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      一種芯片的焊接方法

      文檔序號(hào):8195647閱讀:1222來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱:一種芯片的焊接方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及電子零件焊接領(lǐng)域,特別是芯片焊接領(lǐng)域,具體涉及一種芯片的焊接方法,可在芯片封裝、智能卡封裝、電子產(chǎn)品組裝等領(lǐng)域廣泛使用。
      背景技術(shù)
      表面貼裝技術(shù)的應(yīng)用在當(dāng)今的電子產(chǎn)品組裝業(yè)已經(jīng)普遍使用,是一種生產(chǎn)高效、設(shè)備通用、自動(dòng)化程度高的生產(chǎn)技術(shù)。但是,被貼裝的器件都是經(jīng)過(guò)二次封裝好的元器件,元器件封裝成本高,產(chǎn)品體積大,特別在某些如智能卡類(lèi)產(chǎn)品的應(yīng)用中需要小型超薄的要求,就無(wú)法實(shí)現(xiàn)了。為了實(shí)現(xiàn)此類(lèi)的應(yīng)用需求,行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)了倒封裝技術(shù),即在裸芯片的焊盤(pán)上制作了金球,讓焊盤(pán)突出芯片表面,然后采用單向異性導(dǎo)電膠將芯片的焊盤(pán)和基板的焊盤(pán)導(dǎo)通完成焊接。雖然這種工藝可以實(shí)現(xiàn)超薄的工藝要求,但是其生產(chǎn)設(shè)備屬于專(zhuān)用設(shè)備,價(jià)格昂貴,且生產(chǎn)效率較低,是傳統(tǒng)表面貼裝設(shè)備的1/3 1/5,因此要實(shí)現(xiàn)大批量的生產(chǎn),就需要進(jìn)行大量的設(shè)備投資才能實(shí)現(xiàn)。采用倒封裝工藝的原材料單向異性導(dǎo)電膠的價(jià)格昂貴,且產(chǎn)品的性能受外界因數(shù)影響較大,如環(huán)境溫度、空氣灰塵、壓力等條件差異會(huì)造成焊接效果的變化,具有明顯潛在的焊接失效風(fēng)險(xiǎn)。本發(fā)明為了解決芯片焊接生產(chǎn)中相關(guān)的問(wèn)題點(diǎn),從成本角度考慮,單向異性導(dǎo)電膠的成本高昂,傳統(tǒng)焊接劑(如錫膏)是單向異性導(dǎo)電膠的1/10價(jià)格,具有壓倒性的成本優(yōu)勢(shì);從生產(chǎn)設(shè)備來(lái)講,傳統(tǒng)表面貼裝設(shè)備屬于行業(yè)通用,設(shè)備和設(shè)備的維護(hù)成本比較低;從焊接的可靠性來(lái)講,傳統(tǒng)焊接劑的生產(chǎn)條件和焊接效果穩(wěn)定可靠,符合大批量生產(chǎn)的需求。根據(jù)以上的分析,我們提出了全新的解決方案,使超薄型芯片的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)化、效率提高、可靠性更高、成本更低。本發(fā)明在已公開(kāi)的發(fā)明專(zhuān)利一種芯片的焊接方法,專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?01110208897. 3的基礎(chǔ)上,提出了新的方法,完善了原方案不足之處,使該方法更具有實(shí)際生產(chǎn)的價(jià)值。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題,在芯片的焊接生產(chǎn)中提出了裸芯片直接錫焊的概念。這種新型的生產(chǎn)方法,通過(guò)將裸芯片的焊盤(pán)做非鋁化處理,然后通過(guò)普通表面貼裝設(shè)備的貼裝工藝,使焊接劑將芯片焊盤(pán)和基板的焊盤(pán)通過(guò)回流焊方式固化并可靠地連接起來(lái)。這種方法是將傳統(tǒng)的表面貼裝工藝延伸并應(yīng)用到裸芯片的焊接過(guò)程中,有效降低生產(chǎn)成本、減小產(chǎn)品體積和厚度,提高生產(chǎn)效率。為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案
