專利名稱：鑄造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽能多晶硅鑄造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種降低鑄造多晶硅中碳含量的方法。
背景技術(shù)：
一直以來，能源始終是人類最為關(guān)注的焦點(diǎn)，傳統(tǒng)能源如石油，天然氣，煤礦等不可再生資源不斷的消耗，儲(chǔ)量急劇下降，同時(shí)，傳統(tǒng)能源的使用也對(duì)全球環(huán)境也產(chǎn)生了負(fù)面的影響。太陽能發(fā)電作為一種新能源方式逐漸走進(jìn)了人們的生活。作為太陽能電池的基礎(chǔ)材料硅晶片，其材質(zhì)的光電轉(zhuǎn)換效率直接影響這太陽能電池的發(fā)電功率，如何提高太陽硅晶片的轉(zhuǎn)換效率，降低光衰減是各個(gè)光伏廠家亟待解決的問題。碳是鑄造多晶硅中的一種主要的雜質(zhì)，其基本的性質(zhì)(包括分凝系數(shù)、固溶度、擴(kuò)散系數(shù)、測(cè)量等)與直拉單晶硅是相同的。但是，由于鑄造多晶硅的設(shè)備熱場(chǎng)龐大而復(fù)雜，在晶體鑄造或定向凝固過程中，石墨在加熱器高溫下存在大量的碳蒸發(fā)，會(huì)污染晶體硅，所以，鑄造多晶硅中的碳含量偏高，嚴(yán)重影響了多晶硅片的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種有效降低鑄造多晶硅中碳含量的鑄造裝置。本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)，一種鑄造裝置，包括坩堝和位于所述坩堝頂部及外側(cè)的石墨護(hù)板，所述鑄造裝置包括鑰板隔離層，所述鑰板位于坩堝與石墨護(hù)板之間。本發(fā)明通過在坩堝與石墨護(hù)板之間加入鑰板隔離層，減少高溫下石墨護(hù)板產(chǎn)生的碳蒸氣進(jìn)入坩堝內(nèi)的硅晶體中；阻止高溫狀態(tài)下坩堝與石墨護(hù)板的反應(yīng)；阻止回沖氬氣時(shí)多晶管路中的雜質(zhì)進(jìn)入娃料。作為本發(fā)明鑄造裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鑰板厚度為0.外形與石墨護(hù)板外形一致且兩者連接為一體，在實(shí)際操作時(shí)簡(jiǎn)單方便。


附圖為本發(fā)明鑄造裝置的鑰板隔離層結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做出進(jìn)一步說明。根據(jù)鑰板頂板I上安裝孔位置，在石墨頂板相應(yīng)位置加工安裝孔，并去除打孔時(shí)殘留在石墨頂板表面的石墨粉末，用石墨螺檢將鑰板固定在石墨頂板上，用同樣的方法將坩堝的四周側(cè)面的石墨護(hù)板用鑰板側(cè)板2包裹起來，在裝爐前，用無塵布擦拭鑰板表面，去除所粘的灰塵，將裝有硅料、石墨護(hù)板和鑰板隔離層的石英坩堝投入多晶爐中。 所述坩堝中的硅料以不接觸到鑰板為限，這樣可防止高溫下鑰板不被硅料所熔蝕、損壞，。鑰板的厚度以0. 5mm-5mm為佳。
以上實(shí)施例的描述較為具體、詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本專利范圍的限制，應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種鑄造裝置，包括坩堝和位于所述坩堝頂部及外側(cè)的石墨護(hù)板，其特征在于所述鑄造裝置包括鑰板隔離層，所述鑰板隔離層位于坩堝與石墨護(hù)板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鑄造裝置，其特征在于所述鑰板厚度為0.5mm--5mm，外形與石墨護(hù)板外形一致且兩者連接為一體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鑄造裝置，其特征在于所述鑰板與石墨護(hù)板采用螺栓連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鑄造裝置，包括坩堝和位于所述坩堝頂部及外側(cè)的石墨護(hù)板，所述鑄造裝置包括鉬板隔離層，所述鉬板位于坩堝與石墨護(hù)板之間。本發(fā)明通過在坩堝與石墨護(hù)板之間加入鉬板隔離層，減少高溫下石墨護(hù)板產(chǎn)生的碳蒸氣進(jìn)入坩堝內(nèi)的硅晶體中；阻止高溫狀態(tài)下坩堝與石墨護(hù)板的反應(yīng)；阻止回沖氬氣時(shí)多晶管路中的雜質(zhì)進(jìn)入硅料。作為本發(fā)明鑄造裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鉬板厚度為0.5mm-5mm，外形與石墨護(hù)板外形一致且兩者連接為一體，在實(shí)際操作時(shí)簡(jiǎn)單方便。
文檔編號(hào)C30B28/06GK102653880SQ201210118719
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月20日
發(fā)明者司榮進(jìn), 王祿堡, 袁志鐘 申請(qǐng)人:鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司