專利名稱：包括無源電部件的封裝系統(tǒng)的制作方法
包括無源電部件的封裝系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域
一般而言，本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，更具體而言，涉及包括無源電部件的封裝系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
便攜式器件諸如移動電話、筆記本電腦等得到了廣泛的應(yīng)用，并且配備有各種功能。例如，移動電話用于打電話、照相、訪問互聯(lián)網(wǎng)、發(fā)送和接收電子郵件、查看股市行情和體育比賽結(jié)果，以及作為個人數(shù)字助理(或PDA)和/或MP3播放器使用。發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種封裝系統(tǒng)， 包括至少一個有源電路，設(shè)置在襯底上方；鈍化結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述至少一個有源電路上方，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有至少一個開口，所述至少一個開口被配置成暴露至少一個第一電焊盤；以及至少一個無源電部件，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方，所述至少一個無源電部件與所述至少一個第一電焊盤電f禹合。
在該封裝系統(tǒng)中，所述至少一個無源電部件包括至少一個電容器、至少一個電感器、至少一個電阻器、或它們的任意組合。
該封裝系統(tǒng)進一步包括至少一條電導線，電耦合在所述至少一個無源電部件和所述至少一個第一電焊盤之間。
該封裝系統(tǒng)進一步包括至少一個電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)的所述至少一個開口中；以及至少一個第二電焊盤，設(shè)置在所述至少一個電連接結(jié)構(gòu)上方，其中，所述至少一個第一電焊盤通過所述至少一個電連接結(jié)構(gòu)和所述至少一個第二電焊盤與所述至少一個無源電器件電f禹合。
該封裝系統(tǒng)進一步包括至少一種粘合材料，設(shè)置在所述至少一個無源電部件和所述鈍化結(jié)構(gòu)之間。
該封裝系統(tǒng)進一步包括至少一個電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)的所述至少一個開口中，所述至少一個電連接結(jié)構(gòu)在所述鈍化結(jié)構(gòu)的表面上方連續(xù)地延伸，其中，所述至少一個第一電焊盤通過所述至少一個電連接結(jié)構(gòu)與所述至少一個無源電部件電耦合。
在該封裝系統(tǒng)中，所述至少一個無源電部件以陣列模式布置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方。
在該封裝系統(tǒng)中，所述至少一個無源電部件包括第一組無源電部件和第二組無源電部件，所述第一組無源電部件以串聯(lián)模式布置，而所述第二組無源電部件以并聯(lián)模式布置。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供了一種封裝系統(tǒng)，包括至少一個有源電路，設(shè)置在襯底上方；鈍化結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述至少一個有源電路上方，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第一電焊盤的第一開口和暴露第二電焊盤的第二開口 ；以及第一無源電部件，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方，其中，所述第一無源電部件的第一節(jié)點與所述第一電焊盤電耦合，并且所述第一無源電部件的第二節(jié)點與所述第二電焊盤電耦合。
該封裝系統(tǒng)進一步包括第二無源電部件，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方并與所述第一無源電部件電耦合，其中，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第三電焊盤的第三開口和暴露第四電焊盤的第四開口，所述第二無源電部件的第三節(jié)點與所述第三電焊盤電耦合，并且所述第二無源電部件的第四節(jié)點與所述第四電焊盤電耦合。
該封裝系統(tǒng)中，所述第一無源電部件和所述第二無源電部件彼此以串聯(lián)或并聯(lián)模式電I禹合。
該封裝系統(tǒng)中，所述第一無源電部件和所述第二無源電部件均為電容器、電感器或電阻器。
