專利名稱：一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝，具體涉及具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，在一個(gè)封裝內(nèi)使用一個(gè)以上芯片來構(gòu)成LED封裝的情況下，在芯片之間構(gòu)成單一反射構(gòu)造物，從而能夠防止芯片之間的光的再吸收。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管利用半導(dǎo)體的p-n接合結(jié)構(gòu)來制造出注入的少數(shù)載體(電子或空穴)，并且其作為通過所述少數(shù)載體的再結(jié)合進(jìn)行發(fā)光的電子部件。如上所述的發(fā)光二極管使用在各種領(lǐng)域，最近由于發(fā)光二極管的壽命為 半永久性且不存在有害物質(zhì)環(huán)境管制(RoHS、ELV、PF0S等)物質(zhì)，因此被矚目為將代替熒光燈的部件。通常地，單一的發(fā)光二極管單元在引線框架上用例如Ag接合發(fā)光二極管芯片，并且在將半導(dǎo)體芯片的N片和P片進(jìn)行引線接合之后，通過環(huán)氧樹脂的模壓進(jìn)行封裝。如上所述構(gòu)成的單一的發(fā)光二極管封裝為了散熱而以如下方式使用，即在散熱板上裝載的狀態(tài)下設(shè)置于印刷電路基板上而使用，或者在利用例如表面安裝技術(shù)(SMT)等來安裝在印刷電路板上的狀態(tài)下粘貼在散熱板上而使用。另外，例如，使用于LCD背光燈等的發(fā)光二極管陣列單元中，將如上所述構(gòu)成的多個(gè)單一發(fā)光二極管封裝按照陣列形狀利用例如表面安裝技術(shù)(SMT)等來設(shè)置在印刷電路板上。并且，如上所述構(gòu)成的發(fā)光二極管的陣列為了散熱而粘貼在散熱板上而使用。如上所示，現(xiàn)有技術(shù)中，為了制造發(fā)光二極管單元，將與引線框架的制造、散熱板的制造、發(fā)光二極管的制造、印刷電路板的制造、發(fā)光二極管封裝的安裝等具有各自不同特性的制造工藝進(jìn)行集合。換句話說，一個(gè)制造企業(yè)很難單獨(dú)制造出發(fā)光二極管單元，應(yīng)該通過各自不同企業(yè)的協(xié)作才可以制造。因此，存在如下問題發(fā)光二極管單元的制造工藝復(fù)雜，并且增加發(fā)光二極管單元的制造費(fèi)用。另外，現(xiàn)有技術(shù)中，將發(fā)光二極管芯片安裝在引線框架后進(jìn)行封裝，并且由于將所述發(fā)光二極管封裝安裝在印刷電路板上，因此，具有如下問題在整體上發(fā)光二極管單元的厚度會(huì)更加厚，從而采用如上所述的發(fā)光二極管單元的電子產(chǎn)品的薄型化會(huì)受到障礙。特別是，現(xiàn)有技術(shù)中，為了發(fā)光二極管的散熱，通過將發(fā)光二極管芯片安裝在引線框架進(jìn)行封裝之后，以散熱板作為媒介將所述發(fā)光二極管封裝設(shè)置在印刷電路板上，或者將發(fā)光二極管封裝安裝在印刷電路板后，將印刷電路板結(jié)合在散熱板上。由此，發(fā)光二極管單元的整體厚度會(huì)更加厚，從而存在采用如上所述的發(fā)光二極管單元的電子產(chǎn)品的薄型化會(huì)受到障礙的問題。如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管單元有限于提高發(fā)光的光的波長變換效率，從而很難提高光功率或者亮度、顯色性。
為了解決如上所述的問題，從而提出了如下結(jié)構(gòu)在散熱基底的發(fā)光二極管芯片安裝區(qū)域形成具有反射面的反射槽，并且裝載發(fā)光二極管。但是，在如上所述的發(fā)光二極管封裝的情況下，如果在反射槽內(nèi)安裝有一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片時(shí)，則發(fā)生如下問題由于鄰接的發(fā)光二極管芯片之間的光的再吸收，從而降低光功率。圖I是表示如下問題由于板上芯片(COB, Chip On Board)和熱沉芯片(COH, ChipOn Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝中的芯片之間的光的再吸收而降低光功率，圖2是表不如下問題由于金屬芯片(COM, Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝的芯片之間的光的再吸收而降低光功率。圖I是表示板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，印刷電路板是通常作為FR4或者金屬印刷電路板10而使用的FR4印刷電路板(使用板上芯片方式的印刷電路板)及金屬印刷電路板(使用熱沉芯片方式的印刷電路板)，并且使用由50 100 的絕緣層(Adhesive Layer) 11和1/2盎司(大約17 )或者I盎司(大約34 )的Cu層構(gòu)成的產(chǎn)品。另外，Ni、Ag層作為鍍金層，其用于通過板上芯片及熱沉芯片方法進(jìn)行發(fā)光二極管封裝，為了進(jìn)行引線接合(wire bonding),從而形成Ag層,但是在Cu層上不能直接鍍Ag,因此通過鍍金等方法形成Ni層，其作為用于鍍Ag的緩沖層。通過如上所述工藝形成配線圖形形成用的物質(zhì)層12、13、14，并且形成一定高度的壩(DAM) 16，所述壩16用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，并且裝載有發(fā)光二極管芯片15a、15b。