專利名稱：筒形舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導(dǎo)體擴散輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。具體涉及一種用于在高溫擴散時存放半導(dǎo)體圓片、雜質(zhì)源的筒形舟，可提高硅片閉管擴散區(qū)域均勻性和濃度。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體圓片如硅片進行預(yù)沉積和再擴散時，需要把雜質(zhì)源與硅片存放在相對封閉的區(qū)域內(nèi)進行擴散。傳統(tǒng)的方法是使用石英封管，兩端封閉，然后抽真空，來形成相對封閉區(qū)域，將硅片和雜質(zhì)源放入石英封管進行預(yù)沉積或再擴散。此種方法的不足之處一是石英料是一次性使用，浪費極大；二是使用石英封管時，高溫后管易變形，雜質(zhì)源與石英料互相影響，容易析晶，并污染擴散片。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就是針對上述不足之處而提供一種可使擴散區(qū)域相對封閉，高溫不易變形，可反復(fù)使用的筒形舟。本實用新型的技術(shù)解決方案是:一種筒形舟，其特征是:包括一個上半圓舟、一個下半圓舟和兩個圓形側(cè)擋板；上半圓舟和下半圓舟的兩側(cè)內(nèi)壁上設(shè)有配合的擋片插放凹槽，兩個側(cè)擋板分別位于該兩側(cè)的擋片插放凹槽內(nèi)；上半圓舟和下半圓舟的接觸端面設(shè)有配合的臺階。上半圓舟、下半圓舟和兩側(cè)的側(cè)擋板可配套成一個封閉筒形區(qū)域。本實用新型技術(shù)解決方案中所述的上半圓舟或/和下半圓舟內(nèi)兩側(cè)的擋片插放凹槽之間的內(nèi)壁上設(shè)有用于插放半導(dǎo)體圓片的刻槽。本實用新型技術(shù)解決方案中所述的上半圓舟或/和下半圓舟的端部設(shè)有推拉孔，便于推拉。本實用新型技術(shù)解決方案中所述的上半圓舟、下半圓舟、側(cè)檔板為SIC、多晶硅或單晶娃棒料加工而成的上半圓舟、下半圓舟、側(cè)檔板。本實用新型技術(shù)解決方案中所述的上半圓舟、下半圓舟內(nèi)壁直徑為Φ36 ^ 170臟，長度為300 ^ 850臟，壁厚為5 ^ 15mm。本實用新型技術(shù)解決方案中所述的刻槽深度為2.0 w 3.0mm，刻槽間距為1.0^3.0mm,刻槽寬度為 0.5 …2.0mm。本實用新型由于采用由一個上半圓舟、一個下半圓舟和兩個圓形側(cè)擋板構(gòu)成的筒形舟，其中，上半圓舟和下半圓舟的兩側(cè)內(nèi)壁上設(shè)有配合的擋片插放凹槽，兩個側(cè)擋板分別位于該兩側(cè)的擋片插放凹槽內(nèi)，上半圓舟和下半圓舟的接觸端面設(shè)有配合的臺階，因而上半圓舟、下半圓舟和兩側(cè)的側(cè)擋板可配套成一個封閉筒形區(qū)域，可將半導(dǎo)體圓片放入筒形舟內(nèi)，使半導(dǎo)體圓片和源封閉于密閉的筒形舟內(nèi)，這樣可提高雜質(zhì)源蒸汽壓，提高擴散參數(shù)的均勻性，并能避免半導(dǎo)體圓片受外部氣氛影響。本實用新型具有可使擴散區(qū)域相對封閉，避免硅片受外部污染，高 溫不易變形，高溫不易變形，可反復(fù)使用的特點。本實用新型主要用于在高溫擴散時存放半導(dǎo)體圓片、雜質(zhì)源的筒形舟。
圖1是本實用新型實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的左視圖。圖3是圖1中上半圓舟的俯視圖。圖4是圖1中下半圓舟的俯視圖。圖5是圖1中側(cè)擋板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本實用新型實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是圖6的左視圖。