      一種芯片的焊接方法,其特征在于,包括如下步驟先將焊接劑設(shè)置在基板的焊盤(pán)表面,然后采用機(jī)械手將芯片的焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)基板的焊盤(pán)安裝,再將安裝好芯片的基板通過(guò)回流焊爐加熱將焊接劑固化,完成芯片焊接的過(guò)程;
      所述的焊接劑為錫膏、銀漿或膠;所述的基板為環(huán)氧樹(shù)脂敷銅電路板(PCB)、聚酰亞胺(PI)敷銅電路板或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)電路板;所述的機(jī)械手為表面貼裝設(shè)備的器件拾取裝置;所述的芯片為晶圓經(jīng)過(guò)減薄切割后沒(méi)有進(jìn)行封裝的單顆裸芯片。進(jìn)一步的,所述的焊接劑設(shè)置在基板的焊盤(pán)表面,是通過(guò)鋼網(wǎng)印刷工藝將膠狀的焊接劑在基板焊盤(pán)表面形成具有一定厚度的圖形,其厚度在20um-200um之間。再進(jìn)一步,所述的焊接劑設(shè)置在基板的焊盤(pán)表面,是通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠工藝將膠狀的焊接劑在基板焊盤(pán)表面形成具有一定厚度的圖形,其厚度在30um-300um之間。再進(jìn)一步,,所述的芯片的焊盤(pán)經(jīng)過(guò)非鋁化表工藝處理,使芯片焊盤(pán)具有高于芯片平面的焊盤(pán)和具有和焊接劑有效浸潤(rùn)的焊接面。再進(jìn)一步,,所述回流焊爐加熱將焊接劑固化的過(guò)程是第一階段預(yù)熱段溫度先從室溫上升至Tl ;第二階段保溫段溫度在T2之間保持;第三階段回流段溫度從T3-T4-T3期間為回流溫度,第四階段冷卻段溫度從T3下降至室溫;·
      Tl 為 100-12(TC、150-17(rC或 18(TC -200°C ;
      T2 為 100-150°C、150-200°C或 180°C -230°C ;
      T3 為 140-160 °C、190-210 °C 或 220 °C -240 °C ;
      T4 為 160-180O、210-250O或 240O -280°C ;
      針對(duì)不同的材質(zhì)、焊接劑選擇對(duì)應(yīng)的溫度范圍。再進(jìn)一步,,對(duì)于焊接強(qiáng)度要求高的產(chǎn)品,在芯片的周?chē)O(shè)置補(bǔ)強(qiáng)膠,使焊接可靠;所述的補(bǔ)強(qiáng)膠為液態(tài)加熱轉(zhuǎn)固態(tài)的硅膠或環(huán)氧樹(shù)脂膠;所述的補(bǔ)強(qiáng)膠為固態(tài)加熱轉(zhuǎn)液態(tài)再冷卻后轉(zhuǎn)固態(tài)的封裝膠;所述的補(bǔ)強(qiáng)膠為液態(tài)經(jīng)紫外線照射后轉(zhuǎn)固態(tài)的紫外線固化膠。再進(jìn)一步,,所述的液態(tài)加熱轉(zhuǎn)固態(tài)的硅膠或環(huán)氧樹(shù)脂膠補(bǔ)強(qiáng)膠通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠的方式將膠體設(shè)置在基板的芯片安裝位置,再通過(guò)加熱爐進(jìn)行固化;所述的固態(tài)加熱轉(zhuǎn)液態(tài)再冷卻后轉(zhuǎn)固態(tài)的封裝膠,以薄膜形式存在,經(jīng)模切后和安裝有芯片的基板貼合,經(jīng)加熱使封裝膠變性成液態(tài),使膠體和基板及芯片充分融合,冷卻后形成固態(tài)包封體;所述的紫外線固化膠通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠的方式將膠體設(shè)置在基板的芯片安裝位置,再通過(guò)紫外線照射進(jìn)行固化。再進(jìn)一步,,補(bǔ)強(qiáng)膠的位置設(shè)置在芯片的4個(gè)角上、2個(gè)對(duì)邊、4周或把芯片全部包封起來(lái)。根據(jù)上述技術(shù)方案形成的芯片焊接,可以替代傳統(tǒng)的引線焊接工藝,使生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)化、產(chǎn)品合格率上升、生產(chǎn)成本降低,簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)方式先將芯片貼裝在基板上,再通過(guò)超聲波引線焊接工藝將芯片的焊盤(pán)和基板的焊盤(pán)連通,最后通過(guò)封裝膠將引線、芯片包封起來(lái),封裝成模塊。也可以彌補(bǔ)倒封裝工藝的設(shè)備昂貴、生產(chǎn)效率低下、產(chǎn)品可靠性低的缺點(diǎn)。本發(fā)明的方法對(duì)于電子產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步起到推動(dòng)的作用。