在如上所述的結(jié)構(gòu)中，在發(fā)光二極管芯片15a和與此相鄰的其他發(fā)光二極管15b之間產(chǎn)生光的再吸收，從而降低光功率。并且，圖2是表示金屬芯片(COM，Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，金屬芯片方式是在金屬圓板(或者已表面處理的金屬圓板)20上直接裝載發(fā)光二極管芯片的方式，發(fā)光二極管芯片25a、25b、25c、25d、25e直接裝載在金屬圓板20表面，并且通過單獨(dú)的印刷電路板制造工藝及附、八8鍍金工藝等制造出具有電性的圖形層21、22、23、24后，通過熱壓(Hot Press)工藝等對(duì)金屬圓板和通過所述工藝制造的印刷電路板進(jìn)行層壓，從而制造出金屬芯片方式的金屬印刷電路板。通過所述工藝形成的金屬芯片方式的金屬印刷電路板的圖形層具有如下結(jié)構(gòu)利用具有優(yōu)秀導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層22、23、24，并且形成一定高度的壩(DAM) 26，所述壩26用于防止在涂覆熒光體或硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，并且發(fā)光二極管芯片25a、25b、25c、25d、25e裝載在金屬圓板20表面。在如上所述的結(jié)構(gòu)中，在發(fā)光二極管芯片25a、25b、25c、25d、25e之間產(chǎn)生光的再吸收，從而降低光功率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝的問題，其目的在于提供一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，在一個(gè)封裝內(nèi)使用一個(gè)以上芯片來構(gòu)成發(fā)光二極管封裝的情況下，在芯片之間構(gòu)成單一反射構(gòu)造物，從而能夠防止芯片之間的光的再吸收。本發(fā)明的目的在于提供一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，在一個(gè)封裝內(nèi)利用一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片來構(gòu)成發(fā)光二極管封裝的情況下，在各個(gè)發(fā)光二極管芯片之間設(shè)置印刷或者排出或者構(gòu)造物等，從而防止發(fā)光二極管芯片之間的光的再吸收，進(jìn)而提高光功率。本發(fā)明的目的在于提供一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，通過板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip OnHeat-sink)方式或者金屬芯片(Chip On metal)方式對(duì)印刷電路板電路進(jìn)行加工及制造，并且使用白墨水來在芯片和芯片之間印刷用于單一反射的壩，從而防止發(fā)光二極管之間的光的再吸收，進(jìn)而提聞光功率。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，通過如下方式進(jìn)行在各個(gè)發(fā)光二極管芯片之間設(shè)置用于單一反射的結(jié)構(gòu)的工藝在使用白墨水的印刷方式或者涂覆壩形成用物質(zhì)后對(duì)其進(jìn)行硬化的方式或者直接形成反射構(gòu)造物的方式中選擇適合于封裝結(jié)構(gòu)及進(jìn)行工藝方式的方式，從而提高工藝的效率性。本發(fā)明的目的不限于以上提及的目的，并且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員從以下記載的內(nèi)容中會(huì)明確地理解沒有提及的其他目的。根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)如上所述目的的本發(fā)明的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其包括印刷電路板或者金屬印刷電路板；配線圖形形成用物質(zhì)層，其形成在所述印刷電路板或者金屬印刷電路板上，并且在其之間形成有絕緣層；壩，其形成在所述印刷電路板或者金屬印刷電路板上以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形形成用物質(zhì)層上；光再吸收防止用壩，其形成在裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的配線圖形形成用物質(zhì)層上。在此,所述印刷電路板通過板上芯片(Chip On Board)或者熱沉芯片(Chip OnHeat-sink)方式在一個(gè)封裝內(nèi)裝載一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片。根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)其他目的的本發(fā)明的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其包括金屬圓板；配線圖形，其層壓于所述金屬圓板上；電氣性的圖形層將通過單獨(dú)的印刷電路板制造工藝及Ni、Ag鍍金工藝制造的印刷電路板和金屬圓板(或者已表面處理的金屬圓板)通過熱壓(Hot Press)工藝等進(jìn)行層壓，從而制造出金屬芯片方式的金屬印刷電路板。