專利名稱：一種改進(jìn)排氣口的單晶爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶爐，特別是一種改進(jìn)排氣口的單晶爐。
背景技術(shù)：
目前大多數(shù)單晶爐熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)都專注于改善晶體生長速度和單晶棒的質(zhì)量，然而對(duì)于太陽能級(jí)單晶硅來說，最重要的通過改變熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和晶體生長環(huán)境來改變單晶壽命，提高單晶合格率。太陽能級(jí)單晶提高單晶合格率，通常有三種方法一是通過改變熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)來改變單晶參數(shù)；二是通過改變晶體生長環(huán)境來提高單晶壽命；三是通過工藝改進(jìn)改善單晶參數(shù)。三種方法互相制約、相輔相成缺一不可。對(duì)于光伏產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量、高品質(zhì)、低成本，必須在改進(jìn)熱系統(tǒng)提高單晶品質(zhì)上下功夫。如①改變單晶爐氣場(chǎng)對(duì)流循環(huán)方向和廢氣排出高度，減少廢氣孔堵塞的幾率，提高單晶壽命、阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道，有效保護(hù)不銹鋼爐底，減少事故造成的經(jīng)濟(jì)損失，節(jié)約生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種減少廢氣孔堵塞的幾率，提高單晶壽命，阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道，有效保護(hù)不銹鋼爐底的改進(jìn)排氣口的單晶爐。為了完成上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，包括爐體和位于爐體下部的排氣管，其特征在于所述的排氣管整體為L形的異型管，所述的排氣管包括設(shè)置在爐體內(nèi)的集氣端和爐體外的排氣端，所述的集氣端的開口在爐體內(nèi)豎直向上設(shè)置。所述的集氣 端的在側(cè)壁靠近開口的上部設(shè)有集氣孔。所述的集氣端為方形管壁圓形內(nèi)徑。本實(shí)用新型的有益效果是采用整體為L形的異型管做排氣管，排氣管的集氣端開口在爐體內(nèi)豎直向上設(shè)置，可以減少廢氣孔堵塞的幾率，阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道，有效保護(hù)不銹鋼爐底。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1中排氣管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的剖視圖。圖4是圖3的俯視圖。圖中，1、爐體，2、排氣管，3、集氣端，4、排氣端，5、集氣孔。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型為一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，采用整體為L形的異型管做排氣管，排氣管的集氣端開口在爐體內(nèi)豎直向上設(shè)置，可以減少廢氣孔堵塞的幾率，阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道，有效保護(hù)不銹鋼爐底。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。具體實(shí)施例，如圖1至圖4所示，一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，包括爐體I和爐體I下部的排氣管2，排氣管2整體為L形的異型管，排氣管2包括設(shè)置在爐體I內(nèi)的集氣端3和爐體I外的排氣端4，集氣端3的開口在爐體I內(nèi)豎直向上設(shè)置，集氣端3的在側(cè)壁靠近開口的上部設(shè)有集氣孔5，集氣端3為方形管壁圓形內(nèi)徑。由于采用整體為L形的異型管做排氣管，排氣管的集氣端開口在爐體內(nèi)豎直向上設(shè)置，可以減少廢氣孔堵塞的幾率，阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道`，有效保護(hù)不銹鋼爐底。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，包括爐體(I)和位于爐體(I)下部的排氣管(2)，其特征在于所述的排氣管(2)整體為L形的異型管，所述的排氣管(2)包括設(shè)置在爐體(I)內(nèi)的集氣端(3)和爐體(I)外的排氣端(4)，所述的集氣端(3)的開口在爐體(I)內(nèi)豎直向上設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，其特征在于所述的集氣端(3)的在側(cè)壁靠近開口的上部設(shè)有集氣孔(5 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，其特征在于所述的集氣端(3)為方形管壁圓形內(nèi)徑。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)排氣口的單晶爐，包括爐體(1)和爐體(1)下部的排氣管(2)，其特征在于所述的排氣管(2)整體為L形的異型管，所述的排氣管(2)包括設(shè)置在爐體(1)內(nèi)的集氣端(3)和爐體(1)外的排氣端(4)，所述的集氣端(3)的開口在爐體(1)內(nèi)豎直向上設(shè)置。本實(shí)用新型的有益效果是采用整體為L形的異型管做排氣管，排氣管的集氣端開口在爐體內(nèi)豎直向上設(shè)置，可以減少廢氣孔堵塞的幾率，阻止漏硅時(shí)高溫熔硅直接流入不銹鋼管道，有效保護(hù)不銹鋼爐底。
文檔編號(hào)C30B35/00GK202898603SQ20122055032
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月25日
發(fā)明者李廣哲, 趙聚來, 陶建濤, 李杰濤, 吳雙華, 焦鵬 申請(qǐng)人:寧晉晶興電子材料有限公司