      以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。圖I為本發(fā)明芯片焊接剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明芯片焊接的三維示意圖。圖3為本發(fā)明四角補(bǔ)強(qiáng)膠位置示意圖。圖4為本發(fā)明圓形周邊填充補(bǔ)強(qiáng)示意圖。
      圖5為本發(fā)明圓形整體填充補(bǔ)強(qiáng)示意圖。圖6為本發(fā)明兩邊填充補(bǔ)強(qiáng)示意圖。圖7為本發(fā)明四邊填充補(bǔ)強(qiáng)示意圖。
      圖8為本發(fā)明邊緣填充補(bǔ)強(qiáng)剖面示意圖。圖9為本發(fā)明整體填充補(bǔ)強(qiáng)剖面示意圖。

      圖10為本發(fā)明連續(xù)型基板和芯片的焊接示意圖。圖11為本發(fā)明連續(xù)型固態(tài)封裝膠模切結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為本發(fā)明連續(xù)型固態(tài)封裝膠和基板的貼合示意圖。圖13為本發(fā)明連續(xù)型固態(tài)封裝膠和基板的加工示意圖。
      具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體圖示,進(jìn)一步闡述本發(fā)明的具體內(nèi)容。本發(fā)明的目的是通過(guò)傳統(tǒng)的表面貼裝工藝對(duì)裸芯片的焊盤(pán)和基板的焊盤(pán)進(jìn)行物理連接,簡(jiǎn)化了芯片焊接的生產(chǎn)工藝,增加產(chǎn)品可靠性,并有效降低成本,提高生產(chǎn)效率的目的。實(shí)施例I
      如圖I和圖2所示的芯片焊接結(jié)構(gòu)圖,首先通過(guò)鋼網(wǎng)印刷工藝將焊錫膏32設(shè)置在環(huán)氧樹(shù)脂基板2的焊盤(pán)3表面,然后采用機(jī)械手將芯片I的焊盤(pán)31對(duì)準(zhǔn)基板2的焊盤(pán)3安裝,按箭頭4的方向貼合,再將安裝好芯片I的基板通過(guò)回流焊爐加熱將焊接劑固化,完成芯片焊接的過(guò)程;在這個(gè)過(guò)程中,焊接劑的量根據(jù)焊盤(pán)的尺寸選定,以可以充分連接為準(zhǔn)。實(shí)際操作中可以通過(guò)選擇鋼網(wǎng)的厚度以及印刷開(kāi)窗的尺寸來(lái)調(diào)整。鋼網(wǎng)的厚度從20um到200um之間可以選擇。在回流焊爐加熱將焊接劑固化的過(guò)程中,根據(jù)基板的材質(zhì)來(lái)選用不同的焊接劑并配合相應(yīng)的加熱溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)。如環(huán)氧樹(shù)脂敷銅電路板(PCB)和聚酰亞胺(PI)敷銅電路板采用以下溫度
      第一階段預(yù)熱段溫度先從室溫上升至Tl ;第二階段保溫段溫度在T2之間保持;第三階段回流段溫度從T3-T4-T3期間為回流溫度,第四階段冷卻段溫度從T3下降至室溫;
      Tl 為 18(TC -200°C ;
      T2 為 180 O -230 0C ;
      T3 為 220 O -240 0C ;
      T4 為 240°C -280°C ;