并且還包括壩，其形成在以所述金屬圓板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形上；光再吸收防止用壩，其形成在裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的所述金屬圓板的表面。在此,所述印刷電路板通過金屬芯片(Chip On Metal)方式在一個(gè)封裝內(nèi)裝載有多個(gè)發(fā)光二極管芯片。并且，通過如下方式形成所述光再吸收防止用壩使用白墨水來反復(fù)進(jìn)行印刷的方式，或者涂覆壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，或者對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓的方式。根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)其他目的的本發(fā)明的一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟在金屬圓板上形成配線圖形形成用物質(zhì)層，在所述物質(zhì)層之間形成有絕緣層；將壩及光再吸收防止用壩分別形成在以所述金屬圓板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形形成用物質(zhì)層上及裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的配線圖形形成用物質(zhì)層上；將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。在此，通過如下方式形成所述壩(DAM)及光再吸收防止用壩使用白墨水來多次反復(fù)進(jìn)行印刷操作，或者利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，或者對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓。根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)其他目的的本發(fā)明的一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟在裝載有發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的所述金屬圓板的表面使用白墨水并通過反復(fù)的印刷操作來形成光再吸收防止用壩；在印刷電路板上形成配線圖形，并且在印刷電路板表面上使用白墨水并通過反復(fù)的印刷操作來以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谄渲車呐渚€圖形層上形成壩；將形成有配線圖形層及壩的印刷電路板層壓于形成有所述光再吸收防止用壩的金屬圓板上；將發(fā)光二極管芯片接合于所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。 根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)其他目的的本發(fā)明的一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟在印刷電路板上形成配線圖形層，并且在印刷電路板表面使用白墨水并通過反復(fù)的印刷操作來以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谄渲車呐渚€圖形上形成壩；將形成有配線圖形層及壩的印刷電路板層壓于金屬圓板上；在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而形成光再吸收防止用壩；將發(fā)光二極管芯片接合于所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)其他目的的本發(fā)明的一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟在印刷電路板上形成配線圖形層，并且將形成有配線圖形層的印刷電路板層壓于金屬圓板上；在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面及印刷電路板上面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谄渲車呐渚€圖形上形成壩及在金屬圓板表面形成光再吸收防止用壩；將發(fā)光二極管芯片接合于所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的弓I線接合工藝。在此，在所述壩及在金屬圓板表面形成光再吸收防止用壩的步驟中，在壩形成區(qū)域直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓而形成。根據(jù)如上所述的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法具有如下效果第一、在一個(gè)封裝內(nèi)使用一個(gè)以上芯片來構(gòu)成發(fā)光二極管封裝的情況下，在芯片之間構(gòu)成單一反射構(gòu)造物，從而防止芯片之間的光的再吸收。第二、在芯片和芯片之間對(duì)用于單一反射的壩進(jìn)行印刷，從而防止發(fā)光二極管芯片之間的光的再吸收，進(jìn)而提聞光功率。