專利名稱：一種用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅制備工藝，尤其涉及一種用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈。
背景技術(shù)：
區(qū)熔法為將一多晶硅棒通過環(huán)帶狀加熱器，以產(chǎn)生局部融化現(xiàn)象，再控制凝固過程而生長單晶棒，在生長單晶時(shí)，使圓柱形硅棒固定于垂直方向旋轉(zhuǎn)，用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣氛中加熱，使棒的底部和在其下部靠近的同軸固定的單晶籽晶間形成熔滴，這兩個(gè)棒朝相反方向旋轉(zhuǎn)，然后將在多晶棒與籽晶間僅靠表面張力形成的熔區(qū)沿棒長逐步向上移動(dòng)，將其轉(zhuǎn)換成單晶。但對(duì)于目前同類裝置，很多因線圈結(jié)構(gòu)與局部尺寸不合理受限，使其不利于大直徑單晶的生長成功率，特別是對(duì)于多晶原料的直徑不同和不規(guī)則運(yùn)動(dòng)的形狀效 果不明顯，存在著硅刺現(xiàn)象，成晶不穩(wěn)定。因此，針對(duì)以上方面，需要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行合理的改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)以上缺陷，本實(shí)用新型提供一種有利于提高成晶率、降低功耗損失、可消除硅刺現(xiàn)象、利于散熱、成晶更穩(wěn)定的用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，以解決現(xiàn)有技術(shù)的諸多不足。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案一種用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體，此線圈盤體與外側(cè)線圈法蘭盤相接，同時(shí)，所述線圈盤體外圍環(huán)繞設(shè)置環(huán)形線圈水路，此線圈盤體外徑設(shè)置為130mm-250mmo本實(shí)用新型所述的用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈的有益效果為(I)產(chǎn)品單匝加熱線圈內(nèi)徑小，可形成腰細(xì)、距離短的熔區(qū)，使之更穩(wěn)定；不受線圈內(nèi)徑的限制，適合于制備大直徑FZ硅單晶，在生產(chǎn)中加熱后產(chǎn)生磁場應(yīng)力，和爐內(nèi)生長條件形成一個(gè)非動(dòng)態(tài)平衡條件，從而有利于循環(huán)生產(chǎn)；(2)通過優(yōu)化拓寬了線圈水路結(jié)構(gòu)，對(duì)于單晶生產(chǎn)中線圈產(chǎn)生的熱量利于散熱，有利于保護(hù)廣品、提聞成晶率、尤其對(duì)于大直徑單晶生長可提聞成功率；(3)線圈腿腳增加了電極的橫截面積，利于降低功耗的損失，提高了功率利用率；(4)通過增設(shè)線圈臺(tái)階，可依據(jù)不同直徑的原料采用不同的線圈來改變生長時(shí)產(chǎn)生的磁場，利于單晶的生長，單晶成功率變高，生產(chǎn)工藝成本可相對(duì)降低；(5)通過線圈傾斜角度的改變，使加熱磁場的方向做了改變，對(duì)于原料化料的形狀和旋轉(zhuǎn)的角度改變較為理想；(6)通過線圈直徑(外徑)尺寸的精確設(shè)置，有利于多晶原料的直徑不同和不規(guī)則運(yùn)動(dòng)的形狀化料有很好的效果，有利于多晶原料消除硅刺的現(xiàn)象，成晶更穩(wěn)定。

[0013]下面根據(jù)附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例所述用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈示意圖。圖中I、線圈法蘭盤；2、線圈中心；3、線圈臺(tái)階；4、線圈水路；5、線圈盤體。
具體實(shí)施方式
如圖I所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體5，此線圈盤體5與外側(cè)線圈法蘭盤I相接，位于線圈盤體5的線圈中心2外圍設(shè)置線圈臺(tái)階3，同時(shí)，所述線圈盤體5外圍環(huán)繞設(shè)置一圈線圈水路4 ;此外，對(duì)于工作線圈中的線圈縫也進(jìn)行了改變，線圈縫的傾斜夾角在40°至70°之間，所述線圈臺(tái)階3的高度范圍 為此線圈盤體5外徑范圍為130mm-250mm。該產(chǎn)品單阻加熱線圈內(nèi)徑小,可形成腰細(xì)、距離短的熔區(qū)，使之更穩(wěn)定；不受線圈內(nèi)徑的限制，適合于制備大直徑FZ硅單晶，在生產(chǎn)中加熱后產(chǎn)生磁場應(yīng)力，和爐內(nèi)生長條件形成一個(gè)非動(dòng)態(tài)平衡條件，從而有利于循環(huán)生產(chǎn)；線圈使用中，產(chǎn)生溫度過高不利于單晶生長，本產(chǎn)品中對(duì)于線圈的水路也作了優(yōu)化設(shè)計(jì)。以上實(shí)施例是本實(shí)用新型較優(yōu)選具體實(shí)施方式
的一種，本領(lǐng)域技術(shù)人員在本技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體(5)，此線圈盤體(5)與外側(cè)線圈法蘭盤(I)相接，其特征在于所述線圈盤體(5)外圍環(huán)繞設(shè)置環(huán)形線圈水路(4)，此線圈盤體(5)外徑設(shè)置為130mm-250mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于拉制5寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體，此線圈盤體與外側(cè)線圈法蘭盤相接，同時(shí)，所述線圈盤體外圍環(huán)繞設(shè)置環(huán)形線圈水路，此線圈盤體外徑設(shè)置為130mm-250mm。本實(shí)用新型有益效果為產(chǎn)品單匝加熱線圈內(nèi)徑小，可形成腰細(xì)、距離短的熔區(qū)，使之更穩(wěn)定；在生產(chǎn)中加熱后產(chǎn)生磁場應(yīng)力，和爐內(nèi)生長條件形成一個(gè)非動(dòng)態(tài)平衡條件，從而有利于循環(huán)生產(chǎn)；尤其對(duì)于大直徑單晶生長可提高成功率，利于降低功耗的損失，提高了功率利用率；可依據(jù)不同直徑的原料采用不同的線圈來改變生長時(shí)產(chǎn)生的磁場，對(duì)于原料化料的形狀和旋轉(zhuǎn)的角度改變較為理想；有利于多晶原料消除硅刺的現(xiàn)象，成晶更穩(wěn)定。
文檔編號(hào)C30B13/20GK202658262SQ20122023593
公開日2013年1月9日 申請日期2012年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月24日
發(fā)明者劉劍 申請人:劉劍