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      Led照明低壓驅動電源的mosfet柵極驅動電路的制作方法

      文檔序號:8165024閱讀:920來源:國知局
      專利名稱:Led照明低壓驅動電源的mosfet柵極驅動電路的制作方法
      技術領域
      本實用新型涉及LED燈驅動電源,特別涉及MOSFET柵極驅動電路。
      背景技術
      如圖I所示,現有LED低壓驅動電路的設計方案包括12V交流輸入,通過整流橋D1-D4整流為直流,MOS管Ql啟動芯片Ul工作,由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓Ves決定其工作狀態(tài)。目前的LED低壓驅動方案以升壓為主,低壓MOS管的耐壓值彡30V。這就限定了低壓產品驅動的輸出電壓的大小。由于輸出電壓偏高,MOS管Ql的柵極接LED正極時,Vgs電壓偏高。如果輸出電壓的范圍接近或大于30V,MOS管Ves的值就會超過自身的耐壓值,電路無法正常工作,MOS管擊穿。因此現有方案不利于做負載值相對較大的LED低壓產品,有一定的局限性。

      實用新型內容本實用新型針對上述現有LED低壓驅動的缺點,進行了研究和改進,提供一種LED照明低壓驅動電源的MOSFET柵極驅動電路。本實用新型的技術方案如下一種LED照明低壓驅動電源的MOSFET柵極驅動電路,由共模電感模塊、整流橋模塊、MOS管開關控制模塊、芯片工作電路、MOS管分壓模塊和LED燈珠組構成;AC或DC 12V的輸入電壓通過共模電感模塊進行濾波,然后經過整流橋模塊進行整流,把交流電轉化為直流電,然后通過MOS管開關控制模塊的開關控制使芯片工作電路工作,對LED燈珠組進行電流精度控制;同時通過MOS管分壓模塊對LED燈珠組進行分壓。本實用新型的有益技術效果是本實用新型通過對負載LED燈珠的分壓,利用LED燈珠串的電壓恒定的特性作為MOSFET柵極驅動電源,從而降低MOS驅動超過自身Ves的耐壓值而擊穿的風險。降低了 Ves值,保證低壓驅動驅動較大負載的電路的穩(wěn)定性和可靠性。

      圖I是現有技術的電路原理圖。圖2是本實用新型的方塊電路圖。圖3是本實用新型的一種實施例的電路原理圖。
      具體實施方式
      以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式
      做進一步說明。如圖2所示,首先輸入AC或DC 12V的電壓,通過共模電感模塊I的濾波,以及整流橋模塊2的全橋整流,把交流電轉化為直流電。然后通過MOS管開關控制模塊3對芯片工作電路4開關供電,電流精度控制模塊4工作,對LED燈珠組6進行電流精度控制。MOS管分壓模塊5對LED燈珠組6進行分壓,減小柵源極電壓。如圖3所示,接入12V交流電,通過100UH,I. 5A的共模電感Tl進行濾波,通過整流橋D1-D4的整流,把交流電轉化為直流電10V,電流電壓首先通過電阻R1,電阻R15給驅動芯片Ul供電,驅動芯片Ul導通,這時MOS管Ql迅速持續(xù)的工作,達到軟啟動、防浪涌電流的目的。MOS管Ql的源極S接驅動芯片Ul的開關,控制驅動芯片Ul的開關啟動和供電。MOS管Ql的柵極G接在LED3和LED4之間,三分六。前面三顆LED,后面六顆LED。利用LED的分壓特性作為MOS管Ql柵極來驅動電路,保證MOS管Ql的Ves的壓降在耐壓范圍內,Ves電壓等效于LED4 LED9的電壓。LED的標稱從而降低了 Ves的電壓,Ves=18V。本實用新型保證低壓驅動可驅動30V左右負載,保證低壓MOSFET工作的 穩(wěn)定性和可靠性。以上所述的僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,本實用新型不限于以上實施例??梢岳斫?,本領域技術人員在不脫離本實用新型的精神和構思的前提下直接導出或聯想到的其他改進和變化,均應認為包含在本實用新型的保護范圍之內。
      權利要求1.ー種LED照明低壓驅動電源的MOSFET柵極驅動電路,其特征在干由共模電感模塊(I)、整流橋模塊(2 )、MOS管開關控制模塊(3 )、芯片工作電路(4)、MOS管分壓模塊(5 )和LED燈珠組(6)構成;AC或DC 12V的輸入電壓通過共模電感模塊(I)進行濾波,然后經過整流橋模塊(2)進行整流,把交流電轉化為直流電,然后通過MOS管開關控制模塊(3)的開關控制使芯片工作電路(4)工作,對LED燈珠組(6)進行電流精度控制;同時通過MOS管分壓模塊(5 )對LED燈珠組(6 )進行分壓。
      專利摘要本實用新型公開了一種LED照明低壓驅動電源的MOSFET柵極驅動電路,由共模電感模塊、整流橋模塊、MOS管開關控制模塊、芯片工作電路、MOS管分壓模塊和LED燈珠組構成。本實用新型是一種可驅動較大功率的低壓驅動方案,可以把MOS的柵極拉至LED之間。利用LED串的電壓恒定的特性作為MOSFET柵極驅動電壓源,MOS管柵極對LED燈珠組分壓,降低VGS值來確保低壓MOS管正常工作,VGS的電壓值在它的耐壓范圍內。同時又達到所需低壓驅動驅動大功率負載的目的。
      文檔編號H05B37/02GK202634819SQ20122024325
      公開日2012年12月26日 申請日期2012年5月25日 優(yōu)先權日2012年5月25日
      發(fā)明者張麗, 劉盛柏 申請人:無錫實益達電子有限公司
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