，如圖10的(e)所示，在基底絕緣層(3)之上以暴露出磁頭側(cè)端子(6)(參照圖I)及外部側(cè)端子(7)的上表面的方式形成覆蓋絕緣層(5)。之后，如圖10的(f)所示，鍍層(20)層疊在磁頭側(cè)端子(6)及外部側(cè)端子(7)的表面上。詳細來說，第I鍍層(15)層疊在磁頭側(cè)端子(6)及外部側(cè)端子(7)的上表面上，第2鍍層(20)層疊在外部側(cè)端子7的下表面上。之后，通過在金屬支承基板(2)上形成狹縫(21)(參照圖I)，并且對金屬支承基板
(2)進行外形加工，從而獲得帶電路的懸掛基板(I)(參照圖I)。評價‘導(dǎo)通試齡對帶電路的懸掛基板的導(dǎo)體圖案實施導(dǎo)通檢查。S卩，通過連接檢查儀器的探針與外部側(cè)端子，從而實施導(dǎo)體圖案的導(dǎo)通檢查。導(dǎo)通 檢查的詳細內(nèi)容如下所述。實施例I的評價A.與第2突出部的連接在實施例I的帶電路的懸掛基板中，檢查儀器的探針與層疊在外部側(cè)端子的第2突出部的表面上的第2鍍層相接觸(參照圖4及圖5)。由此，將外部側(cè)端子(第2突出部)與探針電連接起來，之后，能夠?qū)嵤?dǎo)體圖案的導(dǎo)通檢查。B.與第I突出部的連接另外，使檢查儀器的探針與層疊在外部側(cè)端子的第I突出部上的第I鍍層相接觸(參照圖8的(a)及圖9的(a))。由此，將外部側(cè)端子(第I突出部)與探針電連接起來，之后，能夠?qū)嵤?dǎo)體圖案的導(dǎo)通檢查。比較例I的評價A.與外部側(cè)端子的下表面相連接使檢查儀器的探針與層疊在外部側(cè)端子的下表面上的第2鍍層相接觸，由此，將探針與外部側(cè)端子電連接起來，之后，能夠?qū)嵤?dǎo)體圖案的導(dǎo)通檢查。B.與外部側(cè)端子的上表面相連接另ー方面，嘗試使檢查儀器的探針與層疊在外部側(cè)端子的上表面上的第I鍍層相接觸。然而，上述的接觸不充分，因此不能夠?qū)⑻结樑c外部側(cè)端子電連接起來。其結(jié)果，不能實施導(dǎo)體圖案的導(dǎo)通檢查。此外，雖然上述說明提供了作為本發(fā)明的示例的實施方式，但是該實施方式只是示例，不能進行限定性解釋。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能想到的本發(fā)明的變形例，也包含在權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.ー種配線電路基板，其特征在干， 其包括 絕緣層，其形成有貫穿厚度方向的絕緣開ロ部； 導(dǎo)體圖案，其包括形成在上述絕緣層之上的配線及與上述配線相連接的端子， 上述端子包括 填充部，其填充到上述絕緣層的上述絕緣開ロ部內(nèi)； 第I突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向ー側(cè)突出的方式形成； 第2突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向另ー側(cè)突出的方式形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的配線電路基板，其特征在干， 上述第I突出部與上述配線相連續(xù)。
3.—種配線電路基板的制造方法，其特征在干， 該配線電路基板的制造方法包括 形成絕緣層的エ序，該絕緣層形成有貫穿厚度方向的絕緣開ロ部； 形成導(dǎo)體圖案的エ序，該導(dǎo)體圖案包括形成在上述絕緣層之上的配線及與上述配線相連接的端子， 在形成上述導(dǎo)體圖案的エ序中，以如下方式形成上述導(dǎo)體圖案， 上述端子包括 填充部，其填充到上述絕緣層的上述絕緣開ロ部內(nèi)； 第I突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向ー側(cè)突出的方式形成； 第2突出部，其以與上述填充部相連續(xù)且從上述填充部向厚度方向另ー側(cè)突出的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明提供配線電路基板及其制造方法。配線電路基板包括絕緣層，其形成有貫穿厚度方向的絕緣開口部；導(dǎo)體圖案，其包括形成在絕緣層之上的配線及與配線相連接的端子。端子包括填充部，其填充到絕緣層的絕緣開口部內(nèi)；第1突出部，其以與填充部相連續(xù)且從填充部向厚度方向一側(cè)突出的方式形成；第2突出部，其以與填充部相連續(xù)且從填充部向厚度方向另一側(cè)突出的方式形成。
文檔編號H05K1/11GK102686023SQ201210034738
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月21日
發(fā)明者水谷昌紀 申請人:日東電工株式會社