專利名稱：一種n型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶硅太陽(yáng)電池制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)晶硅太陽(yáng)電池的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié)，開(kāi)路電壓一般比較小，可以通過(guò)鈍化的方法提高該數(shù)值。鈍化的方法包括在晶硅的表面沉積薄膜，如SiNx，SiO2, Al2O3;網(wǎng)印鋁背場(chǎng)鈍化；也可以通過(guò)摻雜硼進(jìn)行吸雜。目前一般廠家都使用薄膜鈍化和鋁背場(chǎng)鈍化。
為了提高產(chǎn)量，達(dá)到降低成本的目的，傳統(tǒng)的硼擴(kuò)散エ藝一般晶硅背靠背，兩兩ー對(duì)，在擴(kuò)散爐內(nèi)只對(duì)太陽(yáng)電池的受光面進(jìn)行硼摻雜。如果采用現(xiàn)有傳統(tǒng)エ藝和石英舟進(jìn)行雙面擴(kuò)散，擴(kuò)散爐的數(shù)量將會(huì)增加一倍才能保持原有產(chǎn)量，這樣會(huì)大大的増加成本；如果改變石英舟結(jié)構(gòu)，保持受光面之間的距離不變，増加非受光面之間的距離，不但會(huì)影響擴(kuò)散的均勻性、増加勞動(dòng)量，而且容易造成受光面和非受光面的混亂，影響太陽(yáng)電池的產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對(duì)上述存在的缺陷而提供的ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，該方法可以明顯的提高太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓，達(dá)到提高效率的目的。本發(fā)明的ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法技術(shù)方案為包括以下步驟
步驟一，晶硅表面制絨；
步驟ニ，非受光面印刷硼漿；
步驟三，烘干；
步驟四，非受光面面對(duì)面緊貼，兩兩ー組，放入擴(kuò)散爐；
步驟五，擴(kuò)散爐內(nèi)通入硼源進(jìn)行硼擴(kuò)散；
步驟六，去除表面硼硅玻璃層。步驟ニ中非受光面印刷硼漿的方法為以下方法的任意ー種絲網(wǎng)印刷法，旋涂法，噴涂法。步驟三中烘干使硼漿吸附與晶硅電池的非受光面，烘干溫度為20-500°C，時(shí)間2-20分鐘。步驟四中晶硅非受光面之間的距離O. 1-200 μ m，組與組之間的距離O. 5_100mm。本發(fā)明的有益效果為本發(fā)明ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，包括晶硅表面制絨；非受光面印刷硼漿；烘干；非受光面面對(duì)面緊貼，兩兩ー組，放入擴(kuò)散爐；擴(kuò)散爐內(nèi)通入硼源進(jìn)行硼擴(kuò)散；去除表面硼硅玻璃層。供干使硼漿吸附于晶硅電池的非受光面，由于非受光面對(duì)摻雜的均勻性要求不嚴(yán)格，硼漿中的硼原子最終在擴(kuò)散爐的高溫推進(jìn)下，進(jìn)入晶硅體內(nèi)，達(dá)到系雜的目的。這樣可以改善傳統(tǒng)エ藝中晶硅背對(duì)背不能有硼原子大量進(jìn)入非受光面的缺陷。該方法可以明顯的提高太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓，達(dá)到提高效率的目的。運(yùn)用該方法制作的太陽(yáng)電池，開(kāi)路電壓提高IOmV以上，效率提高O. 2-0. 4%，擁有廣闊的應(yīng)用前景。
具體實(shí)施例方式 為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合具體實(shí)例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法技術(shù)方案為包括以下步驟
步驟一，晶硅表面制絨；
步驟ニ，非受光面印刷硼漿；
步驟三，烘干；
步驟四，非受光面面對(duì)面緊貼，兩兩ー組，放入擴(kuò)散爐；
步驟五，擴(kuò)散爐內(nèi)通入硼源進(jìn)行硼擴(kuò)散；· 步驟六，去除表面硼硅玻璃層。步驟ニ中非受光面印刷硼漿的方法為以下方法的任意ー種絲網(wǎng)印刷法，旋涂法，噴涂法。步驟三中烘干使硼漿吸附與晶硅電池的非受光面，烘干溫度為20-500°C，時(shí)間2-20分鐘。步驟四中晶硅非受光面之間的距離O. 1-200 μ m，組與組之間的距離O. 5_100mm。實(shí)施例I
晶娃表面制續(xù)；
采用絲網(wǎng)印刷法在非受光面印刷硼漿；
烘干使硼漿吸附與晶硅電池的非受光面，烘干溫度為200°C，時(shí)間2分鐘；
非受光面面對(duì)面緊貼，兩兩ー組，放入擴(kuò)散爐，晶硅非受光面之間的距離10 μ m，組與組之間的距離7mm ；
擴(kuò)散爐內(nèi)通入硼源進(jìn)行硼擴(kuò)散；去除表面硼硅玻璃層。運(yùn)用該方法制作的太陽(yáng)電池，開(kāi)路電壓提高IOmV以上，效率提高O. 2-0. 4%。
權(quán)利要求
1.ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，包括以下步驟 步驟一，晶硅表面制絨； 步驟ニ，非受光面印刷硼漿； 步驟三，烘干； 步驟四，非受光面面對(duì)面緊貼，兩兩ー組，放入擴(kuò)散爐； 步驟五，擴(kuò)散爐內(nèi)通入硼源進(jìn)行硼擴(kuò)散； 步驟六，去除表面硼硅玻璃層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟ニ中非受光面印刷硼漿的方法為以下方法的任意ー種絲網(wǎng)印刷法，旋涂法，噴涂法。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟三烘干溫度為20-500°C，時(shí)間2-20分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，其特征在于，步驟四中晶硅非受光面之間的距離O. 1-200 μ m，組與組之間的距離O. 5-100mm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散方法，具體涉及一種N型晶硅太陽(yáng)電池雙面擴(kuò)散方法，包括以下步驟1.晶硅表面制絨；2.非受光面印刷硼漿；3.烘干；4.非受光面面對(duì)面緊貼，兩兩一組，放入擴(kuò)散爐；5.擴(kuò)散爐內(nèi)通入硼源進(jìn)行硼擴(kuò)散；6.去除表面硼硅玻璃層。本方法與現(xiàn)在傳統(tǒng)擴(kuò)散方法相比，在完成電池受光面擴(kuò)散的同時(shí)，進(jìn)行非受光面的吸雜，可以明顯的提高太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓，達(dá)到提高效率的目的。
文檔編號(hào)C30B31/02GK102683486SQ20121012752
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
發(fā)明者任現(xiàn)坤, 劉鵬, 姜言森, 張麗麗, 張春艷, 張黎明, 徐振華, 李玉花, 王兆光, 程亮, 羅磊, 賈河順 申請(qǐng)人:山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司