該封裝系統(tǒng)進一步包括第一電導線，電耦合在所述第一電焊盤和所述第一節(jié)點之間；以及第二電導線，電耦合在所述第二電焊盤和所述第二節(jié)點之間。
該封裝系統(tǒng)進一步包括第一電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一開口中并與所述第一電焊盤電連接；第二電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二開口中并與所述第二電焊盤電連接；第五電焊盤，設(shè)置在所述第一電連接結(jié)構(gòu)上方并且電耦合在所述第一電連接結(jié)構(gòu)和所述第一節(jié)點之間；以及第六電焊盤，設(shè)置在所述第二電連接結(jié)構(gòu)上方并且電耦合在所述第二電連接結(jié)構(gòu)和所述第二節(jié)點之間。
該封裝系統(tǒng)進一步包括至少一種粘合材料，設(shè)置在所述第一無源電部件和所述鈍化結(jié)構(gòu)之間。
該封裝系統(tǒng)進一步包括第一電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一開口中，其中，所述第一電連接結(jié)構(gòu)在所述鈍化結(jié)構(gòu)的表面上方連續(xù)地延伸并且電耦合在所述第一電焊盤和所述第一節(jié)點之間；以及第二電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二開口中，其中，所述第二電連接結(jié)構(gòu)在所述鈍化結(jié)構(gòu)的表面上方連續(xù)地延伸并且電耦合在所述第二電焊盤和所述第二節(jié)點之間。
根據(jù)又一方面，提供了一種封裝系統(tǒng)，包括至少一個有源電路，設(shè)置在襯底上方； 鈍化結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述至少一個有源電路上方，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第一電焊盤的第一開口和暴露第二電焊盤的第二開口 ；第一電連接結(jié)構(gòu)和第二電連接結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置在所述第一開口和所述第二開口中；以及第一表面貼裝器件(SMD)電容器，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方，其中，所述第一 SMD電容器分別通過所述第一電連接結(jié)構(gòu)和所述第二電連接結(jié)構(gòu)與所述第一電焊盤和所述第二電焊盤電耦合。
該封裝系統(tǒng)進一步包括第三電焊盤，設(shè)置在所述第一電連接結(jié)構(gòu)上方并且電耦合在所述第一電連接結(jié)構(gòu)和所述第一 SMD電容器之間；第四電焊盤，設(shè)置在所述第二電連接結(jié)構(gòu)上方并且電耦合在所述第二電連接結(jié)構(gòu)和所述第一 SMD電容器之間；以及至少一種粘合材料，設(shè)置在所述第一 SMD電容器和所述鈍化結(jié)構(gòu)之間。
在該封裝系統(tǒng)中，所述第一電連接結(jié)構(gòu)和所述第二電連接結(jié)構(gòu)在所述鈍化結(jié)構(gòu)的表面上方連續(xù)地延伸，并且所述第一 SMD電容器設(shè)置在所述第一電連接結(jié)構(gòu)和所述第二電連接結(jié)構(gòu)之間。
該封裝系統(tǒng)進一步包括第二 SMD電容器，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方并且以串聯(lián)或并聯(lián)模式與所述第一 SMD電容器電耦合，其中，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第五電焊盤的第三開口和暴露第六電焊盤的第四開口，并且所述第二 SMD電容器與所述第五電焊盤和所述第六電焊盤電耦合。


當結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述來理解本發(fā)明。應(yīng)該注意到，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，對各種部件沒有按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上，為了清楚討論起見，各種部件的數(shù)量和尺寸可以被任意增大或減小。
圖I是根據(jù)示例性封裝系統(tǒng)的示意性俯視圖。
圖2A至圖2C是沿著圖I的剖面線A-A截取的各種示例性封裝系統(tǒng)的示意性截面圖。
圖3A至圖3E是各種示例性DC/DC轉(zhuǎn)換器的示意圖。
圖3F是示例性電感式開關(guān)調(diào)節(jié)器的示意圖。
具體實施方式
