專利名稱：一種半導(dǎo)體真空加熱管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體 地說(shuō)是涉及一種三碲化ニ鉍結(jié)晶的裝置，也就是ー種半導(dǎo)體真空加熱管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體真空加熱管使用的是一端開孔的，將半導(dǎo)體原料放置其中，抽真空封閉死，這樣的真空管具有封閉時(shí)費(fèi)勁、浪費(fèi)燃料、封閉效果欠佳的缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述缺點(diǎn)，提供ー種封閉簡(jiǎn)單、效果好、節(jié)省原材料的半導(dǎo)體真空加熱管。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體真空加熱管，其特征是它包括一管和ニ管，一管和ニ管都是一端開ロ另一端閉ロ的盲管，在一管和ニ管的開ロ處具有相互嚙合的結(jié)構(gòu)。進(jìn)ー步的講，所述的一管或ニ管至少其ー在開ロ處具有嚙合的雙層結(jié)構(gòu)。進(jìn)ー步的講，所述的一管或ニ管其一的長(zhǎng)度是5-10厘米。本實(shí)用新型的有益效果是這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體真空加熱管具有封閉簡(jiǎn)單、效果好、節(jié)省原材料的優(yōu)點(diǎn)。

圖I是本實(shí)用新型半導(dǎo)體真空加熱管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、一管2、ニ管。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步的描述。如圖I所示，一種半導(dǎo)體真空加熱管，其特征是它包括一管I和ニ管2，一管I和ニ管2都是一端開ロ另一端閉ロ的盲管，在一管I和ニ管2的開ロ處具有相互哨合的結(jié)構(gòu)。進(jìn)ー步的講，所述的一管I或ニ管2至少其ー在開ロ處具有嚙合的雙層結(jié)構(gòu)。這樣就很容易完好封閉。進(jìn)ー步的講，所述的一管I或ニ管2其一的長(zhǎng)度是5 — 10厘米。這樣這個(gè)管可以作為蓋子，具有減少破損的優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體真空加熱管，其特征是它包括一管和ニ管，一管和ニ管都是一端開ロ另一端閉ロ的盲管，在一管和ニ管的開ロ處具有相互哨合的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體真空加熱管，其特征是所述的一管或ニ管至少其ー在開ロ處具有嚙合的雙層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體真空加熱管，其特征是所述的一管或ニ管其一的長(zhǎng)度是5-10厘米。
專利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，是一種半導(dǎo)體真空加熱管，其特征是它包括一管和二管，一管和二管都是一端開口另一端閉口的盲管，在一管和二管的開口處具有相互嚙合的結(jié)構(gòu)，所述的一管或二管至少其一在開口處具有嚙合的雙層結(jié)構(gòu)，所述的一管或二管其一的長(zhǎng)度是5-10厘米，這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體真空加熱管具有封閉簡(jiǎn)單、效果好、節(jié)省原材料的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)C30B23/00GK202643906SQ20122023738
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月16日
發(fā)明者劉寶成 申請(qǐng)人:河南恒昌電子有限公司