      對(duì)于尺寸較大尺寸的芯片焊接的時(shí)候,可以選擇對(duì)芯片的四個(gè)角進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)固定。如圖3所示,在芯片I的4個(gè)角上,通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠工藝將熱固化環(huán)氧樹(shù)脂補(bǔ)強(qiáng)膠分別點(diǎn)在基板51、52、53、54位置上,讓其自由擴(kuò)散,并通過(guò)加熱固化工序?qū)⒀a(bǔ)強(qiáng)膠固化,起到保護(hù)芯片和焊接點(diǎn)的目的。如圖4,圖6,圖7所示,補(bǔ)強(qiáng)膠的形狀可以是圓形的,也可以是雙邊長(zhǎng)條形的,或者是四邊方形的,均能有效保護(hù)芯片和焊接點(diǎn)。對(duì)于較小尺寸的芯片焊接的時(shí)候,可以選擇對(duì)芯片進(jìn)行完整包封補(bǔ)強(qiáng)。如圖5和圖9所示,芯片和焊點(diǎn)完全被補(bǔ)強(qiáng)膠所包圍,經(jīng)過(guò)固化后可以獲得更加可靠的產(chǎn)品。如圖8和圖9的剖面圖所示,在補(bǔ)強(qiáng)膠施膠過(guò)程中,由于膠體5是半液態(tài)流動(dòng)的物體,膠可滲透到芯片I和基板2的縫隙中,使膠體5和芯片I、基板2融為一體,有效保護(hù)芯片和焊接點(diǎn)。實(shí)施例2
      如圖I和圖2所示的芯片焊接結(jié)構(gòu)圖,首先通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠設(shè)備將銀漿32設(shè)置在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板2的焊盤(pán)3表面,然后采用機(jī)械手將芯片I的焊盤(pán)31對(duì)準(zhǔn)基板2的焊盤(pán)3安裝,按箭頭4的方向貼合,再將安裝好芯片I的基板通過(guò)回流焊爐加熱將焊接劑固化,完成芯片焊接的過(guò)程;在這個(gè)過(guò)程中,焊接劑的量根據(jù)焊盤(pán)的尺寸選定,以可以充分連接為準(zhǔn)。實(shí)際操作中可以通過(guò)設(shè)定點(diǎn)膠設(shè)備的壓力等參數(shù)來(lái)調(diào)整。導(dǎo)電劑厚度從30um到300um之間可以選擇。在回流焊爐加熱將焊接劑固化的過(guò)程中,根據(jù)基板的材質(zhì)來(lái)選用不同的焊接劑并配合相應(yīng)的加熱溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)。聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)電路板采用以下溫度
      第一階段預(yù)熱段溫度先從室溫上升至Tl ;第二階段保溫段溫度在T2之間保持;第三階段回流段溫度從T3-T4-T3期間為回流溫度,第四階段冷卻段溫度從T3下降至室溫;
      Tl 為 100-120。。;
      T2 為 100-150。。;
      T3 為 140-160 0C ;
      T4 為 160-180。。。對(duì)于尺寸較大尺寸的芯片焊接的時(shí)候,可以選擇對(duì)芯片的四個(gè)角進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)固定。如圖3所示,在芯片I的4個(gè)角上,將紫外線固化補(bǔ)強(qiáng)膠分別點(diǎn)在基板的51、52、53、54位置 上,讓其自由擴(kuò)散,并通過(guò)紫外線照射固化工序?qū)⒀a(bǔ)強(qiáng)膠固化,起到保護(hù)芯片和焊接點(diǎn)的目的。如圖4,圖6,圖7所示,補(bǔ)強(qiáng)膠的形狀可以是圓形的,也可以是雙邊長(zhǎng)條形的,或者是四邊方形的,均能有效保護(hù)芯片和焊接點(diǎn)。對(duì)于較小尺寸的芯片焊接的時(shí)候,可以選擇對(duì)芯片進(jìn)行完整包封補(bǔ)強(qiáng)。如圖5和圖9所示,芯片和焊點(diǎn)完全被補(bǔ)強(qiáng)膠所包圍,經(jīng)過(guò)固化后可以獲得更加可靠的產(chǎn)品。如圖8和圖9的剖面圖所示,在補(bǔ)強(qiáng)膠施膠過(guò)程中,由于膠體5是半液態(tài)流動(dòng)的物體,膠可滲透到芯片I和基板2的縫隙中,使膠體5和芯片I、基板2融為一體,有效保護(hù)芯片和焊接點(diǎn)。實(shí)施例3