為了便于輕松攜帶，便攜式器件通常通過小電池供電。電池被配置成根據(jù)便攜式器件的類型提供約例如3 . 6V的電壓水平。為了向便攜式器件中的集成電路供電，將電池電壓下調(diào)至較小電壓，例如，IV。通常，采用具有電感器的DC/DC轉(zhuǎn)換器來調(diào)節(jié)電池電壓。
申請人已知的DC/DC轉(zhuǎn)換器包括多個電感器。為了調(diào)節(jié)電池電壓，電感器是分立的并接合在印刷電路板(PCB)上。引線接合電感器和PCB以與也接合在PCB上的其他電路電通信。申請人發(fā)現(xiàn)分立的電感器是昂貴的。此外，分立的電感器設(shè)置在PCB的某一區(qū)域上，在PCB上保留較大的占位面積。申請人還發(fā)現(xiàn)由于引線接合，DC/DC轉(zhuǎn)換器的效率可能不能達到期望的水平。
可以理解為了實施本發(fā)明的不同部件，以下公開內(nèi)容提供了許多不同的實施例或?qū)嵗?。在下面描述部件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當然這些僅是實例并不打算限定。 此外，本發(fā)明可以在各個實例中重復參考數(shù)字和/或字母。這種重復是為了簡明和清楚的目的，并且其本身并不指定所論述的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。再者，在隨后的本發(fā)明中位于另一部件上、連接和/或耦合到另一部件的部件的形成可以包括其中部件以直接接觸形成的實施例，并且也可以包括其中可以形成介于部件之間的額外的部件，使得部件可以不直接接觸的實施例。此外，使用空間相對術(shù)語，例如“下”、“上”、“水平的”、“垂直的”、“上方”、“下方”、“向上”、“向下”、“頂部”、“底部”等及其派生詞(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)以便于描述本發(fā)明的一個部件與另一個部件的關(guān)系?？臻g相對術(shù)語預期涵蓋包括部件的器件的不同定向。
圖I是示例性封裝系統(tǒng)的示意性俯視圖。在圖I中，封裝系統(tǒng)100包括設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)(未標記)表面上方的多個無源電部件110。在一些實施例中，以陣列模式布置無源電部件110。在一些實施例中，至少兩個無源電部件110以并聯(lián)或串聯(lián)模式彼此電連接起來。在其他實施例中，無源電部件110彼此電隔離。無源電部件110均可以是電容器、電感器或電阻器。
圖2A是沿著圖I的剖面線A-A截取的第一示例性封裝系統(tǒng)的示意性截面圖。在圖2A中，封裝系統(tǒng)100包括至少一個有源電路，例如，設(shè)置在襯底101上方的有源電路120。在一些實施例中，有源電路120包括至少一個開關(guān)、至少一個邏輯電路、至少一個控制器、 至少一個模擬電路、至少一個混合信號電路、至少一個處理器、其他有源電路和/或它們的任意組合。
例如，封裝系統(tǒng)100包括DC/DC轉(zhuǎn)換器。有源電路120包括一個或多個開關(guān)，這些開關(guān)可通過操作將一個或多個無源電部件Iio彼此電連接起來。圖3A至圖3E是各種類型的示例性DC/DC轉(zhuǎn)換器的示意圖。在圖3A中，有源電路120包括開關(guān)S1-S6，而無源電部件 110包括電容器C1-C315在圖3B中，有源電路120包括開關(guān)S7-S15，而無源電部件110包括電容器C4-C6。在圖3C中，有源電路120包括開關(guān)S16-S23,而無源電部件110包括電容器C7_C9。 在圖3D中，有源電路120包括開關(guān)S24-S33，而無源電部件110包括電容器Cltl-C14。在圖3E 中，有源電路120包括開關(guān)S34-S43，而無源電部件110包括電容器C15-C1715
在一些實施例中，電容器C1-C17均具有介于約100納法拉(nF)至約5微法拉(μ F) 范圍內(nèi)的電容。通過使用圖3Α至圖3Ε所示的各種DC/DC轉(zhuǎn)換器中的一種，電池的輸入電壓(Vin)例如3. 6V可以下調(diào)至約IV的輸出電壓(Vtjut)，將該輸出電壓供應(yīng)至有源電路120。 在一些實施例中，電容器C1-C17均為表面貼裝器件(SMD)電容器。注意到上面結(jié)合圖3Α至圖3Ε所述的各種類型的DC/DC轉(zhuǎn)換器僅是示例性的。在一些實施例中，將無源電部件110 和有源電路120布置成形成不同的DC/DC轉(zhuǎn)換器。在其他實施例中，可以通過至少一個電感器代替電容器C1-C17中的至少一個。
在一些實施例中，封裝系統(tǒng)100包括如圖3F所示的感應(yīng)式開關(guān)調(diào)節(jié)器。有源電路 120包括開關(guān)S43和S44,這些開關(guān)可通過操作將電容器C18和電感器L中的一個或多個彼此電連接。注意到上面結(jié)合圖3Α至圖3F所述的DC/DC轉(zhuǎn)換器和感應(yīng)式開關(guān)調(diào)節(jié)器僅是示例性的。本申請的范圍不限于此。在一些實施例中，封裝系統(tǒng)100包括升壓開關(guān)調(diào)節(jié)器、降壓轉(zhuǎn)換器、其他類型的調(diào)節(jié)器或轉(zhuǎn)換器、包括無源電部件的其他電路中的至少一種和/或它們的任意組合。