圖8是圖6中上半圓舟的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是圖6中下半圓舟的結(jié)構(gòu)示意圖。圖10是圖8或圖9中刻槽的局部放大圖。。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例作進一步說明。實施例1如圖1至圖5所示。本實用新型實施例1由上半圓舟1、下半圓舟3和兩個圓形側(cè)擋板2構(gòu)成。上半圓舟1、下半圓舟3和側(cè)檔板2由SIC、多晶娃或單晶娃棒料加工而成。上半圓舟I和下半圓舟3的兩側(cè)內(nèi)壁上設(shè)有配合的擋片插放凹槽5，兩個側(cè)擋板2分別位于該兩側(cè)的擋片插放凹槽5內(nèi)。上半圓舟I和下半圓舟3的接觸端面為相互配合的臺階，既起密封作用，又可防止上半圓舟I和下半圓舟3的徑向滑動，并可上下翻轉(zhuǎn)使用。上半圓舟I和下半圓舟3的端部設(shè)有推拉孔4，便于筒形舟的推拉操作。上半圓舟1、下半圓舟3的內(nèi)壁直徑為Φ36 ^ 170mm，長度為300 ^ 850mm，壁厚為5 ^ 15mm。上半圓舟1、下半圓舟3和兩側(cè)的側(cè)擋板2可配套成一個相對封閉的筒形區(qū)域，四周無縫隙，可將硅片豎疊放于筒形舟內(nèi)，使硅片和源封閉于密閉的筒形舟內(nèi)，達到提高雜質(zhì)源蒸汽壓的目的，提高了擴散參數(shù)均勻性，又能避免硅片受外部氣氛影響。筒形舟內(nèi)還可配備硅片插槽座，用于硅片在筒形舟內(nèi)插裝放置。實施例2如圖6至圖10所示。與實施例1不同的是在上半圓舟I和下半圓舟3內(nèi)兩側(cè)的擋片插放凹槽5之間的內(nèi)壁上設(shè)有用于插放半導(dǎo)體圓片的刻槽6，即可以將硅片直接插在舟上。上半圓舟I和下半圓舟3的接觸端面為相互配合的臺階?？滩?深度H為
2.0 3.0mm,間距為1.0 …3.0mm,寬度為 0.5 …2.0mm。本實用新型還可采用上半圓舟不刻槽，下半圓舟刻槽的組合，或者上半圓舟刻槽，下半圓舟不刻槽的組合形成筒形舟。
權(quán)利要求1.一種筒形舟，其特征是:包括一個上半圓舟(I)、一個下半圓舟(3)和兩個圓形側(cè)擋板(2);上半圓舟(I)和下半圓舟(3)的兩側(cè)內(nèi)壁上設(shè)有配合的擋片插放凹槽(5)，兩個側(cè)擋板(2)分別位于該兩側(cè)的擋片插放凹槽(5)內(nèi)；上半圓舟(I)和下半圓舟(3)的接觸端面設(shè)有配合的臺階。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒形舟，其特征在于:所述的上半圓舟(I)或/和下半圓舟(3)內(nèi)兩側(cè)的擋片插放凹槽(5)之間的內(nèi)壁上設(shè)有用于插放半導(dǎo)體圓片的刻槽(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的筒形舟，其特征在于:所述的上半圓舟(I)或/和下半圓舟(3)的端部設(shè)有推拉孔(4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的筒形舟，其特征在于:所述的上半圓舟(I)、下半圓舟(3)、側(cè)檔板(2)為SIC、多晶娃或單晶娃棒料加工而成的上半圓舟、下半圓舟、側(cè)檔板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的筒形舟，其特征在于:所述的上半圓舟(I)、下半圓舟(3)內(nèi)壁直徑為Φ36 μ 170臟，長度為300 ^ 850臟，壁厚為5 ^ 15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的筒形舟，其特征在于:所述的刻槽(6)深度為2.0 w 3.0mm,刻槽(6)間距為1.0 μ 3.0mm，刻槽(6)寬度為0.5 ^ 2.0mm。
專利摘要本實用新型的名稱為筒形舟。屬于半導(dǎo)體擴散輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。它主要是解決現(xiàn)有硅片進行預(yù)沉積和再擴散時所使用一次性石英封管存在浪費和污染擴散片的問題。它的主要特征是包括一個上半圓舟、一個下半圓舟和兩個圓形側(cè)擋板；上半圓舟和下半圓舟的兩側(cè)內(nèi)壁上設(shè)有配合的擋片插放凹槽，兩個側(cè)擋板分別位于該兩側(cè)的擋片插放凹槽內(nèi)；上半圓舟和下半圓舟的接觸端面設(shè)有配合的臺階。上半圓舟、下半圓舟和兩側(cè)的側(cè)擋板可配套成一個封閉筒形區(qū)域。本實用新型具有可使擴散區(qū)域相對封閉，提高擴散參數(shù)的均勻性，避免硅片受外部污染，高溫不易變形，可反復(fù)使用的特點，主要用于在高溫擴散時存放半導(dǎo)體圓片、雜質(zhì)源的筒形舟。
文檔編號C30B31/14GK202913088SQ20122032458
公開日2013年5月1日 申請日期2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月6日
發(fā)明者張橋, 劉小俐, 楊寧 申請人:湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司