第三、通過如下方式進(jìn)行在各個(gè)發(fā)光二極管芯片之間設(shè)置用于單一反射的結(jié)構(gòu)的工藝在使用白墨水的印刷方式或者涂覆壩形成用物質(zhì)后對(duì)其進(jìn)行硬化的方式或者直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓的方式中選擇適合于封裝結(jié)構(gòu)及進(jìn)行工藝方式的方式，從而提高工藝的效率性。第四、在通過板上芯片(Chip On Board)或者熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式或者金屬芯片(Chip On Metal)方式對(duì)印刷電路板電路進(jìn)行加工及制造的工藝中可選擇性地適用形成單一反射構(gòu)造物的工藝，從而確保工藝的容易性。


圖I是板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝的構(gòu)成圖。圖2是金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝的構(gòu)成圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝的構(gòu)成圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝的構(gòu)成圖。圖5a和圖5b是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝的平面構(gòu)成圖及進(jìn)行工藝的流程圖。圖6a至圖6e是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝平面構(gòu)成圖及進(jìn)行工藝的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。通過以下各個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)說明會(huì)更清楚地理解根據(jù)本發(fā)明的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管制造方法的特征及優(yōu)點(diǎn)。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(ChipOn Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝的構(gòu)成圖，圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝的構(gòu)成圖。在一個(gè)封裝內(nèi)使用一個(gè)以上芯片來構(gòu)成發(fā)光二極管封裝的情況下，在芯片之間構(gòu)成單一反射構(gòu)造物，從而防止芯片之間光的再吸收，進(jìn)而提高光功率。在以下說明中意味著，金屬圓板使用通過表面處理提高反射、光澤特性的金屬，并且金屬的表面處理中，在鋁板上進(jìn)行涂層、噴鍍、層壓、濺射工藝中任何一個(gè)工藝，從而提高反射、光澤特性。如圖3所示,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝中，印刷電路板是通常作為FR4或者金屬印刷電路板10而使用的FR4印刷電路板(使用板上芯片方式的印刷電路板)及金屬印刷電路板(使用熱沉芯片方式的印刷電路板)，并且使用由50 100的絕緣層(Adhesive Layer)11和1/2盎司(大約17 )或者I盎司(大約34 )的Cu層構(gòu)成的產(chǎn)品。換句話說，在印刷電路板或者金屬印刷電路板30上使用50 100 的絕緣層(Adhesive Layer)并利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層32、33、34，并且以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谥車纬梢欢ǜ叨鹊膲?DAM)36a、36b，所述壩36a、36b用于防止涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，并且形成在裝載有芯片安裝區(qū)域內(nèi)的芯片的區(qū)域之間形成的光再吸收防止用壩36c，并且裝載發(fā)光二極管芯片35a、35b。在此，通過如下方式形成所述光再吸收防止用壩36c :使用白墨水來反復(fù)進(jìn)行印刷的方式，或者涂覆壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，或者直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓的方式。在如上所述的結(jié)構(gòu)中，在發(fā)光二極管芯片35a和與此相鄰的其他發(fā)光二極管芯片35b之間形成光再吸收防止用壩36c，從而防止發(fā)光二極管芯片35a和與此相鄰的其他發(fā)光二極管芯片35b之間的光再吸收，從而提高光功率。