      如圖I和圖2所示的芯片焊接結(jié)構(gòu)圖,首先通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠設(shè)備將導(dǎo)電膠或非導(dǎo)電膠32設(shè)置在聚酰亞胺(PI)基板2的焊盤(pán)3表面,然后采用機(jī)械手將芯片I的焊盤(pán)31對(duì)準(zhǔn)基板2的焊盤(pán)3安裝,按箭頭4的方向貼合,再將安裝好芯片I的基板芯片位置局部加壓加熱使焊接劑固化,完成芯片焊接的過(guò)程;在這個(gè)過(guò)程中,焊接劑的量根據(jù)焊盤(pán)的尺寸選定,以可以充分連接為準(zhǔn)。實(shí)際操作中可以通過(guò)設(shè)定點(diǎn)膠設(shè)備的壓力等參數(shù)來(lái)調(diào)整。在加壓加熱將焊接劑固化的過(guò)程中,根據(jù)不同的焊接劑的特性設(shè)定相應(yīng)的加熱溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了提高生產(chǎn)效率,我們選用所述的固態(tài)加熱轉(zhuǎn)液態(tài)再冷卻后轉(zhuǎn)固態(tài)的封裝膠。這種封裝膠以薄膜形式存在,經(jīng)模切后形成長(zhǎng)條形連續(xù)的結(jié)構(gòu),和安裝有芯片的連續(xù)基板貼合,經(jīng)加熱后使封裝膠變性成液態(tài),使膠體和基板及芯片充分融合,冷卻后形成固態(tài)包封體,除去封裝膠的離型膜,完成厚度可控,形狀規(guī)則的封裝模塊。如圖10所示的連續(xù)型基板和芯片的焊接示意圖,芯片I被有規(guī)律地焊接在連續(xù)的基板2的相應(yīng)位置,基板2的邊緣設(shè)置了固定間距的定位孔201,以適合連續(xù)生產(chǎn)設(shè)備步進(jìn)的需要。如圖11所示的連續(xù)型固態(tài)封裝膠模切結(jié)構(gòu)示意圖,薄膜型固態(tài)封裝膠被模切成規(guī)則排列的封裝膠塊,一面固定在離型膜501上,離型膜的邊緣設(shè)置了固定間距的定位孔502,以適合連續(xù)生產(chǎn)設(shè)備步進(jìn)的需要。。如圖12所示的連續(xù)型固態(tài)封裝膠和基板的貼合示意圖,通過(guò)自動(dòng)封裝設(shè)備將模切好的連續(xù)型固態(tài)封裝膠帶和安裝了芯片的連續(xù)型基板通過(guò)定位孔對(duì)應(yīng)貼合,離型膜501上的封裝膠塊5對(duì)應(yīng)基板2上的芯片I。 如圖13所示的連續(xù)型固態(tài)封裝膠和基板的加工示意圖,經(jīng)過(guò)貼合的基板2和封裝膠帶501經(jīng)過(guò)具有加熱功能的加熱臺(tái)7和壓合輪6,使封裝膠塊5將芯片I包封起來(lái),冷卻后,膠體和基板2充分粘合,并通過(guò)收料器將離型膜501從膠體表面去除,形成完整的封裝模塊。上述一種芯片的焊接方法可應(yīng)用于以環(huán)氧樹(shù)脂為介質(zhì)的硬性敷銅基板(PCB)的芯片焊接。上述一種芯片的焊接方法可應(yīng)用于以聚酰亞胺(PI)為介質(zhì)的柔性敷銅電路板的芯片焊接。上述一種芯片的焊接方法可應(yīng)用于以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)為介質(zhì)的柔性敷銅電路板的芯片焊接。綜上所述,僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
      ,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種芯片的焊接方法,其特征在于,包括如下步驟先將焊接劑設(shè)置在基板的焊盤(pán)表面,然后采用機(jī)械手將芯片的焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)基板的焊盤(pán)安裝,再將安裝好芯片的基板通過(guò)回流焊爐加熱將焊接劑固化,完成芯片焊接的過(guò)程;所述的焊接劑為錫膏、銀漿或膠;所述的基板為環(huán)氧樹(shù)脂敷銅電路板(PCB)、聚酰亞胺(PI)敷銅電路板或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)電路板;所述的機(jī)械手為表面貼裝設(shè)備的器件拾取裝置;所述的芯片為晶圓經(jīng)過(guò)減薄切割后沒(méi)有進(jìn)行封裝的單顆裸芯片。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,所述的焊接劑設(shè)置在基板的焊盤(pán)表面,是通過(guò)鋼網(wǎng)印刷工藝將膠狀的焊接劑在基板焊盤(pán)表面形成具有一定厚度的圖形,其厚度在20um-200um 之間。