專利名稱：用于晶體生長的保溫罩的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種用于晶體生長的保溫罩。
背景技術：
藍寶石具有高硬度，耐高溫、耐腐蝕、透過光譜范圍寬、透過率高、優(yōu)良的介電性能。藍寶石以其優(yōu)良的性能廣泛應用于國防、軍事、科研等一系列高技術領域，同時在民用エ業(yè)上也有很廣泛的應用。由于藍寶石生長溫度高(生長溫度在2050度，導致單晶生長爐功率高)、溫場變量多、輔助時間長(非生產時間占到整個エ序的三分之一以上)，導致生產成本過高。導模法則具有晶體生長速度快，尺寸可以精確控制，節(jié)省材料，時間和能源，提高經濟效益，是最有發(fā) 展前景的藍寶石生長方法之一。現有的晶體生長爐的保溫罩的觀察孔一般設置在與晶體生長爐正面觀察窗正對位置，這種設計不僅降低了保溫罩的保溫效果，降低了爐內溫場的穩(wěn)定性，從而增加了晶體生長爐的加熱功率,增加了能耗和成本。

實用新型內容本實用新型的目的是提供ー種用于晶體生長的保溫罩，控制晶體生長爐的加熱功率,降低生產成本和提高晶體質量。本實用新型的技術方案如下—種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐，其特征在干所述的晶體生長爐上固定有疊置在一起的上、下外罩，所述上外罩的上表面設有貫通上、下外罩且通向晶體生長爐中部的通孔，所述的通孔與上、下外罩的中軸線之間具有夾角。所述的用于晶體生長的保溫罩，其特征在干所述的上、下外罩采用保溫材料制成。本實用新型的有益效果本實用新型結構合理，取消了原有保溫罩上與爐體正面觀察窗正對的觀察孔，而在保溫罩的上表面設置傾斜的觀察孔，提升了保溫罩的保溫效果，増加了爐內溫場的穩(wěn)定性，降低了晶體生長爐的加熱功率，從而達到控制晶體生長成本的目的。

圖I為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
參見圖1，ー種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐1，晶體生長爐I上固定有疊置在一起的采用保溫材料制成的上、下外罩3、2，上外罩3的上表面設有貫通上、下外罩3、2且通向晶體生長爐I中部的通孔4，通孔4與上、下外罩3、2的中軸線之間具有夾角。[0013]本實用新型還取消了爐體側面的觀察孔，使爐內溫場更加對稱，提高了 晶體質量。
權利要求1.一種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐，其特征在于所述的晶體生長爐上固定有疊置在一起的上、下外罩，所述上外罩的上表面設有貫通上、下外罩且通向晶體生長爐中部的通孔，所述的通孔與上、下外罩的中軸線之間具有夾角。
2.根據權利要求I所述的用于晶體生長的保溫罩，其特征在于所述的上、下外罩采用保溫材料制成。
專利摘要本實用新型公開了一種用于晶體生長的保溫罩，包括有晶體生長爐，晶體生長爐上固定有疊置在一起的上、下外罩，上外罩的上表面設有貫通上、下外罩且通向晶體生長爐中部的通孔，通孔與上、下外罩的中軸線之間具有夾角。本實用新型結構合理，取消了原有保溫罩上與爐體正面觀察窗正對的觀察孔，而在保溫罩的上表面設置傾斜的觀察孔，提升了保溫罩的保溫效果，增加了爐內溫場的穩(wěn)定性，降低了晶體生長爐的加熱功率，從而達到控制晶體生長成本的目的。
文檔編號C30B29/20GK202482488SQ201220021309
公開日2012年10月10日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權日2012年1月18日
發(fā)明者李紅星, 梁志安, 王愿愿, 胡高華, 賈建國, 陳怡新 申請人:鴻福晶體科技(安徽)有限公司