并且，如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝，其包括金屬圓板(或者已表面處理的金屬圓板)40;配線圖形42、 43、44，其層壓于所述金屬圓板40上；一定高度的壩(DAM)46a、46b,其形成在以所述金屬圓板40的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形上，并且用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象；光再吸收防止用壩46c，其形成在裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片45a、45b、45c、45d、45e的區(qū)域之間的所述金屬圓板的表面。在如上所述的結(jié)構(gòu)中，在發(fā)光二極管芯片45a、45b、45c、45d、45e之間形成光再吸收防止用壩46c,從而防止發(fā)光二極管芯片45a、45b、45c、45d、45e之間的光的再吸收,進(jìn)而提高光功率。在此，通過如下方式形成光再吸收防止用壩46c:使用白墨水來反復(fù)進(jìn)行印刷的方式，或者涂覆壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，或者直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓的方式。如下是根據(jù)如上所述的本發(fā)明的利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法。圖5a和圖5b是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝的平面構(gòu)成圖及進(jìn)行工藝的流程圖。首先，如圖5a所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，印刷電路板是通常作為FR4或者金屬印刷電路板10而使用的FR4印刷電路板(使用板上芯片方式的印刷電路板)及金屬印刷電路板(使用熱沉芯片方式的印刷電路板)，并且使用由50 100 的絕緣層(Adhesive Layer) 11和1/2盎司(大約17 )或者I盎司(大約34 )的Cu層構(gòu)成的產(chǎn)品O另外，Ni、Ag層作為鍍金層，其用于通過板上芯片及熱沉芯片方法進(jìn)行發(fā)光二極管封裝，為了進(jìn)行引線接合，需要形成Ag層，但是在Cu層上不能直接鍍Ag，因此通過鍍金等方法形成Ni層，其作為用于鍍Ag的緩沖層。通過如上所述工藝形成配線圖形形成用的物質(zhì)層，并且形成一定高度的壩(DAM)，所述壩用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，并且裝載有發(fā)光二極管芯片。換句話說，在印刷電路板或者金屬印刷電路板上利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層，并且形成一定高度的壩(DAM)及光再吸收防止用壩，所述壩以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行男纬稍谥車?，并且用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，所述光再吸收防止用壩形成在裝載有芯片安裝區(qū)域內(nèi)的芯片的區(qū)域之間，并且在芯片安裝區(qū)域裝載發(fā)光二極管芯片。首先，板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式是通過通常使用的印刷電路板制造工藝制造印刷電路板(S501)。S卩，印刷電路板或者金屬印刷電路板是通常使用的FR4印刷電路板(使用板上芯片方式的印刷電路板)及金屬印刷電路板(使用熱沉芯片方式的印刷電路板)，并且使用由50 100 的絕緣層(Adhesive Layer)和1/2盎司(大約17 )或者I盎司(大約34 )的Cu層構(gòu)成的產(chǎn)品，從而通過作為印刷電路板制造工藝的露光、蝕刻等工藝制造出作為板上芯片和熱沉芯片而使用的印刷電路板。并且，Ni、Ag層作為鍍金層，其用于通過板上芯片及熱沉芯片方法進(jìn)行發(fā)光二極管封裝，為了進(jìn)行引線接合，需要形成Ag層，但是在Cu層上不能直接鍍Ag，因此通過鍍金等方 法形成Ni層，其作為用于鍍Ag的緩沖層。換句話說，將Ni作為第二配線圖形形成用物質(zhì)層而使用，以便解決如下問題在作為第一配線圖形形成用物質(zhì)層而使用的Cu層上很難直接涂覆作為第三配線圖形形成用物質(zhì)層而使用的Ag。并且，作為第三配線圖形形成用物質(zhì)層而使用的Ag用于改善反射率，并且能夠確保進(jìn)行引線接合工藝時(shí)的工藝容易性。并且，在形成作為第一配線圖形形成用物質(zhì)層而使用的Cu層的工藝中，形成掩模層，并且通過濺射工藝可選擇性地形成在所需的區(qū)域。接著，形成一定高度的壩(DAM)及光再吸收防止用壩，所述壩以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行男纬稍谥車?，并且用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，所述光再吸收防止用壩形成在裝載有芯片安裝區(qū)域內(nèi)的芯片的區(qū)域之間。壩(DAM)及光再吸收防止用壩的形成工藝中，其包括如下方法使用白墨水來多次反復(fù)進(jìn)行印刷操作(S502)，或者利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化(S503、)，或者對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓(S504)，并且可選擇性地適用壩(DAM)形成工藝，以便適合于產(chǎn)品的特性。