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,所述的焊接劑設(shè)置在基板的焊盤(pán)表面,是通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠工藝將膠狀的焊接劑在基板焊盤(pán)表面形成具有一定厚度的圖形,其厚度在30um-300um 之間。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,所述的芯片的焊盤(pán)經(jīng)過(guò)非鋁化表工藝處理,使芯片焊盤(pán)具有高于芯片平面的焊盤(pán)和具有和焊接劑有效浸潤(rùn)的焊接面。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,所述回流焊爐加熱將焊接劑固化的過(guò)程是第一階段預(yù)熱段溫度先從室溫上升至Tl ;第二階段保溫段溫度在T2之間保持;第三階段回流段溫度從T3-T4-T3期間為回流溫度,第四階段冷卻段溫度從T3下降至室溫;Tl 為 100-12(TC、150-17(rC或 18(TC -200°C ;T2 為 100-150°C、150-200°C或 180°C -230°C ;T3 為 140-160 °C、190-210 °C 或 220 °C -240 °C ; T4 為 160-180O、210-250O或 240O -280°C ; 針對(duì)不同的材質(zhì)、焊接劑選擇對(duì)應(yīng)的溫度范圍。
      6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其特征在于,對(duì)于焊接強(qiáng)度要求高的產(chǎn)品,在芯片的周?chē)O(shè)置補(bǔ)強(qiáng)膠,使焊接可靠;所述的補(bǔ)強(qiáng)膠為液態(tài)加熱轉(zhuǎn)固態(tài)的硅膠或環(huán)氧樹(shù)脂膠;所述的補(bǔ)強(qiáng)膠為固態(tài)加熱轉(zhuǎn)液態(tài)再冷卻后轉(zhuǎn)固態(tài)的封裝膠;所述的補(bǔ)強(qiáng)膠為液態(tài)經(jīng)紫外線照射后轉(zhuǎn)固態(tài)的紫外線固化膠。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述的液態(tài)加熱轉(zhuǎn)固態(tài)的硅膠或環(huán)氧樹(shù)脂膠補(bǔ)強(qiáng)膠通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠的方式將膠體設(shè)置在基板的芯片安裝位置,再通過(guò)加熱爐進(jìn)行固化;所述的固態(tài)加熱轉(zhuǎn)液態(tài)再冷卻后轉(zhuǎn)固態(tài)的封裝膠,以薄膜形式存在,經(jīng)模切后和安裝有芯片的基板貼合,經(jīng)加熱使封裝膠變性成液態(tài),使膠體和基板及芯片充分融合,冷卻后形成固態(tài)包封體;所述的紫外線固化膠通過(guò)自動(dòng)點(diǎn)膠的方式將膠體設(shè)置在基板的芯片安裝位置,再通過(guò)紫外線照射進(jìn)行固化。
      8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,補(bǔ)強(qiáng)膠的位置設(shè)置在芯片的4個(gè)角上、2個(gè)對(duì)邊、4周或把芯片全部包封起來(lái)。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片的焊接方法,包括如下步驟先將焊接劑32設(shè)置在基板2的焊盤(pán)3表面,然后采用機(jī)械手將芯片1的焊盤(pán)面31對(duì)準(zhǔn)基板的焊盤(pán)3安裝,再將安裝好芯片的基板通過(guò)回流焊爐加熱將焊接劑32固化,完成芯片焊接的過(guò)程,在某些場(chǎng)合,還需要補(bǔ)強(qiáng)使焊接更可靠。本發(fā)明可以替代傳統(tǒng)的芯片引線焊接及芯片倒封裝工藝,提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本。
      文檔編號(hào)H05K3/34GK102903646SQ201210198329
      公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
      發(fā)明者陸紅梅 申請(qǐng)人:上海禎顯電子科技有限公司
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