專利名稱：?jiǎn)尉t用溫度過(guò)渡環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅單晶爐所有型號(hào)的熱系統(tǒng)，具體是在硅單晶爐熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中加入了一個(gè)溫度過(guò)渡環(huán)。
背景技術(shù)：
目前直拉硅單晶的熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中沒(méi)有溫度過(guò)渡環(huán)，拉制的硅單晶棒從導(dǎo)流筒內(nèi)部逐步上升，當(dāng)上升到導(dǎo)流筒高度以外后，硅單晶棒周圍直接就是硅單晶爐內(nèi)壁，硅單晶爐內(nèi)外壁之間有冷卻水，以保證拉晶過(guò)程中爐壁溫度不至于過(guò)高而損壞，這樣硅單晶爐內(nèi)壁溫度就比較低。導(dǎo)流筒底部溫度為800度左右，導(dǎo)流筒上部溫度為500度左右，在導(dǎo)流筒這部分溫度可以緩慢的由800度左右過(guò)渡到500度左右，一旦高出導(dǎo)流筒，由于周圍直接是溫度較低的硅單晶爐內(nèi)壁，溫度就會(huì)快速下降，這樣當(dāng)硅單晶棒升出導(dǎo)流筒以后，硅單晶棒的溫度就會(huì)快速下降，硅單晶棒將承受巨大的熱應(yīng)力，影響硅單晶棒內(nèi)部的位錯(cuò)等參數(shù)，降低硅單晶棒的質(zhì)量，嚴(yán)重的時(shí)候可以引起硅單晶棒斷線，降低硅單晶棒成品率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:在導(dǎo)流筒以外的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)溫度緩慢降低，減少硅單晶棒由于快速降溫而產(chǎn)生的熱應(yīng)力，提高硅單晶棒的質(zhì)量和成品率。本實(shí)用新型解決起技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:制作一個(gè)溫度過(guò)渡環(huán)，放置在硅單晶爐熱系統(tǒng)的保溫蓋上，保溫蓋的位置與溫度過(guò)渡環(huán)的位置同心。所述的溫度過(guò)渡環(huán)采用等靜壓`石墨制成。本實(shí)用新型的有益效果是:通過(guò)在硅單晶爐熱系統(tǒng)中加入溫度過(guò)渡環(huán)，使得在導(dǎo)流筒以上的區(qū)域溫度降低的緩慢，這樣當(dāng)硅單晶棒升出導(dǎo)流筒以后，硅單晶棒的溫度可以緩慢的下降，減小溫度降低給硅單晶棒帶來(lái)的熱應(yīng)力，提高硅單晶棒的質(zhì)量和成品率。

圖1為溫度過(guò)渡環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖圖2為硅單晶爐和熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)示意圖圖中1.硅單晶爐觀察窗 2.硅單晶棒3.溫度過(guò)渡環(huán)4.保溫蓋5.硅單晶爐主室 6.導(dǎo)流筒
具體實(shí)施方式
如圖1所示，用等靜壓細(xì)料制作一個(gè)溫度過(guò)渡環(huán)(3)，厚度為10mm，溫度過(guò)渡環(huán)(3)的內(nèi)徑和高度在不影響硅單晶爐觀察窗(I)視線的情況下，內(nèi)徑越小越好，高度越高越好，但內(nèi)徑不能小于保溫蓋(4)的內(nèi)口徑，高度不能高于硅單晶爐主室(5)的上沿高度。如圖2所示，使用時(shí)，把溫度過(guò)渡環(huán)(3)放置在硅單晶爐熱系統(tǒng)的保溫蓋(4)上，保溫蓋(4)的位置與溫度過(guò)渡環(huán)(3)的位置同心，這樣在導(dǎo)流筒￠)以上部分形成一個(gè)溫度緩慢下降區(qū)，當(dāng)硅單晶棒(2)升出導(dǎo)流筒(6)后，由于溫度過(guò)渡環(huán)(3)的作用，可以使硅單晶棒(2)的溫度緩慢下降，減少硅單晶棒(2)內(nèi)部位錯(cuò)，提高硅單晶棒(2)的質(zhì)量和成品率，具有很好的推廣價(jià)值。
權(quán)利要求1.一種單晶爐用溫度過(guò)渡環(huán)，其特征是:所述溫度過(guò)渡環(huán)厚度為10mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶爐用溫度過(guò)渡環(huán)，其特征是:所述溫度過(guò)渡環(huán)位置與保溫蓋位置同心放置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐用溫度過(guò)渡環(huán)，其特征是:所述溫度過(guò)渡環(huán)的內(nèi)徑和高度在不影響硅單晶爐觀察窗視線的情況下，內(nèi)徑越小越好，高度越高越好，但內(nèi)徑不能小于保溫蓋的內(nèi)口徑，高度不能高于硅單晶爐主室的上沿高度。
專利摘要本實(shí)用新型涉及單晶爐用熱系統(tǒng)，具體是在單晶爐熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中加入了一個(gè)溫度過(guò)渡環(huán)，它在整個(gè)熱系統(tǒng)中放置于保溫蓋上部，厚度為10mm，溫度過(guò)渡環(huán)的內(nèi)徑和高度在不影響硅單晶爐觀察窗視線的情況下，內(nèi)徑越小越好，高度越高越好，但內(nèi)徑不能小于保溫蓋的內(nèi)口徑，高度不能高于硅單晶爐主室的上沿高度，通過(guò)加入溫度過(guò)渡環(huán)，可以使處于保溫蓋以外的單晶棒的溫度更加緩慢的下降，減小由于溫度變化太大給單晶棒帶來(lái)的熱應(yīng)力，提高單晶棒的質(zhì)量和成品率。
文檔編號(hào)C30B15/00GK202913083SQ201220533280
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月18日
發(fā)明者梁仁和, 李宗仁, 趙婷瑋 申請(qǐng)人:北京京儀世紀(jì)電子股份有限公司