在此，壩(DAM)形成在以印刷電路板或者金屬印刷電路板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形形成用物質(zhì)層上，并且光再吸收防止用壩形成在裝載有芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的配線圖形形成用物質(zhì)層上。接著，將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝(S505)。如下是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及制造工藝。圖6a至圖6e是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝平面構(gòu)成圖及工藝進(jìn)行流程圖。如圖6a所示,根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的金屬芯片(Chip On Metal)方式的發(fā)光二極管封裝中，將金屬圓板(或者已表面處理的金屬圓板)和印刷電路板通過熱壓(HotPress)工藝進(jìn)行層壓，所述印刷電路板通過單獨(dú)的印刷電路板制造工藝及Ni、Ag鍍金工藝等制造，從而制造出金屬芯片方式的金屬印刷電路板。通過所述工藝形成的金屬芯片方式的金屬印刷電路板的圖形層構(gòu)成為，利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層，并且形成一定高度的壩(DAM)及光再吸收防止用壩，所述壩以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行男纬稍谥車⑶矣糜诜乐乖谕扛矡晒怏w或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，所述光再吸收防止用壩形成在裝載有芯片安裝區(qū)域內(nèi)的芯片的區(qū)域之間，并且將發(fā)光二極管芯片裝載在金屬圓板表面。如圖6b所示,根據(jù)金屬芯片(Chip On Metal)方式的一個(gè)實(shí)施例的工藝中，首先，在金屬圓板表面利用白墨水并通過多次反復(fù)的印刷操作來形成光再吸收防止用壩(S601)。接著，在印刷電路板上利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層，并且通過濺射形成配線圖形層，并且在印刷電路板表面利用白墨水并通過多次反復(fù)的印刷操作來形成一定高度的壩(DAM)，所述壩以芯片安裝區(qū)域?yàn)?中心形成在周圍，并且用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象(S602 )。并且，將形成有配線圖形層及壩的印刷電路板層壓于形成有所述光再吸收防止用壩的金屬圓板上，從而制造出金屬芯片方式的印刷電路板(S603 )。接著，將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝(S604)。并且，如圖6c所示,根據(jù)金屬芯片(Chip On Metal)方式的另一個(gè)實(shí)施例的工藝中，首先，準(zhǔn)備金屬圓板(S611)，并且在印刷電路板上利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層，并且對(duì)其進(jìn)行圖形化后形成配線圖形層，并且在印刷電路板表面利用白墨水并通過多次反復(fù)的印刷操作來以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谥車纬梢欢ǜ叨鹊膲?DAM)，所述壩用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象(S612)。接著，將形成有配線圖形層及壩的印刷電路板層壓于金屬圓板上，從而制造出金屬芯片方式的印刷電路板(S613)。并且，在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而形成光再吸收防止用壩(S614)。接著，將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)間之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝(S615)。并且，如圖6d所示,根據(jù)金屬芯片(Chip On Metal)方式的另一個(gè)實(shí)施例的工藝中，首先，準(zhǔn)備金屬圓板(S621)，并且在印刷電路板上利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層，并且對(duì)其進(jìn)行圖形化后形成配線圖形層(S622)。接著，將形成有配線圖形層的印刷電路板層壓于金屬圓板上，從而制造出金屬芯片方式的印刷電路板(S623)。并且，在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面及印刷電路板上面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而在印刷電路板上面以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谥車纬梢欢ǜ叨鹊膲?DAM)，所述壩用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，并且在金屬圓板表面形成光再吸收防止用壩(S624)。接著，將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝(S625)。