在一些實施例中，襯底101是由以下材料制成元素半導體，包括晶體硅或晶體鍺、多晶硅或非晶結(jié)構(gòu)；化合物半導體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和銻化鋼；合金半導體，包括 SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP 和 GaInAsP ;任何其他合適的材料；或它們的組合。在一個實施例中，合金半導體襯底具有梯度SiGe部件，其中Si 和Ge成分從梯度SiGe部件的一個位置的一種比率變化為另一個位置的另一種比率。在另一個實施例中，在硅襯底上方形成合金SiGe。在又一個實施例中，SiGe襯底產(chǎn)生應(yīng)變。在一些實施例中，半導體襯底具有絕緣體上半導體結(jié)構(gòu)，諸如絕緣體上娃(SOI)結(jié)構(gòu)。在一些實例中，半導體襯底包括摻雜的外延層或掩埋層。在其他實例中，化合物半導體襯底具有多層結(jié)構(gòu)，或者襯底包括多層化合物半導體結(jié)構(gòu)。
參照圖2A，在有源電路120上方設(shè)置互連結(jié)構(gòu)130。在一些實施例中，互連結(jié)構(gòu)130 包括至少一個介電層和至少一個電連接結(jié)構(gòu)(未示出)。例如,互連結(jié)構(gòu)130包括多個介電層和多層電連接結(jié)構(gòu)。電連接結(jié)構(gòu)均被夾在兩個介電層之間。電連接結(jié)構(gòu)被配置成在晶體管、二極管、器件、電路和/或有源電路120的其他電部件之間提供電連接。在一些實施例中，介電層和導電結(jié)構(gòu)被布置成形成各種無源器件，例如，電容器、電阻器和/或電感器。
在一些實施例中，介電層包含諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介電常數(shù)(低k) 介電材料、超低k介電材料、其他介電材料的至少一種材料和/或它們的任意組合。電連接結(jié)構(gòu)包括諸如通孔塞、接觸塞、鑲嵌結(jié)構(gòu)、雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、金屬區(qū)域、金屬線、金屬板條、其他電連接結(jié)構(gòu)的至少一種結(jié)構(gòu)和/或它們的任意組合。在一些實施例中，通孔塞、接觸塞、鑲嵌結(jié)構(gòu)、雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、金屬區(qū)域、金屬線和金屬板條由諸如鎢、鋁、銅、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、 硅化鎳、硅化鈷、其他適當?shù)膶щ姴牧系闹辽僖环N材料和/或它們的組合制成。
再次參照圖2A，在有源電路120上方設(shè)置鈍化結(jié)構(gòu)150。鈍化結(jié)構(gòu)150具有被配置用于分別暴露至少一個電焊盤(例如，電焊盤140a-140d)的至少一個開口，例如開口 151a-151d。在一些實施例中，電焊盤140a-140d通過互連結(jié)構(gòu)130與有源電路120電耦合。
在一些實施例中，電焊盤140a_140d由諸如銅(Cu)、鋁(Al)、鋁銅(AlCu)、鋁硅銅 (AlSiCu)、鎢、鋁、銅、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、其他導電材料的至少一種材料和/或它們的任意組合制成。在一些實施例中，電焊盤140a-140d各自均包括凸塊底部金屬化(UBM)層(未不出)。
在一些實施例中，鈍化結(jié)構(gòu)150包括至少一個介電層和/或至少一個聚合物層。介電層可以包括諸如氧化物、氮化物、氮氧化物、其他介電材料、和/或它們的任意組合的材料。聚合物層可以包括諸如熱塑性、熱固性、彈性體、配位聚合物、其他合適的聚合物和/或它們的任意組合的材料。在一些實施例中，鈍化結(jié)構(gòu)150是單層結(jié)構(gòu)。在其他實施例中，鈍化結(jié)構(gòu)150是多層結(jié)構(gòu)。
參照圖2A，在鈍化結(jié)構(gòu)150上方設(shè)置無源電部件I IOa和110b。在一些實施例中， 在相應(yīng)的無源電部件IlOa和IlOb與鈍化結(jié)構(gòu)150之間設(shè)置粘合材料，例如環(huán)氧樹脂(未示出)。施加粘合材料以促進無源電部件IlOa和IlOb與鈍化結(jié)構(gòu)150之間的物理連接。