并且，如圖6e所不,根據(jù)金屬芯片(Chip On Metal)方式的另一個(gè)實(shí)施例的工藝中，首先，準(zhǔn)備金屬圓板(S631)，并且在印刷電路板上利用具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性的Cu、Ni、Ag等物質(zhì)來形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層，并且對(duì)其進(jìn)行圖形化后形成配線圖形層(S632)。接著，將形成有配線圖形層的印刷電路板層壓于金屬圓板上，從而制造出金屬芯片方式的印刷電路板(S633)?！?br> 并且，在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面及印刷電路板上面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而在印刷電路板上面以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谥車纬梢欢ǜ叨鹊膲?DAM)，所述壩用于防止在涂覆熒光體或者硅酮時(shí)產(chǎn)生的擴(kuò)散等現(xiàn)象，并且在金屬圓板表面形成光再吸收防止用壩(S634 )。在此，在形成壩及光再吸收防止用壩的工藝時(shí)，在利用分配器的方式之外，可根據(jù)工藝進(jìn)行的狀況在壩形成區(qū)域直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓而形成(S635 )。接著，將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝(S636)。根據(jù)如上所述的本發(fā)明的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，在一個(gè)封裝內(nèi)使用一個(gè)以上芯片來構(gòu)成LED封裝的情況下，在芯片之間構(gòu)成單一反射構(gòu)造物，從而能夠防止芯片之間的光的再吸收。由此，防止發(fā)光二極管之間的光的再吸收，從而提高光功率，并且都可適用于板上芯片(Chip On Board)和熱沉芯片(Chip On Heat-sink)方式或者金屬芯片(Chip Onmetal)方式的印刷電路板，從而提高工藝的效率性。如上說明所示，可理解成在不脫離本發(fā)明的本質(zhì)特性的范圍內(nèi)，本發(fā)明體現(xiàn)為變形的形狀。因此，示出的實(shí)施例應(yīng)理解為說明性的觀點(diǎn)，而不是限定性的觀點(diǎn)，并且本發(fā)明的范圍顯示在權(quán)利要求范圍，而不是所述的說明，并且在與其等同的范圍內(nèi)的所有不同點(diǎn)應(yīng)理解成包括在本發(fā)明中。
權(quán)利要求
1.一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其包括 印刷電路板； 配線圖形形成用物質(zhì)層，其形成在所述印刷電路板上，并且在其之間形成有絕緣層； 壩，其形成在以所述印刷電路板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形形成用物質(zhì)層上； 光再吸收防止用壩，其形成在裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的配線圖形形成用物質(zhì)層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其特征在于 所述印刷電路板中，通過板上芯片(Chip On Board)或者熱沉芯片(Chip OnHeat-sink)方式在一個(gè)封裝內(nèi)裝載一個(gè)以上的發(fā)光二極管芯片。
3.一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其特征在于，包括 金屬圓板； 配線圖形，其層壓于所述金屬圓板上； 壩，其形成在以所述金屬圓板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形上； 光再吸收防止用壩，其形成在裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的所述金屬圓板的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其特征在于 所述金屬圓板使用通過表面處理提高反射、光澤特性的金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其特征在于 金屬的表面處理中，在鋁板上進(jìn)行涂層、噴鍍、層壓、濺射工藝中任何一個(gè)工藝，從而提高反射、光澤特性。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其特征在于 所述印刷電路板中，通過金屬芯片(Chip On Metal)方式在一個(gè)封裝內(nèi)裝載有多個(gè)發(fā)光二極管芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或者3所述的具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板，其特征在于 通過如下方式形成所述光再吸收防止用壩使用白墨水來反復(fù)進(jìn)行印刷的方式，或者涂覆壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，或者直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓的方式。
8.一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟 在金屬圓板上形成配線圖形形成用物質(zhì)層，在所述物質(zhì)層之間形成有絕緣層； 將壩及光再吸收防止用壩分別形成在以所述金屬圓板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形形成用物質(zhì)層上及裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的配線圖形形成用物質(zhì)層上； 將發(fā)光二極管芯片接合在所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其特征在于 通過如下方式形成所述壩(DAM)及光再吸收防止用壩使用白墨水并多次反復(fù)進(jìn)行印刷操作，或者利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，或者對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓。
10.一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟 在裝載有發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的所述金屬圓板的表面使用白墨水并通過反復(fù)的印刷操作來形成光再吸收防止用壩； 在印刷電路板上形成配線圖形，并且在印刷電路板表面上使用白墨水并通過反復(fù)的印刷操作來以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谄渲車呐渚€圖形層上形成壩； 將形成有配線圖形層及壩的印刷電路板層壓于形成有所述光再吸收防止用壩的金屬圓板上； 將發(fā)光二極管芯片接合于所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。
11.一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟 在印刷電路板上形成配線圖形層，并且在印刷電路板表面使用白墨水并通過反復(fù)的印刷操作來以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谄渲車呐渚€圖形上形成壩； 將形成有配線圖形層及壩的印刷電路板層壓于金屬圓板上； 在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而形成光再吸收防止用壩； 將發(fā)光二極管芯片接合于所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。
12.一種利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其包括如下步驟 在印刷電路板上形成配線圖形層，并且將形成有配線圖形層的印刷電路板層壓于金屬圓板上； 在安裝有發(fā)光二極管芯片的金屬圓板表面及印刷電路板上面利用分配器來排出壩形成用物質(zhì)并對(duì)其進(jìn)行硬化，從而以芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行脑谄渲車呐渚€圖形上形成壩及在金屬圓板表面形成光再吸收防止用壩； 將發(fā)光二極管芯片接合于所述芯片安裝區(qū)域之間形成有光再吸收防止用壩的芯片安裝區(qū)域，并且進(jìn)行將發(fā)光二極管芯片的電極與焊墊進(jìn)行電連接的引線接合工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的利用具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板的發(fā)光二極管封裝制造方法，其特征在于 在所述壩及在金屬圓板表面形成光再吸收防止用壩的步驟中，在壩形成區(qū)域直接對(duì)反射構(gòu)造物進(jìn)行層壓而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有單一反射結(jié)構(gòu)的印刷電路板及利用其的發(fā)光二極管封裝制造方法，其中，在一個(gè)封裝內(nèi)使用一個(gè)以上芯片來構(gòu)成發(fā)光二極管封裝的情況下，在芯片之間構(gòu)成單一反射構(gòu)造物，從而防止芯片之間的光的再吸收，其包括印刷電路板；配線圖形形成用物質(zhì)層，其形成在所述印刷電路板上，并且在其之間形成有絕緣層；壩，其形成在以所述印刷電路板的芯片安裝區(qū)域?yàn)橹行牡钠渲車呐渚€圖形形成用物質(zhì)層上；光再吸收防止用壩，其形成在裝載有所述芯片安裝區(qū)域內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的區(qū)域之間的配線圖形形成用物質(zhì)層上。
文檔編號(hào)H05K1/18GK102905468SQ201210266568
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月6日
發(fā)明者張種鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:斗星A-tech, 張種鎮(zhèn)