再次參照圖2A，無源電部件IlOa和IlOb與相應(yīng)的電焊盤140a_140d電連接。例如，無源電部件IlOa分別通過引線161a和161b與電焊盤140a和140b電連接。無源電部件IlOb分別通過引線161c和161d與電焊盤140c和140d電連接。在一些實施例中，引線 161a和161b與無源電部件IlOa的相對節(jié)點電連接，引線161c和161d與無源電部件IlOb 的相對節(jié)點電連接。在一些實施例中，引線161a-161d由諸如金、銅、招、錫、銀、鉛、其他金屬材料的至少一種材料和/或它們的任意組合制成。
參照圖2A，可以在印刷電路板(PCB)上方設(shè)置封裝系統(tǒng)100。正如前面所提到的， 無源電部件IlOa和IlOb設(shè)置在管芯的鈍化結(jié)構(gòu)150上方。無源電部件IlOa和IlOb不消耗PCB的任何空間，使得PCB上的更多空間可以被布置成容納其他電路。無源電部件IlOa 和IlOb在PCB上保留較少的占位面積或者不保留占位面積。
當無源電部件I IOa和IlOb設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)150上方并通過電焊盤140a_140d與有源電路120電耦合時，能夠增加無源電部件IlOa和IlOb與有源電路120之間的電通信速度。在一些實施例中，無源電部件IlOa和IlOb是SMD電容器，其比在PCB上使用和設(shè)置的分立電感器便宜?？梢岳硐氲亟档椭圃旆庋b系統(tǒng)100的成本。
圖2B是沿著圖I的剖面線A-A截取的第二示例性封裝系統(tǒng)的示意性截面圖。用相同的參考數(shù)字表示與圖2A中的封裝系統(tǒng)100的各項相同或相似的圖2B中封裝系統(tǒng)100 的各項。在圖2B中，封裝系統(tǒng)100包括設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)150的相應(yīng)開口中的電連接結(jié)構(gòu) 166a-166d。在一些實施例中，電連接結(jié)構(gòu)166a_166d均為通孔塞、接觸塞、鑲嵌結(jié)構(gòu)、雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、金屬區(qū)域、金屬線、金屬板條或一種其他電連接結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，通孔塞、接觸塞、鑲嵌結(jié)構(gòu)、雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、金屬區(qū)域、金屬線和金屬板條由諸如鎢、鋁、銅、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、其他適當?shù)膶щ姴牧系闹辽僖环N材料和/或它們的任意組合制成。
參照圖2B，例如電焊盤170a_170d的至少一個電焊盤分別設(shè)置在電連接結(jié)構(gòu) 166a-166d上方并且分別與電連接結(jié)構(gòu)166a_166d電連接。電焊盤170a_170d彼此分離。在一些實施例中，電焊盤170a-170d由諸如銅(Cu)、招(Al)、鋁銅(AlCu)、鋁硅酮(AlSiCu)、 鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、其他導電材料的至少一種材料和/或它們的任意組合制成。
再次參照圖2B，無源電部件I IOa設(shè)置在電焊盤170a和170b上方并與電焊盤170a 和170b電連接。無源電部件IlOb設(shè)置在電焊盤170c和170d上方并與電焊盤170c和170d 電連接。在一些實施例中，電焊盤170a和170b與無源電部件IlOa的相對節(jié)點電連接，并且電焊盤170c和170d與無源電部件IlOb的相對節(jié)點電連接。
在一些實施例中，分別地，粘合材料171a任選地設(shè)置在無源電部件I IOa和鈍化結(jié)構(gòu)150之間以及粘合材料171b任選地設(shè)置在無源電部件IlOb和鈍化結(jié)構(gòu)150之間。粘合材料171a設(shè)置在電焊盤170a和170b之間分離電焊盤170a和170b。粘合材料171b設(shè)置在電焊盤170c和170d之間并分離電焊盤170c和170d。在一些實施例中，粘合材料171a 和171b可以包括諸如熱固性樹脂的材料以促進無源電部件IlOa和IlOb與鈍化結(jié)構(gòu)150 之間的連接。
注意到在上面結(jié)合圖2B所述的電連接結(jié)構(gòu)166a_166d、電焊盤170a_170d、粘合材料171a和171b、和/或無源電部件IlOa和IlOb的配置僅是示例性的。本申請的范圍不限于此。在一些實施例中，電連接結(jié)構(gòu)166a-166d在鈍化結(jié)構(gòu)150的表面150a上方無間斷地延伸。
圖2C是沿著圖I的剖面線A-A截取的第三示例性封裝系統(tǒng)的示意性截面圖。用相同的參考數(shù)字表示與圖2A中的封裝系統(tǒng)100的各項相同或相似的圖2C中的封裝系統(tǒng)100 的各項。在圖2C中，封裝系統(tǒng)100包括設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)150的相應(yīng)開口中并在鈍化結(jié)構(gòu) 150的表面150a上方無間斷地延伸的電連接結(jié)構(gòu)175a-175d。在一些實施例中，電連接結(jié)構(gòu) 175a-175d均為通孔塞、接觸塞、鑲嵌結(jié)構(gòu)、雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、金屬區(qū)域、金屬線、金屬板條或其他電連接結(jié)構(gòu)中的一種。在一些實施例中，通孔塞、接觸塞、鑲嵌結(jié)構(gòu)、雙鑲嵌結(jié)構(gòu)、金屬區(qū)域、 金屬線和金屬板條由諸如鎢、鋁、銅、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、其他適當?shù)膶щ姴牧系闹辽僖环N材料和/或它們的任意組合制成。
參照圖2C，無源電部件I IOa設(shè)置在電連接結(jié)構(gòu)175a和175b之間并與電連接結(jié)構(gòu) 175a和175b電連接。無源電部件IlOb設(shè)置在電連接結(jié)構(gòu)175c和175d之間并與電連接結(jié)構(gòu)175c和175d電連接。在一些實施例中，電連接結(jié)構(gòu)175a和175b與無源電部件IlOa的相對節(jié)點電連接，并且電連接結(jié)構(gòu)175c和175d與無源電部件IlOb的相對節(jié)點電連接。
在一些實施例中，無源電部件IlOa的頂面與電連接結(jié)構(gòu)175a和175b的頂面基本齊平。在其他實施例中，無源電部件IlOa的頂面高于或低于電連接結(jié)構(gòu)175a和175b的頂面。
注意到，盡管圖2A至圖2C的封裝系統(tǒng)100示出無源電部件IlOa和IlOb直接設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)150上或上方，但本申請的范圍不限于此。在一些實施例中，其他介電層和/ 或材料設(shè)置在無源電部件IlOa和IlOb與鈍化結(jié)構(gòu)150之間。在其他實施例中，至少一個中介層和/或其他管芯設(shè)置在無源電部件IlOa和IlOb與鈍化結(jié)構(gòu)150之間。在又一些實施例中，至少一個中介層和/或其他管芯設(shè)置在無源電部件IlOa和IlOb上方。
在本申請的第一實施例中，一種封裝系統(tǒng)包括設(shè)置在襯底上方的至少一個有源電路。鈍化結(jié)構(gòu)設(shè)置在至少一個有源電路上方。鈍化結(jié)構(gòu)具有至少一個開口，至少一個開口被配置成暴露至少一個第一電焊盤。至少一個無源電部件設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)上方。至少一個無源電部件與至少一個第一電焊盤電連接。
在本申請的第二實施例中，一種封裝系統(tǒng)包括設(shè)置在襯底上方的至少一個有源電路。鈍化結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述至少一個有源電路上方。鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第一電焊盤的第一開口和暴露第二電焊盤的第二開口。第一電連接結(jié)構(gòu)和第二電連接結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在第一開口和第二開口中。第一表面貼裝器件(SMD)電容器設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)上方。分別地，第一 SMD 電容器通過第一電連接結(jié)構(gòu)與第一電焊盤電連接以及通過第二電連接結(jié)構(gòu)與第二電焊盤電連接。
上面論述了若干實施例的部件，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或更改其他用于達到與本文所介紹實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。
權(quán)利要求
1.一種封裝系統(tǒng)，包括 至少ー個有源電路，設(shè)置在襯底上方； 鈍化結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述至少一個有源電路上方，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有至少ー個開ロ，所述至少ー個開ロ被配置成暴露至少ー個第一電焊盤；以及 至少ー個無源電部件，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方，所述至少一個無源電部件與所述至少ー個第一電焊盤電f禹合。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝系統(tǒng)，其中，所述至少一個無源電部件包括至少ー個電容器、至少ー個電感器、至少ー個電阻器、或它們的任意組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝系統(tǒng)，進一歩包括 至少一條電導線，電耦合在所述至少一個無源電部件和所述至少ー個第一電焊盤之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝系統(tǒng)，進一歩包括 至少ー個電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)的所述至少ー個開口中；以及至少ー個第二電焊盤，設(shè)置在所述至少一個電連接結(jié)構(gòu)上方，其中，所述至少ー個第一電焊盤通過所述至少ー個電連接結(jié)構(gòu)和所述至少ー個第二電焊盤與所述至少一個無源電器件電I禹合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝系統(tǒng)，進一歩包括 至少ー種粘合材料，設(shè)置在所述至少一個無源電部件和所述鈍化結(jié)構(gòu)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝系統(tǒng)，進一歩包括 至少ー個電連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)的所述至少ー個開口中，所述至少ー個電連接結(jié)構(gòu)在所述鈍化結(jié)構(gòu)的表面上方連續(xù)地延伸，其中，所述至少ー個第一電焊盤通過所述至少一個電連接結(jié)構(gòu)與所述至少ー個無源電部件電耦合。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝系統(tǒng)，其中，所述至少ー個無源電部件以陣列模式布置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝系統(tǒng)，其中，所述至少一個無源電部件包括第一組無源電部件和第二組無源電部件，所述第一組無源電部件以串聯(lián)模式布置，而所述第二組無源電部件以并聯(lián)模式布置。
9.一種封裝系統(tǒng),包括 至少ー個有源電路，設(shè)置在襯底上方； 鈍化結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述至少ー個有源電路上方，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第一電焊盤的第一開口和暴露第二電焊盤的第二開ロ ；以及 第一無源電部件，設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方，其中，所述第一無源電部件的第一節(jié)點與所述第一電焊盤電耦合，并且所述第一無源電部件的第二節(jié)點與所述第二電焊盤電耦合。
10.一種封裝系統(tǒng),包括 至少ー個有源電路，設(shè)置在襯底上方； 鈍化結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述至少ー個有源電路上方，所述鈍化結(jié)構(gòu)具有暴露第一電焊盤的第一開口和暴露第二電焊盤的第二開ロ； 第一電連接結(jié)構(gòu)和第二電連接結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置在所述第一開口和所述第二開口中；以及第一表面貼裝器件(SMD)電容器,設(shè)置在所述鈍化結(jié)構(gòu)上方,其中,所述第一 SMD電容器分別通過所·述第一電連接結(jié)構(gòu)和所述第二電連接結(jié)構(gòu)與所述第一電焊盤和所述第二電焊盤電耦合。
全文摘要
一種封裝系統(tǒng)包括設(shè)置在襯底上方的至少一個有源電路。鈍化結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述至少一個有源電路上方。鈍化結(jié)構(gòu)具有至少一個開口，所述至少一個開口被配置成暴露至少一個第一電焊盤。至少一個無源電部件設(shè)置在鈍化結(jié)構(gòu)上方。至少一個無源電部件與至少一個第一電焊盤電耦合。本發(fā)明還提供了包括無源電部件的封裝系統(tǒng)。
文檔編號H05K3/34GK102983113SQ20121032080
公開日2013年3月20日 申請日期2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月2日
發(fā)明者阿倫·羅思, 索南·艾瑞